JPS62155273A - ピラゾ−ルスルホンアミド誘導体、製法および除草剤 - Google Patents
ピラゾ−ルスルホンアミド誘導体、製法および除草剤Info
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- JPS62155273A JPS62155273A JP29547685A JP29547685A JPS62155273A JP S62155273 A JPS62155273 A JP S62155273A JP 29547685 A JP29547685 A JP 29547685A JP 29547685 A JP29547685 A JP 29547685A JP S62155273 A JPS62155273 A JP S62155273A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は新規なピラゾールスルホンアミド誘導体、当該
化合物の製法および当該化合物を有効成分とする除草剤
に関するものである。 イネ、小麦、ワタ、ビート等重
要な作物を雑草害から守り増収をはかる為に除草剤を使
用することは欠くことができない。特に近年はこれらの
有用作物と雑草の混在する耕地において、作物と雑草の
茎葉部へ同時処理しても作物に対して薬害を示さず雑草
のみを選択的に枯殺しうる選択性除草剤が望まれている
。また、環境汚染防止、輸送、散布の際の経済コスト低
減等の観点から、できるだけ低薬量で高い除草効果をあ
げる化合物の探索研究が長年にわたり続けられている。 このような特性を有する化合物のいくつかは選択性除草
剤として現在使用されているが、以前としてこれらの性
質を備える新しい化合物の需要も存在する。 本発明者らは、重要作物に対して選択性のある除草剤を
開発するため長年にわたる研讃をつづけ殺草力のより高
い、かつ選択性をもつ化合物を生み出すべ（、多くの化
合物についてその除草特性を検討してきた。、その結果
前記一般式（１）
化合物の製法および当該化合物を有効成分とする除草剤
に関するものである。 イネ、小麦、ワタ、ビート等重
要な作物を雑草害から守り増収をはかる為に除草剤を使
用することは欠くことができない。特に近年はこれらの
有用作物と雑草の混在する耕地において、作物と雑草の
茎葉部へ同時処理しても作物に対して薬害を示さず雑草
のみを選択的に枯殺しうる選択性除草剤が望まれている
。また、環境汚染防止、輸送、散布の際の経済コスト低
減等の観点から、できるだけ低薬量で高い除草効果をあ
げる化合物の探索研究が長年にわたり続けられている。 このような特性を有する化合物のいくつかは選択性除草
剤として現在使用されているが、以前としてこれらの性
質を備える新しい化合物の需要も存在する。 本発明者らは、重要作物に対して選択性のある除草剤を
開発するため長年にわたる研讃をつづけ殺草力のより高
い、かつ選択性をもつ化合物を生み出すべ（、多くの化
合物についてその除草特性を検討してきた。、その結果
前記一般式（１）
【式中、Ｂ、 Ｄ、Ｑ％ ＋１１ＳＥ
ｓ Ｗ、Ｇは前記と同様の意味を示す。】 で表されるピラゾールスルホンアミド誘導体（以下本発
明化合物と称する）が土壌処理、茎葉処理のいずれの場
合にも多くの雑草に対して強い殺草力を有しかつイネ、
コムギ、ビート等の重要作物に対して高い安全性を有す
ることを見いだして本発明を完成した。一方、本発明化
合物は従来の除草剤に比して非常に低薬量で高い除草活
性を示すことから果樹園、非耕地用の除草剤としても有
用である。 本発明化合物に構造が類似する先行技術と
しては、例えばヨーロッパ特許出願公開番号８７．７８
０号にピラゾールスルホニルウレアが開示されているが
本発明化合物のごとくピラゾールに複素環が置換した化
合物は従来全く知られておらす新規化合物である。 一般式（１）で表される本発明化合物は下記の反応式１
〜３のいずれかを選ぶことにより容易に製造できる。 １） （Ｉ［［） （Ｉ）′
ｓ Ｗ、Ｇは前記と同様の意味を示す。】 で表されるピラゾールスルホンアミド誘導体（以下本発
明化合物と称する）が土壌処理、茎葉処理のいずれの場
合にも多くの雑草に対して強い殺草力を有しかつイネ、
コムギ、ビート等の重要作物に対して高い安全性を有す
ることを見いだして本発明を完成した。一方、本発明化
合物は従来の除草剤に比して非常に低薬量で高い除草活
性を示すことから果樹園、非耕地用の除草剤としても有
用である。 本発明化合物に構造が類似する先行技術と
しては、例えばヨーロッパ特許出願公開番号８７．７８
０号にピラゾールスルホニルウレアが開示されているが
本発明化合物のごとくピラゾールに複素環が置換した化
合物は従来全く知られておらす新規化合物である。 一般式（１）で表される本発明化合物は下記の反応式１
〜３のいずれかを選ぶことにより容易に製造できる。 １） （Ｉ［［） （Ｉ）′
すなわち、ピラゾールスルホニル（チオ）イソシアナー
ト誘導体（ＩＩ）を、充分に乾燥したジオキサン、アセ
トニトリル等の不活性溶媒に溶かし、これに式（Ｉ［［
）で表されるピリミジン、トリアジンまたはトリアゾー
ル誘導体を添加し攪拌することにより、一般的に速やか
に反応して本発明化合物の一部であ、る （Ｉ）′が得
られる。反応が進行しがたい場合には適当な塩基、例え
ばトリエチルアミン、トリエチレンジアミン、ピリジン
、ナトリウムアルコキシド、水素化ナトリウム等の微少
量を添加することにより容易に反応が進行する。 Ｗ′ （、Ｖ） （ＴＶ）ｌ
（１）’ −Ｎ−Ｇ （Ｉ［Ｉ）
ト誘導体（ＩＩ）を、充分に乾燥したジオキサン、アセ
トニトリル等の不活性溶媒に溶かし、これに式（Ｉ［［
）で表されるピリミジン、トリアジンまたはトリアゾー
ル誘導体を添加し攪拌することにより、一般的に速やか
に反応して本発明化合物の一部であ、る （Ｉ）′が得
られる。反応が進行しがたい場合には適当な塩基、例え
ばトリエチルアミン、トリエチレンジアミン、ピリジン
、ナトリウムアルコキシド、水素化ナトリウム等の微少
量を添加することにより容易に反応が進行する。 Ｗ′ （、Ｖ） （ＴＶ）ｌ
（１）’ −Ｎ−Ｇ （Ｉ［Ｉ）
【式中、Ｂ、 ＯＳＱ％ ｍ、 ８％ Ｗ′、Ｇ％
Ｒ２＆は前記と同様の意味を示す。】 すなわち、ピラゾールスルホンアミド誘導体（Ｖ）を、
アセトン、メチルエチルケトン、アセトニトリル等の溶
媒中、炭酸カリウム等の塩基存在下クロルギ酸（チオ）
エステルもしくは炭酸（チオ）エステルと反応させるこ
とにより化合物（ｒＶ）を得る。次いでトルエン等の溶
媒中にて化合物（ＩＩＩ）と加熱することにより本発明
化合物の一部である（Ｉ）′を得ることができる。
Ｒ２＆は前記と同様の意味を示す。】 すなわち、ピラゾールスルホンアミド誘導体（Ｖ）を、
アセトン、メチルエチルケトン、アセトニトリル等の溶
媒中、炭酸カリウム等の塩基存在下クロルギ酸（チオ）
エステルもしくは炭酸（チオ）エステルと反応させるこ
とにより化合物（ｒＶ）を得る。次いでトルエン等の溶
媒中にて化合物（ＩＩＩ）と加熱することにより本発明
化合物の一部である（Ｉ）′を得ることができる。
即ち特開昭５９−１６７５７０号、特開昭６０−６６５
４号および特開昭６０−３６４６７号公報記載の方法に
準じて本発明化合物の一部である上記スルホニルグアニ
ジン型の化合物を合成することができる。 反応式１及び反応式２で用いられる原料のピラゾールス
ルホニル（チオ）イソシアナート（ＩＩ）或いはピラゾ
ールスルホニル（チオ）カーバメート誘導体（ｒＶ）は
以下に記載する方法を適宜選択してピラゾールスルホン
アミド（Ｖ）を合成し、さらにヨーロッパ特許出願公開
Ｎａ８７，７８０号公報及び特開昭５５−１３２６６号
公報報に記載されている方法を参考にして合成できる。 本発明に用いられる中間体のこのピラゾールスルホンア
ミドもまた新規化合物でありこれらは、以下の反応式４
〜９の方法を適宜選択することによって得ることができ
る。 以下余白 及Ｊわ立± （１）ｌ （ｊｌｌ （Ｉｌｌ（
ａｌ （ｂｌ
（Ｖ ）及近濃１ ＨＲ２７（Ｖ’） （ａ） ＮａＮ０ｚ ・ＨＣＩ ｏｒ ＮａＮ０ｚ
・ＨＢｒ（ｂｌ ＳＯｚ ・Ｃｕ塩 （ｅｌ ＮＨｔＯＨまたは炭酸アンモニウム（ｄ） Ｃ
ｕ塩 （ｅ） ＰＯＣＩ３ｏｒ ＰＯＢｒ。 （ｆ）ｐ２ｓ５ （３）ＮａＳＨ （ｈｌ Ｎａ０Ｈ−ＮＨ４０１１・Ｎａ０Ｃ１ｆｉｌ
Ｎａ５ＣＨｚＰｈ ｆｉｌ Ｃ１２／ＣＨ３ＣＯ０Ｈ−ＨｚＯまたはＮａ０
Ｃ１／１（ＣＩ（ｋｌ Ｂ ｕ Ｌ ｉまたはＬｉＮ（
ｉ−Ｐｒ）ｚ次いで、Ｃ１□またはＢｒ２ （１１酸化剤 ｆｍ） １）ＣＩＳＯＪ （２）ＳＯＣｌｚまたはＰＣ
Ｉｓ）（ｎｌ Ｌ ） Ｂ ｕ Ｌ ｉまたはＬｉＮ（
ｉ−Ｐｒ）ｚ ２）ＳＯｚ３）Ｎ−クロルコハク酸イ
ミド （ｏｆ ＣＩＧ（＝Ｓ）ＮＭｅｚ ／塩基（Ｐｌ加熱 （ｑ） Ｒ”Ｈａｌ ／塩基
４号および特開昭６０−３６４６７号公報記載の方法に
準じて本発明化合物の一部である上記スルホニルグアニ
ジン型の化合物を合成することができる。 反応式１及び反応式２で用いられる原料のピラゾールス
ルホニル（チオ）イソシアナート（ＩＩ）或いはピラゾ
ールスルホニル（チオ）カーバメート誘導体（ｒＶ）は
以下に記載する方法を適宜選択してピラゾールスルホン
アミド（Ｖ）を合成し、さらにヨーロッパ特許出願公開
Ｎａ８７，７８０号公報及び特開昭５５−１３２６６号
公報報に記載されている方法を参考にして合成できる。 本発明に用いられる中間体のこのピラゾールスルホンア
ミドもまた新規化合物でありこれらは、以下の反応式４
〜９の方法を適宜選択することによって得ることができ
る。 以下余白 及Ｊわ立± （１）ｌ （ｊｌｌ （Ｉｌｌ（
ａｌ （ｂｌ
（Ｖ ）及近濃１ ＨＲ２７（Ｖ’） （ａ） ＮａＮ０ｚ ・ＨＣＩ ｏｒ ＮａＮ０ｚ
・ＨＢｒ（ｂｌ ＳＯｚ ・Ｃｕ塩 （ｅｌ ＮＨｔＯＨまたは炭酸アンモニウム（ｄ） Ｃ
ｕ塩 （ｅ） ＰＯＣＩ３ｏｒ ＰＯＢｒ。 （ｆ）ｐ２ｓ５ （３）ＮａＳＨ （ｈｌ Ｎａ０Ｈ−ＮＨ４０１１・Ｎａ０Ｃ１ｆｉｌ
Ｎａ５ＣＨｚＰｈ ｆｉｌ Ｃ１２／ＣＨ３ＣＯ０Ｈ−ＨｚＯまたはＮａ０
Ｃ１／１（ＣＩ（ｋｌ Ｂ ｕ Ｌ ｉまたはＬｉＮ（
ｉ−Ｐｒ）ｚ次いで、Ｃ１□またはＢｒ２ （１１酸化剤 ｆｍ） １）ＣＩＳＯＪ （２）ＳＯＣｌｚまたはＰＣ
Ｉｓ）（ｎｌ Ｌ ） Ｂ ｕ Ｌ ｉまたはＬｉＮ（
ｉ−Ｐｒ）ｚ ２）ＳＯｚ３）Ｎ−クロルコハク酸イ
ミド （ｏｆ ＣＩＧ（＝Ｓ）ＮＭｅｚ ／塩基（Ｐｌ加熱 （ｑ） Ｒ”Ｈａｌ ／塩基
【式中、８％ Ｄ、Ｑ、ｍ％ Ｅ％ Ｗ％ Ｇは前記と
同＋ｍの意味を示す。Ｒ′”は低級アルキル基、低級ア
ルケニル基、低級アルキニル基、ＣＨ２ＣＮ、低級アル
コキシアルキル基、低級アルキルチオアルキル基、ＣＨ
ｚＣＯＯＲ” 、ＣＯＲ” 、Ｓｏ□ＲＺ４またはＳＯ
□ＮＲＩＯＲ２４を示す。ＲＩＧ 、Ｒ２４は前記と同
様の意味を示す。】ピラゾールスルホンアミド（Ｖ）は
対応するピラゾールスルホニルクロライドをアンモニア
水または炭酸アンモニウムと反応させて得るのが通常で
ある。ピラゾールにスルホニル基を導入するには■二酸
化イオウ存在下アミノ基をジアゾニウム分解しピラゾー
ルスルホニルクロライドを得る、■ヒドロキシピラゾー
ルを０−ピラゾールチオカーバメートとし、転移反応で
ピラゾール環にイオウ原子を導入し、さらに酸化するこ
とによりピラゾールスルホニルクロライドを得る、■ハ
ロゲン原子等と求核置換反応することでピラゾール環に
イオウ原子を導入し、場合によってさらに酸化すること
によりピラゾールスルホニルクロライドを得る、■塩基
を用いてピラゾールのカルバニオンを生成させ二酸化イ
オウを作用させ、ついでハロゲン化させることによって
ピラゾールスルホニルクロライドを得る、■直接スルフ
リルクロライド等を用いてピラゾールスルホニルクロラ
イドを得る、■上記のいずれかの方法で得たピラゾール
誘導体に対してピラゾールの特性を利用して他の官能基
の修飾する、等の方法があげられる。 即ち、 ■反応式４に従えばアミノピラゾールを塩酸または臭化
水素酸等のなかで亜硝酸ナトリウム等でジアゾニウム塩
とし、銅塩等のジアゾニウム分解に通常用いられる触媒
存在下、二酸化イオウを作用させることで対応するピラ
ゾールスルホニルクロライドを得る。これにアンモニア
水を作用させる ゛と目的とするピラゾールスルホ
ンアミド（Ｖ）が得られる。 ■反応式８に従えばヒドロキシピラゾールを出発原料と
してＯ−ピラゾールチオカーバメートを得、加熱して転
移させＳ−ピラゾールチオールカーバメートとし、酢酸
等の溶媒中塩素で酸化することによりピラゾールスルホ
ニルクロライドを得る。 反応式３と同様、アンモニア水を作用させると目的とす
るピラゾールスルホンアミド（Ｖ）が得られる。 これらの反応式４および８はいずれも置換位置に左右さ
れない。 ■ピラゾールに対する求核置換反応は通常はピラゾール
環の５位が最も反応し易く、次いで４位に電子吸引基が
置換している場合等には３位で求核置換反応が起こるこ
ともある。 この性質を利用して反応式５に従えば、５位のハロゲン
化ピラゾールを硫化ソーダ、ベンジルメルカプタンナト
リウム塩等で処理することにより５位にイオウ原子を導
入し、酢酸等の溶媒中塩素で酸化することによりピラゾ
ールスルホニルクロライドを得ることができる。反応式
４と同様、アンモニア水を作用させると目的とするピラ
ゾールスルホンアミド（Ｖ）が得られる。中間で得られ
る５−メルカプトピラゾールをスルフェンアミドとし、
これを酸化することにより目的のピラゾールスルホンア
ミド（Ｖ）を得ることもできる。出発原料の５位のハロ
ゲン化ピラゾールは、アミノピラゾールのジアゾ分解、
ヒドロキシピラゾールとオキシ塩化リン或いはオキシ臭
化リンとの反応或いはブチルリチウム、リチウムジイソ
プロピルアミド等の強塩基を用いて５位のアニオンとし
その後ハロゲン化させることによって得ることができる
。 ０１位に置換基がある場合通常はピラゾール環の５位の
水素は比較的酸性が強い。反応式７に従えばブチルリチ
ウム、リチウムジイソプロピルアミド等の強塩基を用い
てアニオンとすることができさらに二酸化イオウ、Ｎ−
ハロゲノコハク酸イミドを処理しピラゾールスルホニル
