JPS62165223A - 熱遮断回路 - Google Patents
熱遮断回路Info
- Publication number
- JPS62165223A JPS62165223A JP61008271A JP827186A JPS62165223A JP S62165223 A JPS62165223 A JP S62165223A JP 61008271 A JP61008271 A JP 61008271A JP 827186 A JP827186 A JP 827186A JP S62165223 A JPS62165223 A JP S62165223A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- npn
- emitter
- collector
- resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、熱遮断回路に関し、さらに詳しくは、集積
回路チップ内に組み込まれて、パワ一段の電力損失によ
り発熱したチップが、所定の許容温度範囲以上になった
ことを検出したときに、このパワ一段をカットオフして
、チップの破壊を阻止し得るようにした熱遮断回路の改
良に係るものである。
回路チップ内に組み込まれて、パワ一段の電力損失によ
り発熱したチップが、所定の許容温度範囲以上になった
ことを検出したときに、このパワ一段をカットオフして
、チップの破壊を阻止し得るようにした熱遮断回路の改
良に係るものである。
従来例によるこの種の熱遮断回路の構成を第２図に示す
。
。
すなわち、この第２図回路において、Ｑｌはコレクタ・
ベースを接続し、エミフタを電源に接続した第１のＰＮ
Ｐ トランジスタ、Ｑ２はベースを第１のＰＮＰ トラ
ンジスタＱ１のベースに接続し、エミッタを電源に接続
した第２のＰＮＰトランジスタ、Ｑ３はコレクタを第１
のＰＮＰ トランジスタＱ１のコレクタおよびコレクタ
を第２のＰＮＰ トランジスタＱ２のコレクタと、第１
のＮＰＮ トランジスタＱ３のベースとにそれぞれ接続
した第２のＮＰＮ トランジスタ、Ｑ５はエミッタを接
地させ、かつコレクタを出力端子Ｔ とした第３のＮＰ
Ｎ トランジスタ、Ｑ６はベースｔｌＴ を第２のＰＮＰ トランジスタＱ２のベースに、コレク
タを第３のＮＰＮトランジスタＱ５のベースにそれぞれ
接続し、エミッタを電源に接続した第３のＰＮＰトラン
ジスタであり、またＲ１は前記第１のＮＰＮ トランジ
スタＱ３のエミッタと接地間に接続した第１の抵抗、Ｒ
２は第３のＮＰＮ トランジスタＱ５のベースとエミッ
タ間に接続した第２の抵抗である。
ベースを接続し、エミフタを電源に接続した第１のＰＮ
Ｐ トランジスタ、Ｑ２はベースを第１のＰＮＰ トラ
ンジスタＱ１のベースに接続し、エミッタを電源に接続
した第２のＰＮＰトランジスタ、Ｑ３はコレクタを第１
のＰＮＰ トランジスタＱ１のコレクタおよびコレクタ
を第２のＰＮＰ トランジスタＱ２のコレクタと、第１
のＮＰＮ トランジスタＱ３のベースとにそれぞれ接続
した第２のＮＰＮ トランジスタ、Ｑ５はエミッタを接
地させ、かつコレクタを出力端子Ｔ とした第３のＮＰ
Ｎ トランジスタ、Ｑ６はベースｔｌＴ を第２のＰＮＰ トランジスタＱ２のベースに、コレク
タを第３のＮＰＮトランジスタＱ５のベースにそれぞれ
接続し、エミッタを電源に接続した第３のＰＮＰトラン
ジスタであり、またＲ１は前記第１のＮＰＮ トランジ
スタＱ３のエミッタと接地間に接続した第１の抵抗、Ｒ
２は第３のＮＰＮ トランジスタＱ５のベースとエミッ
タ間に接続した第２の抵抗である。
そしてこの従来例による回路構成にあって、トランジス
タＱ１．Ｑ２のトランジスタサイズが共に同一で、トラ
ンジスタＱ３のエミッタサイズが、トランジスタＱ４の
エミッタサイズのＮ倍であるとすれば、トランジスタＱ
１．Ｑ２が電流比１：１のカレントミラー回路を構成し
ているために、トランジスタＱ３．Ｑ、のコレクタ電流
は同一であり、次式が成立する。
タＱ１．Ｑ２のトランジスタサイズが共に同一で、トラ
ンジスタＱ３のエミッタサイズが、トランジスタＱ４の
エミッタサイズのＮ倍であるとすれば、トランジスタＱ
１．Ｑ２が電流比１：１のカレントミラー回路を構成し
