JPS62174952A - 半導体装置 - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野］
この発明は半導体装置に関し、特に基板への実装が良好
な半田バンプ電極を有する半導体装置に関するものであ
る。
な半田バンプ電極を有する半導体装置に関するものであ
る。
し従来の技術］
第３図は、従来の半導体装置を示す断面図である。この
装置の構成について説明すると、シリコン（Ｓｉ ）基
板１表面に素子間を分離するためのフィールド酸化膜２
が形成されており、このフィールド酸化膜に挾まれてシ
リコン基板１表面に不純物拡散層３が形成されている。
装置の構成について説明すると、シリコン（Ｓｉ ）基
板１表面に素子間を分離するためのフィールド酸化膜２
が形成されており、このフィールド酸化膜に挾まれてシ
リコン基板１表面に不純物拡散層３が形成されている。
また、フィールド酸化Ｉ１１２表面および不純物拡散層
３表面にＰＳＧ〈燐ガラス）膜などの下地絶縁ｆｉｌ１
４が形成されている。この下地絶縁膜には不純物拡散層
３との’Ｉａ’２的コンタクトをとるためのコンタクト
孔４０が設けられており、下地絶縁Ｉｌｌ ４表面およ
びコンタクト孔４０にアルミニウム配線６が形成されて
いる。また、下地絶縁膜４表面およびアルミニウム配線
６表面に、たとえば酸化シリコン暎、ＰＳＧ Ｉｌｌ、
窒化シリコン膜などからなる保ＩＩ縁ｖＡ７が形成され
ている。この保護絶縁膜には外部との電気的コンタクト
をとるためのバンプ電慟形成孔７ｏが形成されており、
バンプ１［形成孔７０表面およびそのまわりの保護絶縁
膜７表面に、たとえばＣｒ −ＣＬＩ −Ａｌｌ ３層
構造で半田ぬれ性の良いバンプ下地金属膜８が形成され
ている。さらに。
３表面にＰＳＧ〈燐ガラス）膜などの下地絶縁ｆｉｌ１
４が形成されている。この下地絶縁膜には不純物拡散層
３との’Ｉａ’２的コンタクトをとるためのコンタクト
孔４０が設けられており、下地絶縁Ｉｌｌ ４表面およ
びコンタクト孔４０にアルミニウム配線６が形成されて
いる。また、下地絶縁膜４表面およびアルミニウム配線
６表面に、たとえば酸化シリコン暎、ＰＳＧ Ｉｌｌ、
窒化シリコン膜などからなる保ＩＩ縁ｖＡ７が形成され
ている。この保護絶縁膜には外部との電気的コンタクト
をとるためのバンプ電慟形成孔７ｏが形成されており、
バンプ１［形成孔７０表面およびそのまわりの保護絶縁
膜７表面に、たとえばＣｒ −ＣＬＩ −Ａｌｌ ３層
構造で半田ぬれ性の良いバンプ下地金属膜８が形成され
ている。さらに。
バンプ下地金属ＩＩＷ８表面に球状の半田（ｐＨ−８Ｂ
合金）バンプ電極９１が形成されている。１１はウェハ
からチップを切出す際に必要なスクライブ・ライン領域
を示す。
合金）バンプ電極９１が形成されている。１１はウェハ
からチップを切出す際に必要なスクライブ・ライン領域
を示す。
次に、第３図の半導体装置の製造方法を第４Ａ図〜第４
Ｆ図を用いて説明する。まず、シリコン基板１表面に窒
化シリコン膜をマスクとしてｌ！１ｒｌｉ化法によりフ
ィールド酸化Ｉｌｌ ２を選択的に成長させる（第４Ａ
図）。次に、素子を形成する能動領域にイオン注入法な
どにより不純物拡散層３を形成し、この後、シリコン界
面を保護するために下地絶縁膜４を形成する。続いて、
エツチングにより下地絶縁膜４にコンタクト孔４０をあ
ける（第４Ｂ図）。次に、下地絶縁１（ｌＩ４表面Ｊ３
よびコンタクト・孔４０にアルミニウム配線６を形成し
、この後、下ｉｔ！Ｉ絶縁膜４表面およびアルミニウム
配線６表面に保護絶縁１１３ｉ７を堆積し、この保護絶
縁膜にバンプ電極形成孔７０をあける〈第４Ｃ図）、次
に、メタルマスクを用いてバンプ電極形成孔７０表面に
バンプ下地金属膜８を真空蒸着法により形成する（第４
Ｄ図）。次に、別の大きな開口面積を持つメタルマスク
を用いてシリコン基板１表面、保護絶縁膜７表面および
バンプ下地金Ｊｆｆｌ膜８表面に半田膜９０を真空蒸着
