JPS62147785A - 光センサ−の連続製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の屈する技術分野〕 本発明は、非単結晶半導体を用いた光センサ−及びその
製造方法と製造装置に関する。

〔従来技術の説明〕

従来光センサーは各種分野において種々の用途に用いら
れており、例えば、ファクンミリーの送信機や複写機に
おいては、原稿読み取シ用の光センサーが用いられてい
る。第３図は、読み取り用の光センサーを用いた例を模
式的に示すものであり、３０１は光センサーであり、光
センサーの下方にはセルホックレンズ（商品名二′　日
本板硝子社）等の集束型光伝送体３０２が設けられてお
り、その両側には発光ダイオード（ＬＥＤ）アレイ３０
３が設けられている。３０４は読取り原稿である。

こうした光センサーには種々のものがあるが、中でもア
モルファス半導体や多結晶半導体等の非単結晶薄膜半導
体を光電変換層に用いたものは、非単結晶薄膜半導体が
優れた光電変換機能を有する材料であり、また、大面積
化が容易であることから、好ましいものとされている。

該非単結晶半導体を光電変換層として用いた光センサー
は、電気絶縁性の裁板の上に非単結晶半導体からなる光
電変換層を設けたものであるが、該非単結晶半導体から
なる層を形成する方法についてもいくつか提案されてお
り、真空蒸若法、イオンブレーティング法、反応［生ス
パッタリング法、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、光Ｃ
ＶＤ等があり、中でもプラズマＣＶＤ法は至適なものと
して実用に付され一般に広く知られているところである
。

ところで従来の非単結晶半導体で構成される光電変換層
は、例えばプラズマＣＶＤ法により得られるものは、特
性発現性に富み一応満足のゆくものとされてはいる゛も
のの、それであっても、確固たる当該製品の成立に要求
される、電気的、光学的、光導電的特性、繰返し使用に
ついての耐疲労特性、使用環境特性の点、経時的安定性
および耐久性の点、そして更に均質性の点の全ての点を
総じて満足せしめる、という課題を解決するには未だ問
題のある状態のものである。

その原因は、目的とする充電変換層が、使用する材料も
さることながら、単純な層堆積操作で得られるという類
のものではなく、就中の工程操作に熟練的工夫が必要と
されるとこ４が大きい。

因みに、例えば、いわゆる熱ＣＶＤ法により、アモルフ
ァスシリコン（以下、「ａ−３ｉＪと表記する。）膜を
形成する場合、ケイ素系気体祠料を希釈した後いわゆる
不純物を混入し、ついで５００〜６５０℃といった高温
で熱分解することから、所望のａ　−Ｓｉ膜を形成する
については緻密な工程操作と制御が要求され、ために装
置も複雑となって可成りコスト高のものとなるが、そう
したところで均質にして前述したような所望の特性を具
有するａ　−Ｓｉで構成された光電変換層を定常的に得
ることは極めてむずかしく、したがって工業的規模には
採用し難いものである。

また、前述したところの、至適な方法として一般に広く
用いられているプラズマＣＶＤ法であっても、工程操作
上のいくつかの問題、そしてまた設備投資上の問題が存
在する。工程操作については、その条件は前述の熱ＣＶ
Ｄ法よシも更に複雑であり、−膜化するには至難のもの
である。即ち、例えば、基体温度、導入ガスの流量並び
に流叶比、層形成時の圧力、高周波電力、電極構造、反
応容器の構造、排気速度、プラズマ発生方式の相互関係
のパラメーターをとってみても既に多くのパラメーター
が存在し、この他にもパラメーターが存在するわけであ
って、所望の製品を得るについては厳密なパラメーター
の選択が必要とされ、そして厳密に選択されたパラメー
ターであるが故に、その中の１つの構成因子、とりわけ
それがプラズマであって、不安定な状態になりでもする
と形成される膜は著しい悪影響を受けて製品として成立
し得ないものとなる。そして装置については、上述した
ように厳密なパラメーターの選択が必要とされることか
ら、構造はおのずと曳ｉ′！ｌｔなものとなり、装置規
模、ｆＩＩｆ類が変れば個々に、厳選されたパラメータ
ーに対応し得るように設計しなければならない。こうし
たことから、プラズマＣＶＤ法については、それが今の
ところ至適な方法とされてはいるものの、上述したこと
から、所望のａ　−Ｓ　ｉ膜を量産するとなれば装置に
多大の設備投資が必要となり、そうしたところで尚量産
のための工程管理項目は多く且つ複雑であり、工程管理
許容幅は狭く、そしてまた装置調整が微妙であることか
ら、結局は製品をかなりコスト高のものにしてしまう等
の問題がある。