クロライドとしアンモニア水を処理することにより目的
とするピラゾールスルホンアミド（Ｖ）を得ることがで
きる。 ■求核置換反応に比し、ピラゾール環に対する求電子置
換反応は通常４位で反応し易い。反応或６に従えば、ク
ロルスルホン酸で直接ピラゾール−４−スルホニルクロ
ライドを得ることができる。 ■反応式９に従えば、１位に置換基のないピラゾールス
ルホンアミドをアルキル化、アシル化、スルホニル化等
を行うと１位または２位がアルキル化、アシル化或いは
スルホニル化される。この方法に従えば出発原料により
、混合物として３位と５位の置換基が入れ換わった２種
の化合物が得られることもある）（、これらを再結晶ま
たはカラムクロマトグラフィー等により分離し、本発明
化合物の中間体として用いることができる。 また、ピラゾールの性質を利用して、ピラゾールスルホ
ンアミドに新たに置換基を導入する、或いは導入されて
いる置換基を修飾することによって様々なピラゾールス
ルホンアミド（Ｖ）を得ることができる。 上記の反応の出発原料として用いられるピラゾール類は
、多くの場合ニー、エフ。コスト（Ａ、 Ｎ。 Ｋｏｓｔ）およびアイ、アイ、グランドベルブ（１，１
゜Ｇｒｏｕｎｄｂｅｒｇ）アドバンスト・ヘテロサイク
リック・ケミストリー６巻（Ａｄｖａｎ、Ｈｅｔｅｒｏ
ｃｙｃｌｉｃ Ｃｈｅｍ、旦）３４７頁１９６６年、テ
ィー、エル、ヤコブス（Ｔ、Ｌ。 Ｙａｃｏｂｓ）へテロサイクリック・コンパウンダ（Ｈ
ｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ）アール
、シー、エルダーフィールド（Ｒ，Ｃ，ＥＩｄｅｒｆｉ
ｅｌｄ） ５巻４５頁ウィリー。 ニューヨーク（Ｗｉｌｅｙ、 Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ）１９
５７年、またはグー。ショーフィールド（Ｋ、５ｈｏｆ
１ｅｌｄ） 、エム、アール、グリムメット（Ｍ、Ｒ
，Ｇｒｉｍｍｅｔｔ）およびビー。 アール、ティー、ケーネ（Ｂ、Ｒ，Ｔ、Ｋｅｅｎｅ）
へテロサイクリック・ナイトロジェン・コンパウンダ
シアシーツ喧Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ Ｃｏｍｐｏｕ
ｎｄｓ Ｔｈｅ Ａｚｏｌｅｓ）ケンブリッジユニバー
シティプレス（ＣａｍｂｒｉｄｇｅＵｎｉｖｅｒｓｉｔ
ｙ Ｐｒｅｓｓ）ロンドン、ニューヨーク、メルボルン
（Ｌｏｎｄｏｎ、Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ、 Ｍｅｌｂｏｕｒ
ｎｅ）１９７６年ケビン・ティ・ポツプ（Ｋｅｖｉｎ
Ｔ Ｐｏｔｔｏ）、コンプリヘンシブ・ヘテロサイクリ
ック・ケミストリー（ＣｏｌＩｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ
ｔ（ｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）
５巻１６７頁。 １９８４年ペルガモンプレス（Ｐｅｒｇａｍｏｎｐｒｅ
ｓｓ）を参考にして合成することができる。 （Ｃｔｌ
Ｒ）ｍ −Ｑがピラゾール環の１位に置換している場合
は多（の場合、前記文献においてヒドラジン、メチルヒ
ドラジン、フェニルヒドラジン等の代わりに （ＣＨＲ）ｍ−ＱＮＨＮＨｚを用いることにより合成で
きる。 通常当業者であれば、前記の記載および前述の公知技術
より実験条件等の検討を行うことにより、本発明化合物
の中間体を得ることは可能である。 以下に、本発明化合物及び中間体のピラゾールスルホン
アミドの合成例を実施例、参考例として具体的に述べる
が、本発明はこれらに限られるものではない。 １考皿二上 １−メチル−４−（５−メチル−１，３，４−オキサジ
アゾール−２−イル）ピラゾール−５−スルホンアミド
の合成 （１）５−クロロ−１−メチルピラゾール−４−カルボ
ン酸の合成 水酸化ナトリウム２７ｇを水１４０ ｍｌ、メタノール
１８０ ｍｌに溶かし、２５℃にて５−クロロ−１−メ
チルピラゾール−４−カルボン酸エチル１００ｇ１ｉｉ
下した。室温にて１．５時間撹拌後、メタノールを減圧
下に留去した。析出した結晶を水２０００ｍ ｌに溶か
し、濃塩酸を加えて酸沈した。析出した結晶を濾取、水
洗、乾燥させて目的物７６ｇを得た。 融点２００〜２０３℃ （２）５−クロロ−１−メチルピラゾール−４−カルボ
ン酸クロリドの合成 塩化チオニル２００ｍ１に５−クロロ−１−メチルピラ
ゾール−４−カルボン酸７０ｇを加え、３時間還流した
。過剰の塩化チオニルを留去した後、減圧蒸溜して目的
物６５ｇを得た。 沸点８１〜８５℃７０．１〜０．２開Ｈｇ（３）Ｎ−ア
セチル−Ｎ′−（５−クロロ−１−メチルピラゾール−
４−オイル）ヒドラジドの合成アセトヒドラジド４ｇと
ピリジン４６５ｇを塩化メチレン３０ｍ１に溶かし、５
−クロロ−１−メチルピラゾール−４−カルボン酸クロ
リド１０ｇを加えて室温にて１２時間攪拌した。反応混
合物に水３０ｍ ｌを加え析出した結晶を濾取、水洗、
乾燥させて目的物を６．８ｇ得た。 融点９４〜９６℃
（４）５−クロロ−１−メチル−４−（５−メチル＝１
．３．４−オキサジアゾール−２−イル）ピラゾールの
合成 オキシ塩化リン１５ｍ１にＮ−アセチル−Ｎ’−（５−
クロロ−１−メチルピラゾール−４−イル）ヒドラジド
６．８ｇを加え２．５時間還流した。反応混合物を冷却
後、氷水にあけ、クロロホルムにて抽出操作を行い、目
的物２ｇを得た。 融点１０５〜１１１℃ （５）■−メチルー４−（５−メチル−１，３，４−オ
キサジアゾール−２−イル）−５−メルカプトピラゾー
ルの合成 ５−クロロ−１−メチル−４−（５−メチル−１，３，
４−オキサジアゾール−２−イル）ピラゾール２ｇをジ
メチルホルムアミド１０ｍ１に溶解し水硫化ナトリウム
（７０χ含有）２ｇを加え、９０℃にて２時間加熱した
。冷却後反応混合物を水２０ｍ ｌにあけ、濃塩酸にて
酸沈した。結晶を濾取、水洗、乾燥させて目的物１ｇを
得た。融点１５５〜１６０℃（６）１−メチル−４−（
５−メチル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル
）ピラゾール−５−スルホンアミドの合成 ｌ−メチル−４−（５−メチル−１，３，４−オキサジ
アゾール−２−イル）−５−メルカプトピラゾール１ｇ
を９０χ酢酸１０ｍ１に溶解し、５〜１５℃にて塩素を
飽和になるまで吹き込んだ０反応後氷水２０ｍ ｌを加
え１，２−ジクロロエタンで抽出操作を行った。１，２
−ジクロロエタン層に２８％アンモニア水１０ｍ１を加
え室温にて０．５時間撹拌した。減圧上溶媒を留去し、
残渣にクロロホルム２０ＩＩｌｌと水１０ｍ１を加え、
クロロホルム層を分離した。 クロロホルム層を乾燥、濃縮後、残渣に少量のエーテル
を加え、析出した結晶を濾取、乾燥させて目的物０．４
４ｇを得た。融点１２３〜１２６℃参考例２ １−メチル−４−（３−メチル−１，２，４−オキサジ
アゾール−５−イル）ピラゾール−５−スルホンアミド
の合成 （１）５−クロロ−１−メチル−４−（３−メチル−１
，２，４−オキサジアゾール−５−イル）ピラゾールの
合成 アセトアミドオキシム塩酸塩１５．５ ｇをトルエン１
５０ ｍｌに懸濁させ、トリエチルアミン２８．３ｇお
よび５−クロロ−１−メチルピラゾール−４−カルボン
酸クロリド２０ｇを加え、室温で２４時間攪拌した。反
応混合物に水２００ ｍｌを加え、水、トルエンに不溶
の結晶を濾取した。 融点１７２〜１７７℃この結晶１
４ｇをキシレン４００ ｍｌに懸濁させ２．５時間還流
した。この間生成してくる水を水分離器にて分離した。 キシレンを減圧上留去した後、残渣をクロロホルムにて
溶解し、活性炭処理を行ったクロロホルムを留去して目
的物１３ｇを得た。 融点１０４〜１０５℃ （２）１−メチル−４−（３−メチル−１，２，４−オ
キサジアゾール−５−イル）−５−メルカプトピラゾー
ルの合成 参考例１に準じて５−クロロ−１−メチル−４−（３−
メチル−１，２，４−オキサジアゾール−５−イル）ピ
ラゾールより合成した。 融点１０６〜１１１℃ （３）１−メチル−４−（３−メチル−１，２，４−オ
キサジアゾール−５−イル）ピラゾール−５−スルホン
アミドの合成 参考例１に準じて１−メチル−４−（３−メチル−１，
２，４−オキサジアゾール−５−イル）−５−メルカプ
トピラゾールより合成した。 融点１３３〜１３５℃ 貴ｊ■１１ ■−メチルー４−（１−メチル−１，２，４−トリアゾ
ール−５−イル）ピラゾール−５−スルホンアミドの合
成 （１）５−クロロ−１−メチルピラゾール−４−カルボ
ン酸アミドの合成 テトラヒドロフラン１００ ｍｌに２８％アンモニア水
２０ｍ１を加え、０℃まで冷却し、５−クロロ−１−メ
チルピラゾール−４−カルボン酸クロリド２０ｇをテト
ラヒドロフラン３０ｍ ｌに溶解して滴下した。 室温にて２時間攪拌後テトラヒドロフランを留去し、結
晶を濾取、少量の水で洗浄した後、乾燥させて目的物１
５ｇを得た。 融点１４９〜１５０℃（２）５−クロ
ロ−Ｎ−〔（ジメチルアミノ）メチレン〕−１−メチル
ピラゾール−４−カルボン酸アミドの合成 ジメチルホルムアミドジメチルアセタール２０ｍ ｌに
５−クロロ−１−メチルピラゾール−４−カルボン酸ア
ミドＬｏｇを加え１００℃まで加熱した。全体が固化し
たのでアセトニトリル約５０ｍ１を加え生成してくるメ
タイールを留去しながら１．５時間還流した。アセトニ
トリル約２０ｍ ｌを残し、冷却し析出した結晶を濾取
、ジイソプロピルエーテルで洗浄した後、乾燥させて目
的物１２．１ｇを得た。 融点１６９〜１７０℃ （３）５−クロロ−１−メチル−４−（１−メチル−１
，２，４−）リアゾール−５−イル）ピラゾールの合成 酢酸２００ ｍｌにメチルヒドラジン５．１ｇと５−ク
ロロ−Ｎ−〔（ジメチルアミノ）メチレン〕−１−メチ
ルピラゾール−４−カルボン酸アミド２１．３ｇを加え
９０℃にて１．５時間攪拌した。酢酸を可及的すみやか
に留去した後クロロホルム１００ ｍｌを加え、クロロ
ホルム層を炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄、水洗後無
水硫酸ナトリウムで脱水し、溶媒留去して粗製の目的物
を得た。この粗製物をエーテル洗浄して純粋な目的物１
２．２ ｇを得た。 融点６９〜７０℃ （４）１−メチル−４−（１−メチル−１，２，４−ト
リアゾール−５−イル）−５−メルカプトピラゾールの
合成 参考例１に準じて５−クロロ−１−メチル−４−（１−
メチル−１，２，４−）リアゾール−５−イル）ピラゾ
ールより合成した。 融点２００〜２０５℃ （５）１−メチル−４−（１−メチル−１，２，４−ト
リアゾール−５−イル）−５−スルホンアミドの合成 参考例１に準じて１−メチル−４−（１−メチル−１，
２，４−）リアゾール−５−イル）−５−メルカプトピ
ラゾールより合成した。 融点１６７〜１６８℃ 豊λ拠二土 ４−（５−イソプロピル−５−メチル−４−オキソ−２
−イミダシリン−２−イル）−１−メチルピラゾール−
５−スルホンアミドの合成（１）５−クロロ−１−メチ
ル−（Ｎ−（１，２−ジメチル−１−力ルバモイル）プ
ロピル〕ピラゾールー４−カルボン酸アミドの合成 テトラヒドロフラン１００ｍ１に２−アミノ−２，３−
ジメチル酪酸アミド９，１ｇおよびトリエチルアミン７
．８ｇを加え、テトラヒドロフラン３０ｍ１に溶かした
５−クロロ−１−メチルピラゾール−４−カルボン酸ク
ロリド１２．５ｇを水冷下に滴下した。室温にて５時間
攪拌後、テトラヒドロフランを留去し、クロロホルム１
００ｍ１と水５０ｍ１を加え抽出操作を行なった。クロ
ロホルム層を脱水溶媒留去して、油状物質を得た。 これにエーテルを加え攪拌すると結晶が析出した。結晶
を濾取、乾燥させて目的物１８ｇを得た。 融点８１〜８２℃ （２）５−クロロ−４−（５−イソプロピル−５−メチ
ル−４−オキソ−２−イミダシリン−２−イル）−１−
メチルピラゾールの合成 トルエン２５０ｍ１に水素化ナトリウム１．７ｇおよび
５−クロロ−１−メチル−（Ｎ−（１゜２−ジメチル−
１−カルバモイル）プロピル〕ピラゾールー４−カルボ
ン酸アミド１５ｇを加え。 ９０℃にて３時間加熱した。冷却後酢酸２０ｍ１と水２
０ｍ１を加え、室温ｃｉで０．５時間攪拌した。結晶を
濾取、エーテル洗浄、乾燥させて白色固体の目的物９．
８ｇを得た。 （３）４−（５−イソプロピル−５−メチル−４−オキ
ソ−２−イミダシリン−２−イル）−１−メチル−５−
メルカプトピラゾールの合成５−クロロ−４−（５−イ
ソプロピル−５−メチル−４−オキソ−２−イミダシリ
ン−２−イル）−１−メチルピラゾール８．８ｇをジメ
チルホルムアミド２０ｍ１に溶解し、水硫化ナトリウム
（７０％含有）６．９２ｇを加え、室温にて１時間攪拌
した。反応混合物を水にあけ、不溶物を濾別した後、水
層を濃塩酸で酸沈した。結晶を濾取、水洗、乾燥させて
目的物５．７ｇを得た。 融点１１０〜１２０℃ （４）４−（５−イソプロピル−５−メチル−４＝オキ
ソ−２−イミダシリン−２−イル）−１−メチルピラゾ
ール−５−スルホンアミドの合成参考例１に準じて４−
（５−イソプロピル−５−メチル−４−オキソ−２−イ
ミダシリン−２−イル）−１−メチル−５−メルカプト
ピラゾールより合成した。 融点２１９〜２２０℃ 髪五拠二工 ４−エトキシカルボニル−１−（チアゾール−２−イル
）ピラゾール−５−スルホンアミドの合成（１）５−ア
ミノ−４−エトキシカルボニル−１−（チアゾール−２
−イル）ピラゾールの合成エトキシメチレンシアノ酢酸
エチル９．２ｇをｎ−ブタノール３０ｍ１に溶解し、２
−ヒドラジノチアゾール６．４ｇを加え室温にて２４時
間攪拌した。析出した結晶を濾取した。この結晶を再び
ｎ−ブタノール２０ｍ１に加え１００℃にて１．５時間
加熱した。冷却して析出した結晶を濾取乾燥させて目的
物４．８ｇを得た。 融点１１１〜１１２℃ （２）５−クロロ−４−エトキシカルボニル−１＝（チ
アゾール−２−イル）ピラゾールの合成５−アミノ−４
−エトキシカルボニル−１−（チアゾール−２−イル）
ピラゾール２．３ｇを濃塩酸３Ｑｍｌに溶解し、０℃に
