JPS62155597A

JPS62155597A - 電磁波遮蕨テ−プ

Info

Publication number: JPS62155597A
Application number: JP61211717A
Authority: JP
Inventors: 正巳小林
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 1985-09-12
Filing date: 1986-09-10
Publication date: 1987-07-10

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕この発明は、電子機器等に関連して用いられる自己粘着
性電磁波遮蔽テープに関する。

〔従来の技術〕

電子機器の応用拡大に伴い、電磁波の障害対策が必要と
なってきた。

このため、電子機器あるいは、その部品などに対する電
磁波遮蔽用として、胴箔、鉄箔、ニッケル箔、アルミニ
ウム箔、ステンレス箔などの金属箔や、ニッケルやアル
ミニウムを蒸着または無電解メッキした繊維の織布など
に粘着剤を塗布し、シート状あるいはテープ状にしたも
のが必要個所に接着貼ｆ寸されて使用されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、銅やアルミニウムは導電性の良好な金属である
ため電界を遮蔽する効果はあるが、磁界に対しては余り
有効でない。また、鉄やニッケルは磁性体であるため磁
界の遮蔽効果はあるが、反面電界に対しては効果が低い
。

現在、種々の電磁波遮蔽方法が開発され応用されている
が、電界、磁界の双方を遮蔽する有効な方法は開発され
ていない。

アモルファス合金は浸れた磁性体であり、特にその透磁
率は群を抜く性能を示し、５，０００〜１５，０００μ
ｍと、ニッケルの４００μ「０に比較し格段に高い透磁
性能を備えたき金であり、従って磁界の遮蔽効果は極め
て高いが、これに反して電界の遮蔽効果は小さい。

本発明者は、アモルファス合金に電導性に優れた銅など
の金属メツＡ−を施ｅば、電界の遮蔽効果は銅などの電
導性金属によって達成し、また、磁界の遮蔽効果はアモ
ルファス合金によって達成する従来にない広範囲の電磁
波遮蔽材となることを、実験的に見出し、本発明を完成
した。

本発明の目的は、電磁波遮蔽性能に優れた自己粘着性テ
ープを提供するにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記の目的は、表面に銅、亜鉛、賜、ニッケル、銀、ア
ルミニウムおよびこれらの合金の中から選ばれた少くと
も一種の金属のメッキ層含有するアモルファス合金の箔
の少くとも片面に粘着剤を介して剥離紙が貼着されてい
ることを特徴とする電磁波遮蔽テープによって達成され
る。

本発明の電磁波遮蔽テープの製作に用いるアモルファス
合金の箔は、その表面に銅、亜鉛、錫、ニッケル、銀、
アルミニウムおよびこれらの合金の中から選ばれた少く
とも一種の金属のメッキ層を有する。メッキ層の厚さは
、通常、０，１μｍ〜２５μ「ｎであり、アモルファス
合金箔の厚さおよび巾は、通常、それぞれ０．０１ｍｍ
〜０．１ｍ＋ａおよび３Ｉ１１ｍ〜２００　＋ｎ　＋ａ
である。このような箔は、通常中２５ｍｍ〜２００　ｎ
＋ｍを有するアモルファス合金フープ材の表面に上述の
メッキ層を形成した後に必要に応じて所定の１１１に８
Ｍ　１ｔｌｉするか、または、該フープ材を所定の巾に
細断した後に上述のメッキ層を形成することによって製
作される。或いは、アモルファス合金を線中箔状に溶融
押出し、冷却して所定中の箔を得、この箔の表面にメッ
キ層を形成することもできる。

アモルファス合金としては、下記式：％式％（式中、Ｘはクロム、モリブデン、タングステン、ニッ
ケルおよびコバルトの中から選ばれた少くとも一種の金
属であり、Ｍは硼素、炭素、燐および珪素の中から選ば
れた少くとも一種の元素であり、ａ、ｂおよびＣはそれ
ぞれＦｅ、ＸおよびＭの原子百分率を表わし、ａ＝６０
〜９０、ｂ＝ｏ　〜１５、Ｃ＝１０〜３５、ａ＋ｂ−１
−ｃ＝１００である。）で表わされる組成を有するもの
が使用される。より好ましくは、下記式：％式％（式中、ｍ　、ｎ　＋　ｌ’　ｒ　ＱはそれぞれＦｅ、
Ｃｒ、ＢおよびＣの原子百分率を表わし、ｔｎ＝７０・
〜８５．１１＝１〜１２、ｐ＝１０　ヘ、１６、ＬＩ＝
１〜．８、　ｍ　＋　＋１−ｔ−ｐ　十ｑ　〜１００で
ある。）で表わされる組成を有するものが使用される。

アモルファス合金は、硝子に似た性質の金属であり、そ
の表面に強固な不動態皮膜が存在しているため、従来、
この合金ｌ＼の金属メッキは不可能視されていた。また
、仮りにこの不動君皮ｊ摸を除去して金属メッキを施し
ても、水素脆性を起こして叩くだけで、あたかも硝子が
破断するように破壊される性質がある。