ているために、トランジスタＱ３．Ｑ、のコレクタ電流
は同一であり、次式が成立する。
■ 一旦ｈＮ ・・・・・・・・・（１）
ＩＪ Ｒ，・９ こ＼で”Ｒ３”３のエミッタ電流 ４；ポルツマン定数 Ｔ；絶対温度 左；電子電荷 またトランジスタＱは、トランジスタＱ１．Ｑ２ とベ
ース、エミッタを共通にしているため、トランジスタＱ
６のコレクタ電流は、トランジスタＱ１．Ｑ２のコレク
タ電流に等しく、従って、抵抗Ｒ２にか−こ＼でトラン
ジスタＱ５がオンしはじめるときのベース拳エミッタ間
電圧ｖＢＥ５は負の温度係数であり、一方、（２）式に
示されるように、第２の抵抗Ｒ２にか−る電圧は正の温
度係数である。
ＩＪ Ｒ，・９ こ＼で”Ｒ３”３のエミッタ電流 ４；ポルツマン定数 Ｔ；絶対温度 左；電子電荷 またトランジスタＱは、トランジスタＱ１．Ｑ２ とベ
ース、エミッタを共通にしているため、トランジスタＱ
６のコレクタ電流は、トランジスタＱ１．Ｑ２のコレク
タ電流に等しく、従って、抵抗Ｒ２にか−こ＼でトラン
ジスタＱ５がオンしはじめるときのベース拳エミッタ間
電圧ｖＢＥ５は負の温度係数であり、一方、（２）式に
示されるように、第２の抵抗Ｒ２にか−る電圧は正の温
度係数である。
のってこの従来例構成による定電流回路にあっては、第
２の抵抗Ｒ２を適当に選択することによって、出力トラ
ンジスタＱ５を設定された所定の温度以上でオンさせる
ことができるのである。
２の抵抗Ｒ２を適当に選択することによって、出力トラ
ンジスタＱ５を設定された所定の温度以上でオンさせる
ことができるのである。
しかしながら、前記従来例での熱遮断回路の場合には、
回路を構成する素子数が比較的多いという不利があり、
また第１．第２の各ＰＮＰ、ＮＰＮ トランジスタおよ
び第１の抵抗で得た電流に比例する電流を、第３のＮＰ
Ｎトランジスタで得るようにしているため、回路自体に
関して、この第３のＮＰＮトランジスタでの素子特性の
バラツキとか、コレクタ・エミッタ間の電圧依存性など
の影響を受は易くて好ましくないものであった。。
回路を構成する素子数が比較的多いという不利があり、
また第１．第２の各ＰＮＰ、ＮＰＮ トランジスタおよ
び第１の抵抗で得た電流に比例する電流を、第３のＮＰ
Ｎトランジスタで得るようにしているため、回路自体に
関して、この第３のＮＰＮトランジスタでの素子特性の
バラツキとか、コレクタ・エミッタ間の電圧依存性など
の影響を受は易くて好ましくないものであった。。
この発明は従来例回路でのこのような問題点を改善する
ためになされたものであって、その目的とするところは
、必要素子数を少なくした簡単な回路構成にすると共に
、高精度の熱遮断性能を得られるようにしたこの種の熱
遮断回路を提供することである。
ためになされたものであって、その目的とするところは
、必要素子数を少なくした簡単な回路構成にすると共に
、高精度の熱遮断性能を得られるようにしたこの種の熱
遮断回路を提供することである。
前記目的を達成するために、この発明は、前記した第１
．第２の各ＰＮＰ、ＮＰＮ トランジスタを用いる回路
構成において、第１および第２のＮＰＮ ）ランシスタ
の各エミッタ間に第１の抵抗を、また第の抵抗をそれぞ
れ接続すると共に、第３のＮＰＮ トランジスタのベー
スを第２のＮＰＮ トランジスタのエミッタに、そのエ
ミッタを接地にそれぞれ接続し、かつそのコレクタを出
力端子としたものである。
．第２の各ＰＮＰ、ＮＰＮ トランジスタを用いる回路
構成において、第１および第２のＮＰＮ ）ランシスタ
の各エミッタ間に第１の抵抗を、また第の抵抗をそれぞ
れ接続すると共に、第３のＮＰＮ トランジスタのベー
スを第２のＮＰＮ トランジスタのエミッタに、そのエ
ミッタを接地にそれぞれ接続し、かつそのコレクタを出
力端子としたものである。
従ってこの発明の場合には、第１および第２の各ＰＮＰ
、ＮＰＮ トランジスタと第１の抵抗とで得た電流が、
そのま−第２の抵抗に与えられるため、高精度の温度検
出が可能になり、第２の抵抗を選択することによって、
効果的な熱遮断性能を得られるほか、従来例回路に比較
するとき、第３のＰＮＰトランジスタを省略できて、回
路構成を簡略化し得るのである。
、ＮＰＮ トランジスタと第１の抵抗とで得た電流が、
