JPH01147849A - 半導体装置用過熱保護回路 - Google Patents
半導体装置用過熱保護回路Info
- Publication number
- JPH01147849A JPH01147849A JP30707687A JP30707687A JPH01147849A JP H01147849 A JPH01147849 A JP H01147849A JP 30707687 A JP30707687 A JP 30707687A JP 30707687 A JP30707687 A JP 30707687A JP H01147849 A JPH01147849 A JP H01147849A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- temperature
- constant current
- trq1
- switching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract description 14
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置用過熱保護回路に関する。
（従来の技術）
従来、半導体集積回路等の半導体装置（ＩＣ）に過熱保
護回路を内蔵したものがある。その過熱保護回路は、過
熱によるＩＣの劣化、破壊を防ぐためのものである。そ
の過熱保護回路は、以下のような機能、即ち、過大負荷
等によってＩＣチップの温度が定格温度（ジャンクショ
ン温度）に達した際に、ＩＣを非作動状態とすることに
より負荷から切り離してそれ以上の温度上昇を防ぎ、そ
の後ＩＣチップの温度が低下したら再びＩＣを作動状態
とする、いわゆるスイッチング動作を行う機能を有する
。
護回路を内蔵したものがある。その過熱保護回路は、過
熱によるＩＣの劣化、破壊を防ぐためのものである。そ
の過熱保護回路は、以下のような機能、即ち、過大負荷
等によってＩＣチップの温度が定格温度（ジャンクショ
ン温度）に達した際に、ＩＣを非作動状態とすることに
より負荷から切り離してそれ以上の温度上昇を防ぎ、そ
の後ＩＣチップの温度が低下したら再びＩＣを作動状態
とする、いわゆるスイッチング動作を行う機能を有する
。
（発明が解決しようとする問題点）
上記従来の過熱保護回路においては、ＩＣチップの温度
がその最大定格温度か否かの判断をすることによって、
ＩＣをオン、オフ動作させていた。
がその最大定格温度か否かの判断をすることによって、
ＩＣをオン、オフ動作させていた。
このため、ＩＣチップは、過大負荷状態等において最大
定格温度で継続して使用されることも少なくない。この
ような使用により、ＩＣは大きな電力を消費し、大量に
発熱し、それによってＩＣチップの劣化、破壊が生じる
おそれもあった。これを防ぐためには、従来以上の効率
で放熱させるための放熱対策を講じる必要があった。
定格温度で継続して使用されることも少なくない。この
ような使用により、ＩＣは大きな電力を消費し、大量に
発熱し、それによってＩＣチップの劣化、破壊が生じる
おそれもあった。これを防ぐためには、従来以上の効率
で放熱させるための放熱対策を講じる必要があった。
本発明は、上記に鑑みてなされたもので、その目的は、
ＩＣの発熱量を低く抑えることのできる半導体装置用過
熱保護回路を提供することにある。
ＩＣの発熱量を低く抑えることのできる半導体装置用過
熱保護回路を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明の半導体装置用過熱保護回路は、電源の両端に直
列に接続された第１の定電流供給手段及び第１のトラン
ジスタと、電源の両端に直列に接続された第２の定電流
供給手段及び第２のトランジスタと、上記第１のトラン
ジスタのベースとエミッタの間に基準電圧を加える基準
電圧印加手段と、上記第２の定電流供給手段の出力端を
上記第１の定電流供給手段の出力端に順方向に接続する
ダイオードと、上記第２のトランジスタを上記第１のト
ランジスタのオン、オフに基づいてその第１のトランジ
スタと同じ態様でオン、オフ切り換えを行う手段と、を
備えるものとして構成される。
列に接続された第１の定電流供給手段及び第１のトラン
ジスタと、電源の両端に直列に接続された第２の定電流
供給手段及び第２のトランジスタと、上記第１のトラン
ジスタのベースとエミッタの間に基準電圧を加える基準