法により形成する（第４Ｅ図）。次に、半田の融点＜
４０ Ｐｂ〜６０ＳＩＩ半田では約１８５℃）よりも３
０〜５０℃高い温度にウェハを加熱して半田１１ｍ１９
０を溶融ざぜ、溶融状態の半田が表面張力により球状に
なる性質を利用してバンプ下地金属膜８表面に球状の半
田バンプ電極９１を形成する。この工程をリフロ一工程
と呼ぶ（第４Ｆ図）、以上のような工程で半導体装置は
製造されるが、スクライブ・ライン領域１１の縁では、
第４Ｆ図に示すように、フィールド酸化＄２．下地絶縁
ｍ４および保護槽ｎ膜７の各端部が重なるため２μ僧以
上の急峻な段差部１７が形成されてしまう。また、保護
絶縁ＩＩ ７にもアルミニウム配ｔＰ ６の端部に対応
して段差部１８が形成される。
Ｆ図を用いて説明する。まず、シリコン基板１表面に窒
化シリコン膜をマスクとしてｌ！１ｒｌｉ化法によりフ
ィールド酸化Ｉｌｌ ２を選択的に成長させる（第４Ａ
図）。次に、素子を形成する能動領域にイオン注入法な
どにより不純物拡散層３を形成し、この後、シリコン界
面を保護するために下地絶縁膜４を形成する。続いて、
エツチングにより下地絶縁膜４にコンタクト孔４０をあ
ける（第４Ｂ図）。次に、下地絶縁１（ｌＩ４表面Ｊ３
よびコンタクト・孔４０にアルミニウム配線６を形成し
、この後、下ｉｔ！Ｉ絶縁膜４表面およびアルミニウム
配線６表面に保護絶縁１１３ｉ７を堆積し、この保護絶
縁膜にバンプ電極形成孔７０をあける〈第４Ｃ図）、次
に、メタルマスクを用いてバンプ電極形成孔７０表面に
バンプ下地金属膜８を真空蒸着法により形成する（第４
Ｄ図）。次に、別の大きな開口面積を持つメタルマスク
を用いてシリコン基板１表面、保護絶縁膜７表面および
バンプ下地金Ｊｆｆｌ膜８表面に半田膜９０を真空蒸着
法により形成する（第４Ｅ図）。次に、半田の融点＜
４０ Ｐｂ〜６０ＳＩＩ半田では約１８５℃）よりも３
０〜５０℃高い温度にウェハを加熱して半田１１ｍ１９
０を溶融ざぜ、溶融状態の半田が表面張力により球状に
なる性質を利用してバンプ下地金属膜８表面に球状の半
田バンプ電極９１を形成する。この工程をリフロ一工程
と呼ぶ（第４Ｆ図）、以上のような工程で半導体装置は
製造されるが、スクライブ・ライン領域１１の縁では、
第４Ｆ図に示すように、フィールド酸化＄２．下地絶縁
ｍ４および保護槽ｎ膜７の各端部が重なるため２μ僧以
上の急峻な段差部１７が形成されてしまう。また、保護
絶縁ＩＩ ７にもアルミニウム配ｔＰ ６の端部に対応
して段差部１８が形成される。
［発明が解決しようとする間頂点１
従来の半導体装置は以上のように構成されており、スク
ライブ・ライン領域１１の縁に急峻な段差１７があるた
め、前）ホのりフロ一工程でスクライブ・ライン領域１
１表面の半田膜９０１．！溶融するものの、溶融した半
田はこの段差部１７を乗越えられず、第５図１こ示すよ
うに、Ｆα差部１７に半田の小球１２が残ってしまう。
ライブ・ライン領域１１の縁に急峻な段差１７があるた
め、前）ホのりフロ一工程でスクライブ・ライン領域１
１表面の半田膜９０１．！溶融するものの、溶融した半
田はこの段差部１７を乗越えられず、第５図１こ示すよ
うに、Ｆα差部１７に半田の小球１２が残ってしまう。
また、保護絶縁膜７の段差部１８にも半田の小球１３が
残ってしまう工このような半田の小球１２．１３は、半
田バンプ？１２極付チップをセラミックなどの雄仮に実
装したときに不具合を引起こす。
残ってしまう工このような半田の小球１２．１３は、半
田バンプ？１２極付チップをセラミックなどの雄仮に実
装したときに不具合を引起こす。
この不具合について第６図を用いて説明する。
第６図は、上記半田バンプ電極付ウェハをチップにり出
した後、この切出したチップをフェース・ダウン（チッ
プ表面を下側）にしてセラミックなどの基板にボンディ
ングした場合の断面図である。
した後、この切出したチップをフェース・ダウン（チッ
プ表面を下側）にしてセラミックなどの基板にボンディ
ングした場合の断面図である。
図において、セラミックなどの基板１４表面に金属配線
１５が形成されており、金属配線１５表面に絶縁膜１６
が形成されている。ボンディング時にはりフロ一工程と
同様にチップを半田の融点よりも高い温度にするので、
チップ自体の重量のため半田バンプ？Ｓ極１０は溶けて
図に示すようにかなり押し潰された形の半田９２となり
、この半田９２はスクライブ・ライン領域１１の縁の急
峻な段差８１１７に残っている半田の小球１２と接触す
る。スクライブ・ライン領域１１はシリコン基板１と同
電位であるので、この接触によりチップには半田の小球
１２を介して過剰なリーク電流が流れるというモード不
良が多発するという問題点があった。また、アルミニウ
ム配線６の端部に対応して生じた段着部１Ｂに残る半田
の小球１３は木子動作上浮′ＩＩｉ容量としてＩｌｌき
誤動作を引起こしたリ、あるい（ユ半田の小球１３が仲
介となって隣り合った半田９２同士の知略を引起こすと
いう問題点かあった。
１５が形成されており、金属配線１５表面に絶縁膜１６
が形成されている。ボンディング時にはりフロ一工程と
同様にチップを半田の融点よりも高い温度にするので、
チップ自体の重量のため半田バンプ？Ｓ極１０は溶けて
図に示すようにかなり押し潰された形の半田９２となり
、この半田９２はスクライブ・ライン領域１１の縁の急
峻な段差８１１７に残っている半田の小球１２と接触す
る。スクライブ・ライン領域１１はシリコン基板１と同
電位であるので、この接触によりチップには半田の小球
１２を介して過剰なリーク電流が流れるというモード不
良が多発するという問題点があった。また、アルミニウ
ム配線６の端部に対応して生じた段着部１Ｂに残る半田
の小球１３は木子動作上浮′ＩＩｉ容量としてＩｌｌき
誤動作を引起こしたリ、あるい（ユ半田の小球１３が仲
介となって隣り合った半田９２同士の知略を引起こすと
いう問題点かあった。
この発明は上記のような問題点を解消づるためになされ
ｔ；もので、スクライブ・ライン領域の縁の段差部およ
び侃衾絶縁膜の段差部に半田の小球が残らないようにし
、葺板に実装してし、不良の発生しない安定で信頼度の
高い半導体装置を冑ることを目的どする。
ｔ；もので、スクライブ・ライン領域の縁の段差部およ
び侃衾絶縁膜の段差部に半田の小球が残らないようにし
、葺板に実装してし、不良の発生しない安定で信頼度の
高い半導体装置を冑ることを目的どする。
［問題点を解決するための手段］
このに明に係る半導体装置は、半田バンプ電ゆまわりの
絶縁膜、およびこの絶縁膜とスクライブ・ライン領域と
の境界部に生じるｒ）差８１１を平坦電絶ｔ９膜により
平坦化するようにしたものである。
絶縁膜、およびこの絶縁膜とスクライブ・ライン領域と
の境界部に生じるｒ）差８１１を平坦電絶ｔ９膜により
平坦化するようにしたものである。
［作用］
この発明においては、上記段差部が平坦化絶縁膜により
平坦化されるので、リフロ一工程において、スクライブ
・ライン領域上にある溶融状態の半１１は容易にこの段
差部を乗越えることができ、段稚部に半田の小球が残ら
ないようにすることができる。
平坦化されるので、リフロ一工程において、スクライブ
・ライン領域上にある溶融状態の半１１は容易にこの段
差部を乗越えることができ、段稚部に半田の小球が残ら
ないようにすることができる。
［実施例］
以下、このｊト明の実施例を図（二ついて説明する。
なお、この実施例の説明において、従来の技４Ｆｉの説
明と史複する部分については適宜その説明を省略する。
明と史複する部分については適宜その説明を省略する。
第１図１よ、この発明の実施例である半導体装置を示す
断面図である。この実施例の構成が第３図の半導体装置
の構成と責なる点は、段差部１７゜１８をｉｌｊ坦化Ｊ
るようにシリコン基板１表面ＪＵ Ｊ：び保護絶縁膜７
表面にＳＯＧ （Ｓｐｉｎ ｏｎ ＱｌａＳＳ）また
はポリイミド膜からなる平坦化絶縁膜１９が形成されて
おり、バンプ電極形成孔７０表面、保護絶縁膜７表面お