また一方には、光センサーは多様化してきており、前述
の諸特性等の要件を総じて満足すると共に、適用対象、
用途に相応し、そして場合によってはそれが大面積化さ
れたものである、安定なａ−８ｉから構成される光電変
換層を有する光センサーを低コストで定常的に供給され
ることが社会的要求としてあり、この要求を満たす方法
、装置の開発が切望されている状況がち更にまた、光セ
ンサーの光電変換層は、多数のａ−８ｉ膜で構成されて
いる場合が多いが、こうした多層構成の光電変換層を形
成する場合には、堆積される層ごとに、前述したところ
の種々のパラメーターを決定する必要があるため、多層
構成の光電変換層を有する光センサーを効率的に量産す
ることは困難であるという問題がある。

これらのことは他の光電変換層を構成する非単結晶薄膜
半導体、例えば酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中か
ら選ばれる少なくとも一種を含有するａ−Ｓｉ等で構成
される非単結晶薄膜半導体についてもまた然りである。

〔発明の目的〕

本発明は、上述した従来の熱ＣＶＤ法及びプラズマＣＶ
Ｄ法による光電変換層の問題点を排除した新規な光セン
サーを連続的に製造する装置を提供することを主たる目
的とする。

即ち、本発明の主たる目的は、プラズマ反応を介するこ
となく、成膜空間において連続的に光電変換層を形成し
つる装置を提供することにある。

本発明の他の目的は、成膜空間においてプラズマ反応を
介することなく、形成される膜の特性を保持し、堆積速
度の向上を図りながら、膜形成条件の管理の簡素化、膜
の量産化を容易に達成できるようにした、多層構成の光
電変換層を有する光センサーを連続的に製造しうる装置
を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明者らは、従来の光センサーについての諸問題を克
服して上述の目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、
光センサーの光電変換層の形成に寄与する物質であって
、そのままのエネルギー状態ではほとんど乃至全く堆積
膜形成するところとはならない物質と、該物質と反応し
てそれを電子論的に酸化（原子の酸化数を増加する）す
る物質を選んで、両者を２００〜３００°Ｃ程度の品温
に維持されている７１体の存在する単純反応域に気体状
で各別の径路で導入し、栽体面の上部空間で接触せしめ
たところ、両者間に化学的相互作用が生起して基体表面
に堆積膜が何らの固形粒子の形成をみることなく、極め
て効率的に形成され、その堆積膜は均質なものであって
優れた電気的、光学的特イ螢して）夏れた光電変換効率
のものであることを確認し、ついで上記手法を用いて光
センサーの製造を試みたところ、電気的、光学的特性、
耐疲労特性、使用環境特性等の諸特性に優れ、且つ優れ
た光電変換効率を有する光センサーが得られ、この方法
は再現性を有するものであることを確認した。

本発明者らは、これらの確認した事実関係に基づいて更
なる研究を行い、多層構成の充電変換層を有する光セン
サーを連続的に製造しうる装置を完成するに至った。

本発明は、載体上に多層構成の光電変換層を有する光セ
ンサーを連続して製造する装置を提供するものであり、
その骨子とするところは、前記光電変換層を構成する層
の数に応じた複数の成膜室を内部に連続して有する反応
容器と、前記成膜室の夫々の上壁に設けられたガス導入
用の配管と、前記成膜室の夫々の側壁下部に設けられた
ガス排気手段と、前記複数の成膜室に前記基体を順次搬
送する手段とから構成されるて、前記成膜室内に導入さ
れる光電変換層形成用の気体状原料物質と該気体状原料
物質に酸化作用する性質を有する気体状酸化剤とが、各
々別の経路より前記成膜室に導入されると同時にプラズ
マ反応を介することなくして化学的に接触するようにさ
れているところにある。

本発明の装置により製造される光センサーの光電変換層
は、光電変換層形成用の原料ガスに放電エネルギー等を
作用させてガスプラズマを形成する従来のものとは異な
り、プラズマ反応を介することなく形成されたものであ
るため、成膜中にエツチングあるいはその他の、例えば
異常放電作用等の悪影響をうけることがなくなり、優れ
た光電変換機能を有するものである。

