JPS62175947A - 光磁気デイスクの製造方法 - Google Patents
光磁気デイスクの製造方法Info
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- JPS62175947A JPS62175947A JP61018365A JP1836586A JPS62175947A JP S62175947 A JPS62175947 A JP S62175947A JP 61018365 A JP61018365 A JP 61018365A JP 1836586 A JP1836586 A JP 1836586A JP S62175947 A JPS62175947 A JP S62175947A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 32
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims abstract description 22
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 13
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- -1 and G. d Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 15
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 9
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明は、光磁気ディスクの製造方法において、光磁気
記録媒体の酸化を防止するため、炭化物と希土類金属と
を同時にスパッタリングすることにより上記記録媒体の
保護膜を作製するようにしたものである。このようにす
れば、上記炭化物中の酸素を上記希土類金属でトラップ
することができるので、記録媒体の酸化を防止し、長寿
命化を測ることができる。
記録媒体の酸化を防止するため、炭化物と希土類金属と
を同時にスパッタリングすることにより上記記録媒体の
保護膜を作製するようにしたものである。このようにす
れば、上記炭化物中の酸素を上記希土類金属でトラップ
することができるので、記録媒体の酸化を防止し、長寿
命化を測ることができる。
本発明は、光磁気ディスクの製造方法、特には光磁気記
録媒体の酸化防止のための保護膜の製造方法に関する。
録媒体の酸化防止のための保護膜の製造方法に関する。
レーザ光を照射して情報の消去、記録及び再生を行う光
磁気ディスクは、大容量ファイルとして期待されている
。しかし、光磁気記録媒体として使用される材料は、非
常に活性である希土類金属を含むため、酸化等により劣
化しやすい。従って、上記光磁気ディスクの実用化のた
めには、上記記録媒体の寿命を保証することが必須であ
り、そのため、上記記録媒体を保護するための保護膜の
開発が急がれている。
磁気ディスクは、大容量ファイルとして期待されている
。しかし、光磁気記録媒体として使用される材料は、非
常に活性である希土類金属を含むため、酸化等により劣
化しやすい。従って、上記光磁気ディスクの実用化のた
めには、上記記録媒体の寿命を保証することが必須であ
り、そのため、上記記録媒体を保護するための保護膜の
開発が急がれている。
上記光磁気ディスクは、一般にＰＭＭＡ等でできた基板
上に、希土類金属および遷移金属（Ｔｂ、Ｆｅ、 Ｃｏ
、等）の記録膜を真空蒸着もしくはスパッタリング等で
成膜し、その上から保護膜を形成することによりできて
い−る。上記保護膜の材料としては、従来から、ＳｉＯ
，ＡｌＮ等で代表される酸化物や窒化物の他、Ｔｉｃ等
の炭化物が検討されてきた。その中でも炭化物は、それ
自体で上記記録膜中の希土類元素を酸化するという性質
が、上記酸化物はど顕著でないため、保護膜の材料とし
て特に注目されている。
上に、希土類金属および遷移金属（Ｔｂ、Ｆｅ、 Ｃｏ
、等）の記録膜を真空蒸着もしくはスパッタリング等で
成膜し、その上から保護膜を形成することによりできて
い−る。上記保護膜の材料としては、従来から、ＳｉＯ
，ＡｌＮ等で代表される酸化物や窒化物の他、Ｔｉｃ等
の炭化物が検討されてきた。その中でも炭化物は、それ
自体で上記記録膜中の希土類元素を酸化するという性質
が、上記酸化物はど顕著でないため、保護膜の材料とし
て特に注目されている。
上記炭化物で保護膜を作製する方法としてスパッタリン
グがある。ところが、炭化物をスパッタリングすると、
その過程において、残留ガス成分である酸素が炭化物膜
