JPH0235480B2 - - Google Patents
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- JPH0235480B2 JPH0235480B2 JP60107060A JP10706085A JPH0235480B2 JP H0235480 B2 JPH0235480 B2 JP H0235480B2 JP 60107060 A JP60107060 A JP 60107060A JP 10706085 A JP10706085 A JP 10706085A JP H0235480 B2 JPH0235480 B2 JP H0235480B2
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Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Hard Magnetic Materials (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子機器などを電磁波から保護する
ための、アモルフアス合金をベースとする電磁波
遮へい材を製造する方法に関する。
ための、アモルフアス合金をベースとする電磁波
遮へい材を製造する方法に関する。
電子機器の高性能化と急激な利用拡大に伴い、
これらの機器の操作を正確に行うため、外部から
の電磁波を遮へいして、室内あるいは車輛などの
内部で操作する電子機器を誤作動などから保護す
る必要がある。
これらの機器の操作を正確に行うため、外部から
の電磁波を遮へいして、室内あるいは車輛などの
内部で操作する電子機器を誤作動などから保護す
る必要がある。
このため、電磁波を遮へいする材料として、
銅、アルミニウム、ニツケル、鉄、亜鉛などの金
属シートが応用され、また、これらの金属の粉末
を合成樹脂に混入したり、あるいはニツケルやア
ルミニウムを繊維に蒸着などして電磁波遮へい材
としている。
銅、アルミニウム、ニツケル、鉄、亜鉛などの金
属シートが応用され、また、これらの金属の粉末
を合成樹脂に混入したり、あるいはニツケルやア
ルミニウムを繊維に蒸着などして電磁波遮へい材
としている。
しかしながら、銅やアルミニウムの電導性に優
れた金属は電界の遮へい効果は顕著だが、磁界の
遮へい効果は劣る。これに反し、ニツケルや鉄の
ような磁性体の金属は磁界の遮へいには有効だ
が、電界の遮へい効果は少ない。また、繊維に金
属を蒸着したものは蒸着金属の量と厚みが小さい
ため、電界、磁界双方ともに遮へい効果が低い。
れた金属は電界の遮へい効果は顕著だが、磁界の
遮へい効果は劣る。これに反し、ニツケルや鉄の
ような磁性体の金属は磁界の遮へいには有効だ
が、電界の遮へい効果は少ない。また、繊維に金
属を蒸着したものは蒸着金属の量と厚みが小さい
ため、電界、磁界双方ともに遮へい効果が低い。
アモルフアス合金は、優れた透磁率を示し、そ
の合金組成によつては透磁率は約600000μmにも
達する。従つて、磁界の遮へい効果に優れている
が、電導性が低いので電界の遮へいに対しては効
果が低い。
の合金組成によつては透磁率は約600000μmにも
達する。従つて、磁界の遮へい効果に優れている
が、電導性が低いので電界の遮へいに対しては効
果が低い。
また、アモルフアス合金フープ材は、溶融した
金属をノズルから吐出し、超急冷する方法によつ
て製造されるが、吐出ノズルの幅に制約があつて
広幅の吐出ノズルを利用することができないた
め、現在では厚み25μmのもので幅約200mmが広
幅フープ材の限界である。この巾の狭いフープ材
では建造物の外壁などに貼りつけることは作業性
に劣ることはもとより、隣接するフープ材の間〓
から電磁波の漏洩を生じるおそれがあり、電磁波
の遮へい効果を高度にあげることが難しい。アモ
ルフアス合金フープ材の幅を広げる方法として、
溶接による接続が考えられるが、アモルフアス合
金は高温にさらされると、この合金特有の電気特
性を失うと共に脆くなり溶接箇所から破断するの
で、溶接法は利用できない。また、接着剤によつ