これは、アモルファスき金が水素貯蔵合金にもなり得る
程、水素を吸収し易い金属であり、メッキ作業の工程中
に発生する水素原子が大量にこの合金に吸収されると、
水素脆性を起こして容易に破断するので、箔の形状を維
持することが出来なかった。

また、水素脆性を起こしたアモルファス合金は物性的に
も劣１ヒして利用できないが、更に電磁波遮蔽用に有効
な優れた電気特性も失われるので、このα金に対するメ
ッキ作業は、−ｉ金属に対する金属メッキと異なり、作
業工程に特殊な技術を必要とする。

アモルファス合金フープ材または箔ｌ＼の上記金属また
はき金のメッキは次のように行うことができる。

先ず、アモルフ７・ス合金フープ材または箔を次の組成
を有する酸性活性化洛中に常温で３０秒〜７分間浸漬処
理して化学的に研摩する。

（ｉ）　　塩酸３〜２０重量％、（ｉｉ）　　硫酸２〜３０重量％、（ｉｉｉ）　　クエン酸２〜１５重呈％、（ｉｖ）　　
酢酸０〜３重量％、（ｖ）　　硝酸２〜１０重量％、（ｖｉ）　　非イオンまたは両性界面活性剤０．１〜０
．３重量％、（ｖｉｉ）　　アミン系廣六防止剤Ｏ〜０．１５重量％
、（ｖｉｉｉ）　　２−ピロリドンまたはそのＮ−アル
キル誘導体（例、Ｎ−エチル〔もしくはメチルクー２−
ピロリドン）０〜２０重Ｍｙ（、（ｉｘ）　　アセチレ
ン系グリコール（例、２−ペンチン−１，４−ジオール
、２−ブチン−１゜４−ジオール）０〜１０重量％。

化学的に研摩したフープ材または箔は、次いで、次の組
成を有する陰極電解浴を用いて電解活性１ヒする。

（ｉ）　　燐酸２〜２０重量％、（ｉｉ）　　硫酸２・〜３０重量％、（ｉｉｉ）　　クエン酸２〜・１５重量％、（ｉｖ）　
　酢酸０〜５重量％、（ｖ）　　非イオンまたは両性界面活性剤０．１〜０．
３重量％、（ｖｉ）　　アミン系腐食防止剤０〜０．１５重量％、
（ｖｉｉ）　　２−ピロリドンまたはそのＮ−アルキル
誘導体０〜２０重量％。

電解活性化は、アモルファス合金をカソードとし、例え
ば白金、メッキ錫アノードを用い常温で電流音度１〜７
Ａ／ｄＪにて３０秒〜５分間電解を行うことにより達成
される。

電解活性化せるフープ材または箔は、直ちに、銅その池
の金属またはｈ金のメッキ工程ｌ＼移ず。

アモルファス合金表面に不動態皮膜が生成するのを阻止
するなめ、フープ材または箔は直ちにメッキ工程で処理
しなζフればならない。メッキの手法そのものは常法に
よって行えばよい。

メッキ層は０．１１ｔｔｎ　〜２５μｍ　、好ましくは
０．３μｍ〜３μｍの厚さを有する。

所定の１１１を有しメッキ層が形成されたアモルファス
な金の箔は、その片面または両面に粘着剤を塗布したう
え、その上に剥離紙を貼付して電磁波遮蔽テープとする
。粘着剤としては一般に自己粘着性テープの調製に常用
されるゴム系およびアクリル樹脂系の粘着剤が用いられ
る。なお、塗布する粘着剤中に炭素粉末および導電性金
属粉末のような導電性材料を配合することができる。導
電性材料の配合によって電子機器等の被接着部材との電
気的接続が確保される。その配６量は得られる粘着剤組
成物の合計重量に基づき５〜・６０重量２６である。

〔発明の効果〕

本発明の電磁波遮蔽テープに用いられているアモルファ
ス合金の苗は優れた電磁波遮蔽効果を奏する。例えば、
厚さ２５．＋ｚ＋ｎのアモルファスａ金のフープ材の素
材を利用した遮蔽材と、同じ厚みの金Ｅフープ材に銅メ
ッキ０．５　μｍｏを施したものとの電磁波遮蔽効果を
比較すると、素材では１００Ｍ１１ｚ〜５００Ｍ１１ｚ
帯の効果が約３５〜４０ｄＢのものが、０．５μ「内の
銅メッキを施すと約６０〜６５ｔｊＢと、遮蔽効果が向
上する。

また、金属メッキを施していないアモルファス合金フー
プ材または箔は折曲げや打抜きの加工が困難であるとと
もに半田１寸けが不可能であるが、金属メッキを施した
アモルファス合金の箔は折曲げや打抜きの加工が容易で
あり、また半田叶けが可能であるという特長をもってい
る。

本発明の自己粘着性電磁波遮蔽シーＩ・は、多くの電子
機器等の簡易電磁波遮蔽材として有用である。このテー
プは、例えば、コンピューターなどの電子機器や各種計
測機類の匣体や内蔵する電子部品の外側に貼付すること
ができる。