中に取込まれてしまう。このようにして保護膜中に酸素
が存在すると、その酸素によって記録媒体中の希土類金
属が選択的に酸化されることにより、記録媒体の保磁力
が変化してしまうという問題が生じる。このように、炭
化物でできた保護膜は上述したような利点はあるが、ま
だその保護効果は万全ではない。
グがある。ところが、炭化物をスパッタリングすると、
その過程において、残留ガス成分である酸素が炭化物膜
中に取込まれてしまう。このようにして保護膜中に酸素
が存在すると、その酸素によって記録媒体中の希土類金
属が選択的に酸化されることにより、記録媒体の保磁力
が変化してしまうという問題が生じる。このように、炭
化物でできた保護膜は上述したような利点はあるが、ま
だその保護効果は万全ではない。
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、記録媒体の酸化を
防止して長寿命化を実現できる、光磁気ディスクの製造
方法を提供することを目的とする。
防止して長寿命化を実現できる、光磁気ディスクの製造
方法を提供することを目的とする。
本発明は、上記目的を達成するために、炭化物と希土類
金属とを同時にスパッタリングすることにより、光磁気
記録媒体の保護膜を作製するようにしたものである。
金属とを同時にスパッタリングすることにより、光磁気
記録媒体の保護膜を作製するようにしたものである。
希土類金属は、他の金属に比べて非常に酸化されやすい
。そのため、保護膜を作製する際、希土類金属を炭化物
と同時にスパッタリングすると、残留ガス中の酸素を上
記希土類金属がトラップし、もしくは上記希土類金属が
そのまま炭化物膜中に入って膜中の酸素をトラップする
ので、そのトラップされた酸素は安定な希土類酸化物と
して炭化物膜中に存在することになる。従って、保護膜
中′の酸素による記録媒体への影響がなくなり、すなわ
ち酸化が防止される。
。そのため、保護膜を作製する際、希土類金属を炭化物
と同時にスパッタリングすると、残留ガス中の酸素を上
記希土類金属がトラップし、もしくは上記希土類金属が
そのまま炭化物膜中に入って膜中の酸素をトラップする
ので、そのトラップされた酸素は安定な希土類酸化物と
して炭化物膜中に存在することになる。従って、保護膜
中′の酸素による記録媒体への影響がなくなり、すなわ
ち酸化が防止される。
以下、本発明の実施例について、図面を参照うしながら
説明する。
説明する。
第１図は、本発明の一実施例を説明するための概略的な
製造段階図である。
製造段階図である。
まず同図（ａ）に示すように、ガラス等でできた透明な
ディスク状の基板１を用意し、これを不図示の基板ホル
ダー上に固定する。次に、この基板１上に、同図（ｂｌ
に示すように、Ｔｂ、Ｆｅｓ ００％等の光磁気記録材
料でできた記録膜２をスパッタリングで形成する。続い
て、ＴｉＣ等の炭化物とＤｙ等の希土類金属とを同時に
スパッタリングすることにより、同図（０）に示すよう
に、上記記録膜２上に保護膜３を形成する。この保護膜
３のスパッタリングは、例えば第２図に示すように、上
記炭化物（例えばＴｉＣ）でできたディスク状のターゲ
ット４を記録膜２の上方に所定距離で配置し、このター
ゲット４上に上記希土類金属（例えばＤｙ）の複数個の
チップ５を所定の面積比（例えばターゲット４対チツプ
５をｌＯ対ｌ）に並べて行う゛。
ディスク状の基板１を用意し、これを不図示の基板ホル
ダー上に固定する。次に、この基板１上に、同図（ｂｌ
に示すように、Ｔｂ、Ｆｅｓ ００％等の光磁気記録材
料でできた記録膜２をスパッタリングで形成する。続い
て、ＴｉＣ等の炭化物とＤｙ等の希土類金属とを同時に
スパッタリングすることにより、同図（０）に示すよう
に、上記記録膜２上に保護膜３を形成する。この保護膜
３のスパッタリングは、例えば第２図に示すように、上
記炭化物（例えばＴｉＣ）でできたディスク状のターゲ
ット４を記録膜２の上方に所定距離で配置し、このター
ゲット４上に上記希土類金属（例えばＤｙ）の複数個の
チップ５を所定の面積比（例えばターゲット４対チツプ
５をｌＯ対ｌ）に並べて行う゛。
上記保護膜３の作製中は、前述したように、残留ガス中
の酸素を上記希土類金属がトラップし、もしくは、上記
希土類金属がそのまま炭化物の膜の中に入って膜中の酸
素をトラップする。そのため、形成された保護膜３の中
に酸素は存在せずに、その代わり安定な希土類酸化物が
存在している。
の酸素を上記希土類金属がトラップし、もしくは、上記
希土類金属がそのまま炭化物の膜の中に入って膜中の酸
素をトラップする。そのため、形成された保護膜３の中
に酸素は存在せずに、その代わり安定な希土類酸化物が
存在している。
