JPS62173716A - マスク合わせ方法 - Google Patents
マスク合わせ方法Info
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- JPS62173716A JPS62173716A JP61016212A JP1621286A JPS62173716A JP S62173716 A JPS62173716 A JP S62173716A JP 61016212 A JP61016212 A JP 61016212A JP 1621286 A JP1621286 A JP 1621286A JP S62173716 A JPS62173716 A JP S62173716A
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- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 11
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 11
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は、半導体装置を製造する工程のうち、マスキ
ング工程におけるマスク合わせ方法に関する。
ング工程におけるマスク合わせ方法に関する。
従来、半導体装置を製造する工程のうら、マスキング工
程において行われるマスク合わせは、第６図にみるよう
に、ＤＩ基板（絶縁層分離基板）６の一部（図では隅部
）にマスク合わせ用分月１島２を形成しておくとともに
、マスク５の対応部分にも、前記分離島２の形状（図で
は、正方形）に対応するマスク合わせ用パターン１０を
形成しておき、このパターン１０を前記分離島２に重ね
合わせ、マスク５が基板６上に適正に配置されるように
していた。なお、基板６には半導体装置に必要な本来の
分離島が形成されており、マスク５にはこれに合うパタ
ーンが形成されているが、これらの図示は省略した。
程において行われるマスク合わせは、第６図にみるよう
に、ＤＩ基板（絶縁層分離基板）６の一部（図では隅部
）にマスク合わせ用分月１島２を形成しておくとともに
、マスク５の対応部分にも、前記分離島２の形状（図で
は、正方形）に対応するマスク合わせ用パターン１０を
形成しておき、このパターン１０を前記分離島２に重ね
合わせ、マスク５が基板６上に適正に配置されるように
していた。なお、基板６には半導体装置に必要な本来の
分離島が形成されており、マスク５にはこれに合うパタ
ーンが形成されているが、これらの図示は省略した。
しかし、ＤＩ基板の製造工程では、分離島２を形成する
ため研磨加工を行う。これによって絶縁分離島たる単結
晶Ｓｉ相を多結晶Ｓｉ相４から絶縁分離し、絶縁分離膜
３によって囲まれているような絶縁分離島２が作成され
るのであるが、その研磨量のバラツキを避けることが不
可能ないし困難なため、研磨深さが、たとえば、第７図
（句にみるように、Ｂ−Ｂ線、Ｃ−Ｃ線、Ｄ−Ｄ線と言
うように変わる。その結果、研磨深さがＢ−Ｂ位置の場
合は、同図ｆｂ）にみるように、最も絶縁分離島２の表
面積は大きくなり、Ｃ−Ｃ，Ｄ−Ｄ位置になるに従い、
同図（Ｃ１，（ｄｌにみるように、その表面積は小さく
なる。いずれの分離島も、形は相似形ではあるが、この
ように大きさの異なる絶縁分離島に前記ごとき一定寸法
のマスク合わせパターンを用いてマスク合わせを行おう
とすると、第８図（ａｌ〜ｆｅ）にみるようなことが生
じる。すなわち、一般的には、第８図（ｂｌのようにマ
スク合わせ用分離島２とマスク合わせパターン１０とが
ぴったり合致するのであるが、研磨深さが深すぎる場合
は同図（ａ）のようになり、浅すぎる場合は同図（Ｃ）
のようになる。同図（ａ）のようになった場合は、パタ
ーン１０が四周の絶縁分離膜３から等距離に来るように
すればよい。すなわち、マスク合わせ用分離島の中央に
マスク合わせ用パターンが配置されるようにすればよい
。しかし、同図（ａ）の場合であっても、マスク合わせ
