JPH0580152B2 - - Google Patents
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- JPH0580152B2 JPH0580152B2 JP62307076A JP30707687A JPH0580152B2 JP H0580152 B2 JPH0580152 B2 JP H0580152B2 JP 62307076 A JP62307076 A JP 62307076A JP 30707687 A JP30707687 A JP 30707687A JP H0580152 B2 JPH0580152 B2 JP H0580152B2
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
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- Electronic Switches (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置用過熱保護回路に関す
る。
る。
（従来の技術）
従来、半導体集積回路等の半導体装置（IC）
に過熱保護回路を内蔵したものがある。その過熱
保護回路は、過熱によるICの劣化、破壊を防ぐ
ためのものである。その過熱保護回路は、以下の
ような機能、即ち、過大負荷等によつてICチツ
プの温度が定格温度（ジヤンクシヨン温度）に達
した際に、ICを非作動状態とすることにより負
荷から切り離してそれ以上の温度上昇を防ぎ、そ
の後ICチツプの温度が低下したら再びICを作動
状態とする、いわゆるスイツチング動作を行う機
能を有する。
に過熱保護回路を内蔵したものがある。その過熱
保護回路は、過熱によるICの劣化、破壊を防ぐ
ためのものである。その過熱保護回路は、以下の
ような機能、即ち、過大負荷等によつてICチツ
プの温度が定格温度（ジヤンクシヨン温度）に達
した際に、ICを非作動状態とすることにより負
荷から切り離してそれ以上の温度上昇を防ぎ、そ
の後ICチツプの温度が低下したら再びICを作動
状態とする、いわゆるスイツチング動作を行う機
能を有する。
（発明が解決しようとする問題点）
上記従来の過熱保護回路においては、ICチツ
プの温度がその最大定格温度か否かの判断をする
ことによつて、ICをオン、オフ動作させていた。
このため、ICチツプは、過大負荷状態等におい
て最大定格温度で継続して使用されることも少な
くない。このような使用により、ICは大きな電
力を消費し、大量に発熱し、それによつてICチ
ツプの劣化、破壊が生じるおそれもあつた。これ
を防ぐためには、従来以上の高率で放熱させるた
めの放熱対策を講じる必要があつた。
プの温度がその最大定格温度か否かの判断をする
ことによつて、ICをオン、オフ動作させていた。
このため、ICチツプは、過大負荷状態等におい
て最大定格温度で継続して使用されることも少な
くない。このような使用により、ICは大きな電
力を消費し、大量に発熱し、それによつてICチ
ツプの劣化、破壊が生じるおそれもあつた。これ
を防ぐためには、従来以上の高率で放熱させるた
めの放熱対策を講じる必要があつた。
本発明は、上記に鑑みてなされたもので、その
目的は、ICの発熱量を低く抑えることのできる
半導体装置用過熱保護回路を提供することにあ
る。
目的は、ICの発熱量を低く抑えることのできる
半導体装置用過熱保護回路を提供することにあ
る。
（問題点を解決するための手段）
本発明の半導体装置用過熱保護回路は、電源の
両端に直列に接続された第１の定電流供給手段及
び第１のトランジスタと、電源の両端に直列に接
続された第２の定電流供給手段及び第２のトラン
ジスタと、上記第１のトランジスタのベースとエ
ミツタの間に基準電圧を加える基準電圧印加手段
と、上記第２の定電流供給手段の出力端を上記第
１の定電流供給手段の出力端に順方向に接続する
ダイオードと、上記第２のトランジスタを上記第
１のトランジスタのオン、オフに基づいてその第
１のトランジスタと同じ態様でオン、オフ切り換
えを行う手段と、を備えるものとして構成され
る。
両端に直列に接続された第１の定電流供給手段及
