JPS60261203A - 超電導キヤビテイの製造方法 - Google Patents
超電導キヤビテイの製造方法Info
- Publication number
- JPS60261203A JPS60261203A JP11669284A JP11669284A JPS60261203A JP S60261203 A JPS60261203 A JP S60261203A JP 11669284 A JP11669284 A JP 11669284A JP 11669284 A JP11669284 A JP 11669284A JP S60261203 A JPS60261203 A JP S60261203A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- cavity
- core bar
- outside
- coating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P11/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
- H01P11/008—Manufacturing resonators
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
料にて製造する方法の改良に関するものである。
従来空洞共振器（超電導キャビティという）の製造方法
としては次の如き工程によシ行っているものである。
としては次の如き工程によシ行っているものである。
（１） Ｎｂにホブ）の板をスピニング加工，絞シ加工
及び削シ加工等を行って第２図に示す如き３ｓのキャビ
ティ用部品Ｊ− 、 ｔ２’及び（３をつくシ、この部
品を互に電子ビーム溶接法によって接合した後、その内
面をフッ酸と硫酸の混酸にて電解研磨を行い、内面を平
滑にすると共に不純物を除去してキャビティ１をえてい
るものである。
及び削シ加工等を行って第２図に示す如き３ｓのキャビ
ティ用部品Ｊ− 、 ｔ２’及び（３をつくシ、この部
品を互に電子ビーム溶接法によって接合した後、その内
面をフッ酸と硫酸の混酸にて電解研磨を行い、内面を平
滑にすると共に不純物を除去してキャビティ１をえてい
るものである。
なお、記の溶接は内面の平滑性を出来うる限シ向上せし
めるため内面よシミ子ビームをあて溶接するものである
。又Ｎｂはその融点が２４１５℃と高く且つ耐食性に優
れているため高品位のメッキ膜の得られる電気メッキに
よる薄膜を形成することが回線である。
めるため内面よシミ子ビームをあて溶接するものである
。又Ｎｂはその融点が２４１５℃と高く且つ耐食性に優
れているため高品位のメッキ膜の得られる電気メッキに
よる薄膜を形成することが回線である。
（２） Ｎｂのパイプを液圧バルブ加工法によシ拡管し
て製品化する。然し一度に必要の形状に拡管することは
出来えないため、その途中においで真空焼鈍を行いなが
ら少しづつ拡げなければならず、この焼鈍に時間と美大
な費用を要するため必然的に高価なものとなる。
て製品化する。然し一度に必要の形状に拡管することは
出来えないため、その途中においで真空焼鈍を行いなが
ら少しづつ拡げなければならず、この焼鈍に時間と美大
な費用を要するため必然的に高価なものとなる。
このようにＮｂを焼鈍、溶接等を行うに際し高温に加熱
されるため、Ｎｂは酸化及び脆化）れをうけやすい。こ
れを防止す蔦ため真空焼鈍、電子ビーム溶接を必要とす
るものであシ、そのために高価なものとなる。又Ｎｂの
加工中にその表面から不純物が入り超電導状態を破壊す
ることが考えられるため表面を上記の如くフッ酸と硫酸
との混酸にて電解研磨を行うことが必要なのである。然
しこの電解研磨は危険性を伴うと共に工程の複雑Ａ点か
ら生産性を向上することが出来ない。
されるため、Ｎｂは酸化及び脆化）れをうけやすい。こ
れを防止す蔦ため真空焼鈍、電子ビーム溶接を必要とす
るものであシ、そのために高価なものとなる。又Ｎｂの
加工中にその表面から不純物が入り超電導状態を破壊す
ることが考えられるため表面を上記の如くフッ酸と硫酸
との混酸にて電解研磨を行うことが必要なのである。然
しこの電解研磨は危険性を伴うと共に工程の複雑Ａ点か
ら生産性を向上することが出来ない。
本発明はかかる現状に鑑み鋭意研究を行った結果、超電
導性を必要とする部分を電気的操作によって薄膜に形成
し、安価にして且つ共振特性に優れた超電導キャビティ
の製造方法を開発したものである。即ち本発明方法はＡ
ｔ又はＡｔ合金（以下Ａｔ合金も含めてｋｌと称す）に
よりその外径寸法を、所望の超電導キャビティの内径寸
法と同一に成型した芯金の外周面にＮｂの薄膜を密着せ
しめた後、その外側にＣｕの薄膜を介してＣｕの被覆層
を設けてキャビティの形状になした後、上記Ａｔ芯金を