電圧印加手段と、上記第２の定電流供給手段の出力端を
上記第１の定電流供給手段の出力端に順方向に接続する
ダイオードと、上記第２のトランジスタを上記第１のト
ランジスタのオン、オフに基づいてその第１のトランジ
スタと同じ態様でオン、オフ切り換えを行う手段と、を
備えるものとして構成される。
（作 用）
基準電圧印加手段により第１のトランジスタのベースと
エミッタとの間に加える基準電圧を、常温状態において
はオンしない値に設定しておく。
エミッタとの間に加える基準電圧を、常温状態において
はオンしない値に設定しておく。
この状態において半導体装置を動作させると、その動作
に伴って温度が上昇し、第１のトランジスタの温度も上
昇する。その温度上昇に伴って第１のトランジスタの動
作ベース・エミッタ電圧が低下する。その動作ベース・
エミッタ電圧が上記基準電圧よりも低下すると、第１の
トランジスタはオフからオンに切り換わる。この切り換
わった瞬間においては第１のトランジスタには第１の定
電流供給手段からの第１の定電流と、ダイオードを介し
て第２の定電流供給手段からの第２の定電流との和電流
が流れる。この第１のトランジスタのオンによりその後
直ちに第２のトランジスタもオフからオンに切り換わる
。第２のトランジスタがオンになると、ダイオードを介
して第１のトランジスタに流入していた第２の定電流は
、今度は第２のトランジスタに流れ込む。これにより、
第１のトランジスタに流入していた電流は、第１及び第
２の定電流の和電流から第１の定電流のみに減少する。
に伴って温度が上昇し、第１のトランジスタの温度も上
昇する。その温度上昇に伴って第１のトランジスタの動
作ベース・エミッタ電圧が低下する。その動作ベース・
エミッタ電圧が上記基準電圧よりも低下すると、第１の
トランジスタはオフからオンに切り換わる。この切り換
わった瞬間においては第１のトランジスタには第１の定
電流供給手段からの第１の定電流と、ダイオードを介し
て第２の定電流供給手段からの第２の定電流との和電流
が流れる。この第１のトランジスタのオンによりその後
直ちに第２のトランジスタもオフからオンに切り換わる
。第２のトランジスタがオンになると、ダイオードを介
して第１のトランジスタに流入していた第２の定電流は
、今度は第２のトランジスタに流れ込む。これにより、
第１のトランジスタに流入していた電流は、第１及び第
２の定電流の和電流から第１の定電流のみに減少する。
この減少により、第１のトランジスタの動作ベース・エ
ミッタ電圧は低下する。その電圧の低下により、第１の
トランジスタがオンからオフに切り換わる温度は、先に
オフからオンに切り換わった温度よりも低下する。そし
て、上記第１のトランジスタのオフ状態において半導体
装置を動作させ、それがオフからオンに切り換わったら
半導体装置を非作動状態とし、さらにオンからオフに切
り換わったら半導体装置を再び作動させれば、半導体装
置の発熱量が低く抑えられる。
ミッタ電圧は低下する。その電圧の低下により、第１の
トランジスタがオンからオフに切り換わる温度は、先に
オフからオンに切り換わった温度よりも低下する。そし
て、上記第１のトランジスタのオフ状態において半導体
装置を動作させ、それがオフからオンに切り換わったら
半導体装置を非作動状態とし、さらにオンからオフに切
り換わったら半導体装置を再び作動させれば、半導体装
置の発熱量が低く抑えられる。
（実施例）
第１図は、ＩＣに内蔵される本発明の実施例を示す回路
図である。その第１図において、電源電圧Ｖ と接地Ｇ
ＮＤとの間に、直列に接続した抵Ｃ 抗Ｒｉ 、Ｒ２、直列に接続した定電流源１１．ダイオ
ードＤ２及びトランジスタＱ１、直列に接続した定電流
源Ｉ 及びトランジスタＱ２、並びに直列に接続した定
電流源工。及びトランジスタＱ３がそれぞれ並列に接続
されている。上記抵抗Ｒ１，Ｒ２の接続点ａとトランジ
スタＱ１のベースを接続している。上記ダイオードＤ２
とトランジスタＱ との接続中点をトランジスタＱ２の
べｉスと接続している。上記定電流源１１とダイオード
Ｄ２の接続中点を、ダイオードＤ１を介して、定電流源
Ｉ２とトランジスタＱ３との接続中点に接続している。
図である。その第１図において、電源電圧Ｖ と接地Ｇ
ＮＤとの間に、直列に接続した抵Ｃ 抗Ｒｉ 、Ｒ２、直列に接続した定電流源１１．ダイオ
ードＤ２及びトランジスタＱ１、直列に接続した定電流
源Ｉ 及びトランジスタＱ２、並びに直列に接続した定