〔実施例〕

以下実施例により説明する。

実施例１草子百分率でＦｅ７８％、Ｂ１３％、Ｓｉ９　％の合金
組成を有し、厚さ２５μ−、幅１００ｎ＋ａ＋のアモル
ファス合金フープ材を下記工程を経て銅メッキを施し、
これを所定ＩＪにスリットして電磁波遮蔽テープとじた
。

メッキ工程先ず、トリクレンによる脱脂、洗浄およびアルカリ脱脂
を行った後、次の組成を有する酸性活性化浴を通して化
学的に研摩した。ポリエチレングリコールアルキルエー
テル０．２　重量％、Ｎ−メチル−２−ピロリドン５！
ｉ量％、２−ブチン−１゜４−ジオール１重量％、アミ
ン系腐食防止剤０．１重量％を、３５％塩酸２０容量％
、８５％硫酸１０容旦％、クエン酸粉末１０重量％、９
０％酢酸１容量％、６８％硝酸５容量％からなる混酸ぜ
αに加えて酸性活性化浴とした。

次いで、ポリエチレングリコールアルキルエーテル０．
２重量％、Ｎ−メチル−２−ピロリドン５重量％、アミ
ン系腐食防止剤０．１１１％を、８５％隣酸１０容量％
、８５％硫酸１０容量％、クエン酸粉末５重量％、９０
％酢酸１容量％からなる混酸液に加え、６５℃に加熱し
た。アモルファスき金フープ材およびチタン白金メツキ
板を電極として上記電解洛中で電流を通じ４ボルトにセ
ットしてアモルファス６金フープ材表面の活性化を行っ
た。

活性化アモルファス合金フープ材は、直ちに、硫酸銅１
８０ｇ／Ｖ、硫酸４５ｇ／Ｎのメッキ浴中を２Ａ　／　
Ｄ　ｒｅ２の電流密度で３０秒間メッキして約０．５μ
Ｃ１１の銅メッキを得た。

次いで、錫９０重量％、鉛１０重量％からなる合金の溶
融洛中を通してき金メッキ層を形成した。

スリット工程上記のメッキ工程によって得た銅メッキを施したアモル
ファス合金フープ材を、幅１２　＋１１１ｎの間隔にス
リットする裁断機にセットし、厚み２５μ諭、幅１２１
＋１１１１の８本のアモルファス合金箔を得た。

テープ調製工程得られた合金箔の片面に、銅扮に銀メッキを施した導電
材料を１５重量％混入したゴム系粘着剤を塗布し、さら
に巾１２１＃ｍの剥Ｓ紙を粘着剤の上に連続的に貼付し
て電磁波遮蔽テープを得た。

上記工程によって得た電磁波遮蔽テープをスイッチング
レギュレーターのトランスの外側に貼１寸して発生する
電磁波の遮蔽効果を測定したところ、３０〜１　、００
０Ｍ１１ｚの周波帯に於いて、４５〜６５ｄｌｌの１最
れた遮蔽効果のあることが認められた。

また、銅メッキ層の形成によりアモルファス合金フープ
材の折曲げ性が改良され、任意の角度と形状に加工でき
、作業性にも優れていた。

Claims

【特許請求の範囲】１、表面に銅、亜鉛、錫、ニッケル、銀、アルミニウム
およびこれらの合金の中から選ばれた少くとも一種の金
属のメッキ層を有するアモルファス合金の箔の少くとも
片面に粘着剤を介して剥離紙が貼着されてなることを特
徴とする電磁波遮蔽テープ。２、メッキ層の厚さが０．１μｍ〜２５μｍであり、ア
モルファス合金の箔が厚さ０．０１ｍｍ〜０．１ｍｍ巾
３ｍｍ〜２００ｍｍを有する特許請求の範囲第１項記載
の電磁波遮蔽テープ。３、アモルファス合金が下記式：Ｆｅ＿ａＸ＿ｂＭ＿ｃ（式中、Ｘはクロム、モリブデン、タングステン、ニッ
ケルおよびコバルトの中から選ばれた少くとも一種の金
属であり、Ｍは硼素、炭素、燐および珪素の中から選ば
れた少くとも一種の元素であり、ａ、ｂおよびｃはそれ
ぞれＦｅ、ＸおよびＭの原子百分率を表わし、ａ＝６０
〜９０、ｂ＝０〜１５、ｃ＝１０〜３５、ａ＋ｂ＋ｃ＝
１００である。）で表わされる組成を有する特許請求の
範囲第１項または第２項に記載の電磁波遮蔽テープ。４、アモルファス合金が下記式：Ｆｅ＿ｍＣｒ＿ｎＢ＿ｐＣ＿ｑ（式中、ｍ、ｎ、ｐ、ｑはそれぞれＦｅ、Ｃｒ、Ｂおよ
びＣの原子百分率を表わし、ｍ＝７０〜８５、ｎ＝１〜
１２、ｐ＝１０〜１６、ｑ＝１〜８、ｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑ＝
１００である、）で表わされる組成を有する特許請求の範囲第１項または
第２項に記載の電磁波遮蔽テープ。５、粘着剤中に導電材料が混入されている特許請求の範
囲第１項から第４項までのいずれかに記載の電磁波遮蔽
テープ。