JPS6233314A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS6233314A JPS6233314A JP17230685A JP17230685A JPS6233314A JP S6233314 A JPS6233314 A JP S6233314A JP 17230685 A JP17230685 A JP 17230685A JP 17230685 A JP17230685 A JP 17230685A JP S6233314 A JPS6233314 A JP S6233314A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- baking
- frame
- photo resist
- conductor
- magnetic head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘッドに係り、特に良好なヘッド電気
特性に好適な導体コイルをエレクトロフォーミング法に
て形成するプロセスに関する。
特性に好適な導体コイルをエレクトロフォーミング法に
て形成するプロセスに関する。
薄膜磁気ヘッドの導体コイルをエレクトロンｔ−ミンク
法にて形成するプロセスとして１例えば特開昭５７−５
５７０５号公報に示されるようにフレーム材としてシプ
レー社製のＡ Ｚ １５５０Ｈというノボラック樹脂の
フォトレジストが使用されていることが知られている。
法にて形成するプロセスとして１例えば特開昭５７−５
５７０５号公報に示されるようにフレーム材としてシプ
レー社製のＡ Ｚ １５５０Ｈというノボラック樹脂の
フォトレジストが使用されていることが知られている。
このようなノボラック樹脂系のフォトレジストは紫外線
の透過率が非常に高く、フォトリソプロセスにおけるマ
スクアライナ−の露光光による。フォトレジストのめつ
き下地膜からの反射光により、フォトレジストが再露光
されるため現像後のフォトレジスト端面ば６０〜６０°
のテーバが付く。さらに下部磁性体の段差部の露光は、
フォトレジスト膜が厚い段差下に露光時間を設定するた
めフォトレジスト膜が薄い段差上は露光過乗になり現像
後の７オトレジスト端面は４０〜６０＠のテーバが付き
、寸法精度も著しく悪くなる。
の透過率が非常に高く、フォトリソプロセスにおけるマ
スクアライナ−の露光光による。フォトレジストのめつ
き下地膜からの反射光により、フォトレジストが再露光
されるため現像後のフォトレジスト端面ば６０〜６０°
のテーバが付く。さらに下部磁性体の段差部の露光は、
フォトレジスト膜が厚い段差下に露光時間を設定するた
めフォトレジスト膜が薄い段差上は露光過乗になり現像
後の７オトレジスト端面は４０〜６０＠のテーバが付き
、寸法精度も著しく悪くなる。
第２図に示すように４０〜８０″のテーバが付いたフォ
トレジストフレーム有する基板へ銅を電気めっきし、フ
ォトレジストフレーム、めっき下地膜の順に除去し、電
気めっきされた導体コイル断面形状は逆台形に形成され
【いる。
トレジストフレーム有する基板へ銅を電気めっきし、フ
ォトレジストフレーム、めっき下地膜の順に除去し、電
気めっきされた導体コイル断面形状は逆台形に形成され
【いる。
このように導体コイルが逆台形に形成されると次のよう
な問題が生じる。
な問題が生じる。
（１）下部磁性体段差部の導体コイル寸法精度が悪くな
り、抵抗値が大きくバラツク。
り、抵抗値が大きくバラツク。
（２）めっき下地膜をスパッタエツチング法またはイオ
ンミリング法にて除去するが、そのイオンが導体コイル
間全域に回り込むことが困難でエツチング残りが生じ、
導体コイル間に短絡を持たらす原因となる。
ンミリング法にて除去するが、そのイオンが導体コイル
間全域に回り込むことが困難でエツチング残りが生じ、
導体コイル間に短絡を持たらす原因となる。
（５）導体コイル形成後、導体コイル上を平坦化するプ
ロセスにて平坦化樹脂が導体コイル間への回り込みを悪
くし、平坦化性を失う。
ロセスにて平坦化樹脂が導体コイル間への回り込みを悪
くし、平坦化性を失う。
本発明の目的は、導体コイルをエレクトロフォーミング
法にて形成する場合、ヘッド電気特性に良好な上記パタ
ーン端面に７０±１０’のテーパが付いた薄膜磁気ヘッ
ドを提供することにある。
法にて形成する場合、ヘッド電気特性に良好な上記パタ
ーン端面に７０±１０’のテーパが付いた薄膜磁気ヘッ
ドを提供することにある。
ノボラック樹脂系のフォトレジストは紫外線の透過率が