て接続する方法があるが、アモルフアス合金の表
面には強固な不動態皮膜が存在するので、接着剤
ののりが悪く満足のいく接着ができず、また接着
させても経年変化による接着性の劣化が問題とな
る。
金属をノズルから吐出し、超急冷する方法によつ
て製造されるが、吐出ノズルの幅に制約があつて
広幅の吐出ノズルを利用することができないた
め、現在では厚み25μmのもので幅約200mmが広
幅フープ材の限界である。この巾の狭いフープ材
では建造物の外壁などに貼りつけることは作業性
に劣ることはもとより、隣接するフープ材の間〓
から電磁波の漏洩を生じるおそれがあり、電磁波
の遮へい効果を高度にあげることが難しい。アモ
ルフアス合金フープ材の幅を広げる方法として、
溶接による接続が考えられるが、アモルフアス合
金は高温にさらされると、この合金特有の電気特
性を失うと共に脆くなり溶接箇所から破断するの
で、溶接法は利用できない。また、接着剤によつ
て接続する方法があるが、アモルフアス合金の表
面には強固な不動態皮膜が存在するので、接着剤
ののりが悪く満足のいく接着ができず、また接着
させても経年変化による接着性の劣化が問題とな
る。
本発明の目的は、電界および磁界の双方に対し
非常に良好な遮へい効果を示し且つ任意の広巾を
有する電磁波遮へい材を提供するにある。
非常に良好な遮へい効果を示し且つ任意の広巾を
有する電磁波遮へい材を提供するにある。
上記の目的は、アモルフアス合金フープ材に、
銅、ニツケル、亜鉛、錫および銀の中から選ばれ
た金属またはこれらの金属の合金のメツキを施す
工程と、メツキを施した複数の該アモルフアス合
金フープ材の両側端部をはんだ付けにより接合し
て広幅にする工程と、広幅にしたアモルフアス合
金フープ材を焼鈍する工程とよりなることを特徴
とする電磁波遮へい材の製造方法によつて達成さ
れる。
銅、ニツケル、亜鉛、錫および銀の中から選ばれ
た金属またはこれらの金属の合金のメツキを施す
工程と、メツキを施した複数の該アモルフアス合
金フープ材の両側端部をはんだ付けにより接合し
て広幅にする工程と、広幅にしたアモルフアス合
金フープ材を焼鈍する工程とよりなることを特徴
とする電磁波遮へい材の製造方法によつて達成さ
れる。
アモルフアス合金としては、一般に常用される
タイプのもの、すなわち、(イ)鉄、コバルトおよび
ニツケルの中から選ばれた少くとも一種の金属10
〜95重量%、(ロ)珪、ほう素、炭素、燐およびアル
ミニウムの中から選ばれた少くとも一種の元素5
〜70重量%、ならびにチタン、クロム、モリブデ
ン、マンガン、ジルコニウム、ネオジミウム、ハ
フニウム、タングステンおよびニオブの中から選
ばれた少くとも一種の金属0〜30重量%からなる
ものが用いられる。アモルフアス合金フープ材
は、通常0.01mm〜0.1mmの厚さを有する。
タイプのもの、すなわち、(イ)鉄、コバルトおよび
ニツケルの中から選ばれた少くとも一種の金属10
〜95重量%、(ロ)珪、ほう素、炭素、燐およびアル
ミニウムの中から選ばれた少くとも一種の元素5
〜70重量%、ならびにチタン、クロム、モリブデ
ン、マンガン、ジルコニウム、ネオジミウム、ハ
フニウム、タングステンおよびニオブの中から選
ばれた少くとも一種の金属0〜30重量%からなる
ものが用いられる。アモルフアス合金フープ材
は、通常0.01mm〜0.1mmの厚さを有する。
アモルフアス合金は、硝子に似た性質の金属で
あり、その表面に強固な不動態皮膜が存在してい
るため、従来、この合金への金属メツキは不可能
視されていた。また、仮りにこの不動態皮膜を除
去して金属メツキを施しても、水素脆性を示し、
あたかも硝子が破断するように容易に配壊される
性質がある。すなわち、アモルフアス合金が水素
貯蔵合金にもなり得る程、水素を吸収し易い金属
であり、メツキ作業の工程中に発生する水素原子
が大量にこの合金に吸収されると、水素脆性を示
して容易に破断するので、箔の形状を維持するこ
とが出来なかつたのである。
あり、その表面に強固な不動態皮膜が存在してい
るため、従来、この合金への金属メツキは不可能
視されていた。また、仮りにこの不動態皮膜を除
