JP2001265451A - 電流検出回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 サージ電流が流入したときに電流レベルの検
出が正確に行えなくなるのを簡素な構成で防止する。 【解決手段】 トランジスタＱ１を抵抗Ｒ１を介してシ
ャント抵抗Ｒｓの電源部１側に接続し、トランジスタＱ
２をシャント抵抗Ｒｓの負荷３側に接続する。トランジ
スタＱ１，Ｑ２のトランジスタ特性は等しい。トランジ
スタＱ１，Ｑ２のコレクタを抵抗Ｒ２を介して接地し、
抵抗Ｒ２の両端電圧を電圧検出回路５により検出する。
電源部１から負荷３に電流が供給されていないときに
も、トランジスタＱ２のベースにトランジスタＱ１１に
よってベース電流を発生させることにより、トランジス
タＱ２をオン状態にしている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電流検出抵抗を用
いて負荷に供給される電流を検出する電流検出回路に係
り、特にサージ電流が流入した場合でも動作が不安定に
なるのを防止するようにした電流検出回路に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】従来、パソコン等に用いられる２次電池
の充電量を精度良く求めたり、自動車における電流分配
回路を監視することなどを目的として、高精度な電流検
出回路が望まれている。電流検出回路として、従来、高
精度な低抵抗であるシャント抵抗を検出すべき電流が流
れる電流供給ラインに直列に介設し、このシャント抵抗
の両端に互いに等しいトランジスタ特性を有するＰＮＰ
トランジスタをそれぞれ接続して検出すべき電流に比例
した電流を分岐するようにした図７に示すような回路が
知られている。

【０００３】図７の回路において、シャント抵抗Ｒｓ
（抵抗値をＲ_Sとする）は電源部と負荷の間に直列に介
設されており、ＰＮＰトランジスタＱ２１のエミッタは
抵抗Ｒ２１（抵抗値をＲ₂₁とし、Ｒ₂₁≫Ｒ_Sとする）を
介してシャント抵抗Ｒｓの電源部側に接続され、ベース
はＰＮＰトランジスタＱ２２のベースに接続され、コレ
クタは抵抗Ｒ２２（抵抗値をＲ₂₂とする）を介して接地
されている。また、ＰＮＰトランジスタＱ２２のエミッ
タはシャント抵抗Ｒｓの負荷側に接続され、コレクタは
ベースに接続されるとともに、抵抗Ｒ２３（抵抗値をＲ
₂₃とする）を介して接地されている。

【０００４】この回路において、トランジスタＱ２２の
ベース・コレクタ間が短絡されているので、このトラン
ジスタＱ２２はエミッタ・ベース間で構成されるダイオ
ードとみなすことができる。従って、シャント抵抗Ｒｓ
の負荷側に０Ｖ以上の電位が発生すると、電流Ｉ₂₁が流
れる。電源部から負荷に供給される負荷電流Ｉ_Lの通電
開始直後では、電流Ｉ₂₁はトランジスタＱ２２のエミッ
タ（Ｐ領域）、ベース（Ｎ領域）を介して抵抗Ｒ２３に
流れるので、トランジスタＱ２２のエミッタ・ベース間
に電位差Ｖ_BE(Ｑ２２)が生じる。よって、トランジスタ
Ｑ２１，Ｑ２２のベース電位Ｖ_Aは、シャント抵抗Ｒｓ
の電源部側の電位Ｖ_Bに比べて、 (Ｉ_L＋Ｉ₂₁)・Ｒ_S＋Ｖ_BE(Ｑ２２) だけ低下する。この電位差は、トランジスタＱ２１のベ
ース・エミッタ間および抵抗Ｒ２１からなる直列回路に
も印加されるので、この電位差によって抵抗Ｒ２１から
トランジスタＱ２１のエミッタ・ベース間に電流Ｉ₂₂が
流れて、トランジスタＱ２１がオンになる。

【０００５】一般に、トランジスタのエミッタ電流はベ
ース電流のｈ_FE（通常ｈ_FE＝100〜1000）倍になり、ベ
ース・エミッタ間の電位差Ｖ_BEはオン状態のトランジス
タにおいては0.6Ｖ程度の一定値をとる。図７の回路で
は、ＰＮＰトランジスタＱ２１とＰＮＰトランジスタＱ
２２は、互いに等しいトランジスタ特性を有するものを
用いているので、両者のｈ_FEやベース・エミッタ間Ｖ_BE
は、ｈ_FE21＝ｈ_FE22、Ｖ_BE(Ｑ２１)＝Ｖ_BE(Ｑ２２)と互
いに等しい値になっている。

【０００６】図７において、抵抗Ｒ２１の両端電圧をＶ
_R21、シャント抵抗Ｒｓの両端電圧をＶ_Rsとすると、電
位Ｖ_Aと電位Ｖ_Bの電位差から、 Ｖ_R21＋Ｖ_BE(Ｑ２１)＝Ｖ_Rs＋Ｖ_BE(Ｑ２２) … となるが、 Ｖ_BE(Ｑ２１)＝Ｖ_BE(Ｑ２２) … であるので、上記式，より、 Ｖ_R21＝Ｖ_Rs … となる。

【０００７】このように、図７の回路では、ダイオード
と等価なトランジスタＱ２２にまず電流Ｉ₂₁が流れ、こ
の電流Ｉ₂₁によりトランジスタＱ２１がオンして電流Ｉ
₂₂が流れる。そして、この電流Ｉ₂₂のレベルは、シャン
ト抵抗Ｒｓでの電圧降下に等しい電圧降下が抵抗Ｒ２１
で生じるような値になる。

【０００８】そして、一般にトランジスタのエミッタ電
流とコレクタ電流とはほぼ等しいとみなせるので、抵抗
Ｒ２１を流れる電流Ｉ₂₂と同レベルの電流が抵抗Ｒ２２
に流れるとみなして、抵抗Ｒ２２の両端電圧Ｖ_OUTを検
出することにより、抵抗Ｒ２１の抵抗値Ｒ₂₁とシャント
抵抗Ｒｓの抵抗値Ｒ_Sとの比に基づき、負荷電流Ｉ_Lを検
出することができるようになっている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】図７の回路において、
電源部から負荷に負荷電流Ｉ_Lが供給されていない状態
（電流Ｉ₂₁が流れておらず、トランジスタＱ２２はオフ
状態）のときに、何らかの要因でサージ電流が電源部側
から抵抗Ｒ２１とシャント抵抗Ｒｓの接続点に流入する
と、当該接続点に、瞬間的に、トランジスタＱ２１のエ
ミッタの電位やシャント抵抗Ｒｓの負荷側の電位より高
い電位の電圧（サージ電圧）Ｖ_Bが発生する。

【００１０】このサージ電圧Ｖ_Bによって電流が発生す
るが、この電流が、先に、シャント抵抗Ｒｓを通ってト
ランジスタＱ２２のエミッタに流入して、トランジスタ
Ｑ２２がトランジスタＱ２１よりも先にオンになった場
合には、上述した正常な状態と変わらないので、問題は
生じない。

【００１１】ところが、サージ電圧Ｖ_Bによって発生し
た電流が、抵抗Ｒ２１→トランジスタＱ２１のエミッタ
→トランジスタＱ２１のベース→トランジスタＱ２２の
コレクタ→抵抗Ｒ２３→アースの第１経路で流れる電流
Ｉ_Aと、シャント抵抗Ｒｓ→負荷→アースの第２経路で
流れる電流Ｉ_Bとに分かれ、上記第１経路で流れる電流
Ｉ_Aにより、まず、トランジスタＱ２１がオンになり、
次いで、トランジスタＱ２２がオンになった場合に、以
下のような問題が生じる。

【００１２】ここで、サージ電流が発生した瞬間におい
ては、電流Ｉ_Aは抵抗値（Ｒ₂₁＋Ｒ_{2 3}）とサージ電圧Ｖ_B
によって決まり、電流Ｉ_Bは抵抗値（Ｒ_S＋負荷のインピ
ーダンス）とサージ電圧Ｖ_Bによって決まる。また、ト
ランジスタＱ２１のコレクタ電流として、トランジスタ
Ｑ２１のエミッタ・ベース電流（すなわち電流Ｉ_A）の
ｈ_FE倍（またはそれ以下）のレベルの電流が流れる。

【００１３】上記第１経路で流れる電流Ｉ_Aにより、ま
ず、トランジスタＱ２１がオンになると、トランジスタ
Ｑ２１のベース電位Ｖ_Aは、電流Ｉ_Aおよび抵抗値Ｒ₂₁，
Ｒ₂₃と、トランジスタＱ２１のベース・エミッタ間電圧
Ｖ_BE(Ｑ２１)とによって決まる。

【００１４】次いで、トランジスタＱ２２がオンになる
が、このとき、ベース電位Ｖ_Aは既に決まっており、こ
の既に決まっているベース電位Ｖ_Aのもとで、トランジ
スタＱ２２が動作することになる。トランジスタＱ２２
がオンになると、トランジスタＱ２１，Ｑ２２の双方が
オン状態になるので、トランジスタＱ２２は、上記式
を成立させようと動作する。ここで、上記式は変わら
ずに成立するので、トランジスタＱ２２は、上記式を
成立させようと動作することになる。