高く、テーパが付きやすくなる。
高く、テーパが付きやすくなる。
すなわち、紫外線の透過率の低いフォトレジストを使用
することにより逆テーパにすることを可能としたもので
ある。
することにより逆テーパにすることを可能としたもので
ある。
例えば、表面感光型のフォトレジストである日立化成社
製の［Ｌ Ｄ ２０５０ Ｎ １４０ 、東京応化社製
のＯＮ Ｎ Ｒ２ｏをフレーム材とすると、フレームは
逆テーパ忙することができ、めっき後の導体コイル断面
は台形状になる。
製の［Ｌ Ｄ ２０５０ Ｎ １４０ 、東京応化社製
のＯＮ Ｎ Ｒ２ｏをフレーム材とすると、フレームは
逆テーパ忙することができ、めっき後の導体コイル断面
は台形状になる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。導体
コイルのめっき下地膜としてＣｒをＯ，ＯＳμｍ、そし
てＣμを０．１μｍをスパッタリング法または蒸着法に
て連続形成する。
コイルのめっき下地膜としてＣｒをＯ，ＯＳμｍ、そし
てＣμを０．１μｍをスパッタリング法または蒸着法に
て連続形成する。
第１図（α）Ｋ示すよ５に、めっき下地膜上にシランカ
ップリング液で表面処理し、９０ｔ＋ｉ（］分のベーク
を施こす。
ップリング液で表面処理し、９０ｔ＋ｉ（］分のベーク
を施こす。
そして表面感光型フォトレジスト、日立化成社製のＲＤ
２０５０ Ｎ １４０を２５００ｒｐｒｒＬでスピン
塗布し、９０ ｔ ４５分のプリベークを施こし、遠紫
外線用マスクアライナ−にて１分露光する。露光後シプ
レー社製のＭＰディベロツバ−２５％水溶液を２２±０
．５でに保ちスプレー現像を７０秒行なう。
２０５０ Ｎ １４０を２５００ｒｐｒｒＬでスピン
塗布し、９０ ｔ ４５分のプリベークを施こし、遠紫
外線用マスクアライナ−にて１分露光する。露光後シプ
レー社製のＭＰディベロツバ−２５％水溶液を２２±０
．５でに保ちスプレー現像を７０秒行なう。
サラにフォトレジストフレームがめつキ中に剥離しない
ように、前記釦用いた遠紫外線用マスクアライナ−で全
面露光を１分行ない、１４０ｔ１時間のポストベークを
し、フォトレジストフレームラ形成する。このフォトレ
ジストフレームの寸法は線幅が５μｍ、模厚は４μｍ、
フレーム間隔は８μｍ１そしてテーパ角は１１０±１０
°の逆テーパが得られた。
４゜次に第２図（ｂ）に示すように、硫酸鋼の液
中で３．５μｍＣＴＬめっきした後、フォトレジストを
シブレー社製のＭ Ｐ ＩＪムーバ１１１２ Ａ ｓＯ
％水溶液超音波にて除去する。
ように、前記釦用いた遠紫外線用マスクアライナ−で全
面露光を１分行ない、１４０ｔ１時間のポストベークを
し、フォトレジストフレームラ形成する。このフォトレ
ジストフレームの寸法は線幅が５μｍ、模厚は４μｍ、
フレーム間隔は８μｍ１そしてテーパ角は１１０±１０
°の逆テーパが得られた。
４゜次に第２図（ｂ）に示すように、硫酸鋼の液
中で３．５μｍＣＴＬめっきした後、フォトレジストを
シブレー社製のＭ Ｐ ＩＪムーバ１１１２ Ａ ｓＯ
％水溶液超音波にて除去する。
そして、スパッタエツチングまたはイオンミリングで導
体コイル間のめっき下地膜を除去する。
体コイル間のめっき下地膜を除去する。
このようにエレクトロフォーミング法で形成された導体
コイルパターン端面は７０±１０°のテーパ角が得られ
、その後の平坦化プロセスにおいても良好な平坦性が得
られた。
コイルパターン端面は７０±１０°のテーパ角が得られ
、その後の平坦化プロセスにおいても良好な平坦性が得
られた。
本発明によれば、導体コイルを形成する下部磁性体の段
差が生じていても一定の導体コイル幅が得られ、抵抗値
のバラツキが小さくなる。
差が生じていても一定の導体コイル幅が得られ、抵抗値
のバラツキが小さくなる。
また、導体コイル断面が台形状であると、後工程の樹脂
による平坦化性に優れろ。
による平坦化性に優れろ。
このように高性能かつ高信頼性薄膜磁気ヘッドを製造で
きろという効果がある。
きろという効果がある。
第１図は本発明の一実施例のＲ，Ｄ ２０５ＯＮ１４０
フオトレジストフレームを用いエレクトロフォーミング
法で形成した図、第２図はＡＺ１５５０Ｈｙオトレジス
トフレームヲ用いエレクトロフォーミング法で形成した
図である。 １・・・基板、２・・・めっき下地膜、５・・・フォト
レジストフレーム、４・・・導体コイル、５・・・平坦
化樹脂。
フオトレジストフレームを用いエレクトロフォーミング
法で形成した図、第２図はＡＺ１５５０Ｈｙオトレジス
トフレームヲ用いエレクトロフォーミング法で形成した