そのま−第２の抵抗に与えられるため、高精度の温度検
出が可能になり、第２の抵抗を選択することによって、
効果的な熱遮断性能を得られるほか、従来例回路に比較
するとき、第３のＰＮＰトランジスタを省略できて、回
路構成を簡略化し得るのである。
以下、この発明に係る熱遮断回路の一実施例につき、第
１図を参照して詳細に説明する。
１図を参照して詳細に説明する。
第１図はこの実施例による回路構成を示しており、この
第１図実施例回路において、前記第３図している。
第１図実施例回路において、前記第３図している。
この第１図実施例回路にあっては、前記従来例での第１
．第２の各ＰＮＰ トランジスタＱ１．Ｑ２およびＮＰ
Ｎ トランジスタＱ３．０４を用いる回路構成において
、第１および第２のＮＰＮ トランジスタＱ３．Ｑ４の
それぞれエミッタ間に第１の抵抗Ｒ１を、第２のＮＰＮ
トランジスタＱ４のエミッタと接地間に第２の抵抗Ｒ
２をそれぞれに接続すると共に、第３のＮＰＮトランジ
スタＱ５のベースを第２のＮＰＮ トランジスタＱのエ
ミッタに、また同ＮＰＮ トランジスタＱ５ののエミッ
タを接地にそれぞれ接続して、従来例回路に用いられて
いた第３のＰＮＰ トランジスタＱ６を省略し、さらに
第３のＮＰＮ トランジスタＱ５のコレクタを出力端子
Ｔ。、７としたものである。
．第２の各ＰＮＰ トランジスタＱ１．Ｑ２およびＮＰ
Ｎ トランジスタＱ３．０４を用いる回路構成において
、第１および第２のＮＰＮ トランジスタＱ３．Ｑ４の
それぞれエミッタ間に第１の抵抗Ｒ１を、第２のＮＰＮ
トランジスタＱ４のエミッタと接地間に第２の抵抗Ｒ
２をそれぞれに接続すると共に、第３のＮＰＮトランジ
スタＱ５のベースを第２のＮＰＮ トランジスタＱのエ
ミッタに、また同ＮＰＮ トランジスタＱ５ののエミッ
タを接地にそれぞれ接続して、従来例回路に用いられて
いた第３のＰＮＰ トランジスタＱ６を省略し、さらに
第３のＮＰＮ トランジスタＱ５のコレクタを出力端子
Ｔ。、７としたものである。
こ〜で、この第１図実施例回路においても、トランジス
タＱ、、Ｑ２のトランジスタサイズが共に同一で、トラ
ンジスタＱ３のエミッタサイズが、トランジスタＱ４の
エミ・ンタサイズのＮ倍であるとすれば、トランジスタ
Ｑのエミッタ電１１ＱＩＥ３は、前記第２図従来例回路
の場合と同様に１ 、／２Ｔ ”Ｅ３＝５ＴｈＮ ・・・・・・・・・（
３）となる。
タＱ、、Ｑ２のトランジスタサイズが共に同一で、トラ
ンジスタＱ３のエミッタサイズが、トランジスタＱ４の
エミ・ンタサイズのＮ倍であるとすれば、トランジスタ
Ｑのエミッタ電１１ＱＩＥ３は、前記第２図従来例回路
の場合と同様に１ 、／２Ｔ ”Ｅ３＝５ＴｈＮ ・・・・・・・・・（
３）となる。
そしてこの実施例回路でもまた、トランジスタＱ５がオ
ンしはじめるときのベース・エミッタ間電圧ｖＢＥ５は
負の温度係数であり、一方、（４）式に示されるように
、第２の抵抗Ｒ２にか覧る電圧は正の温度係数である。
ンしはじめるときのベース・エミッタ間電圧ｖＢＥ５は
負の温度係数であり、一方、（４）式に示されるように
、第２の抵抗Ｒ２にか覧る電圧は正の温度係数である。
偽ってこの実施例構成による熱遮断回路にあっても、第
２の抵抗Ｒ２を適当に選択することによって、従来例回
路と同様に、出力側としての、トランジスタＱ５を設定
された所定の温度以上でオンさせることができ、出力端
子”ＯＵＴからの出力によって、図示省略したが、こ覧
ではこの実施例回路を組み込んだ同一集積回路チップ内
に構成されるところの１発熱の原因となっているパワ一
段をカットオフさせ、チップを熱破壊から防護し得るの
である。
２の抵抗Ｒ２を適当に選択することによって、従来例回
路と同様に、出力側としての、トランジスタＱ５を設定
された所定の温度以上でオンさせることができ、出力端
子”ＯＵＴからの出力によって、図示省略したが、こ覧
ではこの実施例回路を組み込んだ同一集積回路チップ内
に構成されるところの１発熱の原因となっているパワ一
段をカットオフさせ、チップを熱破壊から防護し得るの
である。
以上詳述したようにこの発明によれば、第１および第２
のＰＮＰ トランジスタおよびＮＰＮ トランジスタを
用いる回路において、第１．第２のＮＰＮ トランジス
タの各エミッタ間に第１の抵抗を、第２のＮＰＮ トラ