冷却した。次に亜硝酸ナトリウム０．９ｇを水’ｌ ｍ
ｌに溶かし温度を５℃以下に保ちながら加えた。更に
０℃にて０．５時間攪拌した。この溶液を１，２−ジク
ロロエタン４０ｍに亜硫酸４ｇを吸収させ、塩化第一銅
０．２５ｇを加えた溶液に５℃にて滴下した。 窒素ガスの発生の無くなるまで室温にて攪拌した後、水
１００ｍ１を加え有機層を分離した。水層にクロロホル
ム５０ｍ１を加え抽出操作を行なった後、有機層を前の
有機層と合わせ、水洗後説水、溶媒留去して目的物２．
２ｇを得た。 融点１１０〜１１５℃ （３）４−エトキシカルボニル−５−メルカプト−１−
（チアゾール−２−イル）ピラゾールの合成参考例４に
準じて５−クロロ−４−エトキシカルボニル−１−（チ
アゾール−２−イル）ピラゾールより合成した。 融点１１４〜１１７℃ （４）４−エトキシカルボニル−１−（チアゾール−２
−イル）ピラゾール−５−スルホンアミドの合成 参考例１に準じて４−エトキシカルボニル−５−メルカ
プト−１−（チアゾール−２−イル）ピラゾールより合
成した。 融点１３６〜１３９°Ｃ １（桝二工 ４−（５−メチル−１，２，４−オキサジアゾール−３
−イル）−１−メチルピラゾール−５−スルホンアミド
の合成 （１）５−クロロ−４−シアノ−１−メチルピラゾール
の合成 ５−アミノ−４−シアノ−１−メチルピラゾール３４．
３ｇを３５％塩酸２００ ｍ ｌに加えた。 次にリン酸６０ｍ１を加え一１０℃以下にて亜硝酸ナト
リウム２５．２ｇの６０ ｍ ｌ水溶液を滴下した。同
温度にて１時間攪拌した。得られたジアゾニウム塩溶液
を塩化第一銅２ｇと亜硫酸１７ｇを吸収させた１、２−
ジクロロエタン２００ ｍ ｌ ？１１液に２０℃以下
にて滴下した。室温で１時間攪拌後、水５００ｍ１を加
え有機層を分離した。水層にクロロホルム １００ｍ１
を加え抽出操作を行なった後、クロロホルム層を前の有
機層と合わせ、水洗後説水、溶媒留去して目的物３０ｇ
を得た融点６３〜６４℃ （２）５−クロロ−１−メチルピラゾール−４−カルボ
ン酸アミドオキシムの合成 エタノール１００ｍ１に金属ナトリウム１．６３ｇを？
８かし、ヒドロキシルアミン塩酸塩４．９ｇの１５ｍ１
水溶液を２０℃以下にて滴下した。析出した塩化ナトリ
ウムを濾別した後５−クロロ−４−シアノ−１−メチル
ピラゾール１０ｇを加え室温にて１８時間攪拌した。析
出した結晶を濾取し、エーテルにて洗浄後、乾燥させて
目的物６゜８ｇを得た。 融点１６１〜１６２℃ （３）０−アセチル−５−クロロ−１−メチルピラゾー
ル−４−カルボン酸アミドオキシムの合成トルエン５０
ｍ１に５−クロロ−１−メチルピラゾール−４−カルボ
ン酸アミド、オキシム６・５ｇとトリエチルアミン３．
７６ｇを加え、１０℃以下にて塩化アセチル２．９２ｇ
を加えた。室温で２時間攪拌後、結晶を濾取した。この
結晶をクロロホルム５９ ｍ １に溶解させ、水洗した
後無水硫酸ナトリウムで脱水、溶媒留去して目的物６ｇ
を得た。 融点１２４〜１２６℃ （４）５−クロロ−１−メチル−４−（５−メチル−１
，２，４−オキサジアゾール−３−イル）ピラゾールの
合成 ０−アセチル−５−クロロ−１−メチルピラゾール−４
−カルボン酸アミドオキシム５．７ｇをキシレン５０ｍ
１に加え２．５時間還流した。この間生成してくる水を
水分離器にて分離した。減圧下キシレンを留去し析出し
た結晶を濾取し、ジイソプロピルエーテルにて洗浄後、
乾燥させて目的物４．６ｇを得た。 融点１３７〜１３８℃ （５）５−ベンジルチオ−１−メチル−４−（５−メチ
ル−１，２，４−オキサジアゾール−３−イル）ピラゾ
ールの合成 Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド２０ｍ１に５−クロロ−
１−メチル−４−（５−メチル−１，２゜４−オキサジ
アゾール−３−イル）ピラゾール２ｇを溶解し、無水炭
酸カリウム２．１ｇ、ベンジルメルカプタン２ｇを加え
８０〜９０℃にて５時間攪拌した。冷却後、反応混合物
を水にあけ析出した結晶を濾取、水洗、乾燥した。この
結晶をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製（ベ
ンゼンにてベンジルジスルフィドを溶離後、酢酸エチル
にて目的物を溶離させた。）して目的物１．７ｇを得た
。 融点１０７〜１１０℃ （６）４−（５−メチル−１，２，４−オキサジアゾー
ル−３−イル）−１−メチルピラゾール−５−スルホン
アミドの合成 ５−ベンジルチオ−１−メチル−４−（５−メチル−１
，２，４−オキサジアゾール−３−イル）ピラゾール１
．７ｇを酢酸２０ｍ１に溶解し、水５ｍｌを加えた後、
１０℃以下にて塩素を飽和するまで吹き込んだ。窒素を
吹き込んで過剰の塩素を除去した後、水１００ｍ１と１
．２−ジクロロエタン５９ ｍ １を加え、有機層を分
離した。 有機層を一５度に冷却後、２８％アンモニア水６ｍｌを
加え室温にて３時間攪拌した。溶媒留去汲水２０ｍ１と
クロロホルム３０ｍ１を加え攪拌後、有機層を分離した
。無水硫酸ナトリウムで脱水、溶媒留去して得られた油
状物質に少量のエーテルを加え撹拌すると目的物が析出
したので濾取した。 融点１３８〜１４０℃ 皇考■ニュ ４−（３−エチル−１，２，４−オキサジアゾール−５
−イル）−１−メチルピラゾール−５−スルホンアミド
の合成 （１）５−クロロ−４−（３−エチル−１，２゜４−オ
キサジアゾール−５−イル）−１−メチルピラゾールの
合成 参考例２に準じて５−クロロ−１−メチルピラゾール−
４−カルボン酸クロリドとプロピオン酸アミドオキシム
より合成した。 融点６０〜６２℃ （２）４−（３−エチル−１，２，４−オキサジアゾー
ル−５−イル）−１−メチル−５−メルカプトピラゾー
ルの合成 参考例２に準じて５−クロロ−４−（３−エチル−１，
２，４−オキサジアゾール−５−イル）−１−メチルピ
ラゾールより合成した。 融点８５〜８９℃ （３）４−（３−エチル−１，２，４−オキサジアゾー
ル−５−イル）−１−メチルピラゾール−５−スルホン
アミドの合成 参考例２に準じて４−（３−エチル−１，２゜４−オキ
サジアゾール−５−イル）−１−メチル−５−メルカプ
トピラゾールより合成した。 融点９８〜１０３℃ 上記で得られた中間体を用いて、本発明化合物の具体的
な合成例を以下説明するが、本発明はこれらに限定され
るものではない。 スｌｌ」１ Ｎ−（（４，６−シメトキシピリミジンー２−イル）ア
ミノカルボニル〕−１−メチル−４−（５−メチル−１
，３，４−オキサジアゾール−２−イル）ピラゾール−
５−スルホンアミドの合成（化合物Ｎ１１２） １−メチル−４−（５−メチル−１，３，４−オキサジ
アゾール−２−イル）ピラゾール−５−スルホンアミド
０．４４ ｇ 、クロル蟻酸メチル０．１９ｇ、無水炭
酸カリウム０．３７ｇをア七ト二トリル１０ｍ１中０．
５時間還流した。反応終了後溶媒を減圧下に留去し氷水
を加え不溶物を濾別した。水層を濃塩酸にて酸性にした
後クロロホルム２０ｍ１を加え抽出操作を行った。クロ
ロホルム層を脱水、溶媒留去して油状のＮ−〔１−メチ
ル−４−（５−メチル−１，３，４−オキサジアゾール
−２−イル）ピラゾール−５−スルホニルコメチルカー
バメートを０．５ ｇ得た。 Ｎ−〔１−メチル−４−（５−メチル−１，３゜４−オ
キサジアゾール−２−イル）ピラゾール−５−スルホニ
ルコメチルカーバメート０．５ｇおよび２−アミノ−４
，６−ジメトキシピリミジン０．２６ｇをトルエン２０
ｍ ｌ中、トルエンを少１ づつ留去させながら２時間
還流した。減少したトルエンは時々追加した。反応終了
後、減圧下にトルエンを留去し、残渣に少量のエーテル
を加え攪拌すると結晶が析出したので濾取、乾燥して目
的物０．３３ｇを得た。 融点１６０〜１６４℃。 ｌ液間２ Ｎ−（（４−メトキシ−６−メチルトリアジン−２−イ
ル）アミノカルボニル〕−４−エトキシカルボニル−１
−（（５−クロロチアゾール−２−イル）メチル〕ピラ
ゾールー３−スルホンアミドの合成 （化合物１１ｋＬ
１５ ） Ｎ−（（４−メトキシ−６−メチルトリアジン−２−イ
ル）アミノカルボニル〕−４−エトキシカルボニルピラ
ゾール−５（３）−スルホンアミド０．１７ｇをテトラ
ヒドロフラン１０ｍ１に溶解し、カリウムｔ−ブチラー
ド０．１５ｇと２−ブロモメチル−５−クロロチアゾー
ル臭化水素酸塩０．１３ｇを加え７０℃にて４０分間攪
拌した。 減圧下テトラヒドロフランを留去し、氷水２０ｍ１を加
え、不溶物を濾別した。得られた水層に３５％塩酸を加
え析出した結晶を濾取、水洗、乾燥することにより目的
物０．１ｇを得た。 融点 ９３〜９８℃ 次に本発明に含まれる化合物の例を前記実施例で合成し
た化合物と以下第１表より第１４表にしめすが、本発明
化合物はこれらに限定されるものではない。 以下余白 第１ａ表 ＡＢＤ ＸＹ Ｚ Ｑ、 ＨＣ００Ｅｔ Ｂｒ Ｂｒ ＣＨＱ
、 Ｍｅ ＣＯＯＭｅ Ｍｅ
ＯＭｅ ＣＨＱ、 Ｂｒ Ｃｏ（１Ｍｅ
ＯＭｅ ＯＭｅ Ｃｌ１Ｑ、
ＯＭｅ ＣＯＯＭｅ Ｍｅ Ｍ
ｅ ＣＨＱ、 ＯＭｅ ＣＯＯＭｅ
Ｍｅ ＯＭｅ ＣＨ但し、式中Ｑ
３は口、〜ＱＩ３のいずれかの基を示す。 第１ｂ表 ＡＢＤ ＸＹ Ｚ 但し、式中Ｑ、はＱＩ４〜Ｑ４２のいずれかの基を示す
。 第１Ｃ表 Ａ ＢＤ ＸＹＺ 但し、式中Ｑ、はＱ＃４〜口、。７のいずれかの基を示
す。 Ｃｌ１３ ＣＨ３Ｃｌ１３Ｃｌ
ｌｓ Ｃｚｌｌｓ
ＣＨ３Ｃｌ１３ Ｃ
１１３第１ｄ表 Ａ ＢＤＸＹ Ｚ 但し、式中Ｑ４はＱＩＯａ〜Ｑ１４？のいずれかの基を
示す。 Ａ 第２ａ表 ＡＢＤ ＸＹ Ｚ Ｍｅ Ｍｅ Ｑ、 Ｍｅ
ＯＭｅ Ｎ但し、式中０３は第１ａ表に示す
Ｑ、〜ロ、３のいずれかの基を示す。 第２ｂ表 ＡＢＤ ＸＹＺ Ｍｅ Ｍｅ Ｑｂ Ｍｅ ＯＭｅ Ｎ
但し、式中０５は第１ｂ表に示す（ｌｔａ〜Ｑ４３のい
ずれかの基を示す。 第２Ｃ表 ＡＢＤ ＸＹＺ 但し、式中ＱＣは第１Ｃ表に示す０４４〜ＱＩＯ’１の
いずれかの基を示す。 第２ｄ表 ＡＢＤ ＸＹＺ 但し、式中０４は第１ｄ表に示すΩ１゜８〜Ｑ、４．の
いずれかの基を示す。 第３ａ表 ＡＢ ＤＸＹ Ｚ Ｑ、 Ｂｒ ＩＩ ＯＭｅ ＯＭｅ
Ｃｌ１Ｑａ Ｂｒ ＨＭｅ ＯＭｅ Ｎ
Ｍｅ Ｑ、 ＨＭｅ ＯＭｅ Ｃ１Ｃ１１
ＣＯＱ、 ＨＯＭｅ ＯＭｅ Ｃｌ但し、式
中Ｑ、は第１ａ表に示すＱ、 〜ＱＩ３のいずれかの基
を示す。 第３ｂ表 ＡＢ Ｄ、ＸＹＺ 但し、式中Ｑｂは第１ｂ表に示すＱＩ４〜Ｑ４３のいず
れかの基を示す。 第３Ｃ表 ＡＢ Ｄ ＸＹＺ 但し、式中Ｑｃは第１Ｃ表に示すＱ４１〜ＱＩＯ？のい
ずれかの基を示す。 第３ｄ表 ＡＢ Ｄ ＸＹＺ Ｍｅ ＱｄＨＭｅ Ｍｅ ＣＨＭｅ Ｑａ
Ｉｔ Ｍｅ ＯＭｅ ＣＨＭｅ
Ｑａ ＨＯＭｅ ＯＭｅ ＣＨＭｅ
Ｑ、 ＨＭｅ ＯＭｅ ＮＥｔ Ｑａ
ＨＭｅ ＯＭｅ ＣＨＣＯＭｅ Ｑａ
ＨＯＭｅ ＯＭｅ ＣＨ但し、式中口、は第１
ｄ表に示す口、。８〜ＱＩ４７のいずれかの基を示す。 以下余白 第４表 八 ＢＤ Ｅ ＷＸＹＺ 但し、式中０３は第１ａ表に示す０１〜Ｑ１３のいずれ
かの基を示す。 以下余白 ＡＢ Ｄ Ｘ’Ｙ
’ＺＭｅ ＨＱ、 Ｍｅ Ｍｅ
Ｎ但し、式中Ｑ、は第１ａ表に示すＱ、〜ＱＩ３
のいずれかの基を示す。 第６表 ＡＢ Ｄ Ｘ’Ｙ’
Ｚ’Ｑａ Ｍｅ ＣＯＯＭｅ
Ｍｅ Ｍｅ Ｎ但し、式中Ｑ、は第１
ａ表に示す口、〜Ｑｌ＋のいずれかの基を示す。 ＡＢ Ｄ Ｘ’Ｙ’ＺＭｅ
Ｑ、 ＨＭｅ ＯＭｅ ＣＨ但し、式中０
１は第１ａ表に示す口、〜０．３のいずれかの基を示す
。 ＡＢ Ｄ χ２
Ｙ２Ｏ，ＨＣＯＯＭｅ Ｍｅ
ＭｅＱ、 ＨＣＯＯＭｅ ＯＭｅ
ＭｅＱ、 ＨＣＯＯＭｅ Ｓ
Ｍｅ ＭｅＱ、ＨＣ００Ｅｔ Ｍ
ｅ ＭｅＱ、 ＨＣ００Ｅｔ
ＯＭｅ ＭｅＭｅ Ｍｅ Ｑ、
ＳＭｅ Ｍｅ但し、式中Ｑ
、は第１ａ表に示す口、〜Ｑｌｌのいずれかの基を示す
。 以下余白 第９表 Ａ Ｂ Ｄ Ｘ” Ｙ”
Ｙ”但し、式中Ｑ、は第１ａ表に示すＱ１〜Ｑ１１の
いずれかの基を示す。 以下余白 第１０表 但し、式中Ｑ、は第１ａ表に示すＱ、〜Ｑ１３のいずれ
かの基を示す。 以下余白 ＡＢＤ ＸＹ Ｚ 但し、式中Ｑ、は第１ａ、ｌｃ表に示すＱ、〜Ｑ１３
、Ｑ？４のいずれがの基を示す。 ＡＢＤ ＸＹＺ ＣＨＭｅＱｅ Ｍｅ ＣＯＯＭｅ Ｍｅ
ＯＭｅ ＮＭｅ Ｍｅ ＣＨＭｅＱ
ｅ ＯＭｅ ＯＭｅ ＣＨ但し、式中
Ｑ、は第１ａ、ｌｃ表に示す口、〜ＱＩ３、Ｑ？４のい
ずれかの基を示す。 以下余白 第１３表 ＡＢ Ｄ ＸＹＺ 但し、式中口。は第１ａ、１０表に示すＱ、〜Ｑ１３−
、 Ｑ？４のいずれかの基を示す。 ＡＢＤＲＩ６ ＸＹＺ 但し、式中Ｑ、は第１ａ表に示すし〜Ｑｌ＋のいずれか
の基を示す。 以下余白 前記実施例に準じて、具体的に合成した化合物を以下に
示す。 但し、式中Ｑ、〜Ｑｌ ！？は前記と同様の意味を示す
。 以下余白。 但し、式中Ｑ’＋４は前記と同様の意味を示す。 但し、式中口、４は前記と同様の意味を示す。 本発明化合物を除草剤として施用するにあたっては一般
には適当な担体、例えばクレー、タルク、ベントナイト
、珪藻上等の固体担体あるいは水、アルコール（メタノ
ール、エタノール等）、芳香族炭化水素類（ベンゼン、
トルエン、キシレン等）、塩素化炭化水素類、エーテル
類、ケトン類、エステル類（酢酸エチル等）、酸アミド
類（ジメチルホルムアミド等）などの液体担体と混用し
て適用することができ、所望により乳化剤、分散剤、懸
濁剤、浸透剤、展着剤、安定剤などを添加し、液剤、乳
剤、水和剤、粉剤、粒剤等任意の剤型にて実用に供する
ことができる。 次に本発明化合物を有効成分とする除草剤の配合例を示
すがこれらのみに限定されるものではない。 なお、以下の配合例に鼻いて「部」は重量部を意味する
。 ｌ金−（り吐 水和剤 本発明化合物 磁５ −−−−−−−−−−−−−−・
−５０部ジークライトＡ −−−−−−−−−−−
・−−−−−−−−−−−４６部（カオリン系クレー：
ジークライト工業■商晶名）ツルポール５０３９ −−
一−−・−・・・−一−−−−−・ ２部（非イオン性
界面活性剤とアニオン性界面活性剤との混合物：東邦化
学■商品名） カープレックス（固結防止剤） −−−−−２部（ホ
ワイトカーボン：塩野義製薬■商品名）以上を均一に混