び第１のトランジスタと、電源の両端に直列に接
続された第２の定電流供給手段及び第２のトラン
ジスタと、上記第１のトランジスタのベースとエ
ミツタの間に基準電圧を加える基準電圧印加手段
と、上記第２の定電流供給手段の出力端を上記第
１の定電流供給手段の出力端に順方向に接続する
ダイオードと、上記第２のトランジスタを上記第
１のトランジスタのオン、オフに基づいてその第
１のトランジスタと同じ態様でオン、オフ切り換
えを行う手段と、を備えるものとして構成され
る。
（作用）
基準電圧印加手段により第１のトランジスタの
ベースとエミツタとの間に加える基準電圧を、常
温状態においてはオンしない値に設定しておく。
この状態において半導体装置を動作させると、そ
の動作に伴つて温度が上昇し、第１のトランジス
タの温度も上昇する。その温度上昇に伴つて第１
のトランジスタの動作ベース・エミツタ電圧が低
下する。その動作ベース・エミツタ電圧が上記基
準電圧よりも低下すると、第１のトランジスタは
オフからオンに切り換わる。この切り換わつた瞬
間においては第１のトランジスタには第１の定電
流供給手段からの第１の定電流と、ダイオードを
介して第２の定電流供給手段からの第２の定電流
との和電流が流れる。この第１のトランジスタの
オンによりその後直ちに第２のトランジスタもオ
フからオンに切り換わる。第２のトランジスタが
オンになると、ダイオードを介して第１のトラン
ジスタに流入していた第２の定電流は、今度は第
２のトランジスタに流れ込む。これにより、第１
のトランジスタに流入していた電流は、第１及び
第２の定電流の和電流から第１の定電流のみに減
少する。この減少により、第１のトランジスタの
動作ベース・エミツタ電圧は低下する。その電圧
の低下により、第１のトランジスタがオンからオ
フに切り換わる温度は、先にオフからオンに切り
換わつた温度よりも低下する。そして、上記第１
のトランジスタのオフ状態において半導体装置を
動作させ、それがオフからオンに切り換わつたら
半導体装置を非作動状態とし、さらにオンからオ
フに切り換わつたら半導体装置を再び作動させれ
ば、半導体装置の発熱量が低く抑えられる。
ベースとエミツタとの間に加える基準電圧を、常
温状態においてはオンしない値に設定しておく。
この状態において半導体装置を動作させると、そ
の動作に伴つて温度が上昇し、第１のトランジス
タの温度も上昇する。その温度上昇に伴つて第１
のトランジスタの動作ベース・エミツタ電圧が低
下する。その動作ベース・エミツタ電圧が上記基
準電圧よりも低下すると、第１のトランジスタは
オフからオンに切り換わる。この切り換わつた瞬
間においては第１のトランジスタには第１の定電
流供給手段からの第１の定電流と、ダイオードを
介して第２の定電流供給手段からの第２の定電流
との和電流が流れる。この第１のトランジスタの
オンによりその後直ちに第２のトランジスタもオ
フからオンに切り換わる。第２のトランジスタが
オンになると、ダイオードを介して第１のトラン
ジスタに流入していた第２の定電流は、今度は第
２のトランジスタに流れ込む。これにより、第１
のトランジスタに流入していた電流は、第１及び
第２の定電流の和電流から第１の定電流のみに減
少する。この減少により、第１のトランジスタの
動作ベース・エミツタ電圧は低下する。その電圧
の低下により、第１のトランジスタがオンからオ
フに切り換わる温度は、先にオフからオンに切り
換わつた温度よりも低下する。そして、上記第１
のトランジスタのオフ状態において半導体装置を
動作させ、それがオフからオンに切り換わつたら
半導体装置を非作動状態とし、さらにオンからオ
フに切り換わつたら半導体装置を再び作動させれ
ば、半導体装置の発熱量が低く抑えられる。
（実施例）
第１図は、ICに内蔵される本発明の実施例を
示す回路図である。その第１図において、電源電
圧Vccと接地GNDとの間に、直列に接続した抵抗
R1，R2、直列に接続した定電流源I1、ダイオー
ドD2及びトランジスタQ1、直列に接続した定電
流源I3及びトランジスタQ2、並びに直列に接続し
た定電流源I2及びトランジスタQ3がそれぞれ並列
に接続されている。上記抵抗R1，R2の接続点ａ
とトランジスタQ1のベースを接続している。上