また、本発明の装置においては、プラズマ反応を介する
ことなく、成膜室に、光電変換層形成用の気体状原料物
質と該気体状原料物質に酸化作用する性質を有する気体
状酸化剤とを各々別の経路より導入するだけで、光電変
換層を形成せしめるものであるため、省エネルギー化と
同時に大面積化、膜厚および膜品質の均−性等を達成す
るとともて、管理の簡素化とｈ１産化が可能となり、さ
らに本発明の方法を実施するための装置は多大な設備投
資が不必要となり、装置の管理、調整も簡単となるもの
である。

本発明の光センサーの製造装置において用いられる光電
変換層の形成に利用される原料物質ｃ以下、「原料物質
（３）」と称す。」は、そのままのエネルギー状態では
ほとんど乃至全く堆積膜を形成するところとはならない
物質であるが、気体状酸化剤との化学的接触により酸化
作用をうけて励起状態の前駆体を含む複数種の前駆体を
生成するものであシ、目的とする光受容層の種類、特性
、用途等によって適宜選択される。

そして、本発明の光センサーの製造装置において用いら
れる原料物質（３）は、気体状酸化剤と化学的に接触す
る際に気体状となっているものであればよく、通常の場
合、気体であっても、液体であってもあるいは固体であ
ってもよい。原料物質（５）が液体又は固体である場合
には、Ａｒ、Ｈｅ、　Ｎ２、Ｎ２等のキャリアーガスを
用い、必要に応じては熱を加えながらバブリングを行な
って、成膜空間内に気体状原料物質（５）として導入せ
しめる。

また、本発明の光センサーの製造装置に用いる気体状酸
化剤は、前述の気体状原料物質に化学的に接触するだけ
で、効率的に酸化作用による励起化をおこす性質を有す
るものであシ、空気、酸素、オゾン等の酸素類、Ｎ２　
ｏ、　、　Ｎ２　ｏ３、Ｎ２０等の酸素又は窒素の化合
物、Ｈ２Ｏ２等の過酸化物、Ｆ２、（Ｊ２、Ｂｒ２、工
２等のハロゲンガス、発生期状態の弗素、塩素、臭素等
が有用なものとしてあげられる。そして、本発明の装置
に用いる気体状酸化剤は、前述の気体状原料物質（Ａｌ
と化学的に接触する際に気体状となっているものであれ
ばよく、通常の場合、気体であっても、液体であっても
、あるいは固体であってもよい。

酸化剤が液体又は固体である場合には、原料物質（５）
が液体又は固体である場合と同様にして、Ａｒ、　　Ｈ
ｅ、　Ｎ２、Ｎ２等のキャリアーガスを使用し、必要に
応じて加熱しながらバブリングを行ない、成膜空間内に
気体状の酸化剤として導入せしめる。前述の気体状原料
物質（５）と、前述の気体状酸化剤とは、夫々所望の流
量及び供給圧が与えられて成膜空間内に導入され、夫々
が混合衝突することで化学的接触をし、気体状酸化剤が
、気体状原料物質人）に酸化作用を施し、それにより励
起状態の前駆体を含む複数種の前駆体が効率的に生成さ
れ、それらのうち少なくとも一種が供給源となって光電
変換層が堆積形成されるところとなる。即ち、生成され
た励起状態の前駆体は、分解又は反応して別の前駆体又
は別の励起状態にある前駆体となるが、あるいは、必要
に応じてエネルギーを放出するがそのままの形態で、成
膜空間に配置された光センサー用の乱体表面に触れるこ
とにより、該基体上に三次元ネットワーク構造の膜が堆
積される。なお、この系にあって、気体状酸ｆヒ剤との
化学的接触により生成される励起状の前駆体のエネルギ
ーレベルは、該励起状態の前駆体がより低いエネルギー
ンペルにエネルギー遷移するか、又は別の化学種に変化
する過程において発光を伴うようなものであることが好
ましい。かかる°エネルギーの遷移に発光を伴う励起状
態の前駆体を含めた複数種の前駆体が形成されることに
より、光センサーの光電変換層形成プロセスは、より効
率的に、かつより省エネルギーで進行し、受光膜全面に
わたって膜厚、膜質ともに均一で、優れた光電変換機能
を有する光センサーを形成することができる。