去して金属メツキを施しても、水素脆性を示し、
あたかも硝子が破断するように容易に配壊される
性質がある。すなわち、アモルフアス合金が水素
貯蔵合金にもなり得る程、水素を吸収し易い金属
であり、メツキ作業の工程中に発生する水素原子
が大量にこの合金に吸収されると、水素脆性を示
して容易に破断するので、箔の形状を維持するこ
とが出来なかつたのである。
また、水素脆性を示すアモルフアス合金は物性
的にも劣化して利用できないが、更に電磁波遮へ
い用に有効な優れた電気特性も失われるので、こ
の合金に対するメツキ作業は、一般金属に対する
金属メツキと異なり、作業工程に特殊な技術を必
要とする。
的にも劣化して利用できないが、更に電磁波遮へ
い用に有効な優れた電気特性も失われるので、こ
の合金に対するメツキ作業は、一般金属に対する
金属メツキと異なり、作業工程に特殊な技術を必
要とする。
アモルフアス合金フープ材または箔への上記金
属または合金のメツキは、本出願人の先願に係る
特願昭60−000122号に記載される方法によつて行
うことができる。すなわち、塩酸(35%溶液)15
〜25容量%、硫酸(85%溶液)5〜15容量%、ク
エン酸粉末5〜15重量%、酢酸(90%溶液)0.5
〜1.5容量%、硝酸(68%溶液)0〜6容量%、
好ましくは4〜6容量%、非イオンまたは両性界
面活性剤0.1〜0.3重量%、アミン系腐蝕抑制剤
0.05〜0.15重量%を配合した酸性活性化浴を用い
てアモルフアス合金を浸漬または電解処理する化
学研磨工程と、燐酸(85%溶液)5〜15容量%、
硫酸(85%溶液)5〜15容量%、クエン酸粉末5
〜15重量%、酢酸(90%溶液)0〜1.5容量%、
好ましくは0.5〜1.5容量%、非イオンまたは両性
界面活性剤0.1〜0.3重量%、アミン系腐蝕抑制剤
0〜0.15重量%、好ましくは0.05〜0.15重量%を
配合した陰極電解浴を用いて、上記アモルフアス
合金を活性化する電解活性化工程を経たうえ、電
解メツキを行う。
属または合金のメツキは、本出願人の先願に係る
特願昭60−000122号に記載される方法によつて行
うことができる。すなわち、塩酸(35%溶液)15
〜25容量%、硫酸(85%溶液)5〜15容量%、ク
エン酸粉末5〜15重量%、酢酸(90%溶液)0.5
〜1.5容量%、硝酸(68%溶液)0〜6容量%、
好ましくは4〜6容量%、非イオンまたは両性界
面活性剤0.1〜0.3重量%、アミン系腐蝕抑制剤
0.05〜0.15重量%を配合した酸性活性化浴を用い
てアモルフアス合金を浸漬または電解処理する化
学研磨工程と、燐酸(85%溶液)5〜15容量%、
硫酸(85%溶液)5〜15容量%、クエン酸粉末5
〜15重量%、酢酸(90%溶液)0〜1.5容量%、
好ましくは0.5〜1.5容量%、非イオンまたは両性
界面活性剤0.1〜0.3重量%、アミン系腐蝕抑制剤
0〜0.15重量%、好ましくは0.05〜0.15重量%を
配合した陰極電解浴を用いて、上記アモルフアス
合金を活性化する電解活性化工程を経たうえ、電
解メツキを行う。
電解活性化せるフープ材または箔は、直ちに、
銅その他の金属または合金のメツキ工程へ移す。
アモルフアス合金表面に不動態皮膜が生成するの
を阻止するため、フープ材または箔は直ちにメツ
キ工程で処理しなければならない。メツキの手法
そのものは常法によつて行えばよい。メツキ層を
形成する金属としては、銅、ニツケル、亜鉛およ
び銀などが用いられる。また、特願昭60−000122
号に記載されるように錫も使用できる。さらに、
これらの金属の合金、例えば、真ちゆうも使用で
きる。
銅その他の金属または合金のメツキ工程へ移す。
アモルフアス合金表面に不動態皮膜が生成するの
を阻止するため、フープ材または箔は直ちにメツ
キ工程で処理しなければならない。メツキの手法
そのものは常法によつて行えばよい。メツキ層を
形成する金属としては、銅、ニツケル、亜鉛およ
び銀などが用いられる。また、特願昭60−000122
号に記載されるように錫も使用できる。さらに、
これらの金属の合金、例えば、真ちゆうも使用で
きる。
