JPS62180511A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS62180511A JPS62180511A JP2191586A JP2191586A JPS62180511A JP S62180511 A JPS62180511 A JP S62180511A JP 2191586 A JP2191586 A JP 2191586A JP 2191586 A JP2191586 A JP 2191586A JP S62180511 A JPS62180511 A JP S62180511A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘッドに係り、特に段差部で膜欠陥が
生ずることなくステップカバレージの良好なスパッタア
ルミナ保護膜を磁性体上に形成することに好適な磁性体
をエレクトロフォーミング法で形成するプロセスに関す
る。
生ずることなくステップカバレージの良好なスパッタア
ルミナ保護膜を磁性体上に形成することに好適な磁性体
をエレクトロフォーミング法で形成するプロセスに関す
る。
第２図に薄膜磁気ヘッドの構造を示す。薄膜磁気ヘッド
はセラミック基板１上に下地絶縁膜２、′下部磁性体３
．ギャップ材４．導体コイル５、層間絶縁膜６．上部磁
性体７．アルミナ保護膜８．が積層されている。
はセラミック基板１上に下地絶縁膜２、′下部磁性体３
．ギャップ材４．導体コイル５、層間絶縁膜６．上部磁
性体７．アルミナ保護膜８．が積層されている。
この下部磁性体３、と上部磁性体７、をエレクトロフォ
ーミング法にて形成する方法は、例えば特開昭５６−３
６７０６号公報に示されている。第３図（ａ）〜（ｃ）
はその方法にて磁性体を形成した構造を示したものであ
る。セラミック基板１、に下地絶縁膜２を形成した上に
めっき下地膜９を形成する。そしてフレーム１０はシプ
レー社製Ａ Ｚ １３５０ ＨまたはＡＺＩ３５０Ｊの
ポジ型ノボラック樹脂、→フォトレジストを塗布、プリ
ベークを施こしフレームパターンが入ったフォトマスク
を介しマスクアライナ−にて紫外線を照射して、露光す
る。さらに現像処理により未露光部分が、エレクトロフ
ォーミングのフレーム１０となる。このようなポジ型ノ
ボラック樹脂系フォトレジスト（シプレー社製以外のポ
ジ型ノボラック樹脂系フォ１へレジストも同様２例えば
東京応化社製の０ＦＰＲフオトレジスト、ヘキスト社Ｉ
ＡＺフォトレジスト）は紫外線の透過率が非常に高く露
光光がめつき下地膜９から反射されフォトレジストを再
露光させるため現像後のフォト−ジス１−パターンテー
パ角いわゆるフレームテーパ角は６０〜８０°になる。
ーミング法にて形成する方法は、例えば特開昭５６−３
６７０６号公報に示されている。第３図（ａ）〜（ｃ）
はその方法にて磁性体を形成した構造を示したものであ
る。セラミック基板１、に下地絶縁膜２を形成した上に
めっき下地膜９を形成する。そしてフレーム１０はシプ
レー社製Ａ Ｚ １３５０ ＨまたはＡＺＩ３５０Ｊの
ポジ型ノボラック樹脂、→フォトレジストを塗布、プリ
ベークを施こしフレームパターンが入ったフォトマスク
を介しマスクアライナ−にて紫外線を照射して、露光す
る。さらに現像処理により未露光部分が、エレクトロフ
ォーミングのフレーム１０となる。このようなポジ型ノ
ボラック樹脂系フォトレジスト（シプレー社製以外のポ
ジ型ノボラック樹脂系フォ１へレジストも同様２例えば
東京応化社製の０ＦＰＲフオトレジスト、ヘキスト社Ｉ
ＡＺフォトレジスト）は紫外線の透過率が非常に高く露
光光がめつき下地膜９から反射されフォトレジストを再
露光させるため現像後のフォト−ジス１−パターンテー
パ角いわゆるフレームテーパ角は６０〜８０°になる。
一方、上部磁性体は第２図に示すように、導体コイル、
層間絶縁膜からなる十数μｍの段差の上下部にフレーム
を形成する構造となる。この十数μｍの段差を有する基
板へ前記フォトレジストを塗布すると段差下部、いわゆ
るトラック幅１３、には厚く付き１段差上部には薄く付
く平坦化性をもっている。従いトラック［１３の厚いフ
ォトレジストに露光時間を設定するためフォトレジスト
が薄い段差上部では露光過剰になり現像後のフレームは
膜減りを起こしテーパ角も４０〜６０°に緩やかになる
。このようにテーパが付いたフレームを有する基板１へ
磁性材を電気めっきしてフレーム１０、めっき下地膜９
．不要磁性体３１ 、７ ＋。
層間絶縁膜からなる十数μｍの段差の上下部にフレーム
を形成する構造となる。この十数μｍの段差を有する基
板へ前記フォトレジストを塗布すると段差下部、いわゆ
るトラック幅１３、には厚く付き１段差上部には薄く付
く平坦化性をもっている。従いトラック［１３の厚いフ
ォトレジストに露光時間を設定するためフォトレジスト
が薄い段差上部では露光過剰になり現像後のフレームは
膜減りを起こしテーパ角も４０〜６０°に緩やかになる
。このようにテーパが付いたフレームを有する基板１へ
磁性材を電気めっきしてフレーム１０、めっき下地膜９
．不要磁性体３１ 、７ ＋。
の順に除去して形成された磁性体の断面形状は逆台形に
なるつさらに磁性体が逆台形に形成された上部にスパッ
タリング法でアルミナ保護膜８、を厚付けすると第３図
（ｆ）に示すようにステップカバレージが悪く、なおか
つ磁性体端部から欠陥が発生する。このような欠陥が生
じたアルミナ保護膜のヘッドを駆動させた場合アルミナ