よび平坦化絶縁膜１９表面にバンプ下地金属膜８が形成
されている点である。
断面図である。この実施例の構成が第３図の半導体装置
の構成と責なる点は、段差部１７゜１８をｉｌｊ坦化Ｊ
るようにシリコン基板１表面ＪＵ Ｊ：び保護絶縁膜７
表面にＳＯＧ （Ｓｐｉｎ ｏｎ ＱｌａＳＳ）また
はポリイミド膜からなる平坦化絶縁膜１９が形成されて
おり、バンプ電極形成孔７０表面、保護絶縁膜７表面お
よび平坦化絶縁膜１９表面にバンプ下地金属膜８が形成
されている点である。
次に、第１図の半導体８ｒ！１の製造方法を第２Ａ図〜
ｍ２Ｄ図を用いて説明する。第２Ａ図は第４Ｃ図と同じ
であり、第２Ａ図までの工程は従来の製造方法の工程と
同じである。第２Ａ図の工程の侵、ウェハの全表面に段
差部１７．１８を平坦化するように平ｊｆｌ化絶１ｇ１
１９を塗布して形成する。
ｍ２Ｄ図を用いて説明する。第２Ａ図は第４Ｃ図と同じ
であり、第２Ａ図までの工程は従来の製造方法の工程と
同じである。第２Ａ図の工程の侵、ウェハの全表面に段
差部１７．１８を平坦化するように平ｊｆｌ化絶１ｇ１
１９を塗布して形成する。
ＳＯＧ膜を塗布する場合、その膜厚は、スクライブ・う
・ｒン（７ｉ１Ｎ１１表面の膜厚が均一になる部分で０
．１−０．３μｍ程度に、ポリイミド膜を塗イ１する場
合、その膜厚は上記部分で１〜３μｍ程度どなるように
ずろ。この後、写頁裂版技Ｋｆｆｉを用いて、外部との
電気的コンククトをとるための領１収、すなわち半田バ
ンプ電極形成孔７０Ｊ３よびそのＪ：わりの平坦化絶縁
膜１９をエツチングにより除去寸ろ。またこのとき、ス
クライブ・ライン頭載１１表面は、クイシング時にスク
ライブ・ラインを自動検出できろ幅、通常２０〜４０μ
１１程度の（ωの領域の平坦化絶縁膜１９を表面１１０
のようにエツチングにより除去し、他の鎖酸は平坦化絶
縁膜１９を残しておくようにする（第２Ｂ図）。
・ｒン（７ｉ１Ｎ１１表面の膜厚が均一になる部分で０
．１−０．３μｍ程度に、ポリイミド膜を塗イ１する場
合、その膜厚は上記部分で１〜３μｍ程度どなるように
ずろ。この後、写頁裂版技Ｋｆｆｉを用いて、外部との
電気的コンククトをとるための領１収、すなわち半田バ
ンプ電極形成孔７０Ｊ３よびそのＪ：わりの平坦化絶縁
膜１９をエツチングにより除去寸ろ。またこのとき、ス
クライブ・ライン頭載１１表面は、クイシング時にスク
ライブ・ラインを自動検出できろ幅、通常２０〜４０μ
１１程度の（ωの領域の平坦化絶縁膜１９を表面１１０
のようにエツチングにより除去し、他の鎖酸は平坦化絶
縁膜１９を残しておくようにする（第２Ｂ図）。
次に、メタルマスクを用いて、バンプ雷（１形成孔７０
表面、保護絶縁摸７表面および平坦化絶縁膜１９表面に
Ｃｒ −〇 ＋、＋ −Ａ Ｌ＋ ３１構ｉ１のバンプ
下地金属膜８を形成し、この後、別の太さへ間口面＋？
ｌ ’Ｂ １５つメタルマス／７ ｉ用い−Ｃ、バンプ
下地ＩＬ属８１８表面および平坦化絶縁膜１９表面に半
田膜９０を真空熱は法により形成する（第２Ｃ図）。次
に、半田の融点よりも３０〜５０℃高い湿度にウェハを
加熱して半田膜９０を溶かし、溶融状態の半田の表面張
力を利用してバンプＴ’ ｉｌ！ｌ金属ＩＦ、１８１面
に球状の半田バンプ電極９つを形成する（リフロ一工程
）。このとき、段差部１７．１８は平坦化絶縁膜１９で
平坦化されているので、スクライブ・ラインｆ１′１域
１１上の平坦化絶縁膜１９表面で溶融された半田は、容
易に平坦化絶縁膜１９を、儲りバンプ下地金ＩＩ！膜８
表面に集って半田ハンプ電１ｔ９１となり、従来の場合
のように段差ｎｌｌ ’Ｉ ７ 。
表面、保護絶縁摸７表面および平坦化絶縁膜１９表面に
Ｃｒ −〇 ＋、＋ −Ａ Ｌ＋ ３１構ｉ１のバンプ
下地金属膜８を形成し、この後、別の太さへ間口面＋？
ｌ ’Ｂ １５つメタルマス／７ ｉ用い−Ｃ、バンプ
下地ＩＬ属８１８表面および平坦化絶縁膜１９表面に半
田膜９０を真空熱は法により形成する（第２Ｃ図）。次
に、半田の融点よりも３０〜５０℃高い湿度にウェハを