パターン１０とマスク合わせ用分離島２の大きさが、か
け離れていると、マスク合わせ用パターン１０を絶縁分
離島２の中央に配置する精度が悪くなる。同図（Ｃ１の
場合は、マスク合わせができない。
ため研磨加工を行う。これによって絶縁分離島たる単結
晶Ｓｉ相を多結晶Ｓｉ相４から絶縁分離し、絶縁分離膜
３によって囲まれているような絶縁分離島２が作成され
るのであるが、その研磨量のバラツキを避けることが不
可能ないし困難なため、研磨深さが、たとえば、第７図
（句にみるように、Ｂ−Ｂ線、Ｃ−Ｃ線、Ｄ−Ｄ線と言
うように変わる。その結果、研磨深さがＢ−Ｂ位置の場
合は、同図ｆｂ）にみるように、最も絶縁分離島２の表
面積は大きくなり、Ｃ−Ｃ，Ｄ−Ｄ位置になるに従い、
同図（Ｃ１，（ｄｌにみるように、その表面積は小さく
なる。いずれの分離島も、形は相似形ではあるが、この
ように大きさの異なる絶縁分離島に前記ごとき一定寸法
のマスク合わせパターンを用いてマスク合わせを行おう
とすると、第８図（ａｌ〜ｆｅ）にみるようなことが生
じる。すなわち、一般的には、第８図（ｂｌのようにマ
スク合わせ用分離島２とマスク合わせパターン１０とが
ぴったり合致するのであるが、研磨深さが深すぎる場合
は同図（ａ）のようになり、浅すぎる場合は同図（Ｃ）
のようになる。同図（ａ）のようになった場合は、パタ
ーン１０が四周の絶縁分離膜３から等距離に来るように
すればよい。すなわち、マスク合わせ用分離島の中央に
マスク合わせ用パターンが配置されるようにすればよい
。しかし、同図（ａ）の場合であっても、マスク合わせ
パターン１０とマスク合わせ用分離島２の大きさが、か
け離れていると、マスク合わせ用パターン１０を絶縁分
離島２の中央に配置する精度が悪くなる。同図（Ｃ１の
場合は、マスク合わせができない。
以上の点に鑑み、この発明は、表面積の異なるマスク合
わせ用分離島に対してもマスク合わせが容易となるマス
ク合わせ方法を提供することを目的とする。
わせ用分離島に対してもマスク合わせが容易となるマス
ク合わせ方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、発明者は、種々検討を重ねた
結果、つぎのような知見を得た。すなわち、研磨によっ
て得られるマスク合わせ用分離島２の外郭線は、研磨量
のバラツキの範囲内で寸法は大小異なるが、相似形を有
していることから、これら相似の平面四辺形２′を、第
５図にみるように、中心を同じくして同じ向きに重ね合
わせた場合において、各相似四辺形す、ｃ、ｄの４隅を
それぞれに結べば、それぞれに直線上の線分２１゜２２
．２３．２４が得られる。その内側への延長線（破線で
あられずもの）は、中心Ｏに集まる。
結果、つぎのような知見を得た。すなわち、研磨によっ
て得られるマスク合わせ用分離島２の外郭線は、研磨量
のバラツキの範囲内で寸法は大小異なるが、相似形を有
していることから、これら相似の平面四辺形２′を、第
５図にみるように、中心を同じくして同じ向きに重ね合
わせた場合において、各相似四辺形す、ｃ、ｄの４隅を
それぞれに結べば、それぞれに直線上の線分２１゜２２
．２３．２４が得られる。その内側への延長線（破線で
あられずもの）は、中心Ｏに集まる。
この例では、相似四辺形は正四角形であるので、結局、
×形のパターンが得られる。このことは、各４隅を結ぶ
線分を含むマスク合わせパターンを用いて、マスク合わ
せ用分離島の４隅に合わせるようにすれば、寸法の異な
るマスク合わせ用分離島に対し、常にぴったりと合わせ
ることが可能となることを意味する。上の説明から分か
るように、この場合のマスク合わせ用パターンは、必ず
しも、その交わる中心０までパターン化しておく必要は
ない。すなわち、Ｘ形である必要はない。相似四辺形が
正四角形でないときは、各線分のなす角度は鋭角または
鈍角になる。研Ｉ％Ｈｔの多少により製造されるマスク
合わせ用分離島の大きさの変化は、通常、一定の限界が
あるので、その範囲がカバーできる程度にパターン化し
ておけば足りるさらに、べつの場合として、相似四辺形
ｂ−ｄの各四辺の、それぞれにおける一部の線分３１゜