メツキ層は0.1μm〜25μm、好ましくは0.3μm
〜5μmの厚さを有する。
〜5μmの厚さを有する。
金属メツキせるアモルフアス合金フープ材を広
巾にする場合は、金属メツキを施したアモルフア
ス合金フープ材の端縁部を約5mm重ね合せ、その
間にはんだ箔を挿入して熱圧着するか、糸はんだ
で端部をはんだ付する方法等により任意の広幅を
有するアモルフアス合金箔が得られる。例えば、
銅メツキを施した幅150mm、長さ100mのアモルフ
アス合金フープ材7枚の端部を約5mmの幅で重
ね、重ね部分をはんだで接着して幅約1m、長さ
100mの広幅のアモルフアス合金フープ材が得ら
れる。従来、アモルフアス合金のフープ材にメツ
キを施すことは困難とされていたが、上述のよう
なメツキ手法に従えばメツキを施すことができ、
その結果、はんだ付が容易となつた。
巾にする場合は、金属メツキを施したアモルフア
ス合金フープ材の端縁部を約5mm重ね合せ、その
間にはんだ箔を挿入して熱圧着するか、糸はんだ
で端部をはんだ付する方法等により任意の広幅を
有するアモルフアス合金箔が得られる。例えば、
銅メツキを施した幅150mm、長さ100mのアモルフ
アス合金フープ材7枚の端部を約5mmの幅で重
ね、重ね部分をはんだで接着して幅約1m、長さ
100mの広幅のアモルフアス合金フープ材が得ら
れる。従来、アモルフアス合金のフープ材にメツ
キを施すことは困難とされていたが、上述のよう
なメツキ手法に従えばメツキを施すことができ、
その結果、はんだ付が容易となつた。
広幅にしたフープ材は、透磁率の向上と合金組
成、性状の安定化のために焼鈍する。焼鈍は、窒
素ガスその他の不活性ガス中で加熱することによ
つて行う。加熱温度は、主としてアモルフアス合
金の組成に依存して変る。例えば、Ni、Fe、
Mo、Bからなる合金では比較的低い280〜360℃
程度が好ましく、また、Fe、Si、Bからなる合
金では比較的高い380〜400℃程度が好ましい。加
熱時間は数分間〜2時間の範囲で適宜選定すれば
よい。
成、性状の安定化のために焼鈍する。焼鈍は、窒
素ガスその他の不活性ガス中で加熱することによ
つて行う。加熱温度は、主としてアモルフアス合
金の組成に依存して変る。例えば、Ni、Fe、
Mo、Bからなる合金では比較的低い280〜360℃
程度が好ましく、また、Fe、Si、Bからなる合
金では比較的高い380〜400℃程度が好ましい。加
熱時間は数分間〜2時間の範囲で適宜選定すれば
よい。
本発明の方法により得られたアモルフアス合金
フープ材は、目的とする構築物の全面に貼りつ
け、その上から補強材を取りつけることができ、
また、アモルフアス合金フープ材を規格寸法の建
材に貼り、この板を電子機器を設置した建造物の
外壁に貼りつけ、電磁波遮へい効果を達成するこ
とができる。
フープ材は、目的とする構築物の全面に貼りつ
け、その上から補強材を取りつけることができ、
また、アモルフアス合金フープ材を規格寸法の建
材に貼り、この板を電子機器を設置した建造物の
外壁に貼りつけ、電磁波遮へい効果を達成するこ
とができる。
本発明方法によつて得られる電磁波遮へい材を
構成するアモルフアス合金のフープ材または箔
は、導電性金属メツキ層が形成され、さらに焼鈍
されていることが相まつて非常に優れた電磁波遮
へい能を示す。また、上記電磁波遮へい材は、メ
ツキ層を有するため折曲げ加工性および打抜加工
性に優れている。
構成するアモルフアス合金のフープ材または箔
は、導電性金属メツキ層が形成され、さらに焼鈍
されていることが相まつて非常に優れた電磁波遮
へい能を示す。また、上記電磁波遮へい材は、メ
ツキ層を有するため折曲げ加工性および打抜加工
性に優れている。
以下、実施例について本発明を具体的に説明す
る。
る。
Ni44重量%、Fe44重量%、Mo8重量%、B4重
量%の組成を有し、厚さ25μm、幅150mm、長さ
700mのフープ状のアモルフアス合金を、次の工
程を経て、幅約1m、長さ100mの広幅のフープ
材とした。
量%の組成を有し、厚さ25μm、幅150mm、長さ
700mのフープ状のアモルフアス合金を、次の工
程を経て、幅約1m、長さ100mの広幅のフープ