合粉砕して水和剤とする。 ■査■又 水和剤 本発明化合物 隘２−・・−−−−−−−−−−−・・
・−・４５部ジークライトＡ ・−・・−・−・−−
−−−−−−・−・−・４９部（カオリン系クレー：ジ
ークライト工業■商品名）ツルポール５０３９ −−−
−−−・・・−・−・−・ ２部（非イオン性界面活性
剤とアニオン性界面活性剤との混合物：東邦化学■商品
名） カープレックス（固結防止剤）・−−−−−４部（ホワ
イトカーボン：塩野義製薬■商品名）以上を均一に混合
粉砕して水和剤とする。 衝１例」−乳剤 本発明化合物 患４ −−−−−−−−−−−−−−−
−一・ ２部キ シ し ン ・−一−・−
−−−−−−−−−−−−−−−−−７８部ジメチルホ
ルムアミド −・−・−・・１５部ツルポール２６８０
・−・−・−・・−５部（非イオン性界面活性剤と
アニオン性界面活性剤との混合物：東邦化学■商品名） 以上を均一に混合して乳剤とする。使用に際しては上記
乳剤を１０〜１０，０００倍に、希釈して有効成□分量
かへクタール当たり０．００５ｋｇ〜１０ｋｇになるよ
うに散布する。 皿査斑↓ フロアブル 本発明化合物 患１２ ・−・−・−−−−−−−２５
部アゲリシールＳ−７１０−・−・・１０部（非イオン
性界面活性剤：花王側商品名）ルノックス１ｏｏｏｃ
・・−−−−−・・−０，５部（アニオン性界面活性
剤：東邦化学■商品名）１％ロドポール水 −−−一−
−−−−−−−−−・−２０部（増粘剤：ローン・ブー
ラン社商品名）水 −−−一・−−−一−−−
−−−−−−−−−・−−−−−・−−−−−−−−−
−−−４４，５部以上を均一に混合してフロアブル剤と
する。 星企五ｌ 粒剤 本発明化合物 １１ｈ５ −・−−−−−−一−・・−
−−−−・ ０．１部ベントナイト −−−−−
−−−−−−−−−−−−・５５．０部タルク
−・・−・・−・・・−・−４４，９部以上を均
一に混合粉砕して後、少量の水を加えて攪拌混合捏和し
、押出式造粒機で造粒し、乾燥して粒剤にする。 父企炭亙 粒剤 本発明化合物 Ｎ１１２−・−・−・−・−・−・−０
，５部ベントナイト −−−−−−−−−−−−
−−−−・・５５．０部タルク −・−−
−−一−−−−−−−−・４４．５部以上を均一に混合
粉砕して後、少量の水を加えて攪拌混合捏和し、押出式
造粒機で造粒し、乾燥して粒剤にする。 また、本発明化合物は必要に応じて製剤または散布時に
他種の除草剤、各種殺虫剤、殺菌剤、共力剤などと混合
施用しても良い。 上記の他種の除草剤としては、例えば、ファーム・ケミ
カルズ、ハンドブック（Ｆａｒｍ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ
Ｈａｎｄｂｏｏｋ） １９８５年版に託載されている
化合物などがある。 なお、本発明化合物は畑地、水田、果樹園などの農園芸
分野以外に運動場、空地、線路端など非農耕地における
各種雑草の防除にも適用することができ、その施用薬量
は適用場面、施用時期、施用方法、対象草種、栽培作物
等により差異はあるが、一般には有効成分量としてヘク
タール当たり０．００５〜１０ｋｇ程度が適当である。 次に、本発明化合物の除草剤としての有用性を以下の試
験例において具体的に説明する。 跋Ｕニエ 土壌処理による除草効果試験線１５ａａ、横
２２（Ｊ、深さ６Ｃ１１のプラスチック製箱に殺菌した
洪積土壌を入れ、稲、ノビエ、メヒシバ、カヤツリグサ
、イヌボーズキ、ハキダメギク、イヌガラシ、トーモロ
コシ、コムギ、ダイズ、ワタ、ビートを混播し、約１．
５ｃｍ覆土した後有効成分量が所定の割合となるように
土壌表面へ均一に散布した。 散布の際の薬液は、前記配合例の水和剤を水で希釈して
小型スプレーで全面に散布した。薬液散布４週間後に稲
および各種雑草に対する除草効果を下記の判定基準に従
い調査した。 結果は第１８表に示す。 本発明化合物のいくつかは、ある種の作物に対して選択
性を有する。 判定基準 ５−−−−一殺草率 ９０％以上（はとんど完全枯死）
４−・殺草率 ７０〜９０％ ３− 殺草率 ４０〜７０％ ２−・−・殺草率 ２０〜４０％ ■ ・・−・殺草率 ５〜２０％ ０ ・・−・殺草率 ５％以下（はとんど効力なし）
但し、上記の殺草率は、薬剤処理区の地上部生草重およ
び無処理区の地上部生草重を測定して下記の式により求
めたものである。 以下余白 第１８表 拭慧±−２茎葉処理による除草効果試験縦１５ｃｍ、横
２２０、深さ５ ｃｍのプラスチック製箱に殺菌した洪
積土壌を入れ、稲、ノビエ、メヒシバ、カヤツリグサ、
イヌホーズキ、ハキダメギク、イヌガラシ、トーモロコ
シ、コムギ、ダイズ、ワタ、ビートの種子をそれぞれス
ポット状に播種し約１．５ｃｍ覆土した。各種植物が２
〜３葉期に達したとき、有効成分量が所定の割合となる
ように茎葉部へ均一に散布した。散布の際の薬液は、前
記配合例の水和剤を水で希釈して小型スプレーで各種雑
草の茎葉部の全面に散布した。薬液散布４週間後に稲お
よび各種雑草に対する除草効果を試験例−１の判定基準
に従い調査した。結果は第１９表に示す。 拭ｆｌユ 湛水条件における除草効果試験１１５０００
アールのフグネルポット中に沖積土壌を入れた後、水を
入れて混和し水深２ｃｍの淡水条件とする。タイヌビエ
、ホタルイ、コナギのそれぞれの種子を、上記のポット
に混播し・さら９ウリカワ、ミズガヤツリの塊茎を置床
した。さらに２．５葉期のイネ苗を移植した。翌日、そ
の水面へ所定の薬量になるように、薬剤希釈液をメスピ
ペットで滴下処理した。 薬液滴下後３週目に各種雑草に対する除草効果を試験例
１の判定基準に従って調査した。結果は第２０表に示す
。 第２０表
同＋ｍの意味を示す。Ｒ′”は低級アルキル基、低級ア
ルケニル基、低級アルキニル基、ＣＨ２ＣＮ、低級アル
コキシアルキル基、低級アルキルチオアルキル基、ＣＨ
ｚＣＯＯＲ” 、ＣＯＲ” 、Ｓｏ□ＲＺ４またはＳＯ
□ＮＲＩＯＲ２４を示す。ＲＩＧ 、Ｒ２４は前記と同
様の意味を示す。】ピラゾールスルホンアミド（Ｖ）は
対応するピラゾールスルホニルクロライドをアンモニア
水または炭酸アンモニウムと反応させて得るのが通常で
ある。ピラゾールにスルホニル基を導入するには■二酸
化イオウ存在下アミノ基をジアゾニウム分解しピラゾー
ルスルホニルクロライドを得る、■ヒドロキシピラゾー
ルを０−ピラゾールチオカーバメートとし、転移反応で
ピラゾール環にイオウ原子を導入し、さらに酸化するこ
とによりピラゾールスルホニルクロライドを得る、■ハ
ロゲン原子等と求核置換反応することでピラゾール環に
イオウ原子を導入し、場合によってさらに酸化すること
によりピラゾールスルホニルクロライドを得る、■塩基
を用いてピラゾールのカルバニオンを生成させ二酸化イ
オウを作用させ、ついでハロゲン化させることによって
ピラゾールスルホニルクロライドを得る、■直接スルフ
リルクロライド等を用いてピラゾールスルホニルクロラ
イドを得る、■上記のいずれかの方法で得たピラゾール
誘導体に対してピラゾールの特性を利用して他の官能基
の修飾する、等の方法があげられる。 即ち、 ■反応式４に従えばアミノピラゾールを塩酸または臭化
水素酸等のなかで亜硝酸ナトリウム等でジアゾニウム塩
とし、銅塩等のジアゾニウム分解に通常用いられる触媒
存在下、二酸化イオウを作用させることで対応するピラ
ゾールスルホニルクロライドを得る。これにアンモニア
水を作用させる ゛と目的とするピラゾールスルホ
ンアミド（Ｖ）が得られる。 ■反応式８に従えばヒドロキシピラゾールを出発原料と
してＯ−ピラゾールチオカーバメートを得、加熱して転
移させＳ−ピラゾールチオールカーバメートとし、酢酸
等の溶媒中塩素で酸化することによりピラゾールスルホ
ニルクロライドを得る。 反応式３と同様、アンモニア水を作用させると目的とす
るピラゾールスルホンアミド（Ｖ）が得られる。 これらの反応式４および８はいずれも置換位置に左右さ
れない。 ■ピラゾールに対する求核置換反応は通常はピラゾール
環の５位が最も反応し易く、次いで４位に電子吸引基が
置換している場合等には３位で求核置換反応が起こるこ
ともある。 この性質を利用して反応式５に従えば、５位のハロゲン
化ピラゾールを硫化ソーダ、ベンジルメルカプタンナト
リウム塩等で処理することにより５位にイオウ原子を導
入し、酢酸等の溶媒中塩素で酸化することによりピラゾ
ールスルホニルクロライドを得ることができる。反応式
４と同様、アンモニア水を作用させると目的とするピラ
ゾールスルホンアミド（Ｖ）が得られる。中間で得られ
る５−メルカプトピラゾールをスルフェンアミドとし、
これを酸化することにより目的のピラゾールスルホンア
ミド（Ｖ）を得ることもできる。出発原料の５位のハロ
ゲン化ピラゾールは、アミノピラゾールのジアゾ分解、
ヒドロキシピラゾールとオキシ塩化リン或いはオキシ臭
化リンとの反応或いはブチルリチウム、リチウムジイソ
プロピルアミド等の強塩基を用いて５位のアニオンとし
その後ハロゲン化させることによって得ることができる
。 ０１位に置換基がある場合通常はピラゾール環の５位の
水素は比較的酸性が強い。反応式７に従えばブチルリチ
ウム、リチウムジイソプロピルアミド等の強塩基を用い
てアニオンとすることができさらに二酸化イオウ、Ｎ−
ハロゲノコハク酸イミドを処理しピラゾールスルホニル
クロライドとしアンモニア水を処理することにより目的
とするピラゾールスルホンアミド（Ｖ）を得ることがで
きる。 ■求核置換反応に比し、ピラゾール環に対する求電子置
換反応は通常４位で反応し易い。反応或６に従えば、ク
ロルスルホン酸で直接ピラゾール−４−スルホニルクロ
ライドを得ることができる。 ■反応式９に従えば、１位に置換基のないピラゾールス
ルホンアミドをアルキル化、アシル化、スルホニル化等
を行うと１位または２位がアルキル化、アシル化或いは
スルホニル化される。この方法に従えば出発原料により
、混合物として３位と５位の置換基が入れ換わった２種
の化合物が得られることもある）（、これらを再結晶ま
たはカラムクロマトグラフィー等により分離し、本発明
化合物の中間体として用いることができる。 また、ピラゾールの性質を利用して、ピラゾールスルホ
ンアミドに新たに置換基を導入する、或いは導入されて
いる置換基を修飾することによって様々なピラゾールス
ルホンアミド（Ｖ）を得ることができる。 上記の反応の出発原料として用いられるピラゾール類は
、多くの場合ニー、エフ。コスト（Ａ、 Ｎ。 Ｋｏｓｔ）およびアイ、アイ、グランドベルブ（１，１
゜Ｇｒｏｕｎｄｂｅｒｇ）アドバンスト・ヘテロサイク
リック・ケミストリー６巻（Ａｄｖａｎ、Ｈｅｔｅｒｏ
ｃｙｃｌｉｃ Ｃｈｅｍ、旦）３４７頁１９６６年、テ
ィー、エル、ヤコブス（Ｔ、Ｌ。 Ｙａｃｏｂｓ）へテロサイクリック・コンパウンダ（Ｈ
ｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ）アール
、シー、エルダーフィールド（Ｒ，Ｃ，ＥＩｄｅｒｆｉ
ｅｌｄ） ５巻４５頁ウィリー。 ニューヨーク（Ｗｉｌｅｙ、 Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ）１９
５７年、またはグー。ショーフィールド（Ｋ、５ｈｏｆ
１ｅｌｄ） 、エム、アール、グリムメット（Ｍ、Ｒ
，Ｇｒｉｍｍｅｔｔ）およびビー。 アール、ティー、ケーネ（Ｂ、Ｒ，Ｔ、Ｋｅｅｎｅ）
へテロサイクリック・ナイトロジェン・コンパウンダ
シアシーツ喧Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ Ｃｏｍｐｏｕ
ｎｄｓ Ｔｈｅ Ａｚｏｌｅｓ）ケンブリッジユニバー
シティプレス（ＣａｍｂｒｉｄｇｅＵｎｉｖｅｒｓｉｔ
ｙ Ｐｒｅｓｓ）ロンドン、ニューヨーク、メルボルン
（Ｌｏｎｄｏｎ、Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ、 Ｍｅｌｂｏｕｒ
ｎｅ）１９７６年ケビン・ティ・ポツプ（Ｋｅｖｉｎ
Ｔ Ｐｏｔｔｏ）、コンプリヘンシブ・ヘテロサイクリ
ック・ケミストリー（ＣｏｌＩｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ
ｔ（ｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）
５巻１６７頁。 １９８４年ペルガモンプレス（Ｐｅｒｇａｍｏｎｐｒｅ
ｓｓ）を参考にして合成することができる。 （Ｃｔｌ
Ｒ）ｍ −Ｑがピラゾール環の１位に置換している場合
は多（の場合、前記文献においてヒドラジン、メチルヒ
ドラジン、フェニルヒドラジン等の代わりに （ＣＨＲ）ｍ−ＱＮＨＮＨｚを用いることにより合成で
きる。 通常当業者であれば、前記の記載および前述の公知技術
より実験条件等の検討を行うことにより、本発明化合物
の中間体を得ることは可能である。 以下に、本発明化合物及び中間体のピラゾールスルホン
アミドの合成例を実施例、参考例として具体的に述べる
が、本発明はこれらに限られるものではない。 １考皿二上 １−メチル−４−（５−メチル−１，３，４−オキサジ
アゾール−２−イル）ピラゾール−５−スルホンアミド
の合成 （１）５−クロロ−１−メチルピラゾール−４−カルボ
ン酸の合成 水酸化ナトリウム２７ｇを水１４０ ｍｌ、メタノール
１８０ ｍｌに溶かし、２５℃にて５−クロロ−１−メ
チルピラゾール−４−カルボン酸エチル１００ｇ１ｉｉ
下した。室温にて１．５時間撹拌後、メタノールを減圧
下に留去した。析出した結晶を水２０００ｍ ｌに溶か
し、濃塩酸を加えて酸沈した。析出した結晶を濾取、水
洗、乾燥させて目的物７６ｇを得た。 融点２００〜２０３℃ （２）５−クロロ−１−メチルピラゾール−４−カルボ
ン酸クロリドの合成 塩化チオニル２００ｍ１に５−クロロ−１−メチルピラ
ゾール−４−カルボン酸７０ｇを加え、３時間還流した
。過剰の塩化チオニルを留去した後、減圧蒸溜して目的
物６５ｇを得た。 沸点８１〜８５℃７０．１〜０．２開Ｈｇ（３）Ｎ−ア
セチル−Ｎ′−（５−クロロ−１−メチルピラゾール−
４−オイル）ヒドラジドの合成アセトヒドラジド４ｇと
ピリジン４６５ｇを塩化メチレン３０ｍ１に溶かし、５
−クロロ−１−メチルピラゾール−４−カルボン酸クロ