溶解せしめてうるものである。
導性を必要とする部分を電気的操作によって薄膜に形成
し、安価にして且つ共振特性に優れた超電導キャビティ
の製造方法を開発したものである。即ち本発明方法はＡ
ｔ又はＡｔ合金（以下Ａｔ合金も含めてｋｌと称す）に
よりその外径寸法を、所望の超電導キャビティの内径寸
法と同一に成型した芯金の外周面にＮｂの薄膜を密着せ
しめた後、その外側にＣｕの薄膜を介してＣｕの被覆層
を設けてキャビティの形状になした後、上記Ａｔ芯金を
溶解せしめてうるものである。
本発明方法におけるＮｂの薄膜は薄くすることが好まし
く、且つ不純物の混入するを忌避するため、Ａｔの外周
面にス／４’ツタリング加工によシ厚さ１〜２μ程度の
被膜を設けるものである。
く、且つ不純物の混入するを忌避するため、Ａｔの外周
面にス／４’ツタリング加工によシ厚さ１〜２μ程度の
被膜を設けるものである。
次に本発明方法の実施例を第１図の体）乃至■）によシ
説明する。
説明する。
即ち［株］）に示す如く製“造せんとする超電導キャビ
ティの内側寸法と、同一の外側寸法からなるＡｔ芯金１
１の外周面にＮｂをスパッタリング加工によシ伊）に示
す如く厚さ１〜２μのＮｂ薄膜１２を形成する。その外
側にＣｕをスパッタリング加工又はフラッシュメッキ加
工によ！り （Ｃ）に示す如く厚さ５〜６μのＣｕの薄
膜１３を密着せしめる。
ティの内側寸法と、同一の外側寸法からなるＡｔ芯金１
１の外周面にＮｂをスパッタリング加工によシ伊）に示
す如く厚さ１〜２μのＮｂ薄膜１２を形成する。その外
側にＣｕをスパッタリング加工又はフラッシュメッキ加
工によ！り （Ｃ）に示す如く厚さ５〜６μのＣｕの薄
膜１３を密着せしめる。
次に電気メツキ法によ多■）に示す如く該薄膜上に厚さ
２瓢以上好ましくは２〜３ｆｉのＣｕ被覆層１４を設け
る。
２瓢以上好ましくは２〜３ｆｉのＣｕ被覆層１４を設け
る。
なおこの場合Ｎｂ薄膜面に直接Ｃｕの被覆層を設けると
該Ｃｕ被覆層がよく密着しないため、Ｃｕの薄膜を介す
ることによ、９Ｎｂの薄膜とＣｕの被覆層とが強力に密
着することが出来る。
該Ｃｕ被覆層がよく密着しないため、Ｃｕの薄膜を介す
ることによ、９Ｎｂの薄膜とＣｕの被覆層とが強力に密
着することが出来る。
又Ｎｂの薄膜は高融点にして高純度のものを必要とする
と共に製品を安価にするためなるべく薄くしなければな
らない。従って化学メッキ法による場合には被膜が厚Ｃ
］且つ０２等の不純物が入シ易く高純度のものをうろこ
とが出来ない。
と共に製品を安価にするためなるべく薄くしなければな
らない。従って化学メッキ法による場合には被膜が厚Ｃ
］且つ０２等の不純物が入シ易く高純度のものをうろこ
とが出来ない。
次いで最終工程として前記Ａｔ芯金を塩酸又は水酸化す
） ＩＪウム溶液にて溶解して本発明方法によるキャビ
ティ１５をうるものである。
） ＩＪウム溶液にて溶解して本発明方法によるキャビ
ティ１５をうるものである。
本発明方法によれば次の如き効果をうるものである。
（１） Ｎｂの如き高価な超電導材料を厚さ１〜２μの
薄膜として使用するためキャビティを安価に生産するこ
とが出来る。
薄膜として使用するためキャビティを安価に生産するこ
とが出来る。
（２）外面よシ超電導材料をス・フッタリングにより加
工しうるため超電導部分の良否を容易に判定しうると共
に優れたＮｂ被膜を設けることが出来る。
工しうるため超電導部分の良否を容易に判定しうると共
に優れたＮｂ被膜を設けることが出来る。
（３）超電導特性を必要とする部分のみス・母ツタリン
グによｊ５Ｎｂを耐着せしめるため不純物の混入するこ
とがなく、超電導特性を低下せしめることがない。
グによｊ５Ｎｂを耐着せしめるため不純物の混入するこ
とがなく、超電導特性を低下せしめることがない。
（４） 熱電導性のよいＣｕ材料を構造材として用いる
ため熱処理による超電導特性の破壊が生じ難く、キャビ
ティとしての特性が向上する。
ため熱処理による超電導特性の破壊が生じ難く、キャビ
ティとしての特性が向上する。
第１図の（Ａ）乃至（ト）は本発明方法によるキャビテ
ィの工程を示す概略説明図、第２図は従来方法によるキ
ャビティの概略説明図である。 １・・・従来方法によるキャビティ、２．２′・・・７
ラング部、３・・・キャピテ、ｆ本体、１ノ・・・アル
ミニウム芯材、１２・・・Ｎｂ薄膜、１３・・・Ｃｕ薄
膜、１４・・・Ｃｕ被覆層、１５・・・本発明方法によ
るキャビティ
ィの工程を示す概略説明図、第２図は従来方法によるキ
ャビティの概略説明図である。 １・・・従来方法によるキャビティ、２．２′・・・７
ラング部、３・・・キャピテ、ｆ本体、１ノ・・・アル
ミニウム芯材、１２・・・Ｎｂ薄膜、１３・・・Ｃｕ薄
膜、１４・・・Ｃｕ被覆層、１５・・・本発明方法によ
るキャビティ
Claims (2)
- （１） ｈｔ又はＡｔ合金によシその外側寸法を、所望