破片が媒体面に脱落しエラーになる。またこの欠陥を通
して素子中の層間絶縁膜６．導体コイル５が大気に接し
られ、腐食し磁気ヘッド特性を悪（する原因にもなる。
なるつさらに磁性体が逆台形に形成された上部にスパッ
タリング法でアルミナ保護膜８、を厚付けすると第３図
（ｆ）に示すようにステップカバレージが悪く、なおか
つ磁性体端部から欠陥が発生する。このような欠陥が生
じたアルミナ保護膜のヘッドを駆動させた場合アルミナ
破片が媒体面に脱落しエラーになる。またこの欠陥を通
して素子中の層間絶縁膜６．導体コイル５が大気に接し
られ、腐食し磁気ヘッド特性を悪（する原因にもなる。
本発明の目的はエレクトロフォーミング法にて磁性体を
形成する場合、磁性体パターン端面に７０±１０°のテ
ーパを持たらせ磁性体上に形成するアルミナ保護膜の欠
陥を防止させた薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
形成する場合、磁性体パターン端面に７０±１０°のテ
ーパを持たらせ磁性体上に形成するアルミナ保護膜の欠
陥を防止させた薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
前記にも示したようにポジ型ノボラック樹脂系のフォト
レジストは紫外線の透過率が高く下地膜からの反射によ
り再露光され、フレームにテーパが付く特性がある。従
い紫外線の透過率の低いフォトレジス１〜材を使用する
ことによりフォトレジスト表面層のみを感光させ、現像
処理によりフレームを逆テーパにすることが可能である
。例えば表面感光型のフォトレジストである日立化成社
製のＲＤ２０５ＯＮまたは東京応化社製の０ＮＮＲ系フ
ォトレジス１−（いずれもネガ型）をフレーム材として
使用するとフレーム断面形状は逆テーパになりパーマロ
イめっき後の磁性体断面形状は台形状にすることが可能
である。
レジストは紫外線の透過率が高く下地膜からの反射によ
り再露光され、フレームにテーパが付く特性がある。従
い紫外線の透過率の低いフォトレジス１〜材を使用する
ことによりフォトレジスト表面層のみを感光させ、現像
処理によりフレームを逆テーパにすることが可能である
。例えば表面感光型のフォトレジストである日立化成社
製のＲＤ２０５ＯＮまたは東京応化社製の０ＮＮＲ系フ
ォトレジス１−（いずれもネガ型）をフレーム材として
使用するとフレーム断面形状は逆テーパになりパーマロ
イめっき後の磁性体断面形状は台形状にすることが可能
である。
以下、本発明の一実施例を下部磁性体について第１図に
より説明する。基板１にめっき下地膜９．としてモリブ
デン０．０５μｍ、磁性膜３、Ｏ，１μｍをスパッタリ
ングまたは蒸着にて連続形成する。表面処理としてめっ
き下地膜上にシランカップリング液をスピン塗布し９０
°Ｃ１０分のベークを施す。
より説明する。基板１にめっき下地膜９．としてモリブ
デン０．０５μｍ、磁性膜３、Ｏ，１μｍをスパッタリ
ングまたは蒸着にて連続形成する。表面処理としてめっ
き下地膜上にシランカップリング液をスピン塗布し９０
°Ｃ１０分のベークを施す。
そして表面感光型フォ１−レジスト日立化成社製のＲＤ
２０５ＯＮ （ネガ型遠紫外線感光用）を４０００ｒｐ
ｍでスピン塗布し、９０’ Ｃ３０分のプリベークを施
こし遠紫外線用マスクアライナ−にて１分露光する。フ
ォトマスクは石英材でフレームパターン幅寸法は３μｍ
に設計されたものを使用した。露光後、シプレー社製の
マイクロポジットディベロツバ−２０％水溶液を２１±
０．５’ Ｃに保ちスプレー現像を９０秒行なう。さら
に密着性向上のために前記１こ用いた遠紫外線用マスク
アライナ−で全面露光を１分行ない１４０°Ｃ１時間の
ボストベークをしフォトレジストフレーム１０．を形成
する。
２０５ＯＮ （ネガ型遠紫外線感光用）を４０００ｒｐ
ｍでスピン塗布し、９０’ Ｃ３０分のプリベークを施
こし遠紫外線用マスクアライナ−にて１分露光する。フ
ォトマスクは石英材でフレームパターン幅寸法は３μｍ
に設計されたものを使用した。露光後、シプレー社製の
マイクロポジットディベロツバ−２０％水溶液を２１±
０．５’ Ｃに保ちスプレー現像を９０秒行なう。さら
に密着性向上のために前記１こ用いた遠紫外線用マスク
アライナ−で全面露光を１分行ない１４０°Ｃ１時間の
ボストベークをしフォトレジストフレーム１０．を形成
する。
完成されたフレーム寸法は上部幅３μｍ、下部幅２μｍ
、高さ３μｍ、テーパ角１１０±１０°になった。次に
磁性体めっき液中で異方性の付いた磁性体を２μｍ、フ
レーム以外の所へ電着させた。フォトレジストフレーム
はシブレー社製のマイクロポジットリムーバ５０％水溶
液を超音波にて除去する。そして露出された、めっき下
地膜９．はイオンミリングにて除去する。
、高さ３μｍ、テーパ角１１０±１０°になった。次に
磁性体めっき液中で異方性の付いた磁性体を２μｍ、フ
レーム以外の所へ電着させた。フォトレジストフレーム
はシブレー社製のマイクロポジットリムーバ５０％水溶
液を超音波にて除去する。そして露出された、めっき下
地膜９．はイオンミリングにて除去する。
さらに磁性体３．以外にめっきされた不要磁性体３′、
を磁性体３寸法より広めのフォトレジスト１２．をマス
クとして塩化第二鉄、塩酸の水溶液にてエッチしフォト
レジストを除去して下部磁性体３．が形成された。完成
された下部磁性体端面は７０±１ｏ°のテーパ角が得ら
れ。
を磁性体３寸法より広めのフォトレジスト１２．をマス
クとして塩化第二鉄、塩酸の水溶液にてエッチしフォト