記ダイオードD2とトランジスタQ1との接続中点
をトランジスタQ2のベースと接続している。上
記定電流源I1とダイオードD2の接続中点を、ダイ
オードD1を介して、定電流源I2とトランジスタ
Q3との接続中点に接続している。上記定電流源I3
とトランジスタQ2との接続中点を、抵抗R3を介
してトランジスタQ3のベースに接続すると共に、
抵抗R4を介してトランジスタQ4のベースに接続
している。そのトランジスタQ4のエミツタを接
地すると共に、そのコレクタを出力端子OUTに
接続している。
示す回路図である。その第１図において、電源電
圧Vccと接地GNDとの間に、直列に接続した抵抗
R1，R2、直列に接続した定電流源I1、ダイオー
ドD2及びトランジスタQ1、直列に接続した定電
流源I3及びトランジスタQ2、並びに直列に接続し
た定電流源I2及びトランジスタQ3がそれぞれ並列
に接続されている。上記抵抗R1，R2の接続点ａ
とトランジスタQ1のベースを接続している。上
記ダイオードD2とトランジスタQ1との接続中点
をトランジスタQ2のベースと接続している。上
記定電流源I1とダイオードD2の接続中点を、ダイ
オードD1を介して、定電流源I2とトランジスタ
Q3との接続中点に接続している。上記定電流源I3
とトランジスタQ2との接続中点を、抵抗R3を介
してトランジスタQ3のベースに接続すると共に、
抵抗R4を介してトランジスタQ4のベースに接続
している。そのトランジスタQ4のエミツタを接
地すると共に、そのコレクタを出力端子OUTに
接続している。
次に、上記構成の回路の動作を説明する。
上記回路において、抵抗R1，R2の接続中点ａ
の電位V1は、トランジスタQ1の動作ベース・エ
ミツタ電圧VBEより十分低く設定されている。こ
のため、トランジスタQ1はオフ状態にある。そ
れにより、トランジスタQ2，Q3，Q4はそれぞれ
オン、オフ、オフの状態にある。トランジスタ
Q2のベースからエミツタには、ダイオードD2を
介しての定電流源I1からの電流i1とダイオード
D2，D1を介しての定電流源I2からの電流i2との和
電流（i1＋i2）が流れている。この状態いおいて
は、トランジスタQ4がオフであることから、出
力端子OUTからＨレベル信号が出力され、この
出力信号によつてICが動作可能な状態を維持す
る。
の電位V1は、トランジスタQ1の動作ベース・エ
ミツタ電圧VBEより十分低く設定されている。こ
のため、トランジスタQ1はオフ状態にある。そ
れにより、トランジスタQ2，Q3，Q4はそれぞれ
オン、オフ、オフの状態にある。トランジスタ
Q2のベースからエミツタには、ダイオードD2を
介しての定電流源I1からの電流i1とダイオード
D2，D1を介しての定電流源I2からの電流i2との和
電流（i1＋i2）が流れている。この状態いおいて
は、トランジスタQ4がオフであることから、出
力端子OUTからＨレベル信号が出力され、この
出力信号によつてICが動作可能な状態を維持す
る。
その動作によつて、ICチツプの温度、即ちト
ランジスタQ1の温度が徐々に上昇する。トラン
ジスタQ1の温度上昇に伴つて、その動作ベー
ス・エミツタ電圧VBEが徐々に低下する。トラン
ジスタQ1の温度が第１の設定温度よりも上昇し
て、そのトランジスタQ1の動作ベース・エミツ
タ電圧が上記接続中点ａの電位V1よりも低下す
ると、トランジスタQ1はオフからオンに切り換
わる。切り換つた瞬間においてはトランジスタ
Q1のコレクタからエミツタに電流（i1＋i2）が流
れる。トランジスタQ1のオンに伴つて、トラン
ジスタQ2，Q3，Q4はそれぞれオフ、オン、オン
に切り換わる。トランジスタQ4のオンによつて
出力端子OUTの出力はＨレベルからＬレベルに
変化する。その出力端子OUTから出力されるＬ
レベル信号によつてICは動作可能な状態から動
作不能な状態に切り換わる。それにより、ICチ
ツプの温度は徐々に低下する。そして、ICチツ
プの温度が第２の設定温度よりも低下するとトラ
ンジスタQ1が再びオンからオフに自動的に切り
換わり、ICは再び動作する。そのトランジスタ
Q1がオンからオフに切り換わる第２の設定温度
は、先にトランジスタQ1がオフからオンに切り