ンジスタのエミッタと接地間に第２の抵抗をそれぞれに
接続し、また第３のＮＰＮ トランジスタのベースを第
２のＮＰＮ トランジスタのエミフタに、そのエミッタ
を接地にそれぞれ接続し、さらにこの第３のＮＰＮ ト
ランジスタのコレクタを出力端子として構成したから、
第２の抵抗を適当に選択することによって、第１．第２
それぞれの各ＰＮＰ、ＮＰＮ トランジスタと第１の抵
抗とで得た電流を、そのまへ第２の抵抗に与えることが
でき、このため高精度での温度検出が可能になり、ひい
ては効果的な熱遮断性能を得られる利点を有し、さらに
は第３のＰＮＰ トランジスタを省略できるので１回路
構成を比較的簡単に、しかも安価に提供できるなどの優
れた特長を有するものである。
のＰＮＰ トランジスタおよびＮＰＮ トランジスタを
用いる回路において、第１．第２のＮＰＮ トランジス
タの各エミッタ間に第１の抵抗を、第２のＮＰＮ トラ
ンジスタのエミッタと接地間に第２の抵抗をそれぞれに
接続し、また第３のＮＰＮ トランジスタのベースを第
２のＮＰＮ トランジスタのエミフタに、そのエミッタ
を接地にそれぞれ接続し、さらにこの第３のＮＰＮ ト
ランジスタのコレクタを出力端子として構成したから、
第２の抵抗を適当に選択することによって、第１．第２
それぞれの各ＰＮＰ、ＮＰＮ トランジスタと第１の抵
抗とで得た電流を、そのまへ第２の抵抗に与えることが
でき、このため高精度での温度検出が可能になり、ひい
ては効果的な熱遮断性能を得られる利点を有し、さらに
は第３のＰＮＰ トランジスタを省略できるので１回路
構成を比較的簡単に、しかも安価に提供できるなどの優
れた特長を有するものである。
第１図はこの発明に係る熱遮断回路の一実施例を示す回
路接続図であり、また第２図は同上回路の従来例を示す
回路接続図である。 Ｑ・・・・第１のＰＮＰ トランジスタ、Ｑ２・・・・
第２のＰＮＰトランジスタ、Ｑ３・・・・第１のＮＰＮ
トランジスタ、Ｑ・・・・第２のＮＰＮ トランジス
タ、Ｑ５・・・・第３のＮＰＮ トランジスタ、Ｒ・・
・・第１の抵抗、Ｒ２・・・・第２の抵抗、Ｔ ・・・
・出力端子。 ＯＵＴ 代理人 大 岩 増 雄 第１図 第２図 Ｑ＋：ｖｌｌｖＰＮＰ）５’ｚＳ’２ｊＱ２・私２＃１
−・ Ｑ３＋ ′ｉ’＋ｌ’１ＮＰＮ ）７’／Ｌ”７７Ｑ４
渭２の・・ Ｑ５革３の ・ Ｒ＋ ：ｖｌｌｎ ＪｆＪＬ Ｒ２゛ゐ２ｎ ・ ＴＯＵＴヱ刀脇ｊ
路接続図であり、また第２図は同上回路の従来例を示す
回路接続図である。 Ｑ・・・・第１のＰＮＰ トランジスタ、Ｑ２・・・・
第２のＰＮＰトランジスタ、Ｑ３・・・・第１のＮＰＮ
トランジスタ、Ｑ・・・・第２のＮＰＮ トランジス
タ、Ｑ５・・・・第３のＮＰＮ トランジスタ、Ｒ・・
・・第１の抵抗、Ｒ２・・・・第２の抵抗、Ｔ ・・・
・出力端子。 ＯＵＴ 代理人 大 岩 増 雄 第１図 第２図 Ｑ＋：ｖｌｌｖＰＮＰ）５’ｚＳ’２ｊＱ２・私２＃１
−・ Ｑ３＋ ′ｉ’＋ｌ’１ＮＰＮ ）７’／Ｌ”７７Ｑ４
渭２の・・ Ｑ５革３の ・ Ｒ＋ ：ｖｌｌｎ ＪｆＪＬ Ｒ２゛ゐ２ｎ ・ ＴＯＵＴヱ刀脇ｊ
Claims (1)
- コレクタ・ベース間を相互に接続し、エミッタを電源に
接続した第１のＰＮＰトランジスタ、ベースを前記第１
のＰＮＰトランジスタのベースに接続し、エミッタを電
源に接続した第２のＰＮＰトランジスタ、コレクタを前
記第１のＰＮＰトランジスタのコレクタに接続した第１
のＮＰＮトランジスタ、ベースおよびコレクタを前記第
２のＰＮＰトランジスタのコレクタと前記第１のＮＰＮ
トランジスタのベースとにそれぞれ接続した第２のＮＰ
Ｎトランジスタ、前記第１および第２のＮＰＮトランジ
スタの各エミッタ間に接続した第１の抵抗、前記第２の
ＮＰＮトランジスタのエミッタと接地間に接続した第２
の抵抗、ベースを前記第２のＮＰＮトランジスタのエミ
ッタに、エミッタを接地にそれぞれ接続した第３のＮＰ
Ｎトランジスタからなり、前記第３のＮＰＮトランジス
タのコレクタを出力端子としたことを特徴とする熱遮断