レジストを除去して下部磁性体３．が形成された。完成
された下部磁性体端面は７０±１ｏ°のテーパ角が得ら
れ。
その後アルミナ保護膜８．をスパッタリング法にて３０
μｍ形成したがその断面を観察しても欠陥１１・、は発
生していない。
μｍ形成したがその断面を観察しても欠陥１１・、は発
生していない。
本発明によれば、磁性体にスパッタリングで形成するア
ルミナ保護膜に欠陥が生じないため。
ルミナ保護膜に欠陥が生じないため。
磁気ヘッドギャップ部からアルミナ破片が脱落しエラー
にならないこと、また、その欠陥を通して大気が接っし
て素子中の膜を腐食させ磁気ヘッド特性を劣化させるこ
とが防止できる。このように高性能かつ高信頼性薄膜磁
気ヘッドを製造できるという効果がある。
にならないこと、また、その欠陥を通して大気が接っし
て素子中の膜を腐食させ磁気ヘッド特性を劣化させるこ
とが防止できる。このように高性能かつ高信頼性薄膜磁
気ヘッドを製造できるという効果がある。
第１図は本発明により形成した下部磁性体断面図、第２
図は従来の薄膜磁気ヘッドの断面図。 第３図は同じ〈従来の断面図である。 １・・・・基板、２・・・・下地絶縁膜、３・・・・下
部磁性体、５・・・・導体コイル、６・・・・層間絶縁
膜。 ７・・・・上部磁性体、８・・・・保護膜、９・・・・
めっき下地膜、１０・・・・フレーム。 代理人弁理士 小 川 勝 男 ゛ 発１ 図 拓２図 発二口
図は従来の薄膜磁気ヘッドの断面図。 第３図は同じ〈従来の断面図である。 １・・・・基板、２・・・・下地絶縁膜、３・・・・下
部磁性体、５・・・・導体コイル、６・・・・層間絶縁
膜。 ７・・・・上部磁性体、８・・・・保護膜、９・・・・
めっき下地膜、１０・・・・フレーム。 代理人弁理士 小 川 勝 男 ゛ 発１ 図 拓２図 発二口
Claims (1)
- １、薄膜磁気ヘッドの磁性体をエレクトロフォーミング
法で形成し磁性体パターン端面にテーパを付けることを
特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2191586A JPS62180511A (ja) | 1986-02-05 | 1986-02-05 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2191586A JPS62180511A (ja) | 1986-02-05 | 1986-02-05 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62180511A true JPS62180511A (ja) | 1987-08-07 |
Family
ID=12068379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2191586A Pending JPS62180511A (ja) | 1986-02-05 | 1986-02-05 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62180511A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03194714A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-26 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US10589448B2 (en) | 2013-09-30 | 2020-03-17 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Injection molding method and injection molding device for transparent resin molded article |
-
1986
- 1986-02-05 JP JP2191586A patent/JPS62180511A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03194714A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-26 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US10589448B2 (en) | 2013-09-30 | 2020-03-17 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Injection molding method and injection molding device for transparent resin molded article |
| US10759098B2 (en) | 2013-09-30 | 2020-09-01 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Injection molding method and injection molding device for transparent resin molded article |
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