換わつた第１の設定温度よりも低い。即ち、IC
チツプはそれが第１の設定温度よりも高い温度と
なると動作可能状態から動作不能状態に切り換わ
り、さらにそのICチツプはその温度が第１の設
定温度よりも低い第２の設定温度となると動作不
能状態から動作可能状態に切り換わる。
ランジスタQ1の温度が徐々に上昇する。トラン
ジスタQ1の温度上昇に伴つて、その動作ベー
ス・エミツタ電圧VBEが徐々に低下する。トラン
ジスタQ1の温度が第１の設定温度よりも上昇し
て、そのトランジスタQ1の動作ベース・エミツ
タ電圧が上記接続中点ａの電位V1よりも低下す
ると、トランジスタQ1はオフからオンに切り換
わる。切り換つた瞬間においてはトランジスタ
Q1のコレクタからエミツタに電流（i1＋i2）が流
れる。トランジスタQ1のオンに伴つて、トラン
ジスタQ2，Q3，Q4はそれぞれオフ、オン、オン
に切り換わる。トランジスタQ4のオンによつて
出力端子OUTの出力はＨレベルからＬレベルに
変化する。その出力端子OUTから出力されるＬ
レベル信号によつてICは動作可能な状態から動
作不能な状態に切り換わる。それにより、ICチ
ツプの温度は徐々に低下する。そして、ICチツ
プの温度が第２の設定温度よりも低下するとトラ
ンジスタQ1が再びオンからオフに自動的に切り
換わり、ICは再び動作する。そのトランジスタ
Q1がオンからオフに切り換わる第２の設定温度
は、先にトランジスタQ1がオフからオンに切り
換わつた第１の設定温度よりも低い。即ち、IC
チツプはそれが第１の設定温度よりも高い温度と
なると動作可能状態から動作不能状態に切り換わ
り、さらにそのICチツプはその温度が第１の設
定温度よりも低い第２の設定温度となると動作不
能状態から動作可能状態に切り換わる。
即ち、トランジスタQ1がオフからオンに切り
換つた瞬間においては、上述したように、トラン
ジスタQ1のコレクタからエミツタに電流（i1＋
i2）が流れる。しかしながら、その後直ちにトラ
ンジスタQ3がオンとなる。このため、定電流源I2
からの電流i2は、ダイオードD1，D2があることか
らトランジスタQ1には流れ込まず、トランジス
タQ3に流れ込む。これによりトランジスタQ1の
コレクタからエミツタに流れる電流は（i1＋i2）
からi1に減少する。ここで、例えば、i1＜i2に設
定しておけば、その減少率は大きなものとなる。
このように、トランジスタQ1に流れ込む電流が
減少すると、そのトランジスタQ1の動作ベー
ス・エミツタ電圧が低下する。即ち、このトラン
ジスタQ1がオンからオフに切り換わる温度、即
ちICチツプが動作不能状態から動作可能状態に
切り換わる第２の設定温度は上記第１の設定温度
より低いものとなる。
換つた瞬間においては、上述したように、トラン
ジスタQ1のコレクタからエミツタに電流（i1＋
i2）が流れる。しかしながら、その後直ちにトラ
ンジスタQ3がオンとなる。このため、定電流源I2
からの電流i2は、ダイオードD1，D2があることか
らトランジスタQ1には流れ込まず、トランジス
タQ3に流れ込む。これによりトランジスタQ1の
コレクタからエミツタに流れる電流は（i1＋i2）
からi1に減少する。ここで、例えば、i1＜i2に設
定しておけば、その減少率は大きなものとなる。
このように、トランジスタQ1に流れ込む電流が
減少すると、そのトランジスタQ1の動作ベー
ス・エミツタ電圧が低下する。即ち、このトラン
ジスタQ1がオンからオフに切り換わる温度、即
ちICチツプが動作不能状態から動作可能状態に
切り換わる第２の設定温度は上記第１の設定温度
より低いものとなる。
なお、上記電源電圧Vccが安定化電源である場
合には、定電流源I1〜I3に代えて抵抗を用いるこ
ともできる。また、上記ダイオードD2は、回路
構成をより簡単なものとする場合には、省略する
こともできる。
合には、定電流源I1〜I3に代えて抵抗を用いるこ
ともできる。また、上記ダイオードD2は、回路
構成をより簡単なものとする場合には、省略する
こともできる。
次に、第１図の回路に基づく計算例を示す。
今、周囲温度Ta＝25℃におけるトランジスタ
Q1の動作ベース・エミツタ電圧VBEを0.7Vとし、
その温度特性を−２ｍＶ／℃、検出温度（第１の