３２．３３を含む線分をパターン化したマスク合わせ用
パターンを用いるのである。これらの線分の長さはと（
に限定されるものではない。この場合は、先の隅を結ぶ
線分のごとく、すべての相似四辺形を結ぶ連続した（ア
ナログ的）もあには出来ず、バラツキの上下限の範囲内
で選ばれた田似四辺形に対応した線分を取り出す（デジ
タル的）しかないが、識別可能な範囲内で多数設けるよ
うにすれば、問題はない。多数の線分を設ける場合、精
度はそれだけ良くなるが、反面識別は難しくなる。その
ため、最外縁から中心に向かって同一位置にくるように
各線分を並べるよりも、後述のごとく、少しづつ左右に
ずらせながら配置するのが好ましい。
×形のパターンが得られる。このことは、各４隅を結ぶ
線分を含むマスク合わせパターンを用いて、マスク合わ
せ用分離島の４隅に合わせるようにすれば、寸法の異な
るマスク合わせ用分離島に対し、常にぴったりと合わせ
ることが可能となることを意味する。上の説明から分か
るように、この場合のマスク合わせ用パターンは、必ず
しも、その交わる中心０までパターン化しておく必要は
ない。すなわち、Ｘ形である必要はない。相似四辺形が
正四角形でないときは、各線分のなす角度は鋭角または
鈍角になる。研Ｉ％Ｈｔの多少により製造されるマスク
合わせ用分離島の大きさの変化は、通常、一定の限界が
あるので、その範囲がカバーできる程度にパターン化し
ておけば足りるさらに、べつの場合として、相似四辺形
ｂ−ｄの各四辺の、それぞれにおける一部の線分３１゜
３２．３３を含む線分をパターン化したマスク合わせ用
パターンを用いるのである。これらの線分の長さはと（
に限定されるものではない。この場合は、先の隅を結ぶ
線分のごとく、すべての相似四辺形を結ぶ連続した（ア
ナログ的）もあには出来ず、バラツキの上下限の範囲内
で選ばれた田似四辺形に対応した線分を取り出す（デジ
タル的）しかないが、識別可能な範囲内で多数設けるよ
うにすれば、問題はない。多数の線分を設ける場合、精
度はそれだけ良くなるが、反面識別は難しくなる。その
ため、最外縁から中心に向かって同一位置にくるように
各線分を並べるよりも、後述のごとく、少しづつ左右に
ずらせながら配置するのが好ましい。
上記したいずれの方法を用いても、マスク合わせは精度
よく行うことができる。マスク合わせ用分離島は、四辺
形であれば必ずしも正方形である必要もない。長方形あ
るいは、不定形の四辺形であっても、それぞれの形状に
応じた線分をパターン化して用いることができるのであ
る。
よく行うことができる。マスク合わせ用分離島は、四辺
形であれば必ずしも正方形である必要もない。長方形あ
るいは、不定形の四辺形であっても、それぞれの形状に
応じた線分をパターン化して用いることができるのであ
る。
この発明は、以上の知見に基づいて完成されたものであ
って、その第１は、 絶縁分離膜で分離された分離島を
備えたＤＩ基板にマスキングするにあたり、ＤＩ基板の
一部に形成された平面四辺形のマスク合わせ用分離島に
、マスクに形成されたマスク合わせ用パターンを重ね合
わせることによりマスク合わせを行う方法において、Ｄ
Ｉ基板の研磨量のバラツキによって生じる寸法の異なる
マスク合わせ用分離島の各外郭線たる相似四辺形を、中
心を同じくして同じ向きに重ね合わせたときに、これら
の相似四辺形の各４隅をそれぞれに結んで得られる４本
の線分を含むパターンをマスク合わせ用パターンとして
用いることを特ｆｆｉとするマスク合わせ方法を要旨と
し、第２の発明は、絶縁分離膜で分離された分離島を備
えたＤＩ基板にマスキングするにあたり、ＤＩ基板の一
部に形成された平面四辺形のマスク合わせ用分離島に、
マスクに形成されたマスク合わせ用パターンを重ね合わ
せることによりマスク合わせを行う方法において、ＤＩ
基板の研磨量のバラツキによって生じる寸法の異なるマ
スク合わせ用分離島の各外郭線たる相似四辺形のうちか
ら選んだ適宜の相似四辺形を、中心を同じくして同じ向
きに重ね合わせたときに、これら相似四辺形の４辺の各
少なくとも一部に相当する線分を含むパターンをマスク
合わせ用パターンとして用いることを特徴とするマスク