電流源工。及びトランジスタＱ３がそれぞれ並列に接続
されている。上記抵抗Ｒ１，Ｒ２の接続点ａとトランジ
スタＱ１のベースを接続している。上記ダイオードＤ２
とトランジスタＱ との接続中点をトランジスタＱ２の
べｉスと接続している。上記定電流源１１とダイオード
Ｄ２の接続中点を、ダイオードＤ１を介して、定電流源
Ｉ２とトランジスタＱ３との接続中点に接続している。
上記定電流源Ｉ３とトランジスタＱ２との接続中点を、
抵抗Ｒ３を介してトランジスタＱ３のベースに接続する
と共に、抵抗Ｒ４を介してトランジスタＱ４のベースに
接続している。
抵抗Ｒ３を介してトランジスタＱ３のベースに接続する
と共に、抵抗Ｒ４を介してトランジスタＱ４のベースに
接続している。
そのトランジスタＱ４のエミッタを接地すると共に、そ
のコレクタを出力端子ＯＵＴに接続している。
のコレクタを出力端子ＯＵＴに接続している。
次に、上記構成の回路の動作を説明する。
上記回路において、抵抗Ｒ１，Ｒ２の接続中点ａの電位
Ｖ は、トランジスタＱ１の動作ベースト エミッタ電圧ＶＢＥより十分、低く設定されている。
Ｖ は、トランジスタＱ１の動作ベースト エミッタ電圧ＶＢＥより十分、低く設定されている。
このため、トランジスタＱ１はオフ状態にある。
それにより、トランジスタＱ２．Ｑ３．Ｑ４はそれぞれ
オン、オフ、オフの状態にある。トランジスタＱ２のベ
ースからエミッタには、ダイオードＤ を介しての定電
流源Ｉ からの電流１１とダイオードＤＤ を介して
の定電流源Ｉ２から２ ° ｌ の電流ｉ との和電流（１１＋１２）が流れている。こ
の状態においては、トランジスタＱ４がオフであること
から、出力端子ＯＵＴからはＨレベル信号が出力され、
この出力信号によってＩＣが動作可能な状態を維持する
。
オン、オフ、オフの状態にある。トランジスタＱ２のベ
ースからエミッタには、ダイオードＤ を介しての定電
流源Ｉ からの電流１１とダイオードＤＤ を介して
の定電流源Ｉ２から２ ° ｌ の電流ｉ との和電流（１１＋１２）が流れている。こ
の状態においては、トランジスタＱ４がオフであること
から、出力端子ＯＵＴからはＨレベル信号が出力され、
この出力信号によってＩＣが動作可能な状態を維持する
。
その動作によって、ＩＣチップの温度、即ちトランジス
タＱ１の温度が徐々に上昇する。トランジスタＱ１の温
度上昇に伴って、その動作ベース・エミッタ電圧ｖＢＥ
が徐々に低下する。トランジスタＱ１の温度が第１の設
定温度よりも上昇して、そのトランジスタＱ、の動作ベ
ース・エミッタ電圧が上記接続中点ａの電位ｖ１よりも
低下すると、トランジスタＱ１はオフからオンに切り換
わる。
タＱ１の温度が徐々に上昇する。トランジスタＱ１の温
度上昇に伴って、その動作ベース・エミッタ電圧ｖＢＥ
が徐々に低下する。トランジスタＱ１の温度が第１の設
定温度よりも上昇して、そのトランジスタＱ、の動作ベ
ース・エミッタ電圧が上記接続中点ａの電位ｖ１よりも
低下すると、トランジスタＱ１はオフからオンに切り換
わる。
切り換った瞬間においてはトランジスタＱｌのコレクタ
からエミッタに電流（ｉｔ ＋ １２ ）が流れる。ト
ランジスタＱｌのオンに伴って、トランジスタＱ２．Ｑ
３．Ｑ４はそれぞれオフ、オン、オンに切り換わる。ト
ランジスタＱ４のオンによって出力端子ＯＵＴの出力は
ＨレベルからＬレベルに変化する。その出力端子ＯＵＴ
から出力されるＬレベル信号によってＩＣは動作可能な
状態から動作不能な状態に切り換わる。それにより、Ｉ
Ｃチップの温度は徐々に低下する。そして、ＩＣチップ
の温度が第２の設定温度よりも低下するとトランジスタ
Ｑｌが再びオンからオフに自動的に切り換わり、ＩＣは
再び動作する。そのトランジスタＱ１がオンからオフに
切り換わる第２の設定温度は、先にトランジスタＱｌが
オフからオンに切り換わった第１の設定温度よりも低い
。即ち、ＩＣチップはそれが第１の設定温度よりも高い
温度となると動作可能状態から動作不能状態に切り換わ
り、さらにそのＩＣチップはその温度が第１の設定温度
よりも低い第２の設定温度となると動作不能状態から動
作可能状態に切り換わる。
からエミッタに電流（ｉｔ ＋ １２ ）が流れる。ト
ランジスタＱｌのオンに伴って、トランジスタＱ２．Ｑ
３．Ｑ４はそれぞれオフ、オン、オンに切り換わる。ト
ランジスタＱ４のオンによって出力端子ＯＵＴの出力は
ＨレベルからＬレベルに変化する。その出力端子ＯＵＴ
から出力されるＬレベル信号によってＩＣは動作可能な
