JPS62169515A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPS62169515A JPS62169515A JP1232486A JP1232486A JPS62169515A JP S62169515 A JPS62169515 A JP S62169515A JP 1232486 A JP1232486 A JP 1232486A JP 1232486 A JP1232486 A JP 1232486A JP S62169515 A JPS62169515 A JP S62169515A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- output
- voltage
- input
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 23
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 23
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/01—Shaping pulses
- H03K5/08—Shaping pulses by limiting; by thresholding; by slicing, i.e. combined limiting and thresholding
- H03K5/082—Shaping pulses by limiting; by thresholding; by slicing, i.e. combined limiting and thresholding with an adaptive threshold
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Manipulation Of Pulses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体集積回路に係り、特に光検出素子の出
力を入力とし、ディジタル信号を出力する半導体集積回
路に関するものである。
力を入力とし、ディジタル信号を出力する半導体集積回
路に関するものである。
従来の半導体集積回路の一例を第３図に示し説明する。
図において、１は光検出素子、２は反転増幅器３と帰還
抵抗４で構成される電流・電圧変換回路、５は反転増幅
器６と帰還抵抗７，８で構成される電圧増幅回路、９は
反転増幅器１０と帰還抵抗１１１２およびダイオード１
３ならびにビークホールド用コンデンサ１４で構成され
るピークホールド回路で、このピークホールド回路９に
おいては、上記電圧増幅回路５の出力のピーク値の１／
２の出力電圧となるよう帰還抵抗１１，１２は設定され
るように構成されている。そして、上記反転増幅器３，
６．１０は特性の揃った反転増幅器である。
抵抗４で構成される電流・電圧変換回路、５は反転増幅
器６と帰還抵抗７，８で構成される電圧増幅回路、９は
反転増幅器１０と帰還抵抗１１１２およびダイオード１
３ならびにビークホールド用コンデンサ１４で構成され
るピークホールド回路で、このピークホールド回路９に
おいては、上記電圧増幅回路５の出力のピーク値の１／
２の出力電圧となるよう帰還抵抗１１，１２は設定され
るように構成されている。そして、上記反転増幅器３，
６．１０は特性の揃った反転増幅器である。
１５は電圧増幅回路５の出力とピークホールド回路９の
出力を入力とする電圧比較器である。
出力を入力とする電圧比較器である。
そして、光検出素子１の出力を電流・電圧変換回路２の
入力に接続し、この電流・電圧変換回路２の出力を電圧
増幅回路５の入力およびピークホールド回路９０入力に
それぞれ接続して構成されている。
入力に接続し、この電流・電圧変換回路２の出力を電圧
増幅回路５の入力およびピークホールド回路９０入力に
それぞれ接続して構成されている。
第４図は横軸に入力電流、縦軸に電圧をとって表わした
入力電流と各電圧の特性を示す図で、ａは電流・電圧変
換回路２の出力電圧を示したものであシ、ｂは電圧増幅
回路５の出力電圧、Ｃはピークホールド回路９の出力電
圧を示したものである。
入力電流と各電圧の特性を示す図で、ａは電流・電圧変
換回路２の出力電圧を示したものであシ、ｂは電圧増幅
回路５の出力電圧、Ｃはピークホールド回路９の出力電
圧を示したものである。