【００１５】すなわち、トランジスタＱ２２は、下記式
で表わされるように、抵抗Ｒ２１で生じる電圧降下に
等しい電圧降下がシャント抵抗Ｒｓで生じるようなレベ
ルの電流Ｉ_RSをシャント抵抗Ｒｓに流そうと動作する。 Ｉ_RS＝Ｉ_A・Ｒ₂₁／Ｒ_S … しかし、上述したように、シャント抵抗Ｒｓ→負荷→ア
ースの第２経路で流れる電流Ｉ_Bは（Ｒ_S＋負荷のインピ
ーダンス）とサージ電圧Ｖ_Bによって決まっているの
で、矛盾が生じる。従って、ベース電位Ｖ_Aがふらつく
ので、トランジスタＱ２１のコレクタ電流のレベルがふ
らつく。その結果、両端電圧Ｖ_OUTのレベルがふらつい
て電流レベルの検出が正確に行えなくなるという問題が
あった。

【００１６】本発明は、上記問題を解決するもので、サ
ージ電流が流入したときに電流レベルの検出が正確に行
えなくなるのを簡素な構成で防止することができる電流
検出回路を提供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明は、電源部と負荷
の間に介設された所定の抵抗値を有する電流検出抵抗
と、この電流検出抵抗の抵抗値の所定倍である第１抵抗
値を有する第１抵抗と、所定の第２抵抗値を有する第２
抵抗と、ＰＮＰトランジスタからなる第１トランジスタ
及び第２トランジスタとを備え、上記第２トランジスタ
は、上記第１トランジスタのトランジスタ特性とほぼ同
一のトランジスタ特性を有するもので、上記第１トラン
ジスタのエミッタは、上記第１抵抗を介して上記電流検
出抵抗の電源部側に接続され、上記第１トランジスタの
ベースは、上記第２トランジスタのベースに接続され、
上記第１トランジスタのコレクタは、上記第２抵抗を介
して接地され、上記第２トランジスタのエミッタは、上
記電流検出抵抗の負荷側に接続され、上記第２トランジ
スタのコレクタは、当該第２トランジスタのベースに接
続されるとともに所定の抵抗を介して接地されてなり、
上記電源部から上記負荷に供給される供給電流を検出す
る電流検出回路において、上記第２トランジスタのベー
スに接続され、上記電源部から上記負荷に電流が供給さ
れていないときにも当該ベースに所定レベルのベース電
流を発生させるベース電流生成手段を備えたものである
（請求項１）。

【００１８】この構成によれば、第１トランジスタと第
２トランジスタのトランジスタ特性が互いにほぼ等しい
ことからベース・エミッタ間電圧が互いにほぼ等しいの
で、電流検出抵抗の電源部側の電位と第１トランジスタ
のベース電位との電位差から、第１トランジスタのエミ
ッタ電流と第２トランジスタのエミッタ電流と電流検出
抵抗に流れる検出電流と所定倍（第１抵抗値と電流検出
抵抗の抵抗値との比で１を超える値）との合計４つの値
の関係が得られる。これを第１の関係とする。なお、電
流検出抵抗に流れる検出電流は、第２トランジスタのエ
ミッタ電流と負荷に供給される供給電流との和である。

【００１９】また、第１トランジスタと第２トランジス
タとは、トランジスタ特性が互いにほぼ等しく、ベース
電流が共通であるので、第１トランジスタのコレクタ電
流と第２トランジスタのコレクタ電流とはほぼ等しくな
る。

【００２０】一方、一般にトランジスタのｈ_FE＝(コレ
クタ電流)／(ベース電流)は十分に大きいので、各トラ
ンジスタのエミッタ電流とコレクタ電流とはほぼ等しい
とみなせる。従って、第１トランジスタのコレクタ電流
と第１トランジスタのエミッタ電流とは互いにほぼ等し
く、第２トランジスタのコレクタ電流と第２トランジス
タのエミッタ電流とは互いにほぼ等しい。

【００２１】以上の関係から、第１トランジスタのエミ
ッタ電流と第２トランジスタのエミッタ電流とはほぼ等
しくなる。また、第２抵抗に流れる電流は、第１トラン
ジスタのエミッタ電流にほぼ等しくなる。これによっ
て、第２抵抗に流れる電流が負荷に供給される供給電流
および所定倍によって表わされる。

【００２２】従って、第２抵抗の両端電圧を検出するこ
とによって、既知の第２抵抗値および所定倍から供給電
流の検出が可能になる。

【００２３】ここで、従来回路では、電源部から負荷に
電流が供給されていないときには第１トランジスタにベ
ース電流が生じていないので、この状態で何らかの要因
でサージ電流が流入すると、第１トランジスタが先にオ
ンになり、そのベース電位が決まった後で第２トランジ
スタがオンになる可能性がある。この場合には、そのベ
ース電位がふらつき、その結果第２抵抗の両端電圧レベ
ルがふらつくために、電流レベルの検出が正確に行えな
いことになる。

【００２４】これに対して、本発明の回路では、電流検
出抵抗に電流が流れていない、すなわち負荷に電流が供
給されていないときでも、ベース電流生成手段により第
２トランジスタのベースに所定レベルのベース電流が発
生しているので、第２トランジスタがオン状態になって
いる。このとき、第１トランジスタのベースにもベース
電流が発生することになるので、第１トランジスタもオ
ン状態になっている。

【００２５】従って、仮に、第１トランジスタのエミッ
タおよび第２トランジスタのエミッタにサージ電流が流
れたとしても、電流検出抵抗の抵抗値の方が第１抵抗の
抵抗値より小さいので、第２トランジスタのベース電流
の方が第１トランジスタのベース電流より大きくなり、
その結果、上記サージ電流の流入に関わらず、常に第２
トランジスタの方が第１トランジスタより先に動作する
ことになる。

【００２６】このため、第１トランジスタのベース電位
は、電流検出抵抗の負荷側の電位から第２トランジスタ
のベース・エミッタ間電圧分だけ低いレベルに固定され
ることから、電源部から負荷に電流が供給される通常の
場合と同様の動作になる。

【００２７】これによって、サージ電流が流入したとき
に第２抵抗を流れる電流がふらつくことが防がれ、この
ふらつきに起因して電流レベルの検出が正確に行えなく
なるのが防止される。

【００２８】なお、トランジスタ特性として、例えば、
コレクタ・エミッタ間電圧に対するコレクタ電流の変動
特性、ベース・エミッタ間電圧特性、ｈ_FE特性や温度依
存特性などの特性について、それぞれ、互いにほぼ同一
であることが好ましい。

【００２９】また、請求項１記載の電流検出回路におい
て、ＮＰＮトランジスタからなり、上記第１トランジス
タのコレクタと上記第２抵抗との間に介設された第３ト
ランジスタと、ＮＰＮトランジスタからなり、上記第２
トランジスタのコレクタと上記所定の抵抗との間に介設
された第４トランジスタとを備え、上記第４トランジス
タは、上記第３トランジスタのトランジスタ特性とほぼ
同一のトランジスタ特性を有するもので、上記第３トラ
ンジスタのコレクタは、上記第１トランジスタのコレク
タに接続され、上記第３トランジスタのベースは、当該
第３トランジスタのコレクタ及び上記第４トランジスタ
のベースに接続され、上記第３トランジスタのエミッタ
は、上記第２抵抗を介して接地され、上記第４トランジ
スタのコレクタは、上記第２トランジスタのコレクタに
接続され、上記第４トランジスタのエミッタは、上記所
定の抵抗を介して接地され、上記所定の抵抗の抵抗値
は、上記第２抵抗値に等しくなるように構成することが
できる（請求項２）。

【００３０】この構成によれば、請求項１と同様に上記
第１の関係が得られる。また、第３トランジスタと第４
トランジスタとは、いわゆるカレントミラー回路を構成
し、第３トランジスタと第４トランジスタのベース・エ
ミッタ間電圧が互いにほぼ等しく、かつ、第３トランジ
スタのエミッタとアースとの間に介設された第２抵抗の
抵抗値と、第４トランジスタのエミッタとアースとの間
に介設された所定の抵抗の抵抗値とは同一の第２抵抗値
であるので、第３トランジスタのコレクタ電流と第４ト
ランジスタのコレクタ電流とは等しくなる。これを第２
の関係とする。

【００３１】一方、一般にトランジスタのｈ_FE＝(コレ
クタ電流)／(ベース電流)は十分に大きいので、各トラ
ンジスタのエミッタ電流とコレクタ電流とは等しいとみ
なせる。従って、第３トランジスタのコレクタ電流と、
第１トランジスタのコレクタ電流と、第１トランジスタ
のエミッタ電流とは互いに等しい。これを第３の関係と
する。また、第４トランジスタのコレクタ電流と、第２
トランジスタのコレクタ電流と、第２トランジスタのエ
ミッタ電流とは互いに等しい。これを第４の関係とす
る。また、第３トランジスタのコレクタ電流と、当該第
３トランジスタのエミッタ電流とは互いに等しく、第４
トランジスタのコレクタ電流と、当該第４トランジスタ
のエミッタ電流とは互いに等しい。これらを第５の関係
とする。

【００３２】第２の関係、第３の関係及び第４の関係よ
り、第１トランジスタのエミッタ電流と第２トランジス
タのエミッタ電流とが互いに等しいことになる。また、
第３の関係及び第５の関係より、第１トランジスタのエ
ミッタ電流と第３トランジスタのエミッタ電流とが互い
に等しく、第２トランジスタのエミッタ電流と第４トラ
ンジスタのエミッタ電流とが互いに等しいことになる。

【００３３】従って、第３トランジスタのエミッタ及び
第４トランジスタのエミッタの少なくとも一方の電圧値
を検出することにより、第２抵抗値から第１トランジス
タのエミッタ電流を求めることが可能になり、これによ
って、第１の関係を構成する４つの値のうちで検出電流
を除く３つの値が既知となるので、検出電流を求めるこ
とが可能になり、これから第２トランジスタのエミッタ
電流を減算することにより、供給電流が求められる。こ
のとき、第１の関係〜第５の関係が高精度で成立してい
ることから供給電流が精度良く求められる。