従って、保護膜３中の酸素によって記録２が酸化される
ということはなくなる。
ということはなくなる。
そこで、上記保護膜３による酸化防止の効果を明らかに
するため、記録■り２の保持力Ｈｃの経時変化（初期値
ＨＣ°で規格化）を各試料ごとに測定してみた（第３図
）。ここで保持力Ｈｃ、は、各試料を１５０°Ｃで加熱
して、カーループから得られる保持力である。同図には
、希土類金属としてＤｙ、炭化物としてＴｉＣを用い、
第２図中のチップ５のターゲット４に対する面積比をそ
れぞれ０．１／２０．１／１０とした３つの試料Ａ、Ｂ
、Ｃについての測定結果を示した。なお、スパッタリン
グ時のＡｒガス圧を２ ｘｔｏ−” Ｔｏｒｒ 、 Ｒ
Ｆ電力を４００Ｗ 。
するため、記録■り２の保持力Ｈｃの経時変化（初期値
ＨＣ°で規格化）を各試料ごとに測定してみた（第３図
）。ここで保持力Ｈｃ、は、各試料を１５０°Ｃで加熱
して、カーループから得られる保持力である。同図には
、希土類金属としてＤｙ、炭化物としてＴｉＣを用い、
第２図中のチップ５のターゲット４に対する面積比をそ
れぞれ０．１／２０．１／１０とした３つの試料Ａ、Ｂ
、Ｃについての測定結果を示した。なお、スパッタリン
グ時のＡｒガス圧を２ ｘｔｏ−” Ｔｏｒｒ 、 Ｒ
Ｆ電力を４００Ｗ 。
ターゲット４と基板ホルダーとの距離を５０龍、保護膜
３の膜厚を１１００ｎとした。
３の膜厚を１１００ｎとした。
すると、第３図に明らかなように、Ｄｙの比率の大きい
試料Ｃのみが、約１０時間経過後でも保持力Ｈｃの変化
がなく、一方、他の試料Ａ、Ｂは大きく変化している。
試料Ｃのみが、約１０時間経過後でも保持力Ｈｃの変化
がなく、一方、他の試料Ａ、Ｂは大きく変化している。
また、試料ＡとＢを比較してみても、Ｄｙを全（用いな
い試料Ａより、少量であるが、Ｄｙを用いた試料Ｂの方
が比較的安定した保持力を得ているのがわかる。
い試料Ａより、少量であるが、Ｄｙを用いた試料Ｂの方
が比較的安定した保持力を得ているのがわかる。
なお、上記保護膜の作製に使用される希土類金属として
は、上記ＤＹの他に、Ｌａｓ Ｃｅ、 Ｐｒ、Ｎｄ、
Ｐｍ、 Ｓｍｓ Ｅｕ、 Ｇｄ、 Ｔｂ、 Ｈｏ、Ｅｒ
、 Ｔｍ、。
は、上記ＤＹの他に、Ｌａｓ Ｃｅ、 Ｐｒ、Ｎｄ、
Ｐｍ、 Ｓｍｓ Ｅｕ、 Ｇｄ、 Ｔｂ、 Ｈｏ、Ｅｒ
、 Ｔｍ、。
ｙｂ、もしくはＬｕであってもよい。
また、炭化物としては、上記ＴｉＣの他に、Ｓ ｉ Ｃ
％ Ｃｒ３ ＣＺ 、ＭＯ２Ｃもしくはｗｃを用いても
よい。
％ Ｃｒ３ ＣＺ 、ＭＯ２Ｃもしくはｗｃを用いても
よい。
以上説明したように本発明によれは、保護膜の作製のた
めのスパッタリング時に上記保護膜内に取込まれた酸素
は、保護膜内で安定な希土類酸化物になるため、記録媒
体が酸化されることなく、従って、記録媒体の長寿命化
を実現できる。
めのスパッタリング時に上記保護膜内に取込まれた酸素
は、保護膜内で安定な希土類酸化物になるため、記録媒
体が酸化されることなく、従って、記録媒体の長寿命化
を実現できる。
第１図は、本発明の一実施例を説明するための概略的な
製造段階図、 第２図は、同実施例により保護膜を作成するときのター
ゲットとチップの配置図、 第３図は、第２図中のターゲットに対するチップの比率
の異なる３つの試料Ａ、Ｂ、Ｃについて保持力の経時変
化を示す図である。 ｌ・・・基板、 ２・・・記録膜、 ３・・・保護膜、 ４・ ・ ・ターゲット、 ５・・・チップ。
製造段階図、 第２図は、同実施例により保護膜を作成するときのター
ゲットとチップの配置図、 第３図は、第２図中のターゲットに対するチップの比率
の異なる３つの試料Ａ、Ｂ、Ｃについて保持力の経時変
化を示す図である。 ｌ・・・基板、 ２・・・記録膜、 ３・・・保護膜、 ４・ ・ ・ターゲット、 ５・・・チップ。
Claims (3)
- （１）希土類金属と遷移金属とからなる非晶質系の光磁
気記録媒体を用いた光磁気ディスクの製造方法において
、 炭化物と希土類金属とを同時にスパッタリングすること
により前記光磁気記録媒体の保護膜を作製する光磁気デ
ィスクの製造方法。 - （２）前記炭化物としてＴｉＣ、ＳｉＣ、Ｃｒ＿３Ｃ＿
２、Ｍｏ＿２ＣもしくはＷＣを用いる特許請求の範囲第
１項記載の光磁気ディスクの製造方法。 - （３）前記保護膜の作製に使用される前記希土類金属と
して、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇ
ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、もしくは、
Ｌｕを用いる特許請求の範囲第１項または第２項記載の