材とした。
メツキ工程
先ず、トリクレンによる脱脂、洗浄およびアル
カリ脱脂を行つた後、次の組成を有する酸性活性
化浴を通して化学的に研磨した。ポリエチレング
リコールアルキルエーテル0.2重量%、N−メチ
ル−2−ピロリドン5重量%、2−ブチン−1,
4−ジオール1重量%、アミン系腐蝕防止材0.1
重量%を、35%塩酸20容量%、85%硫酸10容量
%、クエン酸粉末10重量%、90%酢酸1容量%、
68%硝酸5容量%からなる混酸液に加えて酸性活
性化浴とした。
カリ脱脂を行つた後、次の組成を有する酸性活性
化浴を通して化学的に研磨した。ポリエチレング
リコールアルキルエーテル0.2重量%、N−メチ
ル−2−ピロリドン5重量%、2−ブチン−1,
4−ジオール1重量%、アミン系腐蝕防止材0.1
重量%を、35%塩酸20容量%、85%硫酸10容量
%、クエン酸粉末10重量%、90%酢酸1容量%、
68%硝酸5容量%からなる混酸液に加えて酸性活
性化浴とした。
次いで、ポリエチレングリコールアルキルエー
テル0.2重量%、N−メチル−2−ピロリドン5
重量%、アミン系腐蝕防止材0.1重量%を、85%
燐酸10容量%、85%硫酸10容量%、クエン酸粉末
5重量%、90%酢酸1容量%からなる混酸液に加
え、65℃に加熱した。アモルフアス合金フープ材
およびチタン白金メツキ板を電極として上記電解
浴中で電流を通じてアモルフアス合金フープ材表
面の活性化を行つた。
テル0.2重量%、N−メチル−2−ピロリドン5
重量%、アミン系腐蝕防止材0.1重量%を、85%
燐酸10容量%、85%硫酸10容量%、クエン酸粉末
5重量%、90%酢酸1容量%からなる混酸液に加
え、65℃に加熱した。アモルフアス合金フープ材
およびチタン白金メツキ板を電極として上記電解
浴中で電流を通じてアモルフアス合金フープ材表
面の活性化を行つた。
活性化アモルフアス合金フープ材は、直ちに、
硫酸銅180g/、硫酸45g/のメツキ浴中を
2.5A/Dm2の電流密度でメツキして約3μmの銅
メツキを得た。
硫酸銅180g/、硫酸45g/のメツキ浴中を
2.5A/Dm2の電流密度でメツキして約3μmの銅
メツキを得た。
はんだ付け工程
銅メツキを施した該アモルフアス合金フープ材
を100m宛に切断し7枚のフープ材とし、このフ
ープ材の両端を約5mmの幅で重ね合せ、重ね合せ
部分に錫6、鉛4の重量比組成のはんだ箔の幅5
mmのテープを挾み、約250℃に加温した金属ロー
ルで熱圧着し、幅約1m、長さ100mの広幅のア
モルフアス合金フープ材を得た。
を100m宛に切断し7枚のフープ材とし、このフ
ープ材の両端を約5mmの幅で重ね合せ、重ね合せ
部分に錫6、鉛4の重量比組成のはんだ箔の幅5
mmのテープを挾み、約250℃に加温した金属ロー
ルで熱圧着し、幅約1m、長さ100mの広幅のア
モルフアス合金フープ材を得た。
焼鈍工程
上記工程によつて得られた1mの幅のアモルフ
アス合金フープ材を、窒素ガス雰囲気中で、355
℃にセツトした焼鈍炉中を5分間で通過させ焼鈍
した。
アス合金フープ材を、窒素ガス雰囲気中で、355
℃にセツトした焼鈍炉中を5分間で通過させ焼鈍
した。
上記のように得た、電磁波遮へい用の広幅のア
モルフアス合金フープ材を用い、電子計測機を設
置した計測室の全面に、間〓なく該フープ材を貼
りつけた。
モルフアス合金フープ材を用い、電子計測機を設
置した計測室の全面に、間〓なく該フープ材を貼
りつけた。
この結果、従来、計測中に発生した電磁波によ
る障害はなくなり、外部からの電磁波が、このア
モルフアス合金フープ材によつて遮へいされたこ
とが認められた。
る障害はなくなり、外部からの電磁波が、このア
モルフアス合金フープ材によつて遮へいされたこ
とが認められた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 アモルフアス合金フープ材に、銅、ニツケ
ル、亜鉛および銀の中から選ばれた金属またはこ
れらの金属の合金のメツキを施す工程と メツキを施した複数の該アモルフアス合金フー
プ材の両側端部をはんだ付けにより接合して広幅