【００３４】ここで、本発明の回路では、電流検出抵抗
に電流が流れていない、すなわち負荷に電流が供給され
ていないときでも、ベース電流生成手段により第２トラ
ンジスタのベースに所定レベルのベース電流が発生して
いるので、第１トランジスタおよび第２トランジスタ
は、双方ともオン状態になっている。従って、請求項１
と同様の作用によって、サージ電流が流入したときに第
２抵抗を流れる電流がふらつくことが防がれ、このふら
つきに起因して電流レベルの検出が正確に行えなくなる
のが防止される。

【００３５】また、請求項２記載の電流検出回路におい
て、ＰＮＰトランジスタからなり、上記第１トランジス
タと上記第１抵抗との間に介設された第５トランジスタ
と、ＰＮＰトランジスタからなり、上記第２トランジス
タと上記電流検出抵抗の負荷側との間に介設された第６
トランジスタとを備え、上記第５トランジスタ及び第６
トランジスタは、上記第１トランジスタのトランジスタ
特性とほぼ同一のトランジスタ特性を有するもので、上
記第５トランジスタのエミッタは、上記第１抵抗を介し
て上記電流検出抵抗の電源部側に接続され、上記第５ト
ランジスタのベースは、当該第５トランジスタのコレク
タ及び上記第６トランジスタのベースに接続され、上記
第５トランジスタのコレクタは、上記第１トランジスタ
のエミッタに接続され、上記第６トランジスタのエミッ
タは、上記電流検出抵抗の負荷側に接続され、上記第６
トランジスタのコレクタは、上記第２トランジスタのエ
ミッタに接続されているとすることができる（請求項
３）。

【００３６】この構成によれば、第５トランジスタと第
６トランジスタのベース・エミッタ間電圧等のトランジ
スタ特性が互いにほぼ等しいので、電流検出抵抗の電源
部側と第５トランジスタのベースとの電位差から、第５
トランジスタのエミッタ電流と第６トランジスタのエミ
ッタ電流と電流検出抵抗に流れる検出電流と所定倍との
合計４つの値の関係が得られる。これを第６の関係とす
る。

【００３７】また、第３トランジスタと第４トランジス
タとは、いわゆるカレントミラー回路を構成しており、
請求項２と同様に第２の関係が得られる。

【００３８】一方、一般にトランジスタのｈ_FE＝(コレ
クタ電流)／(ベース電流)は十分に大きいので、各トラ
ンジスタのエミッタ電流とコレクタ電流とは等しいとみ
なせる。従って、第５トランジスタのエミッタ電流と、
第５トランジスタのコレクタ電流（すなわち、第１トラ
ンジスタのエミッタ電流）と、第１トランジスタのコレ
クタ電流とは互いに等しい。これを第７の関係とする。
また、第６トランジスタのエミッタ電流と、第６トラン
ジスタのコレクタ電流（すなわち、第２トランジスタの
エミッタ電流）と、第２トランジスタのコレクタ電流と
は互いに等しい。これを第８の関係とする。また、請求
項２と同様に第５の関係が得られる。

【００３９】第２の関係、第７の関係及び第８の関係よ
り、第５トランジスタのエミッタ電流と第６トランジス
タのエミッタ電流とが互いに等しいことになる。また、
第７の関係及び第５の関係より、第５トランジスタのエ
ミッタ電流と第３トランジスタのエミッタ電流とが互い
に等しく、第６トランジスタのエミッタ電流と第４トラ
ンジスタのエミッタ電流とが互いに等しいことになる。

【００４０】従って、第３トランジスタのエミッタ及び
第４トランジスタのエミッタの少なくとも一方の電圧値
を検出することにより、第２抵抗値から第５トランジス
タのエミッタ電流を求めることが可能になり、これによ
って、第６の関係を構成する４値のうちで検出電流を除
く３値が既知となるので、検出電流を求めることが可能
になり、これから第６トランジスタのエミッタ電流を減
算することにより、供給電流が求められる。

【００４１】このとき、第５トランジスタのベースを、
第５トランジスタのコレクタに接続し、第１トランジス
タのベースを、反対側の第２トランジスタのコレクタに
接続するようにしたので、電源電圧の変動が、第５トラ
ンジスタのエミッタ電流と第６トランジスタのエミッタ
電流とに等しく影響することとなる。

【００４２】従って、電源電圧の変動に関わりなく、第
５トランジスタのエミッタ電流と第６トランジスタのエ
ミッタ電流とが等しくなり、供給電流を精度良く検出す
ることが可能になる。

【００４３】ここで、本発明の回路では、電流検出抵抗
に電流が流れていない、すなわち負荷に電流が供給され
ていないときでも、ベース電流生成手段により第２トラ
ンジスタのベースにベース電流が発生しているので、第
２トランジスタがオン状態になっている。このとき、第
１トランジスタのベースにもベース電流が発生すること
になるので、第１トランジスタもオン状態になってい
る。また、この第１トランジスタのオンにより、第５ト
ランジスタおよび第６トランジスタのベースにもベース
電流が発生しており、第５および第６トランジスタもオ
ン状態になっている。

【００４４】従って、第５および第６トランジスタのベ
ース電位は固定されているので、本発明の回路にサージ
電流が流入しても、まず第６トランジスタが動作した後
で第５トランジスタが動作することになり、電源部から
負荷に電流が供給される通常の場合と同様の動作にな
る。

【００４５】これによって、サージ電流が流入したとき
に第２抵抗を流れる電流がふらつくことが防がれ、この
ふらつきに起因して電流レベルの検出が正確に行えなく
なるのが防止される。

【００４６】ところで、請求項１〜３の構成によれば、
電流検出抵抗に検出電流が正常に流れる状態のときで
も、第１トランジスタのベースにもベース電流生成手段
によりベース電流が発生しているので、その分だけ第１
トランジスタのコレクタ電流が増加してしまい、第２抵
抗には、供給電流に比例する分より増大した電流が流れ
ることになる。

【００４７】これに対して、上記第１トランジスタのコ
レクタに接続され、当該第１トランジスタに流れるコレ
クタ電流のうちの所定レベルの電流を上記第２抵抗の手
前で分岐させるコレクタ電流分岐手段を備えた請求項４
の構成によれば、第１トランジスタのコレクタ電流のう
ちの所定レベルの電流が分岐されることから、第１トラ
ンジスタのコレクタ電流の増加による第２抵抗への流入
電流の増大幅が小さくなるので、電流検出の精度低下が
防止される。

【００４８】特に、請求項４記載の電流検出回路におい
て、上記コレクタ電流分岐手段は、上記ベース電流生成
手段によって発生するベース電流により上記第１トラン
ジスタのコレクタ電流が増加する分にほぼ等しいレベル
の電流を分岐させるものであるとすると（請求項５）、
ベース電流生成手段によって発生するベース電流による
第１トランジスタのコレクタ電流の増加分が相殺され
て、第２抵抗に流入する電流は供給電流に比例するレベ
ルに維持されることになり、電流検出がさらに一層、精
度良く行われる。

【００４９】また、請求項４または５記載の電流検出回
路において、上記ベース電流生成手段は、一対の通電端
子のうちの一方が上記第２トランジスタのベースに接続
され、他方が接地されたベース電流生成用トランジスタ
と、このベース電流生成用トランジスタの制御端子に、
上記電源部から上記負荷に電流が供給されていないとき
にも所定レベルの制御電流を発生させるベース電流生成
用電流発生回路とを備えたもので、上記コレクタ電流分
岐手段は、一対の通電端子のうちの一方が上記第１トラ
ンジスタのコレクタに接続され、他方が接地されたコレ
クタ電流分岐用トランジスタと、このコレクタ電流分岐
用トランジスタの制御端子に、上記電源部から上記負荷
に電流が供給されていないときにも所定レベルの制御電
流を発生させるコレクタ電流分岐用電流発生回路とを備
えたもので、上記コレクタ電流分岐用トランジスタは、
上記ベース電流生成用トランジスタとほぼ同一のトラン
ジスタ特性を有するものであるとすることができる（請
求項６）。

【００５０】この構成によれば、ベース電流生成用トラ
ンジスタの制御端子に所定レベルの制御電流が発生し
て、その通電端子に制御電流に応じたレベルの電流が生
じ、この電流が第１トランジスタおよび第２トランジス
タのベース電流となり、このベース電流により、電流検
出抵抗に検出電流が正常に流れる状態のときでも、その
分だけ第１トランジスタのコレクタ電流が増加してしま
う。このとき、コレクタ電流分岐用トランジスタの制御
端子に所定レベルの制御電流が発生して、その通電端子
に制御電流に応じたレベルの電流が生じ、この電流の分
だけ第１トランジスタのコレクタ電流が分岐される。

【００５１】ここで、第１トランジスタのコレクタ電流
の増加分にほぼ等しい電流をコレクタ電流分岐用トラン
ジスタの通電端子間に発生させるためには、例えば、コ
レクタ電流分岐用トランジスタの制御端子に発生する制
御電流のレベルを調整したり、またはコレクタ電流分岐
用トランジスタの他方の通電端子とアース間に抵抗を介
設し、この抵抗の抵抗値を調整すればよい。

【００５２】これによって、第１トランジスタのコレク
タ電流の増加分が減少または相殺されることから、第２
抵抗に流入する電流は供給電流に比例するレベルとな
り、電流検出が精度良く行われることとなる。また、ト
ランジスタ特性がほぼ同一であるので、環境の変化によ
る第１トランジスタのコレクタ電流の増加分の変化量
と、第１トランジスタのコレクタ電流から分岐される電
流レベルの変化量とがほぼ一致することとなる。例え
ば、温度依存特性がほぼ同一であれば、周囲温度の変化
による両者の変化量がほぼ一致し、ｈ_FE特性がほぼ同一
であれば、電源電圧変動によって生じるベース電流の変
化による両者の変化量がほぼ一致する。これによって、
電流検出の精度が環境の変化によって影響されるのを防
止できる。