リド１０ｇを加えて室温にて１２時間攪拌した。反応混
合物に水３０ｍ ｌを加え析出した結晶を濾取、水洗、
乾燥させて目的物を６．８ｇ得た。 融点９４〜９６℃
（４）５−クロロ−１−メチル−４−（５−メチル＝１
．３．４−オキサジアゾール−２−イル）ピラゾールの
合成 オキシ塩化リン１５ｍ１にＮ−アセチル−Ｎ’−（５−
クロロ−１−メチルピラゾール−４−イル）ヒドラジド
６．８ｇを加え２．５時間還流した。反応混合物を冷却
後、氷水にあけ、クロロホルムにて抽出操作を行い、目
的物２ｇを得た。 融点１０５〜１１１℃ （５）■−メチルー４−（５−メチル−１，３，４−オ
キサジアゾール−２−イル）−５−メルカプトピラゾー
ルの合成 ５−クロロ−１−メチル−４−（５−メチル−１，３，
４−オキサジアゾール−２−イル）ピラゾール２ｇをジ
メチルホルムアミド１０ｍ１に溶解し水硫化ナトリウム
（７０χ含有）２ｇを加え、９０℃にて２時間加熱した
。冷却後反応混合物を水２０ｍ ｌにあけ、濃塩酸にて
酸沈した。結晶を濾取、水洗、乾燥させて目的物１ｇを
得た。融点１５５〜１６０℃（６）１−メチル−４−（
５−メチル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル
）ピラゾール−５−スルホンアミドの合成 ｌ−メチル−４−（５−メチル−１，３，４−オキサジ
アゾール−２−イル）−５−メルカプトピラゾール１ｇ
を９０χ酢酸１０ｍ１に溶解し、５〜１５℃にて塩素を
飽和になるまで吹き込んだ０反応後氷水２０ｍ ｌを加
え１，２−ジクロロエタンで抽出操作を行った。１，２
−ジクロロエタン層に２８％アンモニア水１０ｍ１を加
え室温にて０．５時間撹拌した。減圧上溶媒を留去し、
残渣にクロロホルム２０ＩＩｌｌと水１０ｍ１を加え、
クロロホルム層を分離した。 クロロホルム層を乾燥、濃縮後、残渣に少量のエーテル
を加え、析出した結晶を濾取、乾燥させて目的物０．４
４ｇを得た。融点１２３〜１２６℃参考例２ １−メチル−４−（３−メチル−１，２，４−オキサジ
アゾール−５−イル）ピラゾール−５−スルホンアミド
の合成 （１）５−クロロ−１−メチル−４−（３−メチル−１
，２，４−オキサジアゾール−５−イル）ピラゾールの
合成 アセトアミドオキシム塩酸塩１５．５ ｇをトルエン１
５０ ｍｌに懸濁させ、トリエチルアミン２８．３ｇお
よび５−クロロ−１−メチルピラゾール−４−カルボン
酸クロリド２０ｇを加え、室温で２４時間攪拌した。反
応混合物に水２００ ｍｌを加え、水、トルエンに不溶
の結晶を濾取した。 融点１７２〜１７７℃この結晶１
４ｇをキシレン４００ ｍｌに懸濁させ２．５時間還流
した。この間生成してくる水を水分離器にて分離した。 キシレンを減圧上留去した後、残渣をクロロホルムにて
溶解し、活性炭処理を行ったクロロホルムを留去して目
的物１３ｇを得た。 融点１０４〜１０５℃ （２）１−メチル−４−（３−メチル−１，２，４−オ
キサジアゾール−５−イル）−５−メルカプトピラゾー
ルの合成 参考例１に準じて５−クロロ−１−メチル−４−（３−
メチル−１，２，４−オキサジアゾール−５−イル）ピ
ラゾールより合成した。 融点１０６〜１１１℃ （３）１−メチル−４−（３−メチル−１，２，４−オ
キサジアゾール−５−イル）ピラゾール−５−スルホン
アミドの合成 参考例１に準じて１−メチル−４−（３−メチル−１，
２，４−オキサジアゾール−５−イル）−５−メルカプ
トピラゾールより合成した。 融点１３３〜１３５℃ 貴ｊ■１１ ■−メチルー４−（１−メチル−１，２，４−トリアゾ
ール−５−イル）ピラゾール−５−スルホンアミドの合
成 （１）５−クロロ−１−メチルピラゾール−４−カルボ
ン酸アミドの合成 テトラヒドロフラン１００ ｍｌに２８％アンモニア水
２０ｍ１を加え、０℃まで冷却し、５−クロロ−１−メ
チルピラゾール−４−カルボン酸クロリド２０ｇをテト
ラヒドロフラン３０ｍ ｌに溶解して滴下した。 室温にて２時間攪拌後テトラヒドロフランを留去し、結
晶を濾取、少量の水で洗浄した後、乾燥させて目的物１
５ｇを得た。 融点１４９〜１５０℃（２）５−クロ
ロ−Ｎ−〔（ジメチルアミノ）メチレン〕−１−メチル
ピラゾール−４−カルボン酸アミドの合成 ジメチルホルムアミドジメチルアセタール２０ｍ ｌに
５−クロロ−１−メチルピラゾール−４−カルボン酸ア
ミドＬｏｇを加え１００℃まで加熱した。全体が固化し
たのでアセトニトリル約５０ｍ１を加え生成してくるメ
タイールを留去しながら１．５時間還流した。アセトニ
トリル約２０ｍ ｌを残し、冷却し析出した結晶を濾取
、ジイソプロピルエーテルで洗浄した後、乾燥させて目
的物１２．１ｇを得た。 融点１６９〜１７０℃ （３）５−クロロ−１−メチル−４−（１−メチル−１
，２，４−）リアゾール−５−イル）ピラゾールの合成 酢酸２００ ｍｌにメチルヒドラジン５．１ｇと５−ク
ロロ−Ｎ−〔（ジメチルアミノ）メチレン〕−１−メチ
ルピラゾール−４−カルボン酸アミド２１．３ｇを加え
９０℃にて１．５時間攪拌した。酢酸を可及的すみやか
に留去した後クロロホルム１００ ｍｌを加え、クロロ
ホルム層を炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄、水洗後無
水硫酸ナトリウムで脱水し、溶媒留去して粗製の目的物
を得た。この粗製物をエーテル洗浄して純粋な目的物１
２．２ ｇを得た。 融点６９〜７０℃ （４）１−メチル−４−（１−メチル−１，２，４−ト
リアゾール−５−イル）−５−メルカプトピラゾールの
合成 参考例１に準じて５−クロロ−１−メチル−４−（１−
メチル−１，２，４−）リアゾール−５−イル）ピラゾ
ールより合成した。 融点２００〜２０５℃ （５）１−メチル−４−（１−メチル−１，２，４−ト
リアゾール−５−イル）−５−スルホンアミドの合成 参考例１に準じて１−メチル−４−（１−メチル−１，
２，４−）リアゾール−５−イル）−５−メルカプトピ
ラゾールより合成した。 融点１６７〜１６８℃ 豊λ拠二土 ４−（５−イソプロピル−５−メチル−４−オキソ−２
−イミダシリン−２−イル）−１−メチルピラゾール−
５−スルホンアミドの合成（１）５−クロロ−１−メチ
ル−（Ｎ−（１，２−ジメチル−１−力ルバモイル）プ
ロピル〕ピラゾールー４−カルボン酸アミドの合成 テトラヒドロフラン１００ｍ１に２−アミノ−２，３−
ジメチル酪酸アミド９，１ｇおよびトリエチルアミン７
．８ｇを加え、テトラヒドロフラン３０ｍ１に溶かした
５−クロロ−１−メチルピラゾール−４−カルボン酸ク
ロリド１２．５ｇを水冷下に滴下した。室温にて５時間
攪拌後、テトラヒドロフランを留去し、クロロホルム１
００ｍ１と水５０ｍ１を加え抽出操作を行なった。クロ
ロホルム層を脱水溶媒留去して、油状物質を得た。 これにエーテルを加え攪拌すると結晶が析出した。結晶
を濾取、乾燥させて目的物１８ｇを得た。 融点８１〜８２℃ （２）５−クロロ−４−（５−イソプロピル−５−メチ
ル−４−オキソ−２−イミダシリン−２−イル）−１−
メチルピラゾールの合成 トルエン２５０ｍ１に水素化ナトリウム１．７ｇおよび
５−クロロ−１−メチル−（Ｎ−（１゜２−ジメチル−
１−カルバモイル）プロピル〕ピラゾールー４−カルボ
ン酸アミド１５ｇを加え。 ９０℃にて３時間加熱した。冷却後酢酸２０ｍ１と水２
０ｍ１を加え、室温ｃｉで０．５時間攪拌した。結晶を
濾取、エーテル洗浄、乾燥させて白色固体の目的物９．
８ｇを得た。 （３）４−（５−イソプロピル−５−メチル−４−オキ
ソ−２−イミダシリン−２−イル）−１−メチル−５−
メルカプトピラゾールの合成５−クロロ−４−（５−イ
ソプロピル−５−メチル−４−オキソ−２−イミダシリ
ン−２−イル）−１−メチルピラゾール８．８ｇをジメ
チルホルムアミド２０ｍ１に溶解し、水硫化ナトリウム
（７０％含有）６．９２ｇを加え、室温にて１時間攪拌
した。反応混合物を水にあけ、不溶物を濾別した後、水
層を濃塩酸で酸沈した。結晶を濾取、水洗、乾燥させて
目的物５．７ｇを得た。 融点１１０〜１２０℃ （４）４−（５−イソプロピル−５−メチル−４＝オキ
ソ−２−イミダシリン−２−イル）−１−メチルピラゾ
ール−５−スルホンアミドの合成参考例１に準じて４−
（５−イソプロピル−５−メチル−４−オキソ−２−イ
ミダシリン−２−イル）−１−メチル−５−メルカプト
ピラゾールより合成した。 融点２１９〜２２０℃ 髪五拠二工 ４−エトキシカルボニル−１−（チアゾール−２−イル
）ピラゾール−５−スルホンアミドの合成（１）５−ア
ミノ−４−エトキシカルボニル−１−（チアゾール−２
−イル）ピラゾールの合成エトキシメチレンシアノ酢酸
エチル９．２ｇをｎ−ブタノール３０ｍ１に溶解し、２
−ヒドラジノチアゾール６．４ｇを加え室温にて２４時
間攪拌した。析出した結晶を濾取した。この結晶を再び
ｎ−ブタノール２０ｍ１に加え１００℃にて１．５時間
加熱した。冷却して析出した結晶を濾取乾燥させて目的
物４．８ｇを得た。 融点１１１〜１１２℃ （２）５−クロロ−４−エトキシカルボニル−１＝（チ
アゾール−２−イル）ピラゾールの合成５−アミノ−４
−エトキシカルボニル−１−（チアゾール−２−イル）
ピラゾール２．３ｇを濃塩酸３Ｑｍｌに溶解し、０℃に
冷却した。次に亜硝酸ナトリウム０．９ｇを水’ｌ ｍ
ｌに溶かし温度を５℃以下に保ちながら加えた。更に
０℃にて０．５時間攪拌した。この溶液を１，２−ジク
ロロエタン４０ｍに亜硫酸４ｇを吸収させ、塩化第一銅
０．２５ｇを加えた溶液に５℃にて滴下した。 窒素ガスの発生の無くなるまで室温にて攪拌した後、水
１００ｍ１を加え有機層を分離した。水層にクロロホル
ム５０ｍ１を加え抽出操作を行なった後、有機層を前の
有機層と合わせ、水洗後説水、溶媒留去して目的物２．
２ｇを得た。 融点１１０〜１１５℃ （３）４−エトキシカルボニル−５−メルカプト−１−
（チアゾール−２−イル）ピラゾールの合成参考例４に
準じて５−クロロ−４−エトキシカルボニル−１−（チ
アゾール−２−イル）ピラゾールより合成した。 融点１１４〜１１７℃ （４）４−エトキシカルボニル−１−（チアゾール−２
−イル）ピラゾール−５−スルホンアミドの合成 参考例１に準じて４−エトキシカルボニル−５−メルカ
プト−１−（チアゾール−２−イル）ピラゾールより合
成した。 融点１３６〜１３９°Ｃ １（桝二工 ４−（５−メチル−１，２，４−オキサジアゾール−３
−イル）−１−メチルピラゾール−５−スルホンアミド
の合成 （１）５−クロロ−４−シアノ−１−メチルピラゾール
の合成 ５−アミノ−４−シアノ−１−メチルピラゾール３４．
３ｇを３５％塩酸２００ ｍ ｌに加えた。 次にリン酸６０ｍ１を加え一１０℃以下にて亜硝酸ナト
リウム２５．２ｇの６０ ｍ ｌ水溶液を滴下した。同
温度にて１時間攪拌した。得られたジアゾニウム塩溶液
を塩化第一銅２ｇと亜硫酸１７ｇを吸収させた１、２−
ジクロロエタン２００ ｍ ｌ ？１１液に２０℃以下
にて滴下した。室温で１時間攪拌後、水５００ｍ１を加
え有機層を分離した。水層にクロロホルム １００ｍ１
を加え抽出操作を行なった後、クロロホルム層を前の有
機層と合わせ、水洗後説水、溶媒留去して目的物３０ｇ
を得た融点６３〜６４℃ （２）５−クロロ−１−メチルピラゾール−４−カルボ
ン酸アミドオキシムの合成 エタノール１００ｍ１に金属ナトリウム１．６３ｇを？
８かし、ヒドロキシルアミン塩酸塩４．９ｇの１５ｍ１
水溶液を２０℃以下にて滴下した。析出した塩化ナトリ
ウムを濾別した後５−クロロ−４−シアノ−１−メチル
ピラゾール１０ｇを加え室温にて１８時間攪拌した。析
出した結晶を濾取し、エーテルにて洗浄後、乾燥させて
目的物６゜８ｇを得た。 融点１６１〜１６２℃ （３）０−アセチル−５−クロロ−１−メチルピラゾー
ル−４−カルボン酸アミドオキシムの合成トルエン５０
ｍ１に５−クロロ−１−メチルピラゾール−４−カルボ
ン酸アミド、オキシム６・５ｇとトリエチルアミン３．
７６ｇを加え、１０℃以下にて塩化アセチル２．９２ｇ
を加えた。室温で２時間攪拌後、結晶を濾取した。この
結晶をクロロホルム５９ ｍ １に溶解させ、水洗した
後無水硫酸ナトリウムで脱水、溶媒留去して目的物６ｇ
を得た。 融点１２４〜１２６℃ （４）５−クロロ−１−メチル−４−（５−メチル−１
，２，４−オキサジアゾール−３−イル）ピラゾールの
合成 ０−アセチル−５−クロロ−１−メチルピラゾール−４
−カルボン酸アミドオキシム５．７ｇをキシレン５０ｍ
１に加え２．５時間還流した。この間生成してくる水を
水分離器にて分離した。減圧下キシレンを留去し析出し
た結晶を濾取し、ジイソプロピルエーテルにて洗浄後、
乾燥させて目的物４．６ｇを得た。 融点１３７〜１３８℃ （５）５−ベンジルチオ−１−メチル−４−（５−メチ
ル−１，２，４−オキサジアゾール−３−イル）ピラゾ
ールの合成 Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド２０ｍ１に５−クロロ−
１−メチル−４−（５−メチル−１，２゜４−オキサジ
アゾール−３−イル）ピラゾール２ｇを溶解し、無水炭
酸カリウム２．１ｇ、ベンジルメルカプタン２ｇを加え
８０〜９０℃にて５時間攪拌した。冷却後、反応混合物
を水にあけ析出した結晶を濾取、水洗、乾燥した。この
結晶をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製（ベ
ンゼンにてベンジルジスルフィドを溶離後、酢酸エチル
にて目的物を溶離させた。）して目的物１．７ｇを得た
。 融点１０７〜１１０℃ （６）４−（５−メチル−１，２，４−オキサジアゾー
ル−３−イル）−１−メチルピラゾール−５−スルホン
アミドの合成 ５−ベンジルチオ−１−メチル−４−（５−メチル−１
，２，４−オキサジアゾール−３−イル）ピラゾール１
．７ｇを酢酸２０ｍ１に溶解し、水５ｍｌを加えた後、
１０℃以下にて塩素を飽和するまで吹き込んだ。窒素を
吹き込んで過剰の塩素を除去した後、水１００ｍ１と１
．２−ジクロロエタン５９ ｍ １を加え、有機層を分
離した。 有機層を一５度に冷却後、２８％アンモニア水６ｍｌを
加え室温にて３時間攪拌した。溶媒留去汲水２０ｍ１と