にする工程と 広幅にしたアモルフアス合金フープ材を焼鈍す
る工程と よりなることを特徴とする電磁波遮へい材の製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60107060A JPS61265900A (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | 電磁波遮へい材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60107060A JPS61265900A (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | 電磁波遮へい材の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61265900A JPS61265900A (ja) | 1986-11-25 |
JPH0235480B2 true JPH0235480B2 (ja) | 1990-08-10 |
Family
ID=14449479
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60107060A Granted JPS61265900A (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | 電磁波遮へい材の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61265900A (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS634699A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-09 | 平岡織染株式会社 | 広幅長尺のアモルファス金属積層シートおよびその製造方法 |
JPS647597A (en) * | 1987-02-16 | 1989-01-11 | Nippon Steel Corp | Magnetic shielding material |
JP2721129B2 (ja) * | 1987-03-25 | 1998-03-04 | 平岡織染株式会社 | アモルファス金属薄膜積層体 |
JP2721128B2 (ja) * | 1987-03-25 | 1998-03-04 | 平岡織染株式会社 | アモルファス金属薄膜積層体 |
JP2723442B2 (ja) * | 1987-03-25 | 1998-03-09 | 平岡織染株式会社 | 電磁波シールド性アモルファス金属薄膜積層シート |
JP2546588B2 (ja) * | 1987-03-25 | 1996-10-23 | 平岡織染 株式会社 | アモルファス金属薄膜積層シート |
JPH01117395A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-10 | Hiraoka & Co Ltd | 電磁波シールド性積層シート |
JPH0770855B2 (ja) * | 1990-11-06 | 1995-07-31 | 平岡織染株式会社 | 壁面上において電磁波シールド性壁装材料を形成する方法 |
JP2591585B2 (ja) * | 1993-10-18 | 1997-03-19 | 平岡織染株式会社 | 電磁波シールド性積層シート |
JP2591586B2 (ja) * | 1993-10-18 | 1997-03-19 | 平岡織染株式会社 | 電磁波シールド性積層シート |
-
1985
- 1985-05-21 JP JP60107060A patent/JPS61265900A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61265900A (ja) | 1986-11-25 |
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