つぎに第３図に示す回路の動作について説明する。
まず、電流・電圧変換回路２の変換率は帰還抵抗４で決
まシ、電圧増幅回路５の増幅度は帰還抵抗７，８の比で
決まシ、また、ピークホールド回路９の増幅度は帰還抵
抗１１．１２の比で決まる。
まシ、電圧増幅回路５の増幅度は帰還抵抗７，８の比で
決まシ、また、ピークホールド回路９の増幅度は帰還抵
抗１１．１２の比で決まる。
そして、このピークホールド回路９の増幅度は電圧増幅
回路５の増幅度の１７２に設定する。
回路５の増幅度の１７２に設定する。
つぎに、光検出素子１の出力電流は、電流・電圧変換回
路２で電圧に変換され、その変換出力は電圧増幅回路５
で増幅された後、電圧比較器１５に入力される。また、
ピークホールド回路９の出力電圧は電圧増幅回路５の出
力のピーク値の１／２の電圧になり、電圧比較器１５の
他方の入力に供給される。
路２で電圧に変換され、その変換出力は電圧増幅回路５
で増幅された後、電圧比較器１５に入力される。また、
ピークホールド回路９の出力電圧は電圧増幅回路５の出
力のピーク値の１／２の電圧になり、電圧比較器１５の
他方の入力に供給される。
したがって、電圧比較器１５は、光検出素子１の電流の
ピーク値の５０％でディジタル信号に変換する。そして
、５０％であるから、入力波形のディジタル信号のパル
ス幅を変化させずに、出力として取シ出される。
ピーク値の５０％でディジタル信号に変換する。そして
、５０％であるから、入力波形のディジタル信号のパル
ス幅を変化させずに、出力として取シ出される。
しかしながら、このような半導体集積回路においては、
光検出素子１の電流が無くなったとき、電圧増幅回路５
の出力とピークホールド回路９の出力が一致してしまい
、電圧比較器１５の出力が不安定になる。
光検出素子１の電流が無くなったとき、電圧増幅回路５
の出力とピークホールド回路９の出力が一致してしまい
、電圧比較器１５の出力が不安定になる。
第５図は以上の点に鑑み、このような不都合を解消すべ
くなされた従来の半導体集積回路の他の例を示す回路図
である。
くなされた従来の半導体集積回路の他の例を示す回路図
である。
この第５図において第３図と同一符号のものは相当部分
を示し、第３図と異なる点はピークホールド回路９にお
ける反転増幅器１０の入力に電流源１６を接続するよう
にしたことにある。
を示し、第３図と異なる点はピークホールド回路９にお
ける反転増幅器１０の入力に電流源１６を接続するよう
にしたことにある。
第６図は横軸に入力電流、縦軸に電圧をとって表わした
入力電流と各電圧の特性を示す図で、ａは電流・電圧変
換回路２の出力電圧を示したものであシ、ｂは電圧増幅
回路５の出力電圧、ｄはピークホールド回路９の出力電
圧を示したものである。
入力電流と各電圧の特性を示す図で、ａは電流・電圧変
換回路２の出力電圧を示したものであシ、ｂは電圧増幅
回路５の出力電圧、ｄはピークホールド回路９の出力電
圧を示したものである。
つぎにこの第５図に示す回路の動作について説明する。
まず、第３図に示す回路と比較して、ピークホールド回
路９のみが異なる。
路９のみが異なる。
つぎに、電流源１６の電流値と、帰還抵抗１２で決まる
電圧値だけピークホールド回路９の出力電圧はシフトす
る。
電圧値だけピークホールド回路９の出力電圧はシフトす
る。
したがって、光検出素子１の出力がないときも、電圧比
較器１５の出力は安定する。
較器１５の出力は安定する。
上記のような第５図に示す従来の半導体集積回路では、
ピークホールド回路の出力が電圧増幅回路の出力の１／
２にならないので、波形のパルス幅が変化してしまうと
いう問題点があった。
ピークホールド回路の出力が電圧増幅回路の出力の１／
２にならないので、波形のパルス幅が変化してしまうと
いう問題点があった。
この発明はかかる問題点を解決するとともに第３図に示
す回路の欠点を除去するためになされたもので、ピーク
ホールド回路の出力を電圧増幅回路の出力の１／２にし
たままで、光検出素子の入力がないときにも安定して出
力を得ることができる半導体集積回路を得ることを目的
とする。
す回路の欠点を除去するためになされたもので、ピーク
ホールド回路の出力を電圧増幅回路の出力の１／２にし
たままで、光検出素子の入力がないときにも安定して出
力を得ることができる半導体集積回路を得ることを目的
とする。
この発明による半導体集積回路は、光検出素子の出力を
電流・電圧変換回路に入力し電圧比較器よりディジタル
