JPS63301524A - ドライエッチング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体装置製造装置、特にドライエツチング装
置に関するものである。

［従来の技術］ 従来、半導体装置製造等に用いるドライエツチング装置
は、１個あるいは複数個のガス導入口からガスを導入し
ていたが、ガス導入口の形状２個数は決っていた。

［発明か解決しようとする問題点］ 上述した従来のドライエツチング装置では、ガス導入口
の個数に制限があるため、バッチ処理やウェハーの大口
径化によりエツチング室が大きくなると、エツチング室
内のガス分布の均一性が悪くなりエツチングの均一性が
悪化するという欠点がある。

本発明の目的は前記問題点を解消し、ガス分イ［の均一
性を増すことによりバッチ処理型やウェハーの大口径化
の際にエツチングの均一性を向上させるドライエツチン
グ装置を提供することにある。

［問題点を解決するための手段］ 本発明はエツチング室内を真空ポンプにより真空に保ら
、該エツチング室内に対向配置された電極に高周波の電
圧を印ＩＪ０シ、導入されたガスの励起又はイオン化に
よって電極上の半導体基板をドライエツチングするドラ
イエツチング装置において、前記エツチング室に設けら
れた複数個のガス導入口の各々に開度調整用の可変板を
設けたことを特徴とするドライエツチング装置である。

［実施例］ 次に本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。

第１図において、エツチング室１と真空ポンプ２が真空
排気ロアで接続されている。ざらにエツチング処理の際
にはガス導入口９よりガスがエツチング室１に導入され
、かつ高周波電源８によりアノード３．カソード４間に
高周波電圧が印加され、カソード４の表面に配置された
ウェハー５の表面をエツチングする。

本発明はエツチング室１に開口された複数個のガス導入
口９，９・・・の各々に開度調整用の可変板６を設け、
該複数枚の可変板６を別個独立に駆動装置１０に連結し
たものである。したがって、本発明によればエツチング
時に駆動装置１０により可変板６を個別に駆動し、一部
のガス導入口９は可変板６で仝閉させ、またある一部の
ガス導入口９は可変板６を開いて全開とし、またある一
部のガス導入口９は可変板６によりその開度を絞ること
ができ、ガス導入口９の形状２個数を自由に設定するこ
とが可能となる。

尚、高周波電源８を上部電極３に接続してもよく、また
、電極上のウェハーの数、真空ポンプの数は自由に選択
できる。また、駆動装置１０は可変板６の数に応じて必
要な台数を設置すればよく、また一部のガス導入口は電
極に設けてエツチング室内に開口するようにしてもよい
。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によればバッチ処理やウェ
ハーの大口径化に伴うエツチング室の大型化に対して、
エツチング室内のガス分布の均一性を良くすることによ
り、エツチングの均一性を向上させる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の詳細な説明する概略断面図である。 １・・・エツチング室　　　２・・・真空ポンプ、　３
・・・アノード　　　　　４・・・カソード５・・・ウ
ェハー　　　　　６・・・可変板７・・・真空排気口　
　　　８・・・高周波電源９・・・ガス導入口　　　　
１０・・・駆動装置特許出願人　　九州日本電気株式会
社 第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）エッチング室内を真空ポンプにより真空に保ち、
   該エッチング室内に対向配置された電極に高周波の電圧
   を印加し、導入されたガスの励起又はイオン化によって
   電極上の半導体基板をドライエッチングするドライエッ
   チング装置において、前記エッチング室に設けられた複
   数個のガス導入口の各々に開度調整用の可変板を設けた
   ことを特徴とするドライエッチング装置。