JPS6215838A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPS6215838A
JPS6215838A JP15399885A JP15399885A JPS6215838A JP S6215838 A JPS6215838 A JP S6215838A JP 15399885 A JP15399885 A JP 15399885A JP 15399885 A JP15399885 A JP 15399885A JP S6215838 A JPS6215838 A JP S6215838A
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lead frame
semiconductor device
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JP15399885A
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Masaaki Sato
正昭 佐藤
Fusaji Shoji
房次 庄子
Mitsuo Nakatani
中谷 光雄
Aizo Kaneda
金田 愛三
Takeshi Komaru
小丸 健
Yoshiaki Wakashima
若島 喜昭
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、半導体装置の構造に関し、特にEPROM(
エラーサプル・アンド・フログラマプル・リード・オン
リイ・メモリ、Erazablgand、 Progr
amncablg Read 0nly Mgntor
y )等の、パッケージに窓を有する樹脂封止型半導体
装置に関する。
〔発明の背景〕
一般に、EFROM装置は、外部から紫外線の照射を受
けることができるように、サファイア、透明アルミナ、
tたは石英ガラスなどの透光部材が取り付けられたセラ
ミックパッケージによシ、半導体素子が封止されている
。ところが、このような構造では、封止部材が高価であ
シ、透光部材の貼付けや埋込みのために特別の工程が必
要であり、他の半導体装置で行なわれている樹脂モール
ドに比べ高価となる。これを解決するものとして、特開
昭57−42152号公報。
特開昭59−167037号公報等にみられるように。
樹脂すなわちプラスチック材料を用いて半導体素子を封
止する構造が知られている。
第3図は従来技術による樹脂刺止型半導体装置の一例と
してEFROM半導体装置の構造を示す断面図であって
、1は半導体素子、2はマウント材料、3はリードフレ
ームのアイランド、4はボンディング線、5はリードフ
レームのリード部、6は透光性接着剤、7は透光部材、
8はリードフレームの外部リード部、9は樹脂、である
同図において、半導体素子1はマウント部材2を介して
リードフレームのアイランド6に装着される。また、半
導体素子1はボンディング線4を介してリードフレーム
のリード部5に接続されている。半導体素子1上には、
透光性接着剤6にて透光部材7が接着されている。透光
部材7の、その接着面に対向する他の一面と、リードフ
レームの外部リード部8が露出するように#脂9により
全体が封止されている。上記した第5図の構造は、透光
部材7を透明接着剤6で半導体素子1上に接着し、それ
をトランスファモールド等により樹脂封止することによ
り形成される。
しかしながら、このように形成された半導体装置では、
透光部材7と封止用の樹脂9が接しており、これら両者
の熱膨張係数が異っているため、温度変化によって接着
面に応力が発生する。そのために、厳しいヒートサイク
ル等により接着界面の剥離、封止樹脂や透光部材のクラ
ックが発生する等の欠点があった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を解消し、耐ヒー
トサイクル性に優れ、かつ製造工程が間単な樹脂封止型
半導体装置を提供するにある。
〔発明の概要〕
この目的を達成するために、本発明は、透光部材と封止
樹脂との間に緩衝帯となる樹脂層を設着した点に特徴が
ある。
より具体的には、透光部材の一面が外部に露出し、これ
に対向する他の面が半導体素子表面と、残りの他の面が
封止用の樹脂面と透光性樹脂を介して接着するようにし
たものである。
本発明による樹脂封止型半導体装置は、IJ−ドフレー
ムのアイランド上に半導体素子を固着する工程と、前記
リードフレームのリード部と前記半導体素子のポンディ
ングパッド部間を導体線で接続する工程と、前記半導体
素子表面を露出するように前記構造体を樹脂封止する工
程と、透光部材を透光性樹脂にて前記半導体表面と前記
封止樹脂表面に接着する工程を含む製造方法によって製
造する。
本発明による樹脂封止型半導体装置においては、透光部
材と封止樹脂間の熱膨張差による応力は、透光性樹脂に
吸収される為、耐ヒートサイクル性が向上する。
通常、EFROMのメモリ消去は、4.3g〆以上の紫
外線を照射して行なう。そのため、透光部材としては、
上記紫外線を透過させるアルミナ、サファイア、石英ガ
ラス等の無機材料、シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂
、ポリニス系樹脂、ポリプロピレン携樹脂などの有機材
料が用いられる。透光性樹脂としては、上記紫外線を透
過させるエポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂が用いられ
る。透光部材が無機材料の場合、応力緩和の効果をあげ
るため、ゴム状のものが望ましい。
また、封止樹脂は、通常用いられている無機光てん剤を
含むエポキシ系樹脂、ポリフェニレンサルファイド系樹
脂が用いられる。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第1図(αl (Al (olは本発明による樹脂封止
型半導体装置を製造する方法を説明する製造工程図であ
って、1は半導体素子、ここではE P RO−M素子
であシ、2はマウント材、3はリードフレームのアイラ
ンド、4はボンディング用の金線、5はリードフレーム
のリード部、7は透光部材、9はエポキシ系樹脂、1]
はEFROM素子表面、12は空間、13は封止樹脂表
面、14は透光性樹脂である。
同図において%(α)に示すように、先ずEPROM素
子1をエポキシ系ペーストから成るマウント材2でリー
ドフレームのアイランド3上に固定する。次に金線4を
用いてxpRou2子1とリードフレームのリード部5
とをワイヤボンディングする。その後、(h)に示すよ
うに、EPROM素子1をマウントしたリードフレーム
をトランスファモールド用の金型キャビティ内に設置し
、エポキシ系樹脂9を注入し、これを加熱して硬化させ
る。その結果、EFROM素子表面1】は外部に露出し
、その上部には制止樹脂に囲まれた空間12が形成され
る。
そして、[C1に示すように、前記空間12を構成する
EFROM素子表面1]、封止樹脂表面13に2液温合
型のシリコーン樹脂(例えば、東し製のJCR6127
)から成る透光性樹脂14を塗布し、アルミナから成る
透光部材7を設置し1これを150℃で5分間加熱して
硬化させる。
上記の工程により、樹脂封止型半導体装置が得られる。
第2図は、本発明による樹脂封止型半導体装置の他の実
施例を示す断面図であって、透光部材7にはポリゴス系
樹脂、透光性樹脂14にはエポキシ系樹脂をそれぞれ用
い、第2図に示した製造工程により製造したものである
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、透光部材と封止
樹脂との間に緩衝帯となる樹脂層を設けることにより、
耐ヒートサイクル性が向上し、信頼性がすぐれ、簡単な
製造工程によって低価格で製造することができ、上記従
来技術の欠点を除いて優れた機能の樹脂封止型半導体装
置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による樹脂封止型半導体装置を製造する
方法を説明する図であり、同図(α)。 tb+ : (c+は製造工程1頁を示し、第2図は本
発明による樹脂封止型半導体装置の他の実施例を示す断
面図、第5図は従来技術による樹脂封止型半導体装置の
構造を示す断面図である。 1・・・半導体素子    2・・・マウント部材  
   13・・・リードフレームのアイランド 4・・・ボンディング線 5・・・リードフレームのリード部 6・・・透光性接着剤   7・・・透光部材8・・・
リー ドフレームの外部リード部9・・・樹脂    
   1]・・・半導体表面12・・・空間     
  13・・・封止樹脂面1・1・・・透光性樹脂

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体素子と、前記半導体素子の表面に一面を対向配置
    した透光部材と、前記半導体素子を前記透光部材と共に
    前記透光部材の他面が外部に位置するよう封止する封止
    樹脂とを含む樹脂封止型半導体装置において、前記透光
    部材と前記半導体素子及び前記透光部材と前記樹脂との
    間に透光性接着剤の層から成る緩衝帯を設け、前記透光
    部材と前記封止樹脂との熱膨張係数の違いによる応力の
    発生をなくすように構成したことを特徴とする樹脂封止
    型半導体装置。
JP15399885A 1985-07-15 1985-07-15 樹脂封止型半導体装置 Pending JPS6215838A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0582705A1 (en) * 1992-03-02 1994-02-16 Motorola, Inc. Molded ring integrated circuit package

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0582705A1 (en) * 1992-03-02 1994-02-16 Motorola, Inc. Molded ring integrated circuit package
EP0582705A4 (en) * 1992-03-02 1995-02-22 Motorola Inc RING ENVELOPED SEMICONDUCTOR PACK.

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