図である。 １・・・基板、２・・・めっき下地膜、５・・・フォト
レジストフレーム、４・・・導体コイル、５・・・平坦
化樹脂。
Claims (1)
- １、薄膜磁気ヘッドの導体コイルをエレクトロフォーミ
ング法により形成し、パターン端面にテーパを付けるこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17230685A JPS6233314A (ja) | 1985-08-07 | 1985-08-07 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17230685A JPS6233314A (ja) | 1985-08-07 | 1985-08-07 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6233314A true JPS6233314A (ja) | 1987-02-13 |
Family
ID=15939473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17230685A Pending JPS6233314A (ja) | 1985-08-07 | 1985-08-07 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6233314A (ja) |
-
1985
- 1985-08-07 JP JP17230685A patent/JPS6233314A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3448838B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法 | |
| JPH0669120A (ja) | 微細レジストパターンの形成方法 | |
| JPS6233314A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH0681173A (ja) | 金属膜パターン形成方法 | |
| JPH05283970A (ja) | 高周波帯弾性表面波素子 | |
| JPS5829619B2 (ja) | シヤシンシヨツコクヨウホトマスク | |
| JP2752447B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS5857908B2 (ja) | 薄膜構造体の形成方法 | |
| JPS62180511A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH06151351A (ja) | 電極形成方法 | |
| JP2003289165A (ja) | マスクを用いたパターン形成方法 | |
| JP3404293B2 (ja) | 圧電素子の製造方法 | |
| JP2024059043A (ja) | Ｇｓｒ素子の製造方法 | |
| JPH0224810A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS6045921A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH01128214A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS6145407A (ja) | 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 | |
| KR960000185B1 (ko) | 자동 배치형 위상반전마스크 제조 방법 | |
| JPH01173309A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2693171B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH05341533A (ja) | 三層レジスト法 | |
| JPS5836494B2 (ja) | シヤシンシヨツコクヨウホト マスクノセイゾウホウホウ | |
| JPH03194714A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH04348346A (ja) | パターン形成方法および磁気ヘッド | |
| JP2005275413A (ja) | マスクを用いたパターン形成方法 |