【００５３】また、上記各トランジスタは、半導体ウェ
ハ上に形成された集積回路により構成されているとして
もよい（請求項７）。この場合には、各トランジスタが
集積回路によって構成されるので、半導体ウェハ上に、
例えば第１トランジスタと第２トランジスタとを隣接し
て形成し、または第３トランジスタと第４トランジスタ
とを隣接して形成し、または第１、第２、第５および第
６トランジスタを隣接して形成し、またはベース電流生
成用トランジスタとコレクタ電流分岐用トランジスタと
を隣接して形成することにより、ベース・エミッタ間電
圧などのトランジスタ特性を精度良く一致させることが
可能になり、これによって第２抵抗に流れる電流が検出
電流に更に精度良く比例したものとされ、供給電流が更
に高精度に検出されることとなる。また、回路の小型化
や低コスト化が図れる。

【００５４】

【発明の実施の形態】図１は本発明に係る電流検出回路
の一実施形態の回路図である。この電流検出回路Ｋ１
は、電源部１とアースとの間に、ＦＥＴ２、シャント抵
抗Ｒｓおよび負荷３が直列に接続され、駆動回路４から
の駆動電圧によりＦＥＴ２がオンにされて負荷電流Ｉ_L
が電源部１から負荷３に供給されたときに、負荷電流Ｉ
_Lに比例した電流を電圧に変換し、これを電圧検出回路
５で検出することによって、電源部１から負荷３に供給
される供給電流としての負荷電流Ｉ_Lを検出するもので
ある。シャント抵抗Ｒｓは、既知の抵抗値Ｒ_Sを有する
高精度な低抵抗で、電流検出抵抗を構成する。

【００５５】また、電流検出回路Ｋ１は、図１に示すよ
うに、ＰＮＰトランジスタからなるトランジスタＱ１
（第１トランジスタ）及びトランジスタＱ２（第２トラ
ンジスタ）と、抵抗値がＲ₁の抵抗Ｒ１（第１抵抗）
と、抵抗値がＲ₂の抵抗Ｒ２（第２抵抗）とを備えてい
る。

【００５６】トランジスタＱ１のエミッタは、抵抗Ｒ１
を介してシャント抵抗Ｒｓの電源部１側に接続され、ト
ランジスタＱ１のベースは、トランジスタＱ２のベース
に接続され、トランジスタＱ１のコレクタは、抵抗Ｒ２
を介して接地されている。トランジスタＱ２のエミッタ
は、シャント抵抗Ｒｓの負荷３側に接続され、トランジ
スタＱ２のコレクタは、当該トランジスタＱ２のベース
に接続されるとともに抵抗Ｒ２を介して接地されてい
る。

【００５７】電圧検出回路５は、以下の機能を有する。
第２抵抗Ｒ２の両端電圧Ｖ_OUTを検出する電圧検出手
段としての機能。検出した電圧値から負荷電流Ｉ_Lが
正常範囲内にあるかどうかを判定する電流判定手段とし
ての機能。

【００５８】さらに、電流検出回路Ｋ１は、図１に示す
ように、ＮＰＮトランジスタＱ１１、抵抗Ｒ１１及び定
電流源Ｓ１を備えている。トランジスタＱ１１のコレク
タはトランジスタＱ２のベースに接続され、エミッタは
抵抗Ｒ１１を介して接地され、ベースは定電流源Ｓ１に
接続されている。定電流源Ｓ１は、電源部１に接続さ
れ、ダイオード、ＰＮＰトランジスタおよび２つの抵抗
からなる公知の定電流回路で、トランジスタＱ１１のベ
ースに一定の低レベルのベース電流を常に供給するもの
である。この定電流源Ｓ１により、トランジスタＱ１１
は、抵抗Ｒ１１の抵抗値および定電流源Ｓ１により供給
されるベース電流のレベルによって決まるコレクタ電流
を常に流すこととなる。ＮＰＮトランジスタＱ１１、抵
抗Ｒ１１及び定電流源Ｓ１は、ベース電流生成手段を構
成している。

【００５９】さらにまた、電流検出回路Ｋ１は、図１に
示すように、ＮＰＮトランジスタＱ１２、抵抗Ｒ１２及
び定電流源Ｓ２を備えている。トランジスタＱ１２のコ
レクタはトランジスタＱ１のコレクタに接続され、エミ
ッタは抵抗Ｒ１２を介して接地され、ベースは定電流源
Ｓ２に接続されている。定電流源Ｓ２は、電源部１に接
続され、ダイオード、ＰＮＰトランジスタおよび２つの
抵抗からなる公知の定電流回路で、トランジスタＱ１２
のベースに一定の低レベルのベース電流を常に供給する
ものである。この定電流源Ｓ２により、トランジスタＱ
１２は、抵抗Ｒ１２の抵抗値および定電流源Ｓ２により
供給されるベース電流のレベルによって決まるコレクタ
電流を常に流すこととなる。ＮＰＮトランジスタＱ１
２、抵抗Ｒ１２及び定電流源Ｓ２は、コレクタ電流分岐
手段を構成している。

【００６０】次に、図１の回路を構成する各トランジス
タの特性について説明する。トランジスタ特性は、温度
や電圧によって変化し、その増幅率は同一品種でも0.5
〜2倍程度にばらつき、ベース・エミッタ間電圧Ｖ_BEも
ばらつきがあるが、このようなばらつきによる悪影響を
防止するために、図１の回路において、ＰＮＰトランジ
スタＱ１，Ｑ２からなるトランジスタ群Ｔ１、ＮＰＮト
ランジスタＱ１１，Ｑ１２からなるトランジスタ群Ｔ１
１は、それぞれ、トランジスタ特性の類似したトランジ
スタで構成している。

【００６１】これらのトランジスタ群Ｔ１，Ｔ１１を、
例えばディスクリート部品で構成する場合には、隣接す
る２個のトランジスタを１パッケージに収容したものが
市販されているので、それを利用すればよい。また、集
積回路（Integrated Circuit、以下「ＩＣ」という。）
を用いる場合には、半導体ウェハ上で各トランジスタ群
を構成するトランジスタを互いに隣接して配置すること
により、それぞれベース・エミッタ間電圧Ｖ_BEなどのト
ランジスタ特性の差をほとんど無視できる程度のレベル
にすることができる。

【００６２】ここで、半導体ウェハ上に形成されたＩＣ
における素子の特性のばらつきについて説明する。

【００６３】ＩＣは、半導体（一般にはシリコン）のイ
ンゴットから切り出された１枚のウェハ上に公知の回路
形成工程によって多数の同一回路を形成した後に、回路
（チップ）毎にダイシングしてモールドすることによっ
て製造される。

【００６４】従って、ＩＣにおける素子の特性のばらつ
きは、１枚のウェハ内部のチップ間で発生するばらつき
と、ウェハ間のばらつきと、ウェハを切り出したインゴ
ット間のばらつきとに分けることができる。

【００６５】ＩＣにおける素子の特性のばらつきは、回
路形成工程におけるばらつき、すなわちエッチング工程
のばらつき、露光工程のばらつき、不純物拡散工程の拡
散度合いのばらつき、各工程における温度のばらつきな
どの要因によって生じる。

【００６６】このうちで、上記ばらつき要因であるエッ
チング、露光、不純物拡散の各工程はウェハ毎に行わ
れ、同一ウェハでは各工程の温度も同一であるので、１
枚のウェハ内部のチップ間では、特性のばらつきが生じ
にくい。特に、同一チップ内で近接して形成される素子
間におけるばらつきは、殆ど無視することができる。

【００６７】従って、トランジスタ群Ｔ１，Ｔ１１を構
成するトランジスタの特性の相対的なばらつきは、それ
ぞれ非常に低いレベルにすることができる。

【００６８】次に、図１の回路における動作について説
明する。同図の回路において、トランジスタＱ２のベー
ス・コレクタ間が短絡されているので、このトランジス
タＱ２はエミッタ・ベース間で構成されるダイオードと
みなすことができる。従って、ＦＥＴ２のオンにより負
荷電流Ｉ_Lが流れて、シャント抵抗Ｒｓの負荷側に０Ｖ
以上の電位が発生すると電流Ｉ₁が流れる。負荷電流Ｉ_L
の通電開始直後では、電流Ｉ₁はトランジスタＱ２のエ
ミッタ（Ｐ領域）、ベース（Ｎ領域）を介して抵抗Ｒ２
に流れるので、トランジスタＱ２のエミッタ・ベース間
に電位差Ｖ_BE(Ｑ２)が生じる。よって、トランジスタＱ
１，Ｑ２のベース電位は、シャント抵抗Ｒｓの電源部
側、すなわちＦＥＴ２のソースの電位に比べて、 (Ｉ_L＋Ｉ₁)・Ｒ_S＋Ｖ_BE(Ｑ２) だけ低下する。この電位差は、トランジスタＱ１のベー
ス・エミッタ間および抵抗Ｒ１からなる直列回路にも印
加されるので、この電位差によって抵抗Ｒ１からトラン
ジスタＱ１のエミッタ・ベース間に電流Ｉ₂が流れて、
トランジスタＱ１がオンになる。

【００６９】抵抗Ｒ１は、下記式(１)に示すように、シ
ャント抵抗Ｒｓの抵抗値Ｒ_SのＮ倍（所定倍）の抵抗値
Ｒ₁を有するものを採用している。 Ｒ₁＝Ｎ・Ｒ_S …(１) トランジスタＱ１，Ｑ２のベースとＦＥＴ２のソースと
の電位差について下記式(２)が得られる。