設定温度）を150℃と設定する。この場合におけ
る、第１の設定温度での動作ベース・エミツタ電
圧の変化分ΔVBEは、 ΔVBE＝−２（150−25）＝−250（ｍＶ） となる。よつて、第１の設定温度での動作ベー
ス・エミツタ電圧VBE′は、 VBE′＝0.7−0.25＝0.45(V) となる。
Q1の動作ベース・エミツタ電圧VBEを0.7Vとし、
その温度特性を−２ｍＶ／℃、検出温度（第１の
設定温度）を150℃と設定する。この場合におけ
る、第１の設定温度での動作ベース・エミツタ電
圧の変化分ΔVBEは、 ΔVBE＝−２（150−25）＝−250（ｍＶ） となる。よつて、第１の設定温度での動作ベー
ス・エミツタ電圧VBE′は、 VBE′＝0.7−0.25＝0.45(V) となる。
(1) 上記の場合において、i1＝20μA、i2＝200μA
としたときの第２の設定温度を求める。
としたときの第２の設定温度を求める。
トランジスタQ1がオフからオンに切り換わ
る瞬間における電流は（i1＋i2）であり、オン
からオフに切り換わる時の電流はi1であること
から、 ΔVBE＝25.7lni0／i1＝61.6（ｍＶ） ∴ΔT＝61.6／２＝30.8（℃） ∴Ｔ（オン→オフ）＝150−30.8＝119.2（℃） 即ち、第１の設定温度は150℃であるのに対
し、第２の設定温度119.2℃となる。
る瞬間における電流は（i1＋i2）であり、オン
からオフに切り換わる時の電流はi1であること
から、 ΔVBE＝25.7lni0／i1＝61.6（ｍＶ） ∴ΔT＝61.6／２＝30.8（℃） ∴Ｔ（オン→オフ）＝150−30.8＝119.2（℃） 即ち、第１の設定温度は150℃であるのに対
し、第２の設定温度119.2℃となる。
(2) 次に、第２の設定温度を100℃、i1＝20μAと
した場合にi2がいくらになるかを求める。
した場合にi2がいくらになるかを求める。
ΔVBE＝−２ｍＶ×50＝100ｍＶ
であることから、
100ｍＶ＝25.7lni0／20
∴lni0／20＝100／25.7
∴i0／20＝eX3.89
∴ i0＝20×48.9＝978（μA）
∴ i2≒958（μA）
即ち、i2は958μAとなる。
本発明によれば、温度上昇に伴つて第１のトラ
ンジスタがオフからオンに切り換わつた当初は、
第１のトランジスタに第１及び第２の定電流の和
電流を流し、その後第２のトランジスタがオンし
た後は第１のトランジスタに流れる電流を第１の
定電流のみに減らすようにしたので、温度下降に
伴つて第１のトランジスタがオンからオフへ切り
換わる温度を、オフからオンに切り換わる温度よ
りも低くすることができ、よつて第１のトランジ
スタに基いて半導体装置を動作状態と非動作状態
とに切り換えれば、半導体装置の発熱量を低く抑
えて、劣化や破壊を確実に防止することができ
る。さらに、第１及び第２の定電流値並びに両者
の比率を変えることにより、第１のトランジスタ
のオンからオフへ切り換わる温度とオフからオン
へ切り換わる温度のヒステリシス幅を容易に変え
ることができる。
ンジスタがオフからオンに切り換わつた当初は、
第１のトランジスタに第１及び第２の定電流の和
電流を流し、その後第２のトランジスタがオンし
た後は第１のトランジスタに流れる電流を第１の
定電流のみに減らすようにしたので、温度下降に
伴つて第１のトランジスタがオンからオフへ切り
換わる温度を、オフからオンに切り換わる温度よ
りも低くすることができ、よつて第１のトランジ
スタに基いて半導体装置を動作状態と非動作状態
とに切り換えれば、半導体装置の発熱量を低く抑
えて、劣化や破壊を確実に防止することができ
る。さらに、第１及び第２の定電流値並びに両者
の比率を変えることにより、第１のトランジスタ
のオンからオフへ切り換わる温度とオフからオン
へ切り換わる温度のヒステリシス幅を容易に変え
ることができる。
第１図は本発明の実施例の回路図である。
Vcc……電源電圧、GND……接地、Q1……（第
１の）トランジスタ、R1，R2……抵抗（基準電
圧印加手段）、D1……ダイオード、Q3……（第２
の）トランジスタ、Q2……トランジスタ（切換
手段）、I1……第１の定電流供給手段、I2……第
２の定電流供給手段。