の超電導キャビティの内側寸法と同一に成型した芯金の
外周面にＮｂの薄膜を密着せしめた後、その外側にＣｕ
の薄膜を介してＣｕの被覆層を設けてキャビティの形状
とした後上記Ａｔ又Ａｔ合金の芯金を溶解せしめること
を特徴とする超電導キャビティの製造方法。 - （２） Ｎｂの薄膜をス・モツタリング加工によシ得る
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の超電導キ
ャビティの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11669284A JPS60261203A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 超電導キヤビテイの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11669284A JPS60261203A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 超電導キヤビテイの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60261203A true JPS60261203A (ja) | 1985-12-24 |
Family
ID=14693492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11669284A Pending JPS60261203A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 超電導キヤビテイの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60261203A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0217127A2 (en) * | 1985-08-26 | 1987-04-08 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Method of fabricating a superconducting cavity |
| JPS64700A (en) * | 1987-06-22 | 1989-01-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | High frequency acceleration cavity using superconductor |
| US5500995A (en) * | 1993-06-14 | 1996-03-26 | Istituto Nazionale Di Fisica Nucleare | Method of producing radiofrequency resonating cavities of the weldless type |
-
1984
- 1984-06-08 JP JP11669284A patent/JPS60261203A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0217127A2 (en) * | 1985-08-26 | 1987-04-08 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Method of fabricating a superconducting cavity |
| US4765055A (en) * | 1985-08-26 | 1988-08-23 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Method of fabricating a superconducting cavity |
| JPS64700A (en) * | 1987-06-22 | 1989-01-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | High frequency acceleration cavity using superconductor |
| US5500995A (en) * | 1993-06-14 | 1996-03-26 | Istituto Nazionale Di Fisica Nucleare | Method of producing radiofrequency resonating cavities of the weldless type |
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