信号を出力するようになし、かつピークホールド回路の
ピークホールド用コンデンサの接続点に直流バイアス電
流を流すようになし、上記光検出素子の入力がないとき
にも安定した出力が得られるようにしたものである。
電流・電圧変換回路に入力し電圧比較器よりディジタル
信号を出力するようになし、かつピークホールド回路の
ピークホールド用コンデンサの接続点に直流バイアス電
流を流すようになし、上記光検出素子の入力がないとき
にも安定した出力が得られるようにしたものである。
この発明においては、ピークホールド用コンデンサと帰
還抵抗およびダイオードの接続点に電流源を接続し、光
検出素子の入力がないときにはこの電流源の効果により
ピークホールド回路の出力がシフトするので、電圧比較
器の出力は安定する。
還抵抗およびダイオードの接続点に電流源を接続し、光
検出素子の入力がないときにはこの電流源の効果により
ピークホールド回路の出力がシフトするので、電圧比較
器の出力は安定する。
以下、図面に基づきこの発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第１図はとの発明による半導体集積回路の一実施例を示
す回路図である。
す回路図である。
この第１図において第３図および第５図と同一部分には
同一符号を付して説明を省略する。
同一符号を付して説明を省略する。
この第１図が第３図および第５図と異なる点は、ピーク
ホールド回路９における帰還抵抗１２とダイオード１３
およびピークホールド用コンデンサ１４の接続点に電流
源１Ｔを接続したことにある。
ホールド回路９における帰還抵抗１２とダイオード１３
およびピークホールド用コンデンサ１４の接続点に電流
源１Ｔを接続したことにある。
そして、光検出素子１の出力を電流・電圧変換回路２に
入力し、電圧比較器１５よりデイジタル信号を出力する
よう構成し、ピークホールド回路のピークホールド用コ
ンデンサ１４の接続点に直流バイアス電流を流し、光検
出素子１の入力がないときにも安定した出力を得られる
ように構成されている。
入力し、電圧比較器１５よりデイジタル信号を出力する
よう構成し、ピークホールド回路のピークホールド用コ
ンデンサ１４の接続点に直流バイアス電流を流し、光検
出素子１の入力がないときにも安定した出力を得られる
ように構成されている。
第２図は横軸に入力電流、縦軸に電圧をとって表わした
入力電流と各電圧の特性を示す図で、ａは電流・電圧変
換回路２の出力電圧を示したものであυ、ｂは電圧増幅
回路５の出力電圧、ｅはピークホールド９の出力電圧を
示したものである。
入力電流と各電圧の特性を示す図で、ａは電流・電圧変
換回路２の出力電圧を示したものであυ、ｂは電圧増幅
回路５の出力電圧、ｅはピークホールド９の出力電圧を
示したものである。
つぎに第１図に示す実施例の動作を説明する。
まず、ピークホールド回路９の入力がないときには、ダ
イオード１３を介してコンデンサ１４の充電電流は流れ
ないので、コンデンサ１４の電圧は電流源１７と帰還抵
抗１１．１２によって定ま）、その値だけシフトする。
イオード１３を介してコンデンサ１４の充電電流は流れ
ないので、コンデンサ１４の電圧は電流源１７と帰還抵
抗１１．１２によって定ま）、その値だけシフトする。
つぎに、ピークホールド回路９の入力が大きくなってく
ると、コンデンサ１４に充電する電流が電流源１７によ
る値だけでは不足してくるので、ダイオード１３を介し
ても流れるようになる。そして、その状況では、反転増
幅器１０が作動し、その電圧を電圧増幅回路５の出力の
１／２の値になるように動作する。
ると、コンデンサ１４に充電する電流が電流源１７によ
る値だけでは不足してくるので、ダイオード１３を介し
ても流れるようになる。そして、その状況では、反転増
幅器１０が作動し、その電圧を電圧増幅回路５の出力の
１／２の値になるように動作する。
このように、ピークホールド回路９の入力がないときに
は電流源１７の効果によりピークホールド回路９の出力
がシフトするので、電圧比較器１５の出力が安定し、ま
た、上記入力が大きいときには、電流源１Ｔの効果が無
効になるので、入力波形の５０％でディジタル出力に変
換するととができる。
は電流源１７の効果によりピークホールド回路９の出力
がシフトするので、電圧比較器１５の出力が安定し、ま
た、上記入力が大きいときには、電流源１Ｔの効果が無
効になるので、入力波形の５０％でディジタル出力に変
換するととができる。
なお、ここでは、入力波形の５０チということで説明し
