JPS62177970A - 電界効果トランジスタの製造方法 - Google Patents
電界効果トランジスタの製造方法Info
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH038344A (ja) * | 1989-06-06 | 1991-01-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及びそれにより製造された半導体装置 |
| JP2008223927A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Saginomiya Seisakusho Inc | 逆止弁 |
| CN106057883A (zh) * | 2016-07-18 | 2016-10-26 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种高迁移率晶体管的制作方法 |
| CN111415987A (zh) * | 2020-04-09 | 2020-07-14 | 浙江大学 | 结合二次外延及自对准工艺的氮化镓器件结构及制备方法 |
-
1986
- 1986-01-30 JP JP1945286A patent/JPS62177970A/ja active Granted
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|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0523497B2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1993-04-02 |
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