クロロホルム３０ｍ１を加え攪拌後、有機層を分離した
。無水硫酸ナトリウムで脱水、溶媒留去して得られた油
状物質に少量のエーテルを加え撹拌すると目的物が析出
したので濾取した。 融点１３８〜１４０℃ 皇考■ニュ ４−（３−エチル−１，２，４−オキサジアゾール−５
−イル）−１−メチルピラゾール−５−スルホンアミド
の合成 （１）５−クロロ−４−（３−エチル−１，２゜４−オ
キサジアゾール−５−イル）−１−メチルピラゾールの
合成 参考例２に準じて５−クロロ−１−メチルピラゾール−
４−カルボン酸クロリドとプロピオン酸アミドオキシム
より合成した。 融点６０〜６２℃ （２）４−（３−エチル−１，２，４−オキサジアゾー
ル−５−イル）−１−メチル−５−メルカプトピラゾー
ルの合成 参考例２に準じて５−クロロ−４−（３−エチル−１，
２，４−オキサジアゾール−５−イル）−１−メチルピ
ラゾールより合成した。 融点８５〜８９℃ （３）４−（３−エチル−１，２，４−オキサジアゾー
ル−５−イル）−１−メチルピラゾール−５−スルホン
アミドの合成 参考例２に準じて４−（３−エチル−１，２゜４−オキ
サジアゾール−５−イル）−１−メチル−５−メルカプ
トピラゾールより合成した。 融点９８〜１０３℃ 上記で得られた中間体を用いて、本発明化合物の具体的
な合成例を以下説明するが、本発明はこれらに限定され
るものではない。 スｌｌ」１ Ｎ−（（４，６−シメトキシピリミジンー２−イル）ア
ミノカルボニル〕−１−メチル−４−（５−メチル−１
，３，４−オキサジアゾール−２−イル）ピラゾール−
５−スルホンアミドの合成（化合物Ｎ１１２） １−メチル−４−（５−メチル−１，３，４−オキサジ
アゾール−２−イル）ピラゾール−５−スルホンアミド
０．４４ ｇ 、クロル蟻酸メチル０．１９ｇ、無水炭
酸カリウム０．３７ｇをア七ト二トリル１０ｍ１中０．
５時間還流した。反応終了後溶媒を減圧下に留去し氷水
を加え不溶物を濾別した。水層を濃塩酸にて酸性にした
後クロロホルム２０ｍ１を加え抽出操作を行った。クロ
ロホルム層を脱水、溶媒留去して油状のＮ−〔１−メチ
ル−４−（５−メチル−１，３，４−オキサジアゾール
−２−イル）ピラゾール−５−スルホニルコメチルカー
バメートを０．５ ｇ得た。 Ｎ−〔１−メチル−４−（５−メチル−１，３゜４−オ
キサジアゾール−２−イル）ピラゾール−５−スルホニ
ルコメチルカーバメート０．５ｇおよび２−アミノ−４
，６−ジメトキシピリミジン０．２６ｇをトルエン２０
ｍ ｌ中、トルエンを少１ づつ留去させながら２時間
還流した。減少したトルエンは時々追加した。反応終了
後、減圧下にトルエンを留去し、残渣に少量のエーテル
を加え攪拌すると結晶が析出したので濾取、乾燥して目
的物０．３３ｇを得た。 融点１６０〜１６４℃。 ｌ液間２ Ｎ−（（４−メトキシ−６−メチルトリアジン−２−イ
ル）アミノカルボニル〕−４−エトキシカルボニル−１
−（（５−クロロチアゾール−２−イル）メチル〕ピラ
ゾールー３−スルホンアミドの合成 （化合物１１ｋＬ
１５ ） Ｎ−（（４−メトキシ−６−メチルトリアジン−２−イ
ル）アミノカルボニル〕−４−エトキシカルボニルピラ
ゾール−５（３）−スルホンアミド０．１７ｇをテトラ
ヒドロフラン１０ｍ１に溶解し、カリウムｔ−ブチラー
ド０．１５ｇと２−ブロモメチル−５−クロロチアゾー
ル臭化水素酸塩０．１３ｇを加え７０℃にて４０分間攪
拌した。 減圧下テトラヒドロフランを留去し、氷水２０ｍ１を加
え、不溶物を濾別した。得られた水層に３５％塩酸を加
え析出した結晶を濾取、水洗、乾燥することにより目的
物０．１ｇを得た。 融点 ９３〜９８℃ 次に本発明に含まれる化合物の例を前記実施例で合成し
た化合物と以下第１表より第１４表にしめすが、本発明
化合物はこれらに限定されるものではない。 以下余白 第１ａ表 ＡＢＤ ＸＹ Ｚ Ｑ、 ＨＣ００Ｅｔ Ｂｒ Ｂｒ ＣＨＱ
、 Ｍｅ ＣＯＯＭｅ Ｍｅ
ＯＭｅ ＣＨＱ、 Ｂｒ Ｃｏ（１Ｍｅ
ＯＭｅ ＯＭｅ Ｃｌ１Ｑ、
ＯＭｅ ＣＯＯＭｅ Ｍｅ Ｍ
ｅ ＣＨＱ、 ＯＭｅ ＣＯＯＭｅ
Ｍｅ ＯＭｅ ＣＨ但し、式中Ｑ
３は口、〜ＱＩ３のいずれかの基を示す。 第１ｂ表 ＡＢＤ ＸＹ Ｚ 但し、式中Ｑ、はＱＩ４〜Ｑ４２のいずれかの基を示す
。 第１Ｃ表 Ａ ＢＤ ＸＹＺ 但し、式中Ｑ、はＱ＃４〜口、。７のいずれかの基を示
す。 Ｃｌ１３ ＣＨ３Ｃｌ１３Ｃｌ
ｌｓ Ｃｚｌｌｓ
ＣＨ３Ｃｌ１３ Ｃ
１１３第１ｄ表 Ａ ＢＤＸＹ Ｚ 但し、式中Ｑ４はＱＩＯａ〜Ｑ１４？のいずれかの基を
示す。 Ａ 第２ａ表 ＡＢＤ ＸＹ Ｚ Ｍｅ Ｍｅ Ｑ、 Ｍｅ
ＯＭｅ Ｎ但し、式中０３は第１ａ表に示す
Ｑ、〜ロ、３のいずれかの基を示す。 第２ｂ表 ＡＢＤ ＸＹＺ Ｍｅ Ｍｅ Ｑｂ Ｍｅ ＯＭｅ Ｎ
但し、式中０５は第１ｂ表に示す（ｌｔａ〜Ｑ４３のい
ずれかの基を示す。 第２Ｃ表 ＡＢＤ ＸＹＺ 但し、式中ＱＣは第１Ｃ表に示す０４４〜ＱＩＯ’１の
いずれかの基を示す。 第２ｄ表 ＡＢＤ ＸＹＺ 但し、式中０４は第１ｄ表に示すΩ１゜８〜Ｑ、４．の
いずれかの基を示す。 第３ａ表 ＡＢ ＤＸＹ Ｚ Ｑ、 Ｂｒ ＩＩ ＯＭｅ ＯＭｅ
Ｃｌ１Ｑａ Ｂｒ ＨＭｅ ＯＭｅ Ｎ
Ｍｅ Ｑ、 ＨＭｅ ＯＭｅ Ｃ１Ｃ１１
ＣＯＱ、 ＨＯＭｅ ＯＭｅ Ｃｌ但し、式
中Ｑ、は第１ａ表に示すＱ、 〜ＱＩ３のいずれかの基
を示す。 第３ｂ表 ＡＢ Ｄ、ＸＹＺ 但し、式中Ｑｂは第１ｂ表に示すＱＩ４〜Ｑ４３のいず
れかの基を示す。 第３Ｃ表 ＡＢ Ｄ ＸＹＺ 但し、式中Ｑｃは第１Ｃ表に示すＱ４１〜ＱＩＯ？のい
ずれかの基を示す。 第３ｄ表 ＡＢ Ｄ ＸＹＺ Ｍｅ ＱｄＨＭｅ Ｍｅ ＣＨＭｅ Ｑａ
Ｉｔ Ｍｅ ＯＭｅ ＣＨＭｅ
Ｑａ ＨＯＭｅ ＯＭｅ ＣＨＭｅ
Ｑ、 ＨＭｅ ＯＭｅ ＮＥｔ Ｑａ
ＨＭｅ ＯＭｅ ＣＨＣＯＭｅ Ｑａ
ＨＯＭｅ ＯＭｅ ＣＨ但し、式中口、は第１
ｄ表に示す口、。８〜ＱＩ４７のいずれかの基を示す。 以下余白 第４表 八 ＢＤ Ｅ ＷＸＹＺ 但し、式中０３は第１ａ表に示す０１〜Ｑ１３のいずれ
かの基を示す。 以下余白 ＡＢ Ｄ Ｘ’Ｙ
’ＺＭｅ ＨＱ、 Ｍｅ Ｍｅ
Ｎ但し、式中Ｑ、は第１ａ表に示すＱ、〜ＱＩ３
のいずれかの基を示す。 第６表 ＡＢ Ｄ Ｘ’Ｙ’
Ｚ’Ｑａ Ｍｅ ＣＯＯＭｅ
Ｍｅ Ｍｅ Ｎ但し、式中Ｑ、は第１
ａ表に示す口、〜Ｑｌ＋のいずれかの基を示す。 ＡＢ Ｄ Ｘ’Ｙ’ＺＭｅ
Ｑ、 ＨＭｅ ＯＭｅ ＣＨ但し、式中０
１は第１ａ表に示す口、〜０．３のいずれかの基を示す
。 ＡＢ Ｄ χ２
Ｙ２Ｏ，ＨＣＯＯＭｅ Ｍｅ
ＭｅＱ、 ＨＣＯＯＭｅ ＯＭｅ
ＭｅＱ、 ＨＣＯＯＭｅ Ｓ
Ｍｅ ＭｅＱ、ＨＣ００Ｅｔ Ｍ
ｅ ＭｅＱ、 ＨＣ００Ｅｔ
ＯＭｅ ＭｅＭｅ Ｍｅ Ｑ、
ＳＭｅ Ｍｅ但し、式中Ｑ
、は第１ａ表に示す口、〜Ｑｌｌのいずれかの基を示す
。 以下余白 第９表 Ａ Ｂ Ｄ Ｘ” Ｙ”
Ｙ”但し、式中Ｑ、は第１ａ表に示すＱ１〜Ｑ１１の
いずれかの基を示す。 以下余白 第１０表 但し、式中Ｑ、は第１ａ表に示すＱ、〜Ｑ１３のいずれ
かの基を示す。 以下余白 ＡＢＤ ＸＹ Ｚ 但し、式中Ｑ、は第１ａ、ｌｃ表に示すＱ、〜Ｑ１３
、Ｑ？４のいずれがの基を示す。 ＡＢＤ ＸＹＺ ＣＨＭｅＱｅ Ｍｅ ＣＯＯＭｅ Ｍｅ
ＯＭｅ ＮＭｅ Ｍｅ ＣＨＭｅＱ
ｅ ＯＭｅ ＯＭｅ ＣＨ但し、式中
Ｑ、は第１ａ、ｌｃ表に示す口、〜ＱＩ３、Ｑ？４のい
ずれかの基を示す。 以下余白 第１３表 ＡＢ Ｄ ＸＹＺ 但し、式中口。は第１ａ、１０表に示すＱ、〜Ｑ１３−
、 Ｑ？４のいずれかの基を示す。 ＡＢＤＲＩ６ ＸＹＺ 但し、式中Ｑ、は第１ａ表に示すし〜Ｑｌ＋のいずれか
の基を示す。 以下余白 前記実施例に準じて、具体的に合成した化合物を以下に
示す。 但し、式中Ｑ、〜Ｑｌ ！？は前記と同様の意味を示す
。 以下余白。 但し、式中Ｑ’＋４は前記と同様の意味を示す。 但し、式中口、４は前記と同様の意味を示す。 本発明化合物を除草剤として施用するにあたっては一般
には適当な担体、例えばクレー、タルク、ベントナイト
、珪藻上等の固体担体あるいは水、アルコール（メタノ
ール、エタノール等）、芳香族炭化水素類（ベンゼン、
トルエン、キシレン等）、塩素化炭化水素類、エーテル
類、ケトン類、エステル類（酢酸エチル等）、酸アミド
類（ジメチルホルムアミド等）などの液体担体と混用し
て適用することができ、所望により乳化剤、分散剤、懸
濁剤、浸透剤、展着剤、安定剤などを添加し、液剤、乳
剤、水和剤、粉剤、粒剤等任意の剤型にて実用に供する
ことができる。 次に本発明化合物を有効成分とする除草剤の配合例を示
すがこれらのみに限定されるものではない。 なお、以下の配合例に鼻いて「部」は重量部を意味する
。 ｌ金−（り吐 水和剤 本発明化合物 磁５ −−−−−−−−−−−−−−・
−５０部ジークライトＡ −−−−−−−−−−−
・−−−−−−−−−−−４６部（カオリン系クレー：
ジークライト工業■商晶名）ツルポール５０３９ −−
一−−・−・・・−一−−−−−・ ２部（非イオン性
界面活性剤とアニオン性界面活性剤との混合物：東邦化
学■商品名） カープレックス（固結防止剤） −−−−−２部（ホ
ワイトカーボン：塩野義製薬■商品名）以上を均一に混
合粉砕して水和剤とする。 ■査■又 水和剤 本発明化合物 隘２−・・−−−−−−−−−−−・・
・−・４５部ジークライトＡ ・−・・−・−・−−
−−−−−−・−・−・４９部（カオリン系クレー：ジ
ークライト工業■商品名）ツルポール５０３９ −−−
−−−・・・−・−・−・ ２部（非イオン性界面活性
剤とアニオン性界面活性剤との混合物：東邦化学■商品
名） カープレックス（固結防止剤）・−−−−−４部（ホワ
イトカーボン：塩野義製薬■商品名）以上を均一に混合
粉砕して水和剤とする。 衝１例」−乳剤 本発明化合物 患４ −−−−−−−−−−−−−−−
−一・ ２部キ シ し ン ・−一−・−
−−−−−−−−−−−−−−−−−７８部ジメチルホ
ルムアミド −・−・−・・１５部ツルポール２６８０
・−・−・−・・−５部（非イオン性界面活性剤と
アニオン性界面活性剤との混合物：東邦化学■商品名） 以上を均一に混合して乳剤とする。使用に際しては上記
乳剤を１０〜１０，０００倍に、希釈して有効成□分量
かへクタール当たり０．００５ｋｇ〜１０ｋｇになるよ
うに散布する。 皿査斑↓ フロアブル 本発明化合物 患１２ ・−・−・−−−−−−−２５
部アゲリシールＳ−７１０−・−・・１０部（非イオン
性界面活性剤：花王側商品名）ルノックス１ｏｏｏｃ
・・−−−−−・・−０，５部（アニオン性界面活性
剤：東邦化学■商品名）１％ロドポール水 −−−一−
−−−−−−−−−・−２０部（増粘剤：ローン・ブー
ラン社商品名）水 −−−一・−−−一−−−
−−−−−−−−−・−−−−−・−−−−−−−−−
−−−４４，５部以上を均一に混合してフロアブル剤と
する。 星企五ｌ 粒剤 本発明化合物 １１ｈ５ −・−−−−−−一−・・−
−−−−・ ０．１部ベントナイト −−−−−
−−−−−−−−−−−−・５５．０部タルク
−・・−・・−・・・−・−４４，９部以上を均
一に混合粉砕して後、少量の水を加えて攪拌混合捏和し
、押出式造粒機で造粒し、乾燥して粒剤にする。 父企炭亙 粒剤 本発明化合物 Ｎ１１２−・−・−・−・−・−・−０
，５部ベントナイト −−−−−−−−−−−−
−−−−・・５５．０部タルク −・−−
−−一−−−−−−−−・４４．５部以上を均一に混合
粉砕して後、少量の水を加えて攪拌混合捏和し、押出式
造粒機で造粒し、乾燥して粒剤にする。 また、本発明化合物は必要に応じて製剤または散布時に
他種の除草剤、各種殺虫剤、殺菌剤、共力剤などと混合
施用しても良い。 上記の他種の除草剤としては、例えば、ファーム・ケミ
カルズ、ハンドブック（Ｆａｒｍ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ
Ｈａｎｄｂｏｏｋ） １９８５年版に託載されている
化合物などがある。 なお、本発明化合物は畑地、水田、果樹園などの農園芸
分野以外に運動場、空地、線路端など非農耕地における
各種雑草の防除にも適用することができ、その施用薬量
は適用場面、施用時期、施用方法、対象草種、栽培作物
等により差異はあるが、一般には有効成分量としてヘク
タール当たり０．００５〜１０ｋｇ程度が適当である。 次に、本発明化合物の除草剤としての有用性を以下の試
験例において具体的に説明する。 跋Ｕニエ 土壌処理による除草効果試験線１５ａａ、横
２２（Ｊ、深さ６Ｃ１１のプラスチック製箱に殺菌した
洪積土壌を入れ、稲、ノビエ、メヒシバ、カヤツリグサ
、イヌボーズキ、ハキダメギク、イヌガラシ、トーモロ
コシ、コムギ、ダイズ、ワタ、ビートを混播し、約１．
５ｃｍ覆土した後有効成分量が所定の割合となるように
土壌表面へ均一に散布した。 散布の際の薬液は、前記配合例の水和剤を水で希釈して
小型スプレーで全面に散布した。薬液散布４週間後に稲
および各種雑草に対する除草効果を下記の判定基準に従
い調査した。 結果は第１８表に示す。 本発明化合物のいくつかは、ある種の作物に対して選択
性を有する。 判定基準 ５−−−−一殺草率 ９０％以上（はとんど完全枯死）
４−・殺草率 ７０〜９０％ ３− 殺草率 ４０〜７０％ ２−・−・殺草率 ２０〜４０％ ■ ・・−・殺草率 ５〜２０％ ０ ・・−・殺草率 ５％以下（はとんど効力なし）
但し、上記の殺草率は、薬剤処理区の地上部生草重およ
び無処理区の地上部生草重を測定して下記の式により求
めたものである。 以下余白 第１８表 拭慧±−２茎葉処理による除草効果試験縦１５ｃｍ、横
２２０、深さ５ ｃｍのプラスチック製箱に殺菌した洪
積土壌を入れ、稲、ノビエ、メヒシバ、カヤツリグサ、
イヌホーズキ、ハキダメギク、イヌガラシ、トーモロコ
シ、コムギ、ダイズ、ワタ、ビートの種子をそれぞれス
ポット状に播種し約１．５ｃｍ覆土した。各種植物が２
〜３葉期に達したとき、有効成分量が所定の割合となる
ように茎葉部へ均一に散布した。散布の際の薬液は、前
記配合例の水和剤を水で希釈して小型スプレーで各種雑
草の茎葉部の全面に散布した。薬液散布４週間後に稲お
