JPS62154733A - ドライエツチング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はドライエツチング装置の電極に関するものであ
る。

〔従来の技術〕

従来、半導体装置製造に用いるドライエツチング装置に
おいて、高周波電圧を印加する対向電極は双方とも平面
か又は円筒形であった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述した従来のドライエツチャーのうち、前者の平行平
板電極の場合に、同時に処理できる半導体基板の枚数を
増してスループントを向上させるためには、装置の平面
積を大きくする必要があり、設置スペース効率が悪くな
るという欠点があった。

又、後者の円筒形電極の場合には、エツチング室内で半
導体基板が配置された電極を回転したり平行移動するこ
とが困難であり、平行平板電極タイプのように一方の電
極を回転させて、エツチングの均一性を向上させること
ができないという欠点があった。

本発明の目的はスループット向上対策やウェリー大口径
化の際に設置スー％率が低下せず、かつエツチングの均
一性を平行平板電極タイプのレベル以下に低下させるこ
とのないドライエツチング装置を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明はエツチング室内を真空ポンプにより真空に保ち
、該エツチング室内に対向配置された電極に高周波の電
圧を印加し、導入されたガスの励起又はイオン化によっ
て電極上の半導体基板をドライエツチングするドライエ
ツチング装置において、前記対向電極双方を球面状に弯
曲させたことを特徴とするドライエツチング装置である
。

〔実施例〕

次に本発明の実施例につき、図面を用いて説明する。

第１図において、本実施例のドライエツチング装置は、
真空ポンプ１により真空に保持されるエツチング室２の
内部に、球面状に弯曲したアノード３と球面に弯曲した
カソード４を対向配置し、かつカソード４は回転軸５を
介してモーター６に接続し、エツチング中に回転可能に
しである。エツチング処理の際には、ガス導入ロアより
ガスが電極間に導入され、かつ高周波電源８により、電
極間に高周波電圧が印加され、カソード表面に配置され
た半導体基板９表面をエツチングする。

本発明によれば、対向電極としてのアノード３及びカソ
ード４が球面状に弯曲しているため、カソード４の表面
に設置される半導体基板９の枚数が平面の場合に比して
多くなる。また両電極３゜４が球面状に弯曲しているか
ら、カソード４を他のアノード３に干渉することなく回
転させられるため、エツチングの均一性を保つことが可
能になる。

上述の実施例において、高周波電源の接続をカソードで
なく、アノードに変更することができるし、電極表面に
配置される半導体基板の枚数は自由に選択できる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、装置の平面積、即
ち設置面積を増すことなく、電極表面に配置される半導
体基板の枚数を増すことができ、設置スペース効率を向
上させることができる。さらに、回転機構を介してカソ
ードを回転させることにより、エツチングの際の均一性
も保つこともできる効果を有するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を説明するための概略断面図
である。 １・・・真空ポンプ、２・・・エツチング室、３・・・
アノード、４・・・カソード、５・・・回転軸、６・・
・モーター、７・・・ガス導入口、８・・・高周波電源
、９・・・半導体基板。 晃１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）エッチング室内を真空ポンプにより真空に保ち、
   該エッチング室内に対向配置された電極に高周波電圧を
   印加し、導入されたガスの励起又はイオン化によって電
   極上の半導体基板をドライエッチングするドライエッチ
   ング装置において、前記対向電極双方を球面状に弯曲さ
   せたことを特徴とするドライエッチング装置。