【００７０】 Ｉ₂・Ｒ₁＋Ｖ_BE(Ｑ１) ＝(Ｉ₁＋Ｉ_L)・Ｒ_S＋Ｖ_BE(Ｑ２) …(２) 但し、図１に示すように、Ｉ₁はトランジスタＱ２に流
れるエミッタ電流、Ｉ₂はトランジスタＱ１に流れるエ
ミッタ電流で、Ｖ_BE(Ｑ１)はトランジスタＱ１のベース
・エミッタ間電圧、Ｖ_BE(Ｑ２)はトランジスタＱ２のベ
ース・エミッタ間電圧である。

【００７１】また、トランジスタＱ１とトランジスタＱ
２とは、上述したように、特性がほぼ同一のトランジス
タを採用しているので、 Ｖ_BE(Ｑ１)＝Ｖ_BE(Ｑ２) …(３) が得られる。

【００７２】上記式(１)，(３)を上記式(２)に代入する
と、 Ｉ₂＝(Ｉ₁＋Ｉ_L)／Ｎ …(４) が得られる。

【００７３】また、トランジスタＱ１とトランジスタＱ
２とは、特性がほぼ同一のトランジスタを採用してお
り、ベース電流が等しいので、 Ｉ_C(Ｑ１)≒Ｉ_C(Ｑ２) …(５) になる。但し、Ｉ_C(Ｑ１)はトランジスタＱ１に流れる
コレクタ電流、Ｉ_C(Ｑ１)はトランジスタＱ１に流れる
コレクタ電流である。

【００７４】ここで、一般に、トランジスタのｈ_FE＝
(コレクタ電流)／(ベース電流)は十分に大きいので、各
トランジスタのエミッタ電流とコレクタ電流は等しいと
みなすことができ、下記式(６)，(７)が得られる。 Ｉ_C(Ｑ１)＝Ｉ₂ …(６) Ｉ_C(Ｑ２)＝Ｉ₁ …(７) 従って、上記式(５)，(６)，(７)より Ｉ₂≒Ｉ₁ …(８) が得られる。従って、上記式(４)，(８)より、 Ｉ₂≒Ｉ₁≒Ｉ_L／(Ｎ−１) …(９) となる。

【００７５】従って、上記式(７)，(９)より、電圧検出
回路５への出力電圧Ｖ_OUTは、 Ｖ_OUT＝２・Ｒ₂・Ｉ_C(Ｑ２) ≒２・Ｒ₂・Ｉ₁ ≒２・Ｒ₂・Ｉ_L／(Ｎ−１) …(10) となる。従って、抵抗Ｒ２の抵抗値Ｒ₂及び数値Ｎが既
知であるので、電圧検出回路５において、 Ｉ_L≒Ｖ_OUT・(Ｎ−１)／(２・Ｒ₂) …(11) によって、負荷電流Ｉ_Lが求められる。

【００７６】次に、図１の回路において、何らかの要因
でサージ電流が流入したときについて説明する。このサ
ージ電流により、シャント抵抗Ｒｓに負荷電流Ｉ_Lが流
れる前に抵抗Ｒ１からトランジスタＱ１に電流が流れた
場合でも、図１の回路では、トランジスタＱ１１により
トランジスタＱ２から常にベース電流が引き出されてい
るので、常にトランジスタＱ２が動作状態にあるため、
所定の電流Ｉ₁が常に流れており、この電流Ｉ₁に合わせ
て電流Ｉ₂が決まることになる。従って、図１の回路で
は、シャント抵抗Ｒｓに流れる電流が干渉されることは
なくなる。

【００７７】このように、本実施形態によれば、トラン
ジスタＱ２を常に動作状態にしておくことによって、サ
ージ電流などの流入により回路動作が不安定になるのを
防止することができる。

【００７８】なお、トランジスタＱ１１によりトランジ
スタＱ１からもベース電流が常に引き出されているの
で、これだけでは、通常の負荷電流Ｉ_Lが流れる状態の
ときに、トランジスタＱ１のコレクタ電流が増加してし
まうことになる。そこで、図１の回路では、トランジス
タＱ１２を常に動作状態にしておくことにより、トラン
ジスタＱ１のコレクタ電流のうちの所定レベルの電流を
分岐するようにしている。これによって、トランジスタ
Ｑ１のコレクタ電流の増加を抑制することができ、電流
検出を精度良く行うことができる。

【００７９】また、本実施形態によれば、オペアンプな
どの大規模回路を備えておらず、ＣＰＵなどの特別な回
路も備えていないので、ＩＣ化を容易に行うことがで
き、回路の小型化や低コスト化を図ることができる。

【００８０】なお、トランジスタＱ１１のコレクタ電流
が、負荷電流Ｉ_Lの検出に悪影響を及ぼさない程度の低
レベルになるように、定電流源Ｓ１によるベース電流レ
ベル及び抵抗Ｒ１１の抵抗値を設定しておくことが好ま
しい。また、トランジスタＱ１２のコレクタ電流が、ト
ランジスタＱ１１によるトランジスタＱ１のコレクタ電
流の増加に見合う程度の低レベルになるように、定電流
源Ｓ２によるベース電流レベル及び抵抗Ｒ１２の抵抗値
を設定しておくことが好ましい。

【００８１】また、トランジスタＱ１１，Ｑ１２は、互
いにほぼ同一のトランジスタ特性を有するトランジスタ
で構成することが好ましい。一般に、バイポーラトラン
ジスタは、周囲温度が高くなるほどｈ_FEが増大する傾向
を有する。すなわち、周囲温度が上昇するとコレクタ電
流（またはエミッタ電流）が増大する。従って、両者の
例えば温度特性が異なると、同じ周囲温度の変化に対す
るコレクタ電流の変化幅が異なるものになってしまう。
また、両者の例えばｈ_FE特性が異なると、同じ電源電圧
変動によって生じるベース電流の変化に対するコレクタ
電流の変化幅が異なるものになってしまう。

【００８２】ここで、トランジスタＱ１２は、トランジ
スタＱ２のコレクタ電流のうちで、トランジスタＱ１１
のコレクタ電流によって増加した分の電流を分岐して抵
抗Ｒ２に流れないようにするのが目的であるので、トラ
ンジスタＱ１１のコレクタ電流とトランジスタＱ１２の
コレクタ電流とは比例していることが求められる。

【００８３】そこで、トランジスタＱ１１，Ｑ１２を、
互いにほぼ同一のトランジスタ特性を有するトランジス
タで構成することによって、例えば、温度特性がほぼ同
一であれば、周囲温度の変化や、電源電圧変動によって
生じるベース電流の変化による両者の変化量がほぼ一致
することとなり、これによって、電流検出の精度が環境
の変化によって影響されるのを防止することができる。

【００８４】なお、本発明は、上記各実施形態に限られ
ず、以下の変形形態〜を採用することができる。

【００８５】図２は本発明に係る電流検出回路の変形
形態の回路図である。なお、図１と同一物には同一符号
を付し、説明を省略する。

【００８６】この電流検出回路Ｋ２は、図２に示すよう
に、図１の電流検出回路Ｋ１に加えて、トランジスタＱ
１と抵抗Ｒ２との間に、ＮＰＮトランジスタからなるト
ランジスタＱ３（第３トランジスタ）が介設され、トラ
ンジスタＱ２と抵抗Ｒ２との間に、ＮＰＮトランジスタ
からなるトランジスタＱ４（第４トランジスタ）が介設
されている。

【００８７】すなわち、トランジスタＱ１のコレクタ
は、トランジスタＱ３のコレクタに接続され、トランジ
スタＱ２のコレクタは、トランジスタＱ４のコレクタに
接続されている。トランジスタＱ３のベースは、当該ト
ランジスタＱ３のコレクタ及びトランジスタＱ４のベー
スに接続され、トランジスタＱ３のエミッタは、抵抗Ｒ
２を介して接地されている。トランジスタＱ４のエミッ
タは、トランジスタＱ３のエミッタに接続され、これに
よって、トランジスタＱ４のエミッタとアースとの間の
抵抗値は、抵抗Ｒ２の抵抗値に等しくなるように構成さ
れている。

【００８８】なお、図２の回路において、ＰＮＰトラン
ジスタＱ１，Ｑ２からなるトランジスタ群Ｔ１及びＮＰ
ＮトランジスタＱ３，Ｑ４からなるトランジスタ群Ｔ２
は、それぞれ、上記実施形態と同様に、トランジスタ特
性の類似したトランジスタで構成している。

【００８９】次に、図２の回路における動作について説
明する。シャント抵抗Ｒｓと、抵抗Ｒ１およびトランジ
スタＱ１，Ｑ２との回路構成は上記実施形態（図１）と
同様であり、図１と同様の作用によって、トランジスタ
Ｑ１がオンになる。

【００９０】抵抗Ｒ１は、上記実施形態と同様に、下記
式(21)に示すように、シャント抵抗Ｒｓの抵抗値Ｒ_Sの
Ｎ倍（所定倍）の抵抗値Ｒ₁を有するものを採用してい
る。 Ｒ₁＝Ｎ・Ｒ_S …(21) トランジスタＱ１，Ｑ２のベースとＦＥＴ２のソースと
の電位差について下記式(22)が得られる。