よび各種雑草に対する除草効果を試験例−１の判定基準
に従い調査した。結果は第１９表に示す。 拭ｆｌユ 湛水条件における除草効果試験１１５０００
アールのフグネルポット中に沖積土壌を入れた後、水を
入れて混和し水深２ｃｍの淡水条件とする。タイヌビエ
、ホタルイ、コナギのそれぞれの種子を、上記のポット
に混播し・さら９ウリカワ、ミズガヤツリの塊茎を置床
した。さらに２．５葉期のイネ苗を移植した。翌日、そ
の水面へ所定の薬量になるように、薬剤希釈液をメスピ
ペットで滴下処理した。 薬液滴下後３週目に各種雑草に対する除草効果を試験例
１の判定基準に従って調査した。結果は第２０表に示す
。 第２０表
Claims (4)
- （１）一般式（ I ）： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 【式中Ｑは、 ▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表
等があります▼▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表
等があります▼▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表
等があります▼▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
式、表等があります▼を示す、 〔Ｒ＾１およびＲ＾２はそれぞれ独立して水素原子、ハ
ロゲン原子、ニトロ基、低級アルキル基、低級ハロゲン
化アルキル基、低級アルコキシ基、低級アルコキシカル
ボニル基、シアノ基、フェニル基又はＳ（Ｏ）＿ｎＲ＾
１＾１を示す。 Ｒ＾３は水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、ニ
トロ基、低級ハロゲン化アルキル基、低級アルコキシ基
、又はＳ（Ｏ）＿ｎＲ＾１＾２を示す。 Ｒ＾４は水素原子、ハロゲン原子、または低級アルキル
基を示す。 Ｒ＾５は水素原子または低級アルキル基を示す。 Ｒ＾６は水素原子または低級アルキル基を示す。 Ｒ＾７は水素原子、ハロゲン原子、または低級アルキル
基を示す。 Ｒ＾８およびＲ＾９はそれぞれ独立して水素原子、また
は低級アルキル基を示す。 Ｒ＾１＾０は水素原子または低級アルキル基を示す。 Ｗ＾１は酸素原子、硫黄原子またはＮＲ＾１＾３を示す
。 Ｒ＾１＾１は低級アルキル基またはフェニル基を示す。 Ｒ＾１＾２は低級アルキル基を示す。 Ｒ＾１＾３は水素原子または低級アルキル基を示す。 ただし一般式（ I ）で−（ＣＨＲ）＿ｍ−Ｑがピラゾ
ール環の窒素原子に置換している場合、Ｑは ▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表
等があります▼▲数式、化学式、表等があります▼ または▲数式、化学式、表等があります▼を示す。〕 ｍは０、１または２の整数を示す。Ｒは水素原子または
低級アルキル基を示す。 Ｂ、Ｄはそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、ニ
トロ基、低級アルキル基、アリルアルキル基、低級アル
コキシ基、ハロゲン化アルキル基、ＣＯＯＲ＾１＾４、
ＣＯＮＲ＾１＾５Ｒ＾１＾６、Ｓ（Ｏ）＿ｎＲ＾１＾７
、シアノ基、ＮＲ＾１＾８Ｒ＾１＾９、ＳＯ＿２ＮＲ＾
２＾０Ｒ＾２＾１、ＯＨ、置換されていてもよいベンゾ
イル基（置換基はハロゲン原子または低級アルキル基か
ら選ばれる。）または置換されていてもよいフェニル基
（置換基はハロゲン原子、ニトロ基、ＣＯＯＲ＾１＾０
または低級アルキル基から選ばれる。）を示す。 Ｒ＾１＾４は水素原子、低級アルキル基、低級アルケニ
ル基、低級アルキニル基またはハロゲン化アルキル基を
示す。 Ｒ＾１＾５は水素原子、低級アルキル基またはフェニル
基を示す。Ｒ＾１＾６は水素原子、低級アルキル基また
は低級アルコキシ基を示す。 Ｒ＾１＾７は低級アルキル基、低級アルコキシ基、フェ
ニル基、ハロゲン化アルキル基、低級アルケニルオキシ
基または低級アルキニルオキシ基を示す。ｎは０、１ま
たは２の整数を示す。 Ｒ＾１＾８およびＲ＾１＾９はそれぞれ独立して水素原
子、低級アルキル基、低級アルキルカルボニル基または
低級アルキルスルホニル基を示す。 Ｒ＾２＾０およびＲ＾２＾１はそれぞれ独立して水素原
子、低級アルキル基、低級アルケニル基または低級アル
キニル基を示す。 Ｅは水素原子、低級アルキル基、低級アルケニル基、低
級アルキニル基または低級アルコキシ基を示す。 Ｗは酸素原子、硫黄原子またはＮ−Ｒ＾１＾６を示す。 Ｇは▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式
、表等があります▼または ▲数式、化学式、表等があります▼を示す。 ＸおよびＹはそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子
、低級アルキル基、低級アルコキシ基、低級アルコキシ
アルキル基、ハロゲン化アルキル基、低級ハロゲン化ア
ルコキシ基、ＮＲ＾２＾２Ｒ＾２＾３、ＯＣＨ（Ｒ＾１
＾０）ＣＯＯＲ＾１＾０、ＣＯＯＲ＾１＾０、シクロプ
ロピル基、ＣＨ（ＯＲ＾２＾４）＿２、低級アルキルチ
オ基または低級ハロゲン化アルキルチオ基を示す。 Ｒ＾２＾２およびＲ＾２＾３はそれぞれ独立して水素原
子、低級アルキル基または低級アルコキシ基を示す。 Ｒ＾２＾４は低級アルキル基を示す。 Ｘ＾１およびＹ＾１はそれぞれ独立して水素原子、ハロ
ゲン原子、低級アルキル基または低級アルコキシ基を示
す。 Ｘ＾２は低級アルキル基、低級アルキルチオ基または低
級アルコキシ基を、Ｙ＾２は低級アルキル基を示す。 Ｚは窒素原子またはＣ−Ｒ＾２＾５、を示す。 Ｒ＾２＾５は水素原子、低級アルキル基、低級ハロゲン
化アルキル基、ハロゲン原子、低級アルコキシ基または
Ｙ或いはＹ＾１と共に酸素原子を含む５員環構造を示す
。 ただし、一般式（ I ）で▲数式、化学式、表等があり
ます▼基 はピラゾール環の窒素原子に置換することはなく、また
、−（ＣＨＲ）＿ｍ−Ｑがピラゾール環の窒素原子に置
換していない場合は、ＢまたはＤのうち窒素原子の置換
基は水素原子、低級アルキル基、低級アルケニル基、低
級アルキニル基、−ＣＨ＿２ＣＮ、低級アルコキシアル
キル基、低級アルキルチオアルキル基、−ＣＨ＿２ＣＯ
ＯＲ＾１＾０、−ＣＯＲ＾１＾０、−ＳＯ＿２Ｒ＾２＾
４、−ＳＯ＿２ＮＲ＾１＾０Ｒ＾２＾４または置換され
ていてもよいフェニル基（置換基はハロゲン原子、ニト
ロ基、ＣＯＯＲ＾１＾０または低級アルキル基から選ば
れる。）を示す。】 で表されるピラゾールスルホンアミド誘導体。 - （２）一般式（II）： ▲数式、化学式、表等があります▼（II） 【式中Ｑは、 ▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表
等があります▼▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表
等があります▼▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表
等があります▼▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
式、表等があります▼を示す。 〔Ｒ＾１およびＲ＾２はそれぞれ独立して水素原子、ハ
ロゲン原子、ニトロ基、低級アルキル基、低級ハロゲン
化アルキル基、低級アルコキシ基、低級アルコキシカル
ボニル基、シアノ基、フェニル基又はＳ（Ｏ）＿ｎＲ＾
１＾１を示す。 Ｒ＾３は水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、ニ
トロ基、低級ハロゲン化アルキル基、低級アルコキシ基
、又はＳ（Ｏ）＿ｎＲ＾１＾２を示す。 Ｒ＾４は水素原子、ハロゲン原子、または低級アルキル
基を示す。 Ｒ＾５は水素原子または低級アルキル基を示す。 Ｒ＾６は水素原子または低級アルキル基を示す。 Ｒ＾７は水素原子、ハロゲン原子、または低級アルキル
基を示す。 Ｒ＾８およびＲ＾９はそれぞれ独立して水素原子、また
は低級アルキル基を示す。 Ｒ＾１＾０は水素原子または低級アルキル基を示す。 Ｗ＾１は酸素原子、硫黄原子またはＮＲ＾１＾３を示す
。 Ｒ＾１＾１は低級アルキル基またはフェニル基を示す。 Ｒ＾１＾２は低級アルキル基を示す。 Ｒ＾１＾３は水素原子または低級アルキル基を示す。 ただし一般式（ I ）で−（ＣＨＲ）＿ｍ−Ｑがピラゾ
ール環の窒素原子に置換している場合、Ｑは ▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表
等があります▼▲数式、化学式、表等があります▼ または▲数式、化学式、表等があります▼を示す。〕 ｍは０、１または２の整数を示す。Ｒは水素原子または
低級アルキル基を示す。 Ｂ、Ｄはそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、ニ
トロ基、低級アルキル基、アリルアルキル基、低級アル
コキシ基、ハロゲン化アルキル基、ＣＯＯＲ＾１＾４、
ＣＯＮＲ＾１＾５Ｒ＾１＾６、Ｓ（Ｏ）＿ｎＲ＾１＾７
、シアノ基、ＮＲ＾１＾８Ｒ＾１＾９、ＳＯ＿２ＮＲ＾
２＾０Ｒ＾２＾１、ＯＨ、置換されていてもよいベンゾ
イル基（置換基はハロゲン原子または低級アルキル基か
ら選ばれる。）または置換されていてもよいフェニル基
（置換基はハロゲン原子、ニトロ基、ＣＯＯＲ＾１＾０
または低級アルキル基から選ばれる。）を示す。 Ｒ＾１＾４は水素原子、低級アルキル基、低級アルケニ
ル基、低級アルキニル基またはハロゲン化アルキル基を
示す。） Ｒ＾１＾５は水素原子、低級アルキル基またはフェニル
基を示す。Ｒ＾１＾６は水素原子、低級アルキル基また
は低級アルコキシ基を示す。 Ｒ＾１＾７は低級アルキル基、低級アルコキシ基、フェ
ニル基、ハロゲン化アルキル基、低級アルケニルオキシ
基または低級アルキニルオキシ基を示す。ｎは０、１ま
たは２の整数を示す。 Ｒ＾１＾８およびＲ＾１＾９はそれぞれ独立して水素原
子、低級アルキル基、低級アルキルカルボニル基または
低級アルキルスルホニル基を示す。 Ｒ＾２＾０およびＲ＾２＾１はそれぞれ独立して水素原
子、低級アルキル基、低級アルケニル基または低級アル
キニル基を示す。 Ｅは水素原子、低級アルキル基、低級アルケニル基、低
級アルキニル基または低級アルコキシ基を示す。 Ｗ′は酸素原子または硫黄原子を示す。 ただし、一般式（II）で−ＳＯ＿２Ｎ＝Ｃ＝Ｗ′基はピ
ラゾール環の窒素原子に置換することはなく、また、（
ＣＨＲ）＿ｍ−Ｑがピラゾール環の窒素原子に置換して
いない場合は、ＢまたはＤのうち窒素原子の置換基は水
素原子、低級アルキル基、低級アルケニル基、低級アル
キニル基、−ＣＨ＿２ＣＮ、低級アルコキシアルキル基
、低級アルキルチオアルキル基、−ＣＨ＿２ＣＯＯＲ＾
１＾０、−ＣＯＲ＾２＾４、−ＳＯ＿２Ｒ＾２＾４、−
ＳＯ＿２ＮＲ＾１＾０Ｒ＾２＾４または置換されていて
もよいフェニル基（置換基はハロゲン原子、ニトロ基、
ＣＯＯＲ＾１＾０または低級アルキル基から選ばれる。 ）を示す。】 で表されるピラゾールスルホニル（チオ）イソシアナー
ト誘導体と、次式（III）： ▲数式、化学式、表等があります▼（III） 【式中Ｇは▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式
、化学式、表等があります▼または ▲数式、化学式、表等があります▼を示す。 〔ＸおよびＹはそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原
子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、低級アルコキ
シアルキル基、ハロゲン化アルキル基、低級ハロゲン化
アルコキシ基、ＮＲ＾２＾２Ｒ＾２＾３、ＯＣＨ（Ｒ＾
１＾０）ＣＯＯＲ＾１＾０、ＣＯＯＲ＾１＾０、シクロ
プロピル基、ＣＨ（ＯＲ＾２＾４）＿２、低級アルキル
チオ基または低級ハロゲン化アルキルチオ基を示す。 Ｒ＾２＾２およびＲ＾２＾３はそれぞれ独立して水素原
子、低級アルキル基または低級アルコキシ基を示す。 Ｒ＾２＾４は低級アルキル基を示す。 Ｘ＾１およびＹ＾１はそれぞれ独立して水素原子、ハロ
ゲン原子、低級アルキル基または低級アルコキシ基を示
す。 Ｘ＾２は低級アルキル基、低級アルキルチオ基または低
級アルコキシ基を、Ｙ＾２は低級アルキル基を示す。 Ｚは窒素原子またはＣ−Ｒ＾２＾５、を示す。 Ｒ＾２＾５は水素原子、低級アルキル基、低級ハロゲン
化アルキル基、ハロゲン原子、低級アルコキシ基または
Ｙ或いはＹ＾１と共に酸素原子を含む５員環構造を示す
。〕】 で表されるアミノピリミジン、アミノトリアジンまたは
アミノトリアゾール誘導体とを、不活性溶媒中で反応さ
せることを特徴とする一般式（ I ）′▲数式、化学式
、表等があります▼（ I ）′ 【式中、Ｂ、Ｄ、Ｑ、ｍ、Ｅ、Ｗ′、Ｇは前記と同様の
意味を示す。】 で表されるピラゾールスルホンアミド誘導体の製法。 - （３）一般式（IV）： ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） 【式中Ｑは、 ▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表
等があります▼▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表
等があります▼▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表
等があります▼▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
式、表等があります▼を示す。 〔Ｒ＾１およびＲ＾２はそれぞれ独立して水素原子、ハ
ロゲン原子、ニトロ基、低級アルキル基、低級ハロゲン
化アルキル基、低級アルコキシ基、低級アルコキシカル
ボニル基、シアノ基、フェニル基又はＳ（Ｏ）＿ｎＲ＾