状態から動作不能な状態に切り換わる。それにより、Ｉ
Ｃチップの温度は徐々に低下する。そして、ＩＣチップ
の温度が第２の設定温度よりも低下するとトランジスタ
Ｑｌが再びオンからオフに自動的に切り換わり、ＩＣは
再び動作する。そのトランジスタＱ１がオンからオフに
切り換わる第２の設定温度は、先にトランジスタＱｌが
オフからオンに切り換わった第１の設定温度よりも低い
。即ち、ＩＣチップはそれが第１の設定温度よりも高い
温度となると動作可能状態から動作不能状態に切り換わ
り、さらにそのＩＣチップはその温度が第１の設定温度
よりも低い第２の設定温度となると動作不能状態から動
作可能状態に切り換わる。
即ち、トランジスタＱ１がオフからオンに切り換った瞬
間においては、上述したように、トランジスタＱ１のコ
レクタからエミッタに電流（１＋＋１２）が流れる。し
かしながら、その後直ちにトランジスタＱ３がオンとな
る。このため、定電流源Ｉ からの電流１２は、ダイオ
ードＤ１゜Ｄ があることからトランジスタＱ１には流
れ込まず、トランジスタＱ３に流れ込む。これによりト
ランジスタＱ１のコレクタからエミッタに流れる電流は
（ｉ ＋ｉ ）から１１に減少する。ここで、例え
ば、１１く１２に設定しておけば、その減少率は大きな
ものとなる。このように、トランジスタＱ１に流れ込む
電流が減少すると、そのトランジスタＱ、の動作ベース
・エミッタ電圧が低下する。即ち、このトランジスタＱ
１がオンからオフに切り換わる温度、即ちＩＣチップが
動作不能状態から動作可能状態に切り換わる第２の設定
温度は上記第１の設定温度より低いものとなる。
間においては、上述したように、トランジスタＱ１のコ
レクタからエミッタに電流（１＋＋１２）が流れる。し
かしながら、その後直ちにトランジスタＱ３がオンとな
る。このため、定電流源Ｉ からの電流１２は、ダイオ
ードＤ１゜Ｄ があることからトランジスタＱ１には流
れ込まず、トランジスタＱ３に流れ込む。これによりト
ランジスタＱ１のコレクタからエミッタに流れる電流は
（ｉ ＋ｉ ）から１１に減少する。ここで、例え
ば、１１く１２に設定しておけば、その減少率は大きな
ものとなる。このように、トランジスタＱ１に流れ込む
電流が減少すると、そのトランジスタＱ、の動作ベース
・エミッタ電圧が低下する。即ち、このトランジスタＱ
１がオンからオフに切り換わる温度、即ちＩＣチップが
動作不能状態から動作可能状態に切り換わる第２の設定
温度は上記第１の設定温度より低いものとなる。
なお、上記電源電圧Ｖ が安定化電源である場Ｃ
合には、定電流源１１〜１３に代えて抵抗を用いること
もできる。また、上記ダイオードＤ２は、回路構成をよ
り簡単なものとする場合には、省略することもできる。
もできる。また、上記ダイオードＤ２は、回路構成をよ
り簡単なものとする場合には、省略することもできる。
次に、第１図の回路に基づく計算例を示す。
今、周囲温度Ｔａ−２５℃におけるトランジスタＱ の
動作ベース・エミッタ電圧ｖＢＥを０．７Ｖとし、その
温度特性を−２ｍ Ｖ ／ ’Ｃ１検出温度（第１の設
定温度）を１５０℃と設定する。この場合における、第
１の設定温度での動作ベース・エミッタ電圧の変化分Δ
ｖＢＥは、 ΔＶＢＥ−−２ （１５Ｏ−２５）”−２５０（ｍＶ）
となる。よって、第１の設定温度での動作ベース・エミ
ッタ電圧ＶＢＥ’ は、 ｖＢＥ’ −０，７−０，２５−０，４５（Ｖ）となる
。
動作ベース・エミッタ電圧ｖＢＥを０．７Ｖとし、その
温度特性を−２ｍ Ｖ ／ ’Ｃ１検出温度（第１の設
定温度）を１５０℃と設定する。この場合における、第
１の設定温度での動作ベース・エミッタ電圧の変化分Δ
ｖＢＥは、 ΔＶＢＥ−−２ （１５Ｏ−２５）”−２５０（ｍＶ）
となる。よって、第１の設定温度での動作ベース・エミ
ッタ電圧ＶＢＥ’ は、 ｖＢＥ’ −０，７−０，２５−０，４５（Ｖ）となる
。
（１） 上記の場合において、ｉｔ −２０μＡ１１
２−２００μＡとしたときの第２の設定温度を求める。
２−２００μＡとしたときの第２の設定温度を求める。
トランジスタＱｌがオフからオンに切り換わる瞬間にお
ける電流は（ｉｔ＋１２）であり、オンからオフに切り
換わる時の電流はｉｔであることから、 、’、Ｔ（オン→オフ）− １５０＝３０．８−１１９．２（℃） 即ち、第１の設定温度は１５０℃であるのに対し、第２
の設定温度は１１９．２℃となる。
ける電流は（ｉｔ＋１２）であり、オンからオフに切り