だが、現実には、光検出素子の特性などにより、５０チ
でない方がよい場合もある。そして、その場合は、ピー
クホールド回路９の帰還抵抗１１゜１２０値を変更して
、増幅度を変えることもある。
だが、現実には、光検出素子の特性などにより、５０チ
でない方がよい場合もある。そして、その場合は、ピー
クホールド回路９の帰還抵抗１１゜１２０値を変更して
、増幅度を変えることもある。
しかし、この場合でも、電流曽１７の効果は変わらない
。
。
以上の説明から明らかなように、この発明においては、
ピークホールド回路９の増幅率を電圧増幅回路の増幅度
の１／２に設定し、光検出素子１の出力電流を５０％で
弁別するように構成されている。
ピークホールド回路９の増幅率を電圧増幅回路の増幅度
の１／２に設定し、光検出素子１の出力電流を５０％で
弁別するように構成されている。
以上説明したように、この発明によれば、入力がないと
きには、電流源の効果によりピークホールド回路の出力
がシフトするようにしたので、電圧比較器の出力が安定
し、入力が大きいときには電流源の効果が無効になるの
で、入力波形の５０チでディジタル出力に変換すること
ができ、ピークホールド回路の出力を電圧増幅回路の出
力の１／２にしたままで、光検出素子からの入力がない
ときにも安定した出力を得ることができる効果がある。
きには、電流源の効果によりピークホールド回路の出力
がシフトするようにしたので、電圧比較器の出力が安定
し、入力が大きいときには電流源の効果が無効になるの
で、入力波形の５０チでディジタル出力に変換すること
ができ、ピークホールド回路の出力を電圧増幅回路の出
力の１／２にしたままで、光検出素子からの入力がない
ときにも安定した出力を得ることができる効果がある。
第１図はこの発明による半導体集積回路の一実施例を示
す回路図、第２図は第１図の入力電流に対する各部の電
圧特性を示す図、第３図は従来の半導体集積回路の一例
を示す回路図、第４図は第３図の入力電流に対する各部
の電圧特性を示す図、第５図は従来の半導体集積回路の
更に他の例を示す回路図、第６図は第５図の入力電流に
対する各部の電圧特性を示す図である。 １・・・・光検出素子、２・・・−電流・電圧変換回路
、３・・−・反転増幅器、５拳・・・電圧増幅回路、６
＠・φ・反転増幅器、９・・・・ピークホールド回路、
１０−−・・反転増幅器、１１．１２・・・・帰還抵抗
、１３ｅ・ｍ−ダイオード、１４・・・・コンデンサ、
１５・・−・電圧比較器、１７−・・・電流源。
す回路図、第２図は第１図の入力電流に対する各部の電
圧特性を示す図、第３図は従来の半導体集積回路の一例
を示す回路図、第４図は第３図の入力電流に対する各部
の電圧特性を示す図、第５図は従来の半導体集積回路の
更に他の例を示す回路図、第６図は第５図の入力電流に
対する各部の電圧特性を示す図である。 １・・・・光検出素子、２・・・−電流・電圧変換回路
、３・・−・反転増幅器、５拳・・・電圧増幅回路、６
＠・φ・反転増幅器、９・・・・ピークホールド回路、
１０−−・・反転増幅器、１１．１２・・・・帰還抵抗
、１３ｅ・ｍ−ダイオード、１４・・・・コンデンサ、
１５・・−・電圧比較器、１７−・・・電流源。
Claims (2)
- （１）特性の揃つた第１、第２、第３の反転増幅器と電
圧比較器を備え、前記第１の反転増幅器を用いた電流・
電圧変換回路の出力を前記第２の反転増幅器を用いた電
圧増幅回路の入力および前記第３の反転増幅器を用いた
ピークホールド回路の入力にそれぞれ接続し、前記電圧
増幅回路の出力と前記ピークホールド回路の出力を前記
電圧比較器の入力に接続してなる半導体集積回路におい
て、光検出素子の出力を前記電流・電圧変換回路に入力
し前記電圧比較器よりデイジタル信号を出力するように
なし、かつ前記ピークホールド回路のピークホールド用
コンデンサの接続点に直流バイアス電流を流すようにな
し、前記光検出素子の入力がないときにも安定した出力
が得られるようにしたことを特徴とする半導体集積回路
。 - （２）ピークホールド回路は、第３の反転増幅器と帰還
抵抗およびダイオードならびにコンデンサと、この帰還
抵抗、ダイオード、コンデンサの接続点に接続された電
流源からなり、このピークホールド回路の増幅度を電圧
増幅回路の増幅度の１／２に設定し、光検出素子の出力