１＾１を示す。 Ｒ＾３は水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、ニ
トロ基、低級ハロゲン化アルキル基、低級アルコキシ基
、又はＳ（Ｏ）＿ｎＲ＾１＾２を示す。 Ｒ＾４は水素原子、ハロゲン原子、または低級アルキル
基を示す。 Ｒ＾５は水素原子または低級アルキル基を示す。 Ｒ＾６は水素原子または低級アルキル基を示す。 Ｒ＾７は水素原子、ハロゲン原子、または低級アルキル
基を示す。 Ｒ＾８およびＲ＾９はそれぞれ独立して水素原子、また
は低級アルキル基を示す。 Ｒ＾１＾０は水素原子または低級アルキル基を示す。 Ｗ＾１は酸素原子、硫黄原子またはＮＲ＾１＾３を示す
。 Ｒ＾１＾１は低級アルキル基またはフェニル基を示す。 Ｒ＾１＾２は低級アルキル基を示す。 Ｒ＾１＾３は水素原子または低級アルキル基を示す。 ただし一般式（ I ）で−（ＣＨＲ）＿ｍ−Ｑがピラゾ
ール環の窒素原子に置換している場合、Ｑは ▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表
等があります▼▲数式、化学式、表等があります▼ または▲数式、化学式、表等があります▼を示す。〕 ｍは０、１または２の整数を示す。Ｒは水素原子または
低級アルキル基を示す。 Ｂ、Ｄはそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、ニ
トロ基、低級アルキル基、アリルアルキル基、低級アル
コキシ基、ハロゲン化アルキル基、ＣＯＯＲ＾１＾４、
ＣＯＮＲ＾１＾５Ｒ＾１＾６、Ｓ（Ｏ）＿ｎＲ＾１＾７
、シアノ基、ＮＲ＾１＾８Ｒ＾１＾９、ＳＯ＿２ＮＲ＾
２＾０Ｒ＾２＾１、ＯＨ、置換されていてもよいベンゾ
イル基（置換基はハロゲン原子または低級アルキル基か
ら選ばれる。）、置換されていてもよいフェニル基（置
換基はハロゲン原子、ニトロ基、ＣＯＯＲ＾１＾０また
は低級アルキル基から選ばれる。）を示す。 Ｒ＾１＾４は水素原子、低級アルキル基、低級アルケニ
ル基、低級アルキニル基またはハロゲン化アルキル基を
示す。 Ｒ＾１＾５は水素原子、低級アルキル基またはフェニル
基を示す。Ｒ＾１＾６は水素原子、低級アルキル基また
は低級アルコキシ基を示す。 Ｒ＾１＾７は低級アルキル基、低級アルコキシ基、フェ
ニル基、ハロゲン化アルキル基、低級アルケニルオキシ
基または低級アルキニルオキシ基を示す。ｎは０、１ま
たは２の整数を示す。 Ｒ＾１＾８およびＲ＾１＾９はそれぞれ独立して水素原
子、低級アルキル基、低級アルキルカルボニル基または
低級アルキルスルホニル基を示す。 Ｒ＾２＾０およびＲ＾２＾１はそれぞれ独立して水素原
子、低級アルキル基、低級アルケニル基または低級アル
キニル基を示す。 Ｅは水素原子、低級アルキル基、低級アルケニル基、低
級アルキニル基または低級アルコキシ基を示す。 Ｒ＾２＾６は低級アルキル基またはフェニル基を示す。 Ｗ′は酸素原子または硫黄原子を示す。 ただし、一般式（IV）で▲数式、化学式、表等がありま
す▼基 はピラゾール環の窒素原子に置換することはなく、また
、（ＣＨＲ）＿ｍ−Ｑがピラゾール環の窒素原子に置換
していない場合は、ＢまたはＤのうち窒素原子の置換基
は水素原子、低級アルキル基、低級アルケニル基、低級
アルキニル基、−ＣＨ＿２ＣＮ、低級アルコキシアルキ
ル基、低級アルキルチオアルキル基、−ＣＨ＿２ＣＯＯ
Ｒ＾１＾０、−ＣＯＲ＾２＾４、−ＳＯ＿２Ｒ＾２＾４
、−ＳＯ＿２ＮＲ＾１＾０Ｒ＾２＾４または置換されて
いてもよいフェニル基（置換基はハロゲン原子、ニトロ
基、ＣＯＯＲ＾１＾０または低級アルキル基から選ばれ
る。）を示す。】 で表されるピラゾールスルホニル（チオ）カーバメート
誘導体と次式（III）： ▲数式、化学式、表等があります▼（III） 【式中Ｇは▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式
、化学式、表等があります▼または ▲数式、化学式、表等があります▼を示す。 〔ＸおよびＹはそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原
子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、低級アルコキ
シアルキル基、ハロゲン化アルキル基、低級ハロゲン化
アルコキシ基、ＮＲ＾２＾２Ｒ＾２＾３、ＯＣＨ（Ｒ＾
１＾０）ＣＯＯＲ＾１＾０、ＣＯＯＲ＾１＾０、シクロ
プロピル基、ＣＨ（ＯＲ＾２＾４）＿２、低級アルキル
チオ基または低級ハロゲン化アルキルチオ基を示す。 Ｒ＾２＾２およびＲ＾２＾３はそれぞれ独立して水素原
子、低級アルキル基または低級アルコキシ基を示す。 Ｒ＾２＾４は低級アルキル基を示す。 Ｘ＾１およびＹ＾１はそれぞれ独立して水素原子、ハロ
ゲン原子、低級アルキル基または低級アルコキシ基を示
す。 Ｘ＾２は低級アルキル基、低級アルキルチオ基または低
級アルコキシ基を、Ｙ＾２は低級アルキル基を示す。 Ｚは窒素原子またはＣ−Ｒ＾２＾５を示す。 Ｒ＾２＾５は水素原子、低級アルキル基、低級ハロゲン
化アルキル基、ハロゲン原子、低級アルコキシ基または
Ｙ或いはＹ＾１と共に酸素原子を含む５員環構造を示す
。〕】 で表されるアミノピリミジン、アミノトリアジンまたは
アミノトリアゾール誘導体とを、不活性溶媒中で反応さ
せることを特徴とする一般式（ I ）′▲数式、化学式
、表等があります▼（ I ）′ 【式中、Ｂ、Ｄ、Ｑ、ｍ、Ｅ、Ｗ′、Ｇは前記と同様の
意味を示す。】 で表されるピラゾールスルホンアミド誘導体の製法。 - （４）一般式（ I ）： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 【式中Ｑは、 ▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表
等があります▼▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表
等があります▼▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表
等があります▼▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
式、表等があります▼を示す。 〔Ｒ＾１およびＲ＾２はそれぞれ独立して水素原子、ハ
ロゲン原子、ニトロ基、低級アルキル基、低級ハロゲン
化アルキル基、低級アルコキシ基、低級アルコキシカル
ボニル基、シアノ基、フェニル基又はＳ（Ｏ）＿ｎＲ＾
１＾１を示す。 Ｒ＾３は水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、ニ
トロ基、低級ハロゲン化アルキル基、低級アルコキシ基
、又はＳ（Ｏ）＿ｎＲ＾１＾２を示す。 Ｒ＾４は水素原子、ハロゲン原子、または低級アルキル
基を示す。 Ｒ＾５は水素原子または低級アルキル基を示す。 Ｒ＾６は水素原子または低級アルキル基を示す。 Ｒ＾７は水素原子、ハロゲン原子、または低級アルキル
基を示す。 Ｒ＾８およびＲ＾９はそれぞれ独立して水素原子、また
は低級アルキル基を示す。 Ｒ＾１＾０は水素原子または低級アルキル基を示す。 Ｗ＾１は酸素原子、硫黄原子またはＮＲ＾１＾３を示す
。 Ｒ＾１＾１は低級アルキル基またはフェニル基を示す。 Ｒ＾１＾２は低級アルキル基を示す。 Ｒ＾１＾３は水素原子または低級アルキル基を示す。 ただし一般式（ I ）で−（ＣＨＲ）＿ｍ−Ｑがピラゾ
ール環の窒素原子に置換している場合、Ｑは ▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表
等があります▼▲数式、化学式、表等があります▼ または▲数式、化学式、表等があります▼を示す。〕 ｍは０、１または２の整数を示す。Ｒは水素原子または
低級アルキル基を示す。 Ｂ、Ｄはそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、ニ
トロ基、低級アルキル基、アリルアルキル基、低級アル
コキシ基、ハロゲン化アルキル基、ＣＯＯＲ＾１＾４、
ＣＯＮＲ＾１＾５Ｒ＾１＾６、Ｓ（Ｏ）＿ｎＲ＾１＾７
、シアノ基、ＮＲ＾１＾８Ｒ＾１＾９、ＳＯ＿２ＮＲ＾
２＾０Ｒ＾２＾１、ＯＨ、置換されていてもよいベンゾ
イル基（置換基はハロゲン原子または低級アルキル基か
ら選ばれる。）または置換されていてもよいフェニル基
（置換基はハロゲン原子、ニトロ基、ＣＯＯＲ＾１＾０
または低級アルキル基から選ばれる。）を示す。 Ｒ＾１＾４は水素原子、低級アルキル基、低級アルケニ
ル基、低級アルキニル基またはハロゲン化アルキル基を
示す。） Ｒ＾１＾５は水素原子、低級アルキル基またはフェニル
基を示す。Ｒ＾１＾６は水素原子、低級アルキル基また
は低級アルコキシ基を示す。 Ｒ＾１＾７は低級アルキル基、低級アルコキシ基、フェ
ニル基、ハロゲン化アルキル基、低級アルケニルオキシ
基または低級アルキニルオキシ基を示す。ｎは０、１ま
たは２の整数を示す。 Ｒ＾１＾８およびＲ＾１＾９はそれぞれ独立して水素原
子、低級アルキル基、低級アルキルカルボニル基または
低級アルキルスルホニル基を示す。 Ｒ＾２＾０およびＲ＾２＾１はそれぞれ独立して水素原
子、低級アルキル基、低級アルケニル基または低級アル
キニル基を示す。 Ｅは水素原子、低級アルキル基、低級アルケニル基、低
級アルキニル基または低級アルコキシ基を示す。 Ｗは酸素原子、硫黄原子またはＮ−Ｒ＾１＾６を示す。 Ｇは▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学
式、表等があります▼または ▲数式、化学式、表等があります▼を示す。 〔ＸおよびＹはそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原
子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、低級アルコキ
シアルキル基、ハロゲン化アルキル基、低級ハロゲン化
アルコキシ基、ＮＲ＾２＾２Ｒ＾２＾３、ＯＣＨ（Ｒ＾
１＾０）ＣＯＯＲ＾１＾０、ＣＯＯＲ＾１＾０、シクロ
プロピル基、ＣＨ（ＯＲ＾２＾４）＿２、低級アルキル
チオ基または低級ハロゲン化アルキルチオ基を示す。 Ｒ＾２＾２およびＲ＾２＾３はそれぞれ独立して水素原
子、低級アルキル基または低級アルコキシ基を示す。 Ｒ＾２＾４は低級アルキル基を示す。 Ｘ＾１およびＹ＾１はそれぞれ独立して水素原子、ハロ
ゲン原子、低級アルキル基または低級アルコキシ基を示
す。 Ｘ＾２は低級アルキル基、低級アルキルチオ基または低
級アルコキシ基を、Ｙ＾２は低級アルキル基を示す。 Ｚは窒素原子またはＣ−Ｒ＾２＾５、を示す。 Ｒ＾２＾５は水素原子、低級アルキル基、低級ハロゲン
化アルキル基、ハロゲン原子、低級アルコキシ基または
Ｙ或いはＹ＾１と共に酸素原子を含む５員環構造を示す
。 ただし、一般式（ I ）で▲数式、化学式、表等があり
ます▼基 はピラゾール環の窒素原子に置換することはなく、また
、（ＣＨＲ）＿ｍ−Ｑがピラゾール環の窒素原子に置換
していない場合は、ＢまたはＤのうち窒素原子の置換基
は水素原子、低級アルキル基、低級アルケニル基、低級
アルキニル基、−ＣＨ＿２ＣＮ、低級アルコキシアルキ
ル基、低級アルキルチオアルキル基、−ＣＨ＿２ＣＯＯ
Ｒ＾１＾０、−ＣＯＲ＾２＾４、−ＳＯ＿２Ｒ＾２＾４
、−ＳＯ＿２ＮＲ＾１＾０Ｒ＾２＾４または置換されて
いてもよいフェニル基（置換基はハロゲン原子、ニトロ
基、ＣＯＯＲ＾１＾０または低級アルキル基から選ばれ
る。）を示す。〕】 で表されるピラゾールスルホンアミド誘導体の１種また
は２種以上を有効成分として含有することを特徴とする
除草剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29547685A JPS62155273A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | ピラゾ−ルスルホンアミド誘導体、製法および除草剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29547685A JPS62155273A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | ピラゾ−ルスルホンアミド誘導体、製法および除草剤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62155273A true JPS62155273A (ja) | 1987-07-10 |
Family
ID=17821093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29547685A Pending JPS62155273A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | ピラゾ−ルスルホンアミド誘導体、製法および除草剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62155273A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61112072A (ja) * | 1984-09-17 | 1986-05-30 | イ−・アイ・デユポン・デ・ニモアス・アンド・カンパニ− | 除草剤性ピラゾ−ルスルホンアミド類 |
-
1985
- 1985-12-27 JP JP29547685A patent/JPS62155273A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61112072A (ja) * | 1984-09-17 | 1986-05-30 | イ−・アイ・デユポン・デ・ニモアス・アンド・カンパニ− | 除草剤性ピラゾ−ルスルホンアミド類 |
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