換わる時の電流はｉｔであることから、 、’、Ｔ（オン→オフ）− １５０＝３０．８−１１９．２（℃） 即ち、第１の設定温度は１５０℃であるのに対し、第２
の設定温度は１１９．２℃となる。
（２） 次に、第２の設定温度を１００℃、１１−２
０μＡとした場合に１２がいくらになるかを求める。
０μＡとした場合に１２がいくらになるかを求める。
ΔＶ ｎＥ−２ｍ Ｖ ｘ ５０ ＝ｗ１００ ｍ Ｖ
であることから、 １００ｍＶ−２５，７Ｎ ｎ − ２０２５，７ 一’−ｉｏ ” ２０ ×４８−９ 繻９７８ （μＡ
）−’−１２〜９５８（μＡ） 即ち、１２は９５８μＡとなる。
であることから、 １００ｍＶ−２５，７Ｎ ｎ − ２０２５，７ 一’−ｉｏ ” ２０ ×４８−９ 繻９７８ （μＡ
）−’−１２〜９５８（μＡ） 即ち、１２は９５８μＡとなる。
本発明によれば、第１のトランジスタがオフからオンに
切り換わる温度よりも、オンからオフに切り換わる温度
を低くすることができ、よって第１のトランジスタに基
づいて半導体装置を動作状態と非動作状態とに切り換え
れば、半導体装置の発熱量を低く抑えて、劣化や破壊を
確実に防止することができる。
切り換わる温度よりも、オンからオフに切り換わる温度
を低くすることができ、よって第１のトランジスタに基
づいて半導体装置を動作状態と非動作状態とに切り換え
れば、半導体装置の発熱量を低く抑えて、劣化や破壊を
確実に防止することができる。
第１図は本発明の実施例の回路図である。
■ ・・・電源電圧、ＧＮＤ・・・接地、Ｑｌ、（第１
Ｃ の）トランジスタ、Ｒ１，Ｒ２・・・抵抗（基準電圧印
加手段）、Ｄｌ・・・ダイオード、Ｑ３・・・（第２の
）トランジスタ、Ｑ２・・・トランジスタ（切換手段）
、１１・・・第１の定電流供給手段、■２・・・第２の
定電流供給手段。 出願人代理人 佐 藤 −雄
Ｃ の）トランジスタ、Ｒ１，Ｒ２・・・抵抗（基準電圧印
加手段）、Ｄｌ・・・ダイオード、Ｑ３・・・（第２の
）トランジスタ、Ｑ２・・・トランジスタ（切換手段）
、１１・・・第１の定電流供給手段、■２・・・第２の
定電流供給手段。 出願人代理人 佐 藤 −雄
Claims (1)
- 電源の両端に直列に接続された第１の定電流供給手段
及び第１のトランジスタと、電源の両端に直列に接続さ
れた第２の定電流供給手段及び第２のトランジスタと、
上記第１のトランジスタのベースとエミッタの間に基準
電圧を加える基準電圧印加手段と、上記第２の定電流供
給手段の出力端を上記第１の定電流供給手段の出力端に
順方向に接続するダイオードと、上記第２のトランジス
タを上記第１のトランジスタのオン、オフに基づいてそ
の第１のトランジスタと同じ態様でオン、オフ切り換え
を行う手段と、を備えることを特徴とする半導体装置用
過熱保護回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30707687A JPH01147849A (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | 半導体装置用過熱保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30707687A JPH01147849A (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | 半導体装置用過熱保護回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01147849A true JPH01147849A (ja) | 1989-06-09 |
| JPH0580152B2 JPH0580152B2 (ja) | 1993-11-08 |
Family
ID=17964748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30707687A Granted JPH01147849A (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | 半導体装置用過熱保護回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01147849A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6042624A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-06 | Nec Corp | 温度検出回路 |