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61008271A JPH061421B2 (ja) | 1986-01-16 | 1986-01-16 | 熱遮断回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61008271A JPH061421B2 (ja) | 1986-01-16 | 1986-01-16 | 熱遮断回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62165223A true JPS62165223A (ja) | 1987-07-21 |
| JPH061421B2 JPH061421B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=11688502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61008271A Expired - Lifetime JPH061421B2 (ja) | 1986-01-16 | 1986-01-16 | 熱遮断回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH061421B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102981550A (zh) * | 2012-11-27 | 2013-03-20 | 中国科学院微电子研究所 | 一种低压低功耗cmos电压源 |
-
1986
- 1986-01-16 JP JP61008271A patent/JPH061421B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102981550A (zh) * | 2012-11-27 | 2013-03-20 | 中国科学院微电子研究所 | 一种低压低功耗cmos电压源 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH061421B2 (ja) | 1994-01-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5149199A (en) | Temperature detection circuit used in thermal shielding circuit | |
| JPH0153807B2 (ja) | ||
| EP1242853B1 (en) | Electronic circuit | |
| JPS59144208A (ja) | 集積回路の電力素子保護装置 | |
| JPS62165223A (ja) | 熱遮断回路 | |
| JPH065493B2 (ja) | 定電流供給回路 | |
| JP2560010B2 (ja) | 積層ｐｎｐトランジスタ−の反飽和回路 | |
| JP3042256B2 (ja) | パワートランジスタ温度保護回路装置 | |
| JPH082738Y2 (ja) | 定電流回路 | |
| JPS6145625Y2 (ja) | ||
| JP3727788B2 (ja) | 電流検出回路 | |
| JP2829773B2 (ja) | コンパレータ回路 | |
| JPS5977707A (ja) | バイアス回路装置 | |
| JPS5855454Y2 (ja) | 定電流回路 | |
| JPH0349418A (ja) | 電圧検出回路 | |
| JP3676595B2 (ja) | 電流検出回路 | |
| JPS5881313A (ja) | 過電流制限型半導体装置 | |
| JPH04241008A (ja) | 電流制限回路 | |
| JPH04366737A (ja) | 温度センサ回路 | |
| JP2001265451A (ja) | 電流検出回路 | |
| JP2910003B2 (ja) | 低電圧動作温度安定特性電流源回路 | |
| JPH03137528A (ja) | 温度検出回路 | |
| JPH02202219A (ja) | 温度検出回路 | |
| JPS60227458A (ja) | 半導体集積回路装置における熱遮断装置 | |
| JPS61164304A (ja) | 片波検波回路 |