光磁気ディスクの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61018365A JPH0743849B2 (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 光磁気デイスクの製造方法 |
| EP86402530A EP0231672B1 (en) | 1986-01-29 | 1986-11-14 | Optical memory device and process for fabricating same |
| DE8686402530T DE3685649T2 (de) | 1986-01-29 | 1986-11-14 | Apparatur mit optischem gedaechtnis und verfahren zu deren herstellung. |
| KR1019860009659A KR900003688B1 (ko) | 1986-01-29 | 1986-11-15 | 광기억장치 및 그의 제작방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61018365A JPH0743849B2 (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 光磁気デイスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62175947A true JPS62175947A (ja) | 1987-08-01 |
| JPH0743849B2 JPH0743849B2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=11969671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61018365A Expired - Lifetime JPH0743849B2 (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 光磁気デイスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0743849B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5005998A (en) * | 1987-11-06 | 1991-04-09 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Cartridge for a printer system |
| US5230574A (en) * | 1990-08-24 | 1993-07-27 | Sony Corporation | Recording apparatus having a compound movement print head |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60143460A (ja) * | 1983-12-13 | 1985-07-29 | Toshiba Corp | 光熱磁気記録媒体とその製造方法 |
-
1986
- 1986-01-29 JP JP61018365A patent/JPH0743849B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60143460A (ja) * | 1983-12-13 | 1985-07-29 | Toshiba Corp | 光熱磁気記録媒体とその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5005998A (en) * | 1987-11-06 | 1991-04-09 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Cartridge for a printer system |
| US5230574A (en) * | 1990-08-24 | 1993-07-27 | Sony Corporation | Recording apparatus having a compound movement print head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0743849B2 (ja) | 1995-05-15 |
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