| JPS60183760A (ja) * | 1984-03-01 | 1985-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置における熱遮断回路 |
-
1987
- 1987-12-04 JP JP30707687A patent/JPH01147849A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6042624A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-06 | Nec Corp | 温度検出回路 |
| JPS60183760A (ja) * | 1984-03-01 | 1985-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置における熱遮断回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0580152B2 (ja) | 1993-11-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4787007A (en) | Output driver circuit | |
| US5272392A (en) | Current limited power semiconductor device | |
| US5149199A (en) | Temperature detection circuit used in thermal shielding circuit | |
| JP3358459B2 (ja) | 温度検出回路 | |
| US4667265A (en) | Adaptive thermal shutdown circuit | |
| JPH06214666A (ja) | パワートランジスタの制御電極ディセーブル回路 | |
| JP2001217696A (ja) | 過電流検出回路 | |
| JPH03119812A (ja) | 電流検出回路 | |
| USRE37778E1 (en) | Current limiting circuit | |
| JPS59144208A (ja) | 集積回路の電力素子保護装置 | |
| USRE37876E1 (en) | Power supply switch reference circuitry | |
| JPH01147849A (ja) | 半導体装置用過熱保護回路 | |
| JPH03296666A (ja) | ウインドウコンパレータ | |
| US6388302B1 (en) | Ground compatible inhibit circuit | |
| US6545511B2 (en) | Adjustable temperature-compensated threshold circuit with trip-points exceeding the given supplies | |
| EP0546486B1 (en) | Memory device for use in power control circuits | |
| JP3094653B2 (ja) | 過電流防止回路 | |
| JPH0575418A (ja) | 過電流検出回路 | |
| JPS5928936B2 (ja) | 光電スイッチ | |
| JP2001265451A (ja) | 電流検出回路 | |
| JP3810222B2 (ja) | 出力過電流保護回路及び半導体集積回路装置 | |
| JP2567015B2 (ja) | 入力電圧検出回路 | |
| De Langen et al. | Limiting circuits for rail-to-rail output stages of low-voltage bipolar operational amplifiers | |
| JPH0422571Y2 (ja) | ||
| EP1351063A1 (en) | Temperature-compensated treshold circuit |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |