JPH01218023A - ドライエッチング装置 - Google Patents

ドライエッチング装置

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Publication number
JPH01218023A
JPH01218023A JP4545988A JP4545988A JPH01218023A JP H01218023 A JPH01218023 A JP H01218023A JP 4545988 A JP4545988 A JP 4545988A JP 4545988 A JP4545988 A JP 4545988A JP H01218023 A JPH01218023 A JP H01218023A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
columnar electrode
dry etching
etching
insulating sheet
Prior art date
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Pending
Application number
JP4545988A
Other languages
English (en)
Inventor
Ken Futsukaichi
二日市 研
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
NEC Kyushu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は、内部に柱状電極を備え、この柱状電極の壁面
に複数の半導体ウェハを配置してエツチングするドライ
エツチング装置に関する。
[従来の技術] 一般に、半導体装置の製造に使用するドライエツチング
装置では、エツチング室内を真空に保ち、このエツチン
グ室内に設けた電極に高周波電圧を印加し、エツチング
室内に導入したガスを励起又はイオン化することにより
、電極上に配置した半導体ウェハをエツチングする。
従来、この種のドライエツチング装置では、エツチング
室内の電極として柱状電極が使用され、この柱状電極は
エツチング室内に固定されていた。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、上述した従来のドライエツチング装置で
は、柱状電極をエツチング室内に固定しているため、バ
ッチ処理や半導体ウェハの大口径化によりエツチング室
が大型化すると、エツチング室内のプラズマの均一性が
悪くなる。このため、各半導体ウェハは常に同一方向を
向いているので、エツチングの均一性が悪化し、製品の
歩留りが低下するという欠点がある。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
エツチング室が大型化しプラズマの均一性が悪くなって
も、柱状電極上に配置した複数の半導体ウェハを均一に
エツチングすることができ、製品の歩留りを向上させる
ことのできるドライエツチング装置を提供することを目
的とする。
[課題を解決するための手段] 本発明に係るドライエツチング装置は、真空室内に柱状
電極を設け、この柱状電極の壁面に配置した複数の半導
体ウェハをエツチングするドライエツチング装置におい
て、前記柱状電極をエツチング中に回転させる回転機構
を備えたことを特徴とする。
[作用] 上記構成のドライエツチング装置においては、柱状電極
上に配置した半導体ウェハのエツチング中に、該柱状電
極が回転することにより、エツチングの均一化が図られ
る。
し実施例] 以下、本発明の実施例について添付の図面を参照して説
明する。
第1図は本発明の実施例に係るドライエツチング装置を
示す縦断面図である0反応容器(リアクタ)1は接地さ
れた底板7上に載置されるようになっており、内部にエ
ツチング室2を形成すると共に、エツチングに際して陽
極となるものである。
この反応容器1内に柱状電極4がその軸方向を垂直にし
て設置されており、この柱状電極4には高周波電源3が
接続されている。この柱状電極4にはその外壁面に設け
た複数の溝内に夫々半導体ウェハ5が配置されるように
なっている。
柱状電極4と底板7との間には絶縁板6が配設れており
、柱状電極4は絶縁板6上に固定されている。この絶縁
板6は、反応容器1の底板7を貫通して設けられた駆動
モータ8の回転軸9に固定され、この回転軸9の回転に
より所定の速度で回転駆動されるようになっている。
底板7にはガス導入用のガス導入口10が設けられてい
る。更に、底板7には排気口11が設けられており、こ
の排気口11には配管12を介して真空ポンプ13が連
結され、この真空ポンプ13によりエツチング室2内を
真空排気するようになっている。
上記構成のドライエツチング装置においては、エツチン
グ処理の際にはエツチング室2内は真空ポンプ9により
真空に排気されると共にガス導入口10から所定のエツ
チングガスがエツチング室2に導入され、エツチング室
2内が所定の減圧圧力下のエツチングガス雰囲気に保持
される。
そして、高周波電源3により柱状電極4に高周波電圧を
印加すると共に、絶縁板6を介して柱状電極4をモータ
8により回転駆動する。これにより、導入されたガスが
励起され、柱状電極4上に配置された半導体ウェハ5の
表面がエツチングされる。このエツチング中に駆動モー
タ8の回転に伴い絶縁板6上に固定された柱状電極4が
所定の速度で回転するから、半導体ウェハ5のエツチン
グが均一になされる。
第2図は本発明の他の実施例を示す縦断面図である0本
実施例においては、高周波電源14を回転軸9に接続す
ると共に、柱状電極4を直接回転軸9に固定させたもの
で、高周波電圧を回転軸9を介して柱状電極4に印加す
るものである4本実施例では、柱状電極4は駆動モータ
8により直接回転駆動されるものであり、上記実施例と
同様に半導体ウェハ5上のエツチングを均一にすること
ができる。
なお、本発明は上記各実施例に限定されることなく、そ
の要旨を逸脱しないで種々変形可能である0例えば、上
記実施例においては、駆動モータ8を柱状電極4の直下
に設置する構成としたが、他の位置に設置した駆動モー
タから歯車機構等を介して回転力を柱状電極4に伝達さ
せる構成としてもよい。
また、柱状電極4としては上記実施例においては、六角
柱状のものを使用して説明したが、その形状は任意であ
り、例えば、2つ割り構造のものとしてもよい。
し発明の効果コ 以上説明したように本発明のドライエツチング装置によ
れば、エツチング中に柱状電極を回転させるようにした
もので、バッチ処理や半導体ウェハの大型化によりエツ
チング室が大型化され、エツチング室内のプラズマの均
一性が悪化しても、半導体ウェハ全体にわたって均一な
エツチングを行うことができ、製品の歩留りが大幅に向
上する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例に係るドライエツチング装置を
示す縦断面図、第2図は本発明の他の実施例に係るドラ
イエツチング装置を示す縦断面図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)真空室内に柱状電極を設け、この柱状電極の壁面
    に配置した複数の半導体ウェハをエッチングするドライ
    エッチング装置において、前記柱状電極をエッチング中
    に回転させる回転機構を備えたことを特徴とするドライ
    エッチング装置。
JP4545988A 1988-02-26 1988-02-26 ドライエッチング装置 Pending JPH01218023A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4545988A JPH01218023A (ja) 1988-02-26 1988-02-26 ドライエッチング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4545988A JPH01218023A (ja) 1988-02-26 1988-02-26 ドライエッチング装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01218023A true JPH01218023A (ja) 1989-08-31

Family

ID=12719941

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4545988A Pending JPH01218023A (ja) 1988-02-26 1988-02-26 ドライエッチング装置

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JP (1) JPH01218023A (ja)

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