合わせ方法を要旨とする。
って、その第１は、 絶縁分離膜で分離された分離島を
備えたＤＩ基板にマスキングするにあたり、ＤＩ基板の
一部に形成された平面四辺形のマスク合わせ用分離島に
、マスクに形成されたマスク合わせ用パターンを重ね合
わせることによりマスク合わせを行う方法において、Ｄ
Ｉ基板の研磨量のバラツキによって生じる寸法の異なる
マスク合わせ用分離島の各外郭線たる相似四辺形を、中
心を同じくして同じ向きに重ね合わせたときに、これら
の相似四辺形の各４隅をそれぞれに結んで得られる４本
の線分を含むパターンをマスク合わせ用パターンとして
用いることを特ｆｆｉとするマスク合わせ方法を要旨と
し、第２の発明は、絶縁分離膜で分離された分離島を備
えたＤＩ基板にマスキングするにあたり、ＤＩ基板の一
部に形成された平面四辺形のマスク合わせ用分離島に、
マスクに形成されたマスク合わせ用パターンを重ね合わ
せることによりマスク合わせを行う方法において、ＤＩ
基板の研磨量のバラツキによって生じる寸法の異なるマ
スク合わせ用分離島の各外郭線たる相似四辺形のうちか
ら選んだ適宜の相似四辺形を、中心を同じくして同じ向
きに重ね合わせたときに、これら相似四辺形の４辺の各
少なくとも一部に相当する線分を含むパターンをマスク
合わせ用パターンとして用いることを特徴とするマスク
合わせ方法を要旨とする。
以下にこれを、その一実施例をあられす図面を参照しつ
つ詳しく説明する。
つ詳しく説明する。
（実施例１）
これは、第１の発明の実施例であって、第１゜２図に、
マスク５の一部に設けられたＸ形のマスク合わせパター
ン１を、ＤＩ基板６に重ね合わせた状態を示す。この×
形パターン１が前記第５図の線分２１〜２４を含んだも
のであることは、言うまでもない。マスク合わせ用分離
島２の大きさが変わったとしても、第２図（ａ）〜（Ｃ
）にみるように、マスク合わせパターン１の各線分がマ
スク合わせ用分離島２の各４隅に重ね合わされるように
すれば、正確なマスク合わせができる。
マスク５の一部に設けられたＸ形のマスク合わせパター
ン１を、ＤＩ基板６に重ね合わせた状態を示す。この×
形パターン１が前記第５図の線分２１〜２４を含んだも
のであることは、言うまでもない。マスク合わせ用分離
島２の大きさが変わったとしても、第２図（ａ）〜（Ｃ
）にみるように、マスク合わせパターン１の各線分がマ
スク合わせ用分離島２の各４隅に重ね合わされるように
すれば、正確なマスク合わせができる。
（実施例２）
これは第２の発明の実施例であって、第３，４図に、マ
スク５の一部に設けられたマスク合わせパターン１１を
、ＤＩ基板６に重ね合わせた状態を示す。このマスク合
わせパターン１１は、図にみるように、全体としてひし
形をしているが、その４辺は、マスク合わせ用分離島２
の外郭線たる相似四辺形の各四辺の一部たる線分３１，
３２゜３３などを含む階段状のきざみが多数設けられて
いる。第４図にみるように、大きさの異なるマスク合わ
せ用分離島２に対しても、このマスク合わせ用パターン
１１を用いれば、容易にマスクを適正に配置することが
できる。すなわち、このマスク合わせ用パターン１１の
いずれかの段部の一辺と、マスク合わせ用分離島２の各
辺とを合致させるようにするのである。あるいは、前記
段部の一辺と平行させるようにするのである。このよう
に、たとえぴったり合致していなくても、両者の配置を
適正にすることは、極＜微調整ですむので、容易である
。
スク５の一部に設けられたマスク合わせパターン１１を
、ＤＩ基板６に重ね合わせた状態を示す。このマスク合
わせパターン１１は、図にみるように、全体としてひし
形をしているが、その４辺は、マスク合わせ用分離島２
の外郭線たる相似四辺形の各四辺の一部たる線分３１，
３２゜３３などを含む階段状のきざみが多数設けられて
いる。第４図にみるように、大きさの異なるマスク合わ
せ用分離島２に対しても、このマスク合わせ用パターン
１１を用いれば、容易にマスクを適正に配置することが
できる。すなわち、このマスク合わせ用パターン１１の
いずれかの段部の一辺と、マスク合わせ用分離島２の各
辺とを合致させるようにするのである。あるいは、前記
段部の一辺と平行させるようにするのである。このよう
に、たとえぴったり合致していなくても、両者の配置を
適正にすることは、極＜微調整ですむので、容易である
。
第２の発明で用いるパターンは、第５図のごとき線分３
１，３２．３３・・・のみからなるものでもよく、外５
Ｖｎのみで描くのであれば、マスク合わせ用分離島の外
郭線そのものを、第５図のように中心および向きを合わ
せて描いたものでもよい。
１，３２．３３・・・のみからなるものでもよく、外５
Ｖｎのみで描くのであれば、マスク合わせ用分離島の外
郭線そのものを、第５図のように中心および向きを合わ
せて描いたものでもよい。
この発明にかかるマスク合わせ方法は、以上に説明した
ような構成になっているので、マスキング工程における
マスク合わせが容易となって、作業能率が向上し、結果
的に精度の高いＤＩ基板の製造を可能にする。
ような構成になっているので、マスキング工程における
マスク合わせが容易となって、作業能率が向上し、結果
的に精度の高いＤＩ基板の製造を可能にする。
第１図は第１の発明の一実施例をあられすマスク合わせ
方法の実施状態をあられす部分拡大斜視図、第２図（ａ
ｌ〜（Ｃ１は第１の発明において大きさの異なるマスク
合わせ用分離島とマスク合わせ用パターンの重ね合わせ
状態を説明する平面図、第３図は第２の発明の一実施例
をあられすマスク合わせ方法の実施状態をあられす部分
拡大斜視図、第４図（ａｌ〜（ｃ＋は第２の発明におい
て大きさの異なるマスク合わせ用分離島とマスク合わせ
用パターンの重ね合わせ状態を説明する平面図、第５図
はこの発明の詳細な説明図、第６図は従来のマスク合わ
せ方法を説明する分解斜視図、第７図（ａｌはＤＩ基板
の研磨状態を説明する部分断面図、同図（ｂ）は同図ｆ
ａ）の１３− Ｂ線に沿う、同図（Ｃ）は同図（ａｌの
Ｃ−Ｃ襟に沿う、同図（ｄ）は同図（ａｌのＤ−Ｄ線に
沿う、各研磨状態における平面図、第８図（ａｌ〜（Ｃ
）は従来のマスク合わせ用パターンを用いた第７図（ｂ
）〜（ｄ）のマスク合わせ用分離島に重ね合わせた平面
図である。 １・・・マスク合わせ用パターン ２・・・マスク合わ
せ用分離島 ２．ｂ、ｃ、ｄ・・・相似四辺形 ５・・
・マスク ６・・・Ｉ）Ｉ基（反 ２１ ２２．２３．
２４・・・相似四辺形の隅を結ぶ線分 ３１，３２．３
３・・・相似四辺形の各辺の一部 代理人 弁理士 松 本 武 彦 第１図 第２図 （ａ） （ｂ）
（ｃ）第６図 第３図 第５図 １ ｚ４ 第４＠
方法の実施状態をあられす部分拡大斜視図、第２図（ａ
ｌ〜（Ｃ１は第１の発明において大きさの異なるマスク
合わせ用分離島とマスク合わせ用パターンの重ね合わせ
状態を説明する平面図、第３図は第２の発明の一実施例
をあられすマスク合わせ方法の実施状態をあられす部分
拡大斜視図、第４図（ａｌ〜（ｃ＋は第２の発明におい
て大きさの異なるマスク合わせ用分離島とマスク合わせ
用パターンの重ね合わせ状態を説明する平面図、第５図
はこの発明の詳細な説明図、第６図は従来のマスク合わ
せ方法を説明する分解斜視図、第７図（ａｌはＤＩ基板
の研磨状態を説明する部分断面図、同図（ｂ）は同図ｆ
ａ）の１３− Ｂ線に沿う、同図（Ｃ）は同図（ａｌの
Ｃ−Ｃ襟に沿う、同図（ｄ）は同図（ａｌのＤ−Ｄ線に
沿う、各研磨状態における平面図、第８図（ａｌ〜（Ｃ
）は従来のマスク合わせ用パターンを用いた第７図（ｂ
）〜（ｄ）のマスク合わせ用分離島に重ね合わせた平面
図である。 １・・・マスク合わせ用パターン ２・・・マスク合わ
せ用分離島 ２．ｂ、ｃ、ｄ・・・相似四辺形 ５・・
・マスク ６・・・Ｉ）Ｉ基（反 ２１ ２２．２３．
２４・・・相似四辺形の隅を結ぶ線分 ３１，３２．３
３・・・相似四辺形の各辺の一部 代理人 弁理士 松 本 武 彦 第１図 第２図 （ａ） （ｂ）
（ｃ）第６図 第３図 第５図 １ ｚ４ 第４＠
Claims (2)
- （１）絶縁分離膜で分離された分離島を備えたＤＩ基板
にマスキングするにあたり、ＤＩ基板の一部に形成され
た平面四辺形のマスク合わせ用分離島に、マスクに形成