【００９１】 Ｉ₂・Ｒ₁＋Ｖ_BE(Ｑ１) ＝(Ｉ₁＋Ｉ_L)・Ｒ_S＋Ｖ_BE(Ｑ２) …(22) 但し、上記実施形態と同様に、図２に示すように、Ｉ₁
はトランジスタＱ２に流れるエミッタ電流、Ｉ₂はトラ
ンジスタＱ１に流れるエミッタ電流で、Ｖ_BE(Ｑ１)はト
ランジスタＱ１のベース・エミッタ間電圧、Ｖ_BE(Ｑ２)
はトランジスタＱ２のベース・エミッタ間電圧である。

【００９２】また、トランジスタＱ１とトランジスタＱ
２とは、上述したように、特性がほぼ同一のトランジス
タを採用しているので、 Ｖ_BE(Ｑ１)＝Ｖ_BE(Ｑ２) …(23) が得られる。

【００９３】上記式(21)，(23)を上記式(22)に代入する
と、第１の関係として、 Ｉ₂＝(Ｉ₁＋Ｉ_L)／Ｎ …(24) が得られる。

【００９４】また、図２の回路において、トランジスタ
Ｑ３，Ｑ４は、いわゆるカレントミラー回路を構成して
いる。このカレントミラー回路では、共通のエミッタ抵
抗Ｒ２を接続しており、かつ、上述したように特性がほ
ぼ同一のトランジスタを採用していることからベース・
エミッタ間電圧が等しいので、第２の関係として、 Ｉ_C(Ｑ３)＝Ｉ_C(Ｑ４) …(25) が得られる。但し、Ｉ_C(Ｑ３)はトランジスタＱ３に流
れるコレクタ電流、Ｉ_C(Ｑ４)はトランジスタＱ４に流
れるコレクタ電流である。

【００９５】ここで、一般に、トランジスタのｈ_FE＝
(コレクタ電流)／(ベース電流)は十分に大きいので、各
トランジスタのエミッタ電流とコレクタ電流は等しいと
みなすことができ、第３の関係として下記式(26)、第４
の関係として下記式(27)、第５の関係として下記式(2
8)，(29)が得られる。 Ｉ_C(Ｑ３)＝Ｉ₂ …(26) Ｉ_C(Ｑ４)＝Ｉ₁ …(27) Ｉ_C(Ｑ３)＝Ｉ_E(Ｑ３) …(28) Ｉ_C(Ｑ４)＝Ｉ_E(Ｑ４) …(29) 従って、上記式(25)，(26)，(27)より Ｉ₂＝Ｉ₁ …(30) となる。従って、上記式(24)，(30)より、 Ｉ₂＝Ｉ₁＝Ｉ_L／(Ｎ−１) …(31) となる。また、上記式(26)，(28)，(29)より、 Ｉ₂＝Ｉ_E(Ｑ３) …(32) となる。従って、上記式(31)，(32)より、電圧検出回路
５への出力電圧Ｖ_OUTは、 Ｖ_OUT＝２・Ｒ₂・Ｉ₁ ＝２・Ｒ₂・Ｉ_L／(Ｎ−１) …(33) となる。従って、抵抗Ｒ２の抵抗値Ｒ₂及び数値Ｎが既
知であるので、電圧検出回路５において、 Ｉ_L＝Ｖ_OUT・(Ｎ−１)／(２・Ｒ₂) …(34) によって、負荷電流Ｉ_Lが求められる。

【００９６】例えば、Ｒ_S＝10(ｍΩ)、Ｒ₁＝1(ｋΩ)、
Ｒ₂＝33(ｋΩ)とすると、Ｉ_L＝3(Ａ)のときはＶ_OUT＝2
(Ｖ)となる。

【００９７】図３（ａ）は負荷電流Ｉ_Lの５(Ａ)から50
(Ａ)までの変化を示す図で、横軸には単位はない。図３
（ｂ）は、図３（ａ）のように負荷電流Ｉ_Lが変化した
ときの図１の回路及び図２の回路における(負荷電流
Ｉ_L)／(出力電圧Ｖ_OUT)の変化を比較した図である。

【００９８】図３（ｂ）において、図１の回路における
(Ｉ_L)／(Ｖ_OUT)の最小値は19.8、最大値は23.75であ
り、図２の回路における(Ｉ_L)／(Ｖ_OUT)の最小値は23.
4、最大値は24.8である。

【００９９】すなわち、図２の回路では(Ｉ_L)／(Ｖ_OUT)
の変動は±３％に納まっているのに対して、図１の回路
では±９％もの変動がある。従って、図１の回路を用い
て負荷電流が小さい領域を精度良く検出するためには、
図１の抵抗Ｒ２の抵抗値を切り替える必要があるのに対
し、図２の回路では、その必要がない。

【０１００】このように、本変形形態によれば、上記実
施形態に加えて、カレントミラー回路を構成するトラン
ジスタＱ３，Ｑ４をそれぞれトランジスタＱ１，Ｑ２に
接続することにより、負荷電流Ｉ_Lの一部を精度良く分
流し、その分流した電流の出力端を抵抗Ｒ２を介して接
地するようにしたので、負荷電流Ｉ_Lに比例した電圧を
精度良く得ることができ、これによって負荷電流Ｉ_Lを
精度良く求めることができる。

【０１０１】図４は本発明に係る電流検出回路の異な
る変形形態の回路図である。なお、図１、図２と同一物
には同一符号を付し、説明を省略する。

【０１０２】この電流検出回路Ｋ３は、図４に示すよう
に、図２の電流検出回路Ｋ２に加えて、トランジスタＱ
１と抵抗Ｒ１との間に、ＰＮＰトランジスタからなるト
ランジスタＱ５（第５トランジスタ）が介設され、トラ
ンジスタＱ２とシャント抵抗Ｒｓの負荷３側との間に、
ＰＮＰトランジスタからなるトランジスタＱ６（第６ト
ランジスタ）が介設されている。

【０１０３】すなわち、トランジスタＱ１のエミッタ
は、トランジスタＱ５のコレクタに接続され、トランジ
スタＱ２のエミッタは、トランジスタＱ６のコレクタに
接続されている。トランジスタＱ５のベースは、当該ト
ランジスタＱ５のコレクタ及びトランジスタＱ６のベー
スに接続され、トランジスタＱ５のエミッタは、抵抗Ｒ
１を介してシャント抵抗Ｒｓの電源部１側に接続されて
いる。トランジスタＱ６のエミッタは、シャント抵抗Ｒ
ｓの負荷３側に接続されている。

【０１０４】なお、図４の回路において、ＰＮＰトラン
ジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ５，Ｑ６からなるトランジスタ群
Ｔ３及びＮＰＮトランジスタＱ３，Ｑ４からなるトラン
ジスタ群Ｔ２は、それぞれ、上記実施形態と同様に、ト
ランジスタ特性の類似したトランジスタで構成してい
る。

【０１０５】次に、図４の回路における負荷電流Ｉ_Lを
求める原理について説明する。まず、抵抗Ｒ１は、上記
変形形態と同様に、下記式(41)に示すように、シャン
ト抵抗Ｒｓの抵抗値Ｒ_SのＮ倍（所定倍）の抵抗値Ｒ₁を
有するものを採用している。 Ｒ₁＝Ｎ・Ｒ_S …(41) トランジスタＱ５，Ｑ６のベースとＦＥＴ２のソースと
の電位差について下記式(42)が得られる。

【０１０６】 Ｉ₂・Ｒ₁＋Ｖ_BE(Ｑ５) ＝(Ｉ₁＋Ｉ_L)・Ｒ_S＋Ｖ_BE(Ｑ６) …(42) 但し、図４に示すように、Ｉ₁はトランジスタＱ６に流
れるエミッタ電流、Ｉ₂はトランジスタＱ５に流れるエ
ミッタ電流で、Ｖ_BE(Ｑ５)はトランジスタＱ５のベース
・エミッタ間電圧、Ｖ_BE(Ｑ６)はトランジスタＱ６のベ
ース・エミッタ間電圧である。

【０１０７】また、トランジスタＱ５とトランジスタＱ
６とは、上述したように、特性がほぼ同一のトランジス
タを採用しているので、 Ｖ_BE(Ｑ５)＝Ｖ_BE(Ｑ６) …(43) が得られる。

【０１０８】上記式(41)，(43)を上記式(42)に代入する
と、第１の関係として Ｉ₂＝(Ｉ₁＋Ｉ_L)／Ｎ …(44) が得られる。

【０１０９】また、図４の回路において、上記変形形態
の回路（図２）と同様に、トランジスタＱ３，Ｑ４
は、いわゆるカレントミラー回路を構成している。この
カレントミラー回路では、共通のエミッタ抵抗Ｒ２を接
続しており、かつ、上述したように特性がほぼ同一のト
ランジスタを採用していることからベース・エミッタ間
電圧が等しいので、第２の関係として、下記式(45)が得
られる。 Ｉ_C(Ｑ３)＝Ｉ_C(Ｑ４) …(45) 但し、Ｉ_C(Ｑ３)はトランジスタＱ３に流れるコレクタ
電流、Ｉ_C(Ｑ４)はトランジスタＱ４に流れるコレクタ
電流である。

【０１１０】ここで、一般に、トランジスタのｈ_FE＝
(コレクタ電流)／(ベース電流)は十分に大きいので、各
トランジスタのエミッタ電流とコレクタ電流は等しいと
みなすことができ、第３の関係として下記式(46)、第４
の関係として下記式(47)、第５の関係として下記式(4
8)，(49)が得られる。 Ｉ₂＝Ｉ_C(Ｑ５)＝Ｉ_C(Ｑ１) …(46) Ｉ₁＝Ｉ_C(Ｑ６)＝Ｉ_C(Ｑ２) …(47) Ｉ_C(Ｑ３)＝Ｉ_E(Ｑ３) …(48) Ｉ_C(Ｑ４)＝Ｉ_E(Ｑ４) …(49) 従って、上記式(45)，(46)，(47)より Ｉ₂＝Ｉ₁ …(50) となる。