１の）トランジスタ、R1，R2……抵抗（基準電
圧印加手段）、D1……ダイオード、Q3……（第２
の）トランジスタ、Q2……トランジスタ（切換
手段）、I1……第１の定電流供給手段、I2……第
２の定電流供給手段。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電源の両端に直列に接続された、第１の定電
流を供給する第１の定電流供給手段、及び第１の
トランジスタと、 電源の両端に直列に接続された、第２の定電流
を供給する第２の定電流供給手段、及び第２のト
ランジスタと、 上記第１のトランジスタのベースとエミツタの
間に基準電圧を加える基準電圧印加手段と、 上記第２の定電流供給手段の出力端を上記第１
の定電流供給手段の出力端に順方向に接続するダ
イオードと、 前記第１の定電流供給手段の出力端と基準電位
との間に接続され、前記第１のトランジスタのオ
フ時にはそれに伴つてオンして前記第２のトラン
ジスタをオフさせ、前記第１のトランジスタのオ
ン時にはそれに伴つてオフして前記第２のトラン
ジスタをオンさせるスイツチング手段と、 を備えることを特徴とする半導体装置用過熱保護
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30707687A JPH01147849A (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | 半導体装置用過熱保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30707687A JPH01147849A (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | 半導体装置用過熱保護回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01147849A JPH01147849A (ja) | 1989-06-09 |
| JPH0580152B2 true JPH0580152B2 (ja) | 1993-11-08 |
Family
ID=17964748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30707687A Granted JPH01147849A (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | 半導体装置用過熱保護回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01147849A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6042624A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-06 | Nec Corp | 温度検出回路 |
| JPS60183760A (ja) * | 1984-03-01 | 1985-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置における熱遮断回路 |
-
1987
- 1987-12-04 JP JP30707687A patent/JPH01147849A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6042624A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-06 | Nec Corp | 温度検出回路 |
| JPS60183760A (ja) * | 1984-03-01 | 1985-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置における熱遮断回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01147849A (ja) | 1989-06-09 |
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