されたマスク合わせ用パターンを重ね合わせることによ
りマスク合わせを行う方法において、ＤＩ基板の研磨量
のバラツキによって生じる寸法の異なるマスク合わせ用
分離島の各外郭線たる相似四辺形を、中心を同じくして
同じ向きに重ね合わせたときに、これらの相似四辺形の
各４隅をそれぞれに結んで得られる４本の線分を含むパ
ターンをマスク合わせ用パターンとして用いることを特
徴とするマスク合わせ方法。 - （２）絶縁分離膜で分離された分離島を備えたＤＩ基板
にマスキングするにあたり、ＤＩ基板の一部に形成され
た平面四辺形のマスク合わせ用分離島に、マスクに形成
されたマスク合わせ用パターンを重ね合わせることによ
りマスク合わせを行う方法において、ＤＩ基板の研磨量
のバラツキによって生じる寸法の異なるマスク合わせ用
分離島の各外郭線たる相似四辺形のうちから選んだ適宜
の相似四辺形を、中心を同じくして同じ向きに重ね合わ
せたときに、これら相似四辺形の４辺の各少なくとも一
部に相当する線分を含むパターンをマスク合わせ用パタ
ーンとして用いることを特徴とするマスク合わせ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61016212A JPS62173716A (ja) | 1986-01-27 | 1986-01-27 | マスク合わせ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61016212A JPS62173716A (ja) | 1986-01-27 | 1986-01-27 | マスク合わせ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62173716A true JPS62173716A (ja) | 1987-07-30 |
Family
ID=11910218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61016212A Pending JPS62173716A (ja) | 1986-01-27 | 1986-01-27 | マスク合わせ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62173716A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007504664A (ja) * | 2003-09-02 | 2007-03-01 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | Ｘイニシアティブレイアウト設計のためのパターン認識および方法のための構造 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5748234A (en) * | 1980-09-08 | 1982-03-19 | Fujitsu Ltd | Position adjusting method of semiconductor device |
-
1986
- 1986-01-27 JP JP61016212A patent/JPS62173716A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5748234A (en) * | 1980-09-08 | 1982-03-19 | Fujitsu Ltd | Position adjusting method of semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007504664A (ja) * | 2003-09-02 | 2007-03-01 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | Ｘイニシアティブレイアウト設計のためのパターン認識および方法のための構造 |
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