【０１１１】従って、上記式(44)，(50)より、 Ｉ₂＝Ｉ₁＝Ｉ_L／(Ｎ−１) …(51) となる。

【０１１２】また、上記式(46)，(48)，(49)より、 Ｉ₂＝Ｉ_E(Ｑ３) …(52) となる。

【０１１３】従って、上記式(51)，(52)より、電圧検出
回路５への出力電圧Ｖ_OUTは、 Ｖ_OUT＝２・Ｒ₂・Ｉ₁ ＝２・Ｒ₂・Ｉ_L／(Ｎ−１) …(53) となる。

【０１１４】従って、抵抗Ｒ２の抵抗値Ｒ₂及び数値Ｎ
が既知であるので、電圧検出回路５において、 Ｉ_L＝Ｖ_OUT・(Ｎ−１)／(２・Ｒ₂) …(54) によって、負荷電流Ｉ_Lが求められる。

【０１１５】このように、本変形形態によれば、ＰＮＰ
トランジスタＱ５のエミッタを抵抗Ｒ１を介してシャン
ト抵抗Ｒｓの電源部１側に接続し、ＰＮＰトランジスタ
Ｑ６のエミッタをシャント抵抗Ｒｓの負荷３側に接続
し、ＰＮＰトランジスタＱ１のエミッタをトランジスタ
Ｑ５のコレクタに接続し、ＰＮＰトランジスタＱ２のエ
ミッタをトランジスタＱ６のコレクタに接続し、カレン
トミラー回路を構成するＮＰＮトランジスタＱ３，Ｑ４
をそれぞれトランジスタＱ１，Ｑ２に接続することによ
り、負荷電流Ｉ_Lの一部を精度良く分流し、その分流し
た電流の出力端を抵抗Ｒ２を介して接地するようにした
ので、負荷電流Ｉ_Lに比例した電圧を精度良く得ること
ができ、これによって、負荷電流Ｉ_Lを精度良く求める
ことができる。

【０１１６】また、トランジスタＱ５，Ｑ６の一対と、
トランジスタＱ１，Ｑ２の一対とにおいて、トランジス
タＱ５，Ｑ６のベースをトランジスタＱ５のコレクタに
接続し、トランジスタＱ１，Ｑ２のベースをトランジス
タＱ５と反対側のトランジスタＱ２のコレクタに接続し
ているので、トランジスタにおけるアーリー効果による
影響を防止することができる。

【０１１７】ここで、アーリー効果による影響について
説明する。アーリー効果とは、ベース・エミッタ間の印
加電圧Ｖ_BEが等しくても、コレクタ・エミッタ間の印加
電圧Ｖ_CEが変化すると、コレクタ電流Ｉ_Cが変化する現
象をいう。

【０１１８】図４の回路において、トランジスタＱ５，
Ｑ２は、それぞれ、ベース・コレクタ間が短絡されてい
るので常にＶ_CE＝Ｖ_BEになることから、コレクタ電流Ｉ
_Cはベース・エミッタ間電圧Ｖ_BEのみによって決まる。
一方、トランジスタＱ６，Ｑ１のコレクタ・エミッタ間
電圧Ｖ_CEは、電源部１の電圧変動に応じて変化するた
め、電源部１の電圧が変動すると、トランジスタＱ６，
Ｑ１のコレクタ電流Ｉ_Cは、アーリー効果による影響を
受けて変化してしまう。

【０１１９】しかし、図４の回路では、トランジスタＱ
５，Ｑ６のベースを、電流Ｉ₂が流れる経路であるトラ
ンジスタＱ５のコレクタに接続し、トランジスタＱ１，
Ｑ２のベースを、トランジスタＱ５と反対側の電流Ｉ₁
が流れる経路であるトランジスタＱ２のコレクタに接続
しており、かつ、トランジスタＱ５，Ｑ６，Ｑ１，Ｑ２
のコレクタ・エミッタ間電圧Ｖ_CEに対するコレクタ電流
Ｉ_Cの特性がほぼ一致しているので、電流Ｉ₁側と電流Ｉ
₂側とで、アーリー効果による影響を等しく受けること
となり、アーリー効果を相殺することができる。

【０１２０】従って、図４の回路によれば、電源部１の
電圧が変動した場合でも上記式(24)の関係が精度良く成
立するので、電源部１の電圧変動に関わりなく、電圧検
出回路５の検出電圧値を負荷電流Ｉ_Lに精度良く比例さ
せることができ、これによって負荷電流Ｉ_Lを精度良く
求めることができる。

【０１２１】図５は、図４の回路において、負荷電流Ｉ
_Lが変化したときの検出電圧Ｖ_OUTの変化を示す図であ
る。なお、Ｒ_S＝15(ｍΩ)、Ｒ₁＝301(Ω)、Ｒ₂＝2(kΩ)
としている。図５に示すように、電源部１の電圧が、６
(Ｖ)、12(Ｖ)、16(Ｖ)に変化した場合でも、電圧検出回
路５の検出電圧Ｖ_OUTを負荷電流Ｉ_Lに精度良く比例させ
ることができる。

【０１２２】上記変形形態，の図２、図４におい
て、トランジスタＱ３のコレクタとトランジスタＱ３の
ベースとを直結しているが、これに代えて、トランジス
タＱ３のコレクタとトランジスタＱ３のベースとの間
に、ＮＰＮトランジスタを介設するようにしてもよい。
すなわち、このＮＰＮトランジスタのベースをトランジ
スタＱ３のコレクタに接続し、エミッタをトランジスタ
Ｑ３のベースに接続し、コレクタをシャント抵抗Ｒｓの
電源部１側に接続する。

【０１２３】この形態によれば、トランジスタＱ３のコ
レクタ電流から引き抜かれる減少分が１／ｈ_FEになるの
で、トランジスタＱ３，Ｑ４からなるカレントミラー回
路の特性を向上することができ、これによって、さらに
精度良く負荷電流Ｉ_Lを検出することができる。

【０１２４】定電流源Ｓ１，Ｓ２の回路構成は、上記
実施形態に示すものに限られず、図６に示すような回路
構成でもよい。

【０１２５】図６において、定電流源Ｓ１，Ｓ２のトラ
ンジスタＱ１３，Ｑ１４は、公知のカレントミラー回路
を構成しており、トランジスタＱ１１，Ｑ１２に供給す
るベース電流は、抵抗Ｒ１３，Ｒ１４によって調整する
ことができる。この回路構成によれば、温度変化による
トランジスタＱ１３，Ｑ１４，Ｑ１５の特性変化や、ｈ
_FEのばらつきによる影響が低減され、トランジスタＱ１
１，Ｑ１２に供給するベース電流のレベル制御を精度良
く行うことができる。

【０１２６】従って、トランジスタＱ１１のコレクタ電
流を、負荷電流Ｉ_Lの検出に悪影響を及ぼさない程度の
低レベルにしたり、トランジスタＱ１２のコレクタ電流
を、トランジスタＱ１１によるトランジスタＱ１のコレ
クタ電流の増加に見合う程度の低レベルにすることが、
容易に、かつ精度良く行える。なお、同図に示すよう
に、トランジスタＱ１１，Ｑ１２のエミッタを直接接地
して、抵抗Ｒ１１，Ｒ１２（図１）を省略してもよい。

【０１２７】負荷３は、上記実施形態及び各変形形態
では、図１、図２、図４に示すようにランプとしている
が、これに限られない。例えば２次電池とすると、電源
部１から２次電池に供給される供給電流としての充電電
流を精度良く検出することができる。また、その充電電
流検出回路において、サージ電流などの流入により回路
動作が不安定になるのを未然に防止することができる。

【０１２８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
第１トランジスタを第１抵抗を介して電流検出抵抗の電
源部側に接続し、第２トランジスタを電流検出抵抗の負
荷側に接続した回路において、第２トランジスタのベー
スに接続され、電源部から負荷に電流が供給されていな
いときにも当該ベースに所定レベルのベース電流を発生
させるベース電流生成手段を備えるようにしているの
で、何らかの要因でサージ電流が流入しても、第２トラ
ンジスタがオン状態のため、第１トランジスタおよび第
２トランジスタのベース電位は固定されたものとなるこ
とから、電流検出が正確に行えなくなるのを未然に防止
することができる。

【０１２９】また、カレントミラー回路を構成する第
３、第４トランジスタをそれぞれ第１、第２トランジス
タに接続するようにすることにより、電源部から負荷に
供給される供給電流に精度良く比例した電流を第２抵抗
に流すことができ、これによって供給電流を精度良く求
めることができる。

【０１３０】また、さらに、第５トランジスタを第１抵
抗と第１トランジスタとの間に介設し、第６トランジス
タを電流検出抵抗の負荷側と第２トランジスタとの間に
介設し、第５トランジスタのベースを、第５トランジス
タのコレクタに接続し、第１トランジスタのベースを、
反対側の第２トランジスタのコレクタに接続するように
したので、電源電圧の変動が、第５トランジスタのエミ
ッタ電流と第６トランジスタのエミッタ電流とに等しく
影響することとなり、これによって電源部の電圧変動に
関係なく電源部から負荷に供給される供給電流に精度良
く比例した電流を第２抵抗に流すことができ、これによ
って供給電流を精度良く求めることができる。

【０１３１】また、上記第１トランジスタのコレクタに
接続され、当該第１トランジスタに流れるコレクタ電流
のうちの所定レベルの電流を第２抵抗の手前で分岐させ
るコレクタ電流分岐手段を備えることにより、ベース電
流生成手段の作用により第１トランジスタのコレクタ電
流が増加するが、その増加による第２抵抗への流入電流
の増大幅を小さくすることができ、これによって、電流
検出を精度良く行うことができる。

