JPS62176135A - 樹脂膜のエツチング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は低熱膨張樹脂膜をエツチングする方法に関し、
特にモジュール用配線基板等において微細なスルーホー
ル全樹脂膜に形成する方法に関する。

〔従来の技術〕

従来、ＩＣやＬＳＩ等の集積回路チップを搭載し、チッ
プ間の接続を行うための配線基板における配線間絶縁材
料としては、種々の物質を用いる試みがなされてさた。

それらの中でも、電気信号の伝播速度を高速化する目的
で、誘ＩＩ軍が低く厚い膜形成が容易な有機高分子樹脂
を用いる試みが、数多く検討されてきた。例えば、特開
昭５５−１５８６９７号公報には、液状の低粘度ポリイ
ミド糸樹脂全加熱硬化させて、多層配線基板の層間絶縁
膜とする例が示されているが、そこで用いられた通常の
ポリイミド系樹脂は、熱膨張率が４〜７　Ｘ　１０−’
／にと大きいため、加熱硬化後の熱応力、すなわち基板
や配線材料とポリイミド系樹脂との熱膨張率差に起因す
る応力が大きくなり、膜のはく離やクラック、変形、着
層不良などが起こりやすいという欠点があった。また、
配線層間の電気容量の低減金はかつて絶縁層の厚さを厚
くした場合や、配線の多層化を試みる場合など、特に絶
縁膜の厚さが増大して、熱応力による基板全体の反りが
大きくなるため、上部配線層のパターニングのためのホ
トリノグラフィーが困難になるなど、ポリイミド系樹脂
を配線基板の配線間絶縁膜として適用するには、多くの
問題がめった。

ところが、本発明者らは、通常のポリイミド系樹脂に比
べて熱膨張率の低い新規なポリイミド系樹脂の開発を知
り、これ金配線基板の配線間絶縁材料として適用するこ
とにＬす、樹脂の熱応力に起因する多くの問題が解決さ
れること全見出した。

〔発明が解決しょうとする問題点〕

しかしながら、実際にこの低熱膨張樹脂膜全絶縁層とし
て多層配線を形成するには、この樹脂膜の加工技術、特
に配線間の層間接続を成すためのスルーホールを開口す
るエツチング技術が必要でるる。

本発明の目的は、上記従来技術の欠点を除去して、低熱
膨張樹脂膜全エツチングし、特に高精度に微細なスルー
ホールを所定の形状の開ロバターンに形成できるエツチ
ング方法全提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明を概説すれば、本発明は樹脂膜のエツチング方法
に関する発明であって、絶縁性を有し熱膨張率が６×１
０″″Ｓ／に以下である有機高分子樹脂膜を、該膜上に
マスクを設けてウェットエッチングすること全特徴とす
る。

本発明者らは、ウェットエツチングに工って、低熱膨張
樹脂にスルーホール全所定の形状に開口するエツチング
を行うことができ、それにエフ低熱膨張樹脂膜を絶縁層
とする多層配線が形成できること全見出した。

本発明は、集積回路搭載用配線基板の配線：口１絶縁材
料として、熱膨張率が３　Ｘ　１　ｏ−’／ｘ以下であ
る低熱膨張樹脂膜を適用すること全特徴とし、熱応力に
起因する基板の反ジや膜のはく離等を防ぐと共に、上記
樹脂膜にウェットエツチングに＝つて高精度かつ微細な
スルーホール全開口させ、高密度で多層の配線パターン
ｔＷする配線基板を容易に得工うとするものである。

この樹脂膜は、誘Ｘ率が低く、電気信号の高速伝播に遇
した有機高分子樹脂材料を用いるのが望ましく、特に耐
熱性に優れたポリイミド系側脂を用いるのが望ましい。

また配線間電気答ｔを低減するためには、１０μｍ以上
の厚さの絶縁膜ｔ″膜厚精度良く成膜しなければならな
いが、この点からも液状塗布が可能で、かつ厚い膜形成
が容易なポリイミド系樹脂金用いるのが望ましい。

したがって、熱膨張率の小さい絶縁材料としては、通常
アルミナ、窒化ケイ素、酸化ケイ素等の無機材料が知ら
れているが、本発明による効果を十分生かすためには、
従来のポリイミド系樹脂（熱膨張率４　Ｘ　１０−５／
に以上）に比べて熱膨張率の小さい新規なポリイミド全
周いるのが最も望ましい。このような低熱膨張性ポリイ
ミドの基本的な化学構造として、例えば （Ｒ）ｔ（Ｒ）ｍ 及び／又は （Ｒ）ｎ からなるものが挙けられる。ここで、Ｒはアルキル基、
フッ素化アルキル基、アルコキシル基、フッ８化アルコ
キシル基、アシル基又はハロゲン、ｔは０へ４、ｍは０
〜２、ｎは０〜５である。本発明に適用される低熱膨張
性樹脂材料は、分子配列がランダムでも他のポリマーに
比べ低熱膨張性、高強度、高弾性、高耐熱性であるが、
何らかの分子配向処理を行うことに工っで格段にその性
質が顕著になる。

本発明に適用さｎる低熱膨張性ポリイミドとしては次の
工つな例が挙げられる。なお、下記の各式において、Ｒ
，ｌ、ｍ、ｎは前述の定義の通りであり、ｋは０〜５の
整数である。

（Ｒ）ｎ （Ｒ）ｍ（Ｒ）Ｌ （Ｒ）　　　　（Ｒ）ｔ（Ｒ）ｔ ｍ （Ｒ）ｎ（Ｒ）ｎ（Ｒ）ｔ （Ｒ）ｎ（Ｒ）ｎ（Ｒ）ｔ（Ｒ）を 本発明ＶＣ適用きれる低熱膨張性ポリイミドは、芳香族
アミノジカルボン酸誘導体の単独重合、又は芳香族ジア
ミンあるいは芳香族ジインシアナートと、芳香族テトラ
カルボン酸誘導体の反応によって得ることができる。テ
トラカルボンＢ　Ｖｊ　４−’；−とじてはエステル、
酸無水物、酸塩化物がある。

酸無水物音用いることが会成上好ましい。合成反応は、
一般的には、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ　）、ジメ
チルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルアセトアミド（
ＤＭＡＣ）　、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、硫
酸ジメチル、スルホラン、ブチロラクトン、クレゾール
、フェノール、ハロゲン化フェノール、シクロヘキサノ
ン、ジオキサンなどの溶液中で、０へ２００℃の範囲で
行われる。

本発明に適用される低熱膨張性ポリイミドの合成に用い
られるアミノジカルボン酸誘導体として具体例金挙げる
と、４−アミノフタル酸、４−アミノ−５−メチルフタ
ル酸、４−（ｐ−アニリノ）−フタル酸、４−（５，５
−ジメチル−４−アニリノ）フタル酸すど、あるいはこ
れらのエステル、酸無水物、酸塩化物などが挙げられる
。

本発明に適用される低熱膨張性ポリイミドの合成に用い
られる芳香族ジアミンとしては、次のものが挙けられる
。

ｐ−フェニレンジアミン、２．５−ジアミノトルエン、
２，５−ジアミノキシレン、ジアミノズレン（２，５，
５，ｉｓ−テトラメチル−ｐ−７二二レンジアミン）、
２．５−ジアミノペンシトリフルオライド、２．５−ジ
アミノアニソール、２，５−ジアミノアセトフェノン、
２．５−ジアミノベンゾフェノン、２゜５−ジアミノジ
フェニル、２，５−ジアミノフルオロベンゼン、ベンジ
ジン、Ｏ−トＩＪジン、ｍ−トリジン、５．５：　５．
５’−テトラメチルベンジジン、３゜６′−ジメトキシ
ベンジジン、３．３’−ジ（トリフルオロメチル）ベン
ジジン、ｓ、ｓ’−シアセチルヘンジンン、３，５−ジ
フルオロベンジジン、オクタフルオロベンジジン、４．
４’−ジアミノジフェニル、４．４−７／アミンクオー
タフエニル。

また、これらのジインシアナート化合物も同様に使用で
きる。

本発明に適用される低熱膨張性ポリイミドの合成に用い
るテトラカルボン酸性導体としては、ピロメリット酸、
メチルピロメリット酸、７メチルビロメリツト酸、ジ（
トリフルオロメチル）ビロメリツ）　酸、ｓ、　３：　
４．４’−ビフェニルテトラカルボン酸、５，５′−ジ
メチル−３，ｓ’、　４．４’−ビフェニルテトラカル
ボンＨ１Ｐ　−（３，４−ジカルボキシフェニル）ベン
ゼン、又はこれらの酸無水物、酸塩化物、エステルなど
が挙けられる。

本発明で適用される低熱膨張性ポリイミドは、低熱膨張
性でないポリマーをかなりの量ブレンド又に共重合させ
ても、その性質金め１ｐ失わない。

本発明で適用されるポリイミドの中には多少機械的にも
ろいものも當憧れるが、その：つなものに対して、フレ
キシブルな低熱膨張性でないポリマーをブレンドあるい
は共重合させることは好ましい場合もある。ブレンドあ
るいは共重合し得るポリマーとしては、例えば次の工う
ｌジアミンとテトラカルボン酸紡専体から得られるポリ
イミドかめる。芳香族ジアミンの具体例を挙げると、ｍ
−フェニレンジアミン、４．４’−ジアミノジフェニル
メタン、１，２−ビス（アニリノ）エタン、４．４’　
−ジアミノジフェニルエーテル、２．４　＋、３，５−
又Ｂ２．ｂ−ジアミノジフェニルスルホン、２，２−ビ
ス（ｐ−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（ｐ
−アミノフェニル）へキサフルオロプロパン、３、！ｌ
−ジメチルー４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、
６．３−ジメチル−４，４′−ジアミノジフェニルメタ
ン、２．４−１３．５−又は２．６−ジアミツトルエン
、２．４−１３．５−文は２，６−ジアミツベンゾトリ
フルオライド、１．４−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）
ベンゼン、４．４’−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ビ
フェニル、２，２−ビス（４−（ｐ−アミノフェノキシ
）フェニル）プロパン、ジアミノアントラキノン、４．
４’−ビス（３−アミノフェノキシフェニル）ジフェニ
ルスルホン、１．６−ビス（アニリノ）へキサフルオロ
プロパン、１．４−ビス（アニリノ）オクタフルオロブ
タン、１．５−ビス（アニリノ）デカフルオロペンタン
、１．７−ビス（アニリノ）テトラデカフルオロへブタ
ン、一般式： （Ｒｓ　、　Ｒｙは２価の有機基、山、馬は１価の有機
基、ｐ、ｑは１エク大きい整数）で示されるジアミノシ
ロキサン、２，２−ビス（４−（ｐ−アミノフェノキシ
）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、２゜２−ビス（
４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）へチサフルオ
ロプロパン、２．２−ビス（４−（２−アミノフェノキ
シ）フェニル）へキサフルオロプロパン、２，２−ビス
（４−（４−アミノフェノキシ）−Ｓ、Ｓ−ジメチルフ
ェニル）へキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−
（４−アミノフェノキシ）−３，５−ジトリフルオロメ
チルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ｐ−ビス（４
−アミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）ベンゼ
ン、４，４′−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメ
チルフェノキシ）ビフェニル、４．４’−ビス（４−ア
ミノ−５−トリフルオロメチルフェノキシ）ビフェニル
、４，４′−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメチ
ルフェノキシ）ジフェニルスルホン、４，４′−ビス（
３−アミノ−５−トリフルオロメチルフェノキシ）ジフ
ェニルスルホン、２，２−ビス（４−（４−アミノ−３
−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル）ヘキサフ
ルオロプロパンなどのジアミン類、並びにこれらのジア
ミンとホスゲンなどの反応によって得られるジイソシア
ナート例えばトリレンジイソシアナート、ジフェニルメ
タンジインシアナート、ナフタレンジインシアナート、
ジフェニルエーテルジインシアナート、フェニレン−１
，３−ジインシアナートナトの芳香族ジイソシアナート
類がるる。また、テトラカルボン酸並びにその誘導体と
しては次のようなものが挙げられる。ここではテトラカ
ルボン酸として例示するが、これらのエステル化物、敢
無水物、酸塩化物ももちろん使用できる。２，３，５：
４’−テトラカルボキシジフェニル、３．５’、　４．
４’−テトラカルボキシジフェニルエーテル、２，３．
５’、４’−テトラカルボキシジフェニルエーテル、ｓ
、ｓ’、４．＋’−テトラカルボキシベンゾフェノン、
２．３．３：　４’　−テトラカルボキシベンゾフェノ
ン、２．３．６．７−チトラカルポキシナフタレン、１
，４，５．７−チトラカルポキシナフタレン、１，２，
５．６−テトラカルボキシナフタレン、３，５．’４．
４’−テトラカルボキシジフェニルメタン、２．２−ビ
ス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン、２，２
−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）へキサフルオ
ロプロパン、３，５：４゜４′−テトラカルボキシジフ
ェニルスルホン、３，４゜９．１０−テトラカルボキシ
ペリレン、２．２−ビス（４−（３，４−ジカルボキシ
フェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−
（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニルｊヘキサ
フルオロプロパン、ブタンテトラカルボン識、シクロペ
ンタンテトラカルボン酸などがある。また、反応性官能
基金有する化合物で変性し、架橋構造やラダー構造を導
入することもできる。例えば、次の工うな方法がある。

（１）下肥一般式で表される化合物で変性することに工
っで、ピロロン環やイソインドロキナゾリンジオン環な
どを導入する。

Ｈ２Ｎ　−Ｒ−ＮＨ２ 畳 （Ｚ）Ｘ ここで、Ｒ′は２−＋−Ｘ価の芳香族有機基、ｚＨＮＨ
，基、ＣＯＮＨ２基、ＳＯ２ＮＨ，基から選ばれた基で
メク、アミン基に対して、オルト位である。Ｘは１又は
２でるる。

（１１）重合性不飽和結合を有するアミン、ジアミン、
ジカルボン酸、トリカルボン酸、テトラカルボン酸の訪
導体で変性して、硬化時に橋かけ構造上形成する。不飽
和化合物としては、マレイン酸、ナジック酸、テトラヒ
ドロフタル酸、エチニルアニリンなどが使用できる。

（１！Ｄ　　フェノール性水駿基、あるいはカルボン酸
を有する芳香族アミンで変性し、この水酸基又はカルボ
キシル基と反応しうる橋かけ剤を用い網目構造全形成す
る。

この：うｌ低熱膨張樹脂膜の人品の適用を考え実際にこ
の低熱膨張樹脂膜を絶縁層として多層配線全形成するに
は、この樹脂膜の加工技術、特に配線間の層間接続を成
すためのスルーホール全開口するエツチング技術が必要
である。これ筐で低熱膨張でないポリイミド系樹脂につ
いては、例えば特開昭５７−９２８５６号公報に記載の
ように、ヒドラジン系の組成のエツチング液に工っでエ
ツチングする例が示されているが、その方法では本発明
に用いられている低熱膨張樹脂膜は、高精度にエツチン
グされないことがわかった。そこで、本発明者らは、こ
の低熱膨張樹脂膜の硬化温度及びエツチング液組成を検
討することに工って、高精度かつ微結なスルーホールを
開口できるエツチング方法を見出した。すなわち低熱膨
張樹脂膜は、従来のポリイミド樹脂と異った化学構造金
有しているため、従来適用されているキュア処理音節し
１００％イミド化全完了した段階でに、ヒドラジン系の
エツチング液ではエツチングされない性質を有している
。このため低熱膨張樹脂膜をエツチングするに際しては
、完全にイミド化しないハーフキュア処理段階でエツチ
ング液に浸漬すれば、エツチングされることを見出した
。この工うに低熱膨張樹脂膜のキュア処理温度全制御す
ることに工ってヒドラジン系のエツチング数音用いたウ
ェットエツチングが可能である。

以下、添付図面に基づいて本発明全具体的に説明する。

第１図は従来のポリイミド樹脂として、日立化成（株）
ｉＰＩＱ（熱膨張率４　Ｘ　１０−ｓ／Ｋ　）　ト低熱
ｉ張衡脂との基板へ塗布後の加熱温度（キュア処理温度
）に↓るエツチング速度の違いを比べたグラフである。

すなわち第１図は、ポリイミド膜の加熱温度（℃、横軸
）とエツチング速度（μｍ７分、縦軸）との関係を示す
グラフである。なお、グラフ中の低熱膨張樹脂膜とは、
下記式に示す単位構造： を持つ低熱膨張ポリイミドに対して、下記式で示す単位
構造： 金持つポリマーを３％共重合させたポリイミド系樹脂膜
である。

Ｐ工Ｑ膜及び低熱膨張樹脂膜共に膜厚は１０μｍで、エ
ツチング液は従来ＰＩＱに対して用いられている抱水ヒ
ドラジン７ｏ％、エチレンジアミン３０％の混合液で、
液温は３０℃とし、液中に浸漬してエツチングを行った
。その結果、加熱温度が５５０℃でキュア処理全行うと
、ＰＩＱ膜はエツチングされるのに対して、低熱膨張樹
脂膜はほとんどエツチングされないことがわかった。

そこで次に加熱温度ｔ−ａ々変えて、エツチング全行っ
た。低熱膨張樹脂膜もＰＩＱと同様に塗布後、１００％
イミド化するには、第２図に示す１００℃、２０５℃、
３５０℃の３段階の加熱サイクルにニジキュア処理全行
つ必要がある（以下、これ全フルキュア処理という）。

すなわち第２図は、ポリイミド膜のキュア処理の加熱サ
イクル金、加熱時間（時、横軸）と加熱温度（℃、縦軸
）との関係で示すグラフである。しかしながら、３５０
℃まで加熱するとエツチングされないことがわかった。

そこで第５図に示す工うに、１００℃の次の２段階目の
加熱温度ｉ、１５０℃から３００℃１で変え、フルキュ
ア処理でなく、ハーフキュア処理で止め、１００％イミ
ド化しない段階でエツチングすることを試みた。すなわ
ち第３図は、低熱膨張樹脂膜のエツチング前のキュア処
理条件を、加熱時間（時、横軸）と加熱温度（℃、縦軸
）との関係で示すグラフである。その結果、２段階目の
加熱温度を２５０℃までで止めると、低熱膨張樹脂膜は
エツチングされることがわかった。

第４図は同じ低熱膨張樹脂膜をネガ型ホトレジストヲエ
ッチングマスクとして、抱水ヒドラジン５０％、エチレ
ンジアミン５０％のエツチング液でウェットエツチング
を行うプロセスを示している。すなわち第４図は、低熱
膨張樹脂膜のエツチングの工程図である。第４図におい
て符号１１ｄｓｉ基板、２は低熱膨張樹脂膜、２′はテ
ーパエツチングされた低熱膨張樹脂膜、３はネガ型ホト
レジスト膜全意味する。

８１　基板１上に、低熱膨張ケ脂全塗布し、加熱温度２
０５℃のハーフキュア処理を行い膜厚１０μｍの低熱膨
張樹脂膜２を形成する。更に膜上にネガ型ホトレジスト
として東京応化（株）　？　ＯＭＲ−８３の薄膜３金膜
厚３μｍ形成し、パターニングに＝９．１０μｍ平方の
開ロバターン３全形成する。

次に抱水ヒドラジン５０％、エチレンジアミン５０％液
温３０℃のエツチング液に浸漬すると低熱膨張樹脂膜２
′は最終的にテーパ角６０°を有するテーパ状にウェッ
トエツチングされた。

〔実施例〕

以下、本発明全実施例にニジ更に具体的に説明するが、
本発明はこれに限定されない。

実施例１ 以下、本発明の１実施例全第５図にＬｖ説明する。本発
明の低熱膨張樹脂膜のエツチング方法音用いて絶縁膜に
エツチングスルーホールを設け、多層配線全形成するこ
とができる。第５図はそのＬＳＩモジュール用多層配線
基板の形成プロセスを示す工程図である。第５図におい
て、符号４は８１基板、５は低熱膨張樹脂膜、６は第１
配線層、７は第１絶縁層、７′はエツチングにＬリスル
ーホール形成された第１絶縁層、８はネガ型ホトレジス
ト、９は１間接続部配線層、１０は第２絶縁層、１１は
第２配線層、１２はポンディング用半田ボール、１３は
ＬＳＩチップ全意味する。

基板４としてシリコンを、絶縁層５として、厚さ５μｍ
の第１図の実施例で用い友低熱膨張樹脂を用い、更に絶
縁層上に銅を用い次厚さ１０μｍの配線層６全形成し次
。次に、５と同様の低熱膨張樹脂金用い上層の厚さ１０
μｍの絶縁膜７を形成した。