加熱して半田膜９０を溶かし、溶融状態の半田の表面張
力を利用してバンプＴ’ ｉｌ！ｌ金属ＩＦ、１８１面
に球状の半田バンプ電極９つを形成する（リフロ一工程
）。このとき、段差部１７．１８は平坦化絶縁膜１９で
平坦化されているので、スクライブ・ラインｆ１′１域
１１上の平坦化絶縁膜１９表面で溶融された半田は、容
易に平坦化絶縁膜１９を、儲りバンプ下地金ＩＩ！膜８
表面に集って半田ハンプ電１ｔ９１となり、従来の場合
のように段差ｎｌｌ ’Ｉ ７ 。
１Ｂに半田の小球が残るようなことｉまない。このため
、半田］の小球に起因するセラミック等の（Ｊ（し、。
、半田］の小球に起因するセラミック等の（Ｊ（し、。
への実装口１の不良をなくすことがでさ゛安定でｆａ
４：ｒｉ度の、πい半導体装置を（ｎることができろ。
４：ｒｉ度の、πい半導体装置を（ｎることができろ。
な３３、上記実施例では、スクライブ・ライン１：ｒ４
域の全表面に平１■化絶縁唄を形成し、この１リス／７
ラーｒブ・ラインを検出づるための［＾」戊を部分的に
エツチングににり除去する場合について示しＩ；が、ス
クライブ・ライン領域の全表面を平１ｆ１１ヒ絶縁膜に
より覆ったままにしてＪ３いでしよい。
域の全表面に平１■化絶縁唄を形成し、この１リス／７
ラーｒブ・ラインを検出づるための［＾」戊を部分的に
エツチングににり除去する場合について示しＩ；が、ス
クライブ・ライン領域の全表面を平１ｆ１１ヒ絶縁膜に
より覆ったままにしてＪ３いでしよい。
〔発明の効果］
以上のようにこの発明によれば２半田バンプ電極、−１
，わりの絶縁膜、おＪ−びこの絶縁膜とスクライブ・ラ
イン領域との境界部に生じる段差部を平」■電絶縁膜に
より平坦ｆｅするよう【こしたので、半田バンプ電極形
成のためのりフロ一工程において、上記トル抄部に半田
の小球が残らないようにすることができる。このため、
半田の小球に起因する基板への実装時の不良をなくすこ
とができ安定で信・預度の高い半導体装置を（ｑること
ができろ。
，わりの絶縁膜、おＪ−びこの絶縁膜とスクライブ・ラ
イン領域との境界部に生じる段差部を平」■電絶縁膜に
より平坦ｆｅするよう【こしたので、半田バンプ電極形
成のためのりフロ一工程において、上記トル抄部に半田
の小球が残らないようにすることができる。このため、
半田の小球に起因する基板への実装時の不良をなくすこ
とができ安定で信・預度の高い半導体装置を（ｑること
ができろ。
第１図は、この発明の実施例である半導体装置を示ケＩ
Ｅｉ面図である。 第２Ａ図〜第２Ｄ図は、第１図の半導体装置の製造方法
を説明するための工程断面図である。 第３図は、従来の半導体装置を示す断面図である。 第４Ａ図〜第４Ｆ図は、第３図の半導体装置の製造方法
をソ１明するための工程断面図である。 第５図（ｊ、従来の半導体装置のりフロ一工程にＪ５い
て段差部に残った半田の小球を示ず図である。 第６図は、従来の半導体装置を基板に実装したときに発
生する問題点を示す図である。 図において、１はシリコン基板、２（」フィールド酸化
膜、３は不純物拡散層、４は下地絶籾紛。 ４０はコンタクト孔、６はアルミニウム配線、７ＩＪ
（！ １絶縁膜、７０はバンプ電（船形成孔、８はバン
プ下地金属膜、１１はスクライブ・ライン領域、１４は
基板、１５は金属配線、１６は絶縁膜、１７．１８は段
差部、１９は平坦化絶縁膜、９０ｉよ半田膜、９１は半
田バンプ電極、９２は半田、１１０は表面である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Ｅｉ面図である。 第２Ａ図〜第２Ｄ図は、第１図の半導体装置の製造方法
を説明するための工程断面図である。 第３図は、従来の半導体装置を示す断面図である。 第４Ａ図〜第４Ｆ図は、第３図の半導体装置の製造方法
をソ１明するための工程断面図である。 第５図（ｊ、従来の半導体装置のりフロ一工程にＪ５い
て段差部に残った半田の小球を示ず図である。 第６図は、従来の半導体装置を基板に実装したときに発
生する問題点を示す図である。 図において、１はシリコン基板、２（」フィールド酸化
膜、３は不純物拡散層、４は下地絶籾紛。 ４０はコンタクト孔、６はアルミニウム配線、７ＩＪ
（！ １絶縁膜、７０はバンプ電（船形成孔、８はバン
プ下地金属膜、１１はスクライブ・ライン領域、１４は
基板、１５は金属配線、１６は絶縁膜、１７．１８は段
差部、１９は平坦化絶縁膜、９０ｉよ半田膜、９１は半
田バンプ電極、９２は半田、１１０は表面である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (5)
- （１）半田バンプ電極を有し、該半田バンプ電極のまわ
りの絶縁膜には段差部が形成され、および前記絶縁膜と
該絶縁膜に連なるスクライブ・ライン領域との境界部に
は段差部が形成される半導体ウェハにおいて、 前記段差部を平坦化するための平坦化絶縁膜を形成した
ことを特徴とする半導体装置。 - （２）前記平坦化絶縁膜はＳＯＧ膜である特許請求の範
囲第１項記載の半導体装置。 - （３）前記平坦化絶縁膜はポリイミド膜である特許請求
の範囲第１項記載の半導体装置。 - （４）前記平坦化絶縁膜はスクライブ・ライン領域の全
表面に形成される特許請求の範囲第１項記載の半導体装
置。 - （５）前記平坦化絶縁膜は、スクライブ・ラインを検出
するための領域を除き前記スクライブ・ライン領域の全
表面に形成される特許請求の範囲第１項記載の半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61018466A JPH0821586B2 (ja) | 1986-01-28 | 1986-01-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61018466A JPH0821586B2 (ja) | 1986-01-28 | 1986-01-28 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62174952A true JPS62174952A (ja) | 1987-07-31 |
| JPH0821586B2 JPH0821586B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=11972413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61018466A Expired - Lifetime JPH0821586B2 (ja) | 1986-01-28 | 1986-01-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0821586B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49129479A (ja) * | 1973-04-11 | 1974-12-11 | ||
| JPS6018924A (ja) * | 1983-07-12 | 1985-01-31 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-01-28 JP JP61018466A patent/JPH0821586B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49129479A (ja) * | 1973-04-11 | 1974-12-11 | ||
| JPS6018924A (ja) * | 1983-07-12 | 1985-01-31 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0821586B2 (ja) | 1996-03-04 |
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