【０１３２】また、コレクタ電流分岐手段は、ベース電
流生成手段によって発生するベース電流により第１トラ
ンジスタのコレクタ電流が増加する分にほぼ等しいレベ
ルの電流を分岐させるものであるとすることにより、第
１トランジスタのコレクタ電流の増加分が相殺されて、
第２抵抗に流入する電流は供給電流に比例するレベルに
維持されることになり、さらに一層、電流検出を精度良
く行うことができる。

【０１３３】また、上記ベース電流生成手段は、一対の
通電端子のうちの一方が上記第２トランジスタのベース
に接続され、他方が接地されたベース電流生成用トラン
ジスタと、このベース電流生成用トランジスタの制御端
子に、上記電源部から上記負荷に電流が供給されていな
いときにも所定レベルの制御電流を発生させるベース電
流生成用電流発生回路とを備えたもので、上記コレクタ
電流分岐手段は、一対の通電端子のうちの一方が上記第
１トランジスタのコレクタに接続され、他方が接地され
たコレクタ電流分岐用トランジスタと、このコレクタ電
流分岐用トランジスタの制御端子に、上記電源部から上
記負荷に電流が供給されていないときにも所定レベルの
制御電流を発生させるコレクタ電流分岐用電流発生回路
とを備えたもので、上記コレクタ電流分岐用トランジス
タは、上記ベース電流生成用トランジスタとほぼ同一の
トランジスタ特性を有するものであるとすると、簡易な
構成で電流検出を精度良く行うことができる。また、ト
ランジスタ特性がほぼ同一であるので、電流検出の精度
が環境の変化によって影響されるのを防止することがで
きる。

【０１３４】また、各トランジスタを半導体ウェハ上に
形成された集積回路により構成すると、半導体ウェハ上
に、例えば第１トランジスタと第２トランジスタとを隣
接して形成し、または第３トランジスタと第４トランジ
スタとを隣接して形成し、または第１、第２、第５およ
び第６トランジスタを隣接して形成し、またはベース電
流生成用トランジスタとコレクタ電流分岐用トランジス
タとを隣接して形成することにより、ベース・エミッタ
間電圧などのトランジスタ特性を精度良く一致させるこ
とができるので、供給電流に更に精度良く比例した電流
を第２抵抗に流すことができ、これによって供給電流の
検出精度を更に向上できる。また、回路の小型化や低コ
スト化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る電流検出回路の一実施形態の回路
図である。

【図２】電流検出回路の変形形態の回路図である。

【図３】（ａ）は負荷電流Ｉ_Lの５(Ａ)から50(Ａ)まで
の変化を示す図、（ｂ）は（ａ）のように負荷電流Ｉ_L
が変化したときの図１の回路及び図２の回路における
(負荷電流Ｉ_L)／(出力電圧Ｖ_OUT)の変化を比較した図で
ある。

【図４】電流検出回路の別の変形形態の回路図である。

【図５】図４の回路で負荷電流が変化したときの検出電
圧の変化を示す図である。

【図６】定電流源の別の回路構成例を示す回路図であ
る。

【図７】従来の電流検出回路の一例を示す回路図であ
る。

【符号の説明】

１ 電源部 ３ 負荷 ５ 電圧検出回路 Ｒｓ シャント抵抗（電流検出抵抗） Ｑ１〜Ｑ６ トランジスタ（第１トランジスタ〜第６ト
ランジスタ） Ｒ１ 抵抗（第１抵抗） Ｒ２ 抵抗（第２抵抗） Ｒ１１，Ｒ１２ 抵抗 Ｓ１ 定電流源（ベース電流生成用電流発生回路） Ｓ２ 定電流源（コレクタ電流分岐用電流発生回路）

フロントページの続き (72)発明者 水野 史章 愛知県名古屋市南区菊住１丁目７番10号 株式会社ハーネス総合技術研究所内 Ｆターム(参考） 2G035 AC01 AD02 AD10 5H410 CC02 DD02 EA11 EB01 EB37 FF05 FF25

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電源部と負荷の間に介設された所定の抵
   抗値を有する電流検出抵抗と、この電流検出抵抗の抵抗
   値の所定倍である第１抵抗値を有する第１抵抗と、所定
   の第２抵抗値を有する第２抵抗と、ＰＮＰトランジスタ
   からなる第１トランジスタ及び第２トランジスタとを備
   え、 上記第２トランジスタは、上記第１トランジスタのトラ
   ンジスタ特性とほぼ同一のトランジスタ特性を有するも
   ので、 上記第１トランジスタのエミッタは、上記第１抵抗を介
   して上記電流検出抵抗の電源部側に接続され、上記第１
   トランジスタのベースは、上記第２トランジスタのベー
   スに接続され、上記第１トランジスタのコレクタは、上
   記第２抵抗を介して接地され、 上記第２トランジスタのエミッタは、上記電流検出抵抗
   の負荷側に接続され、上記第２トランジスタのコレクタ
   は、当該第２トランジスタのベースに接続されるととも
   に所定の抵抗を介して接地されてなり、 上記第２抵抗の電圧降下に基づき上記電源部から上記負
   荷に供給される供給電流を検出する電流検出回路におい
   て、 上記第２トランジスタのベースに接続され、上記電源部
   から上記負荷に電流が供給されていないときにも当該ベ
   ースに所定レベルのベース電流を発生させるベース電流
   生成手段を備えたことを特徴とする電流検出回路。
2. 【請求項２】 請求項１記載の電流検出回路において、
   ＮＰＮトランジスタからなり、上記第１トランジスタの
   コレクタと上記第２抵抗との間に介設された第３トラン
   ジスタと、ＮＰＮトランジスタからなり、上記第２トラ
   ンジスタのコレクタと上記所定の抵抗との間に介設され
   た第４トランジスタとを備え、 上記第４トランジスタは、上記第３トランジスタのトラ
   ンジスタ特性とほぼ同一のトランジスタ特性を有するも
   ので、 上記第３トランジスタのコレクタは、上記第１トランジ
   スタのコレクタに接続され、上記第３トランジスタのベ
   ースは、当該第３トランジスタのコレクタ及び上記第４
   トランジスタのベースに接続され、上記第３トランジス
   タのエミッタは、上記第２抵抗を介して接地され、 上記第４トランジスタのコレクタは、上記第２トランジ
   スタのコレクタに接続され、上記第４トランジスタのエ
   ミッタは、上記所定の抵抗を介して接地され、上記所定
   の抵抗の抵抗値は、上記第２抵抗値に等しくなるように
   構成されていることを特徴とする電流検出回路。
3. 【請求項３】 請求項２記載の電流検出回路において、
   ＰＮＰトランジスタからなり、上記第１トランジスタと
   上記第１抵抗との間に介設された第５トランジスタと、
   ＰＮＰトランジスタからなり、上記第２トランジスタと
   上記電流検出抵抗の負荷側との間に介設された第６トラ
   ンジスタとを備え、 上記第５トランジスタ及び第６トランジスタは、上記第
   １トランジスタのトランジスタ特性とほぼ同一のトラン
   ジスタ特性を有するもので、 上記第５トランジスタのエミッタは、上記第１抵抗を介
   して上記電流検出抵抗の電源部側に接続され、上記第５
   トランジスタのベースは、当該第５トランジスタのコレ
   クタ及び上記第６トランジスタのベースに接続され、上
   記第５トランジスタのコレクタは、上記第１トランジス
   タのエミッタに接続され、 上記第６トランジスタのエミッタは、上記電流検出抵抗
   の負荷側に接続され、上記第６トランジスタのコレクタ
   は、上記第２トランジスタのエミッタに接続されている
   ことを特徴とする電流検出回路。
4. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の電流検
   出回路において、上記第１トランジスタのコレクタに接
   続され、当該第１トランジスタに流れるコレクタ電流の
   うちの所定レベルの電流を上記第２抵抗の手前で分岐さ
   せるコレクタ電流分岐手段を備えたことを特徴とする電
   流検出回路。
5. 【請求項５】 請求項４記載の電流検出回路において、
   上記コレクタ電流分岐手段は、上記ベース電流生成手段
   によって発生するベース電流により上記第１トランジス
   タのコレクタ電流が増加する分にほぼ等しいレベルの電
   流を分岐させるものであることを特徴とする電流検出回
   路。
6. 【請求項６】 請求項４または５記載の電流検出回路に
   おいて、 上記ベース電流生成手段は、一対の通電端子のうちの一
   方が上記第２トランジスタのベースに接続され、他方が
   接地されたベース電流生成用トランジスタと、このベー
   ス電流生成用トランジスタの制御端子に、上記電源部か
   ら上記負荷に電流が供給されていないときにも所定レベ
   ルの制御電流を発生させるベース電流生成用電流発生回
   路とを備えたもので、 上記コレクタ電流分岐手段は、一対の通電端子のうちの
   一方が上記第１トランジスタのコレクタに接続され、他
   方が接地されたコレクタ電流分岐用トランジスタと、こ
   のコレクタ電流分岐用トランジスタの制御端子に、上記
   電源部から上記負荷に電流が供給されていないときにも
   所定レベルの制御電流を発生させるコレクタ電流分岐用
   電流発生回路とを備えたもので、 上記コレクタ電流分岐用トランジスタは、上記ベース電
   流生成用トランジスタとほぼ同一のトランジスタ特性を
   有するものであることを特徴とする電流検出回路。
7. 【請求項７】 請求項１〜６のいずれかに記載の電流検
   出回路において、上記各トランジスタは、半導体ウェハ
   上に形成された集積回路により構成されていることを特
   徴とする電流検出回路。