更にこの絶縁膜のエツチングマスクとして、ネガタイプ
ホトレジスト８を厚さ３μｍ塗布し、スルーホールパタ
ーンを形成した後、抱水ヒドラジン５０チ、エチレンジ
アミン５０％から成るエツチング液中に浸漬し、絶縁膜
のエツチングスルーホール７′ヲ開口した。引続いてこ
のスルーホール部に厚さ２０μｍの層間接続部配線層９
全形成した。

続いて、第１配線層と同様に、厚さ１０μｍの絶縁層１
０にエツチングに：リスルーホール全開口し、厚さ２０
μｍの第２層配線層１１を形成し、更にその層上にボン
ディング用半田ボール１２に工５ＬＳ１１３１に接続し
、ＬＳＩモジュール用多層配線基板を作成した。

〔発明の効果〕 以上説明したとおジ、本発明によれば、低熱膨張樹脂膜
をエツチングし、高精度に微細なスルーホールを所定の
形状に開口することが可能となる。

この発明に工り低熱膨張樹脂膜を絶縁膜とした高密度多
層配線基板の形成が可能と７　ｖ％本発明の効果は顕著
なものである。

【図面の簡単な説明】

第１図はポリイミド膜の加熱温度とエツチング速度との
関係を示すグラフ、第２図はポリイミド膜のキュア処理
の加熱サイクル金示すグラフ、第３図は低熱膨張樹脂膜
のエツチング前のキュア処理条件を示すグラフ、第４図
は低熱膨張樹脂膜のエツチングプロセスの工程図、第５
図は低熱膨張樹脂膜を用いた多層配線プロセスの工程図
である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、絶縁性を有し熱膨張率が３×１０＾−＾５／Ｋ以下
   である有機高分子樹脂膜を、該膜上にマスクを設けてウ
   ェットエッチングすることを特徴とする樹脂膜のエッチ
   ング方法。２、該樹脂がポリイミドである特許請求の範
   囲第１項記載の樹脂膜のエッチング方法。 ３、該ポリイミドの主鎖は、下記式： ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼ 及び／又は ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、Ｒはアルキル基、フッ素化アルキル基、アルコ
   キシル基、フッ素化アルコキシル基、アシル基及びハロ
   ゲンよりなる群から選ばれ、ｌは０〜４の整数、ｍは０
   〜２の整数、ｎは０〜３の整数である）で表される基で
   構成されている特許請求の範囲第２項記載の樹脂膜のエ
   ッチング方法。 ４、該ポリイミド分子の単位構造は、下記各式：▲数式
   、化学式、表等があります▼（１） ▲数式、化学式、表等があります▼（２） ▲数式、化学式、表等があります▼（３） ▲数式、化学式、表等があります▼（４） ▲数式、化学式、表等があります▼（５） ▲数式、化学式、表等があります▼（６） ▲数式、化学式、表等があります▼（７） ▲数式、化学式、表等があります▼（８） ▲数式、化学式、表等があります▼（９） （式中、Ｒはアルキル基、フッ素化アルキル基、アルコ
   キシル基、フッ素化アルコキシル基、アシル基及びハロ
   ゲンよりなる群から選ばれ、ｋは０〜３の整数、ｌは０
   〜４の整数、ｍは０〜２の整数、ｎは０〜３の整数であ
   る）で表される芳香族基から選ばれる特許請求の範囲第
   ２項記載の樹脂膜のエッチング方法。 ５、該樹脂が、ポリイミド分子に更に他のポリマーをブ
   レンドあるいは共重合させてなるものである特許請求の
   範囲第１項記載の樹脂膜のエッチング方法。 ６、該ポリイミドが、芳香族アミノジカルボン酸誘導体
   の単独重合物、又は芳香族ジアミン若しくは芳香族ジイ
   ソシアナートと芳香族テトラカルボン酸誘導体との反応
   物である特許請求の範囲第１項〜第５項のいずれかに記
   載の樹脂膜のエッチング方法。 ７、該樹脂が、ポリイミド前駆体を２００〜２５０℃で
   加熱硬化して、不完全ポリイミド化状態のものである特
   許請求の範囲第１項記載の樹脂膜のエッチング方法。 ８、該マスクが、ホトレジスト膜、酸化物セラミックス
   薄膜又は金属薄膜である特許請求の範囲第１項〜第７項
   のいずれかに記載の樹脂膜のエッチング方法。