電流を５０％で弁別し得るようにしたことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1232486A JPS62169515A (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1232486A JPS62169515A (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62169515A true JPS62169515A (ja) | 1987-07-25 |
Family
ID=11802131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1232486A Pending JPS62169515A (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62169515A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02134005A (ja) * | 1988-11-15 | 1990-05-23 | Meidensha Corp | 直流増幅装置 |
| GB2444147A (en) * | 2006-11-20 | 2008-05-28 | Avago Tech Ecbu Ip | Adaptive decision threshold setting circuit, preferably with high and low thresholds |
-
1986
- 1986-01-21 JP JP1232486A patent/JPS62169515A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02134005A (ja) * | 1988-11-15 | 1990-05-23 | Meidensha Corp | 直流増幅装置 |
| GB2444147A (en) * | 2006-11-20 | 2008-05-28 | Avago Tech Ecbu Ip | Adaptive decision threshold setting circuit, preferably with high and low thresholds |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62169515A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS585594B2 (ja) | 整流回路 | |
| US4945314A (en) | Amplifier arrangement with saturation detection | |
| JP2963934B2 (ja) | 受光増幅回路 | |
| JP2987458B2 (ja) | Ｐｗｍパルス復調器 | |
| JP3332724B2 (ja) | 差動増幅装置 | |
| JPS5928285B2 (ja) | 位相反転回路 | |
| JP2667148B2 (ja) | 電流・電圧変換回路 | |
| JP2000155139A (ja) | 電流検出装置 | |
| JPS6117072A (ja) | 抵抗変化検出回路 | |
| JPH08125697A (ja) | Ａｓｋ変調における復調回路 | |
| JPH04129409A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JP3943767B2 (ja) | 電圧比検出回路 | |
| JPH0346574Y2 (ja) | ||
| JPH0476243B2 (ja) | ||
| JPH05226949A (ja) | 増幅回路 | |
| JPH0557924U (ja) | 演算増幅回路 | |
| JPH07170437A (ja) | 温度制御回路 | |
| JPS6354809A (ja) | バイアス回路 | |
| JPH0685606A (ja) | バイアス変換型フィルタ回路 | |
| JPS62225915A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH037409A (ja) | バッファ回路 | |
| JPH0325045B2 (ja) | ||
| JPS6341084A (ja) | ピ−クホ−ルド回路 | |
| JPH0215130B2 (ja) |