次に、本発明の装置により提供される光センサーについ
て、図面により詳細に説明する。

第２　（Ａｌ、　（Ｃ１乃至（目図は、本発明の光セン
サーの典型例を模式的に示す部分断面図であり、第２（
Ｂ）図は、第２囚図に示す例の全体斜視図である。

第２　（ＡＪ　、　（Ｃ１、（Ｄｌに示す例は、基体側
より光が入射する形式の光センサーであって、２０１は
基体、２０２は光電変換層、２０２’　、　２０２’は
光電変換層を構成する層、２０３はギャップ型電極、２
０４は下引き層、２０５はオーミックコンタクト層をそ
れぞれ示している。

第２（８図に示す例は、光の入射が基体側及び光重変換
層側の両方から行なわれる形式の光センサーであって、
２０１は透過性基体、２０２は光電変換層、２０６は透
明電極をそれぞれ示す。

第２（５）、（Ｃ）〜［Ｆ］）図に示すいずれの形式に
ついても、基体２０１は、電気絶縁性のものであって、
例えば、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネー
ト、セルローズアセテート、ボリプコピレン、ポリ塩化
ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミ
ド等の合成樹脂製のシート又はフィルム、ガラス、セラ
ミック等が用いられる。そして該基体２０１の厚さは、
所望する光センサーが得られるように適宜決定されるが
、基体の製造上、収り扱い上、そして機械的強度等の点
から、通常はｌ　ｐ以上とされる。

また、光電変換層２０２ば、光電変換機能を有する非単
結晶薄膜半導体で構成され、好ましくはシリコン原子（
Ｓｉ）を母体とし、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は／
及びハロゲン原子（Ｘ）を含有するアモルファス材料（
以下、ｌ’−ａ−８ｉ　（Ｈ。

Ｘ）Ｊと表記する。）で構成されている。該ハロゲン原
子（Ｘ’）としては、具体的には、フッ素、塩素、臭素
、ヨウ素があげられるが、特に、フッ素および塩素が好
ましい。光電変換層２０２中に含有せしめる水素原子（
Ｈ）の批、または水素原子（Ｈ）とハロゲン原子（Ｘ）
の量の和は、好ましくは１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、よ
り好ましくは５〜３０ａｔｏｍｉｃ％とするのが望まし
い。そして、ハロゲン原子（Ｘ）のみを含有する場合に
あっては、その最の下限は好ましくはＱ、ＱＱｌ　ａｔ
ｏｍｉｃ％、より好ましくばＱ、Ｑｌ　ａｔｏｍｉｃ％
、最適には０．１ａｔｏｍｉｃ％とするのが望ましい。

光電変換層２０２を必要に応じてｎ型又はｎ型とするこ
とができ、このような場合、半導体分野においていうｎ
型不純物又はｎ型不純物を光電変換層１０２中にその量
を制御しながら含有せしめることによって達成できる。

光電変換層中に含有せしめるｎ型不純物としては、周期
律表第■族Ａの元素（以下、単に「第瓜族原子」と称す
。）、例えば、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、■ｎ、Ｔ１等が用すら
れ、中でもＢ、Ｇａが至適である。また光電変換層中に
含有せしめるｎ型不純物としては、周期律表第■族Ａの
元素（以下、単に「第■族原子」と称す。）、例えば、
Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、　Ｂｉ等が用いられ、中でもＰ、
Ａｓ、Ｓｂが至適である。これらの光電変換層中に含有
せしめる量は、所望される電気的特性、光学的特性等の
要因を考慮して適宜決定されるものであるが、ｎ型不純
物については、好ましくは３　Ｘ　１０　”　ａｔｏｍ
ｉｃ％以下とし、口型不純物については、好ましくは５
　Ｘ　ＩＱ−３ａｔｏｍｉｃ％以下とする。

更に、本発明の光センサーの光電変換層２０２は、光セ
ンサー機能を充分に元押する光電変換特性を奏するよう
に、マルチバンドギャップ化された多層構成であっても
よく、第２（ｃ）図に示す例は、その典型例の１つであ
って、光電変換層が層２０２′と層２０２“からなるも
のである。

コウシたマルチバンドギャップ化された多層構成の、啼
を形成する方法の１つは、バンドギヤラグ調整元素であ
る、酸素原子、炭素原子、窒素原子、ゲルマニウム原子
及びスズ原子の中から選ばれる少なくとも一種を含有せ
しめることによって達成できる。即ち、第２Ω図に示す
例において、層２０２′を酸素原子、炭素原子、窒素原
子、ゲルマニウム原子及びスズ原子の中から選ばれる少
なくとも一種を含有するａ−３ｉ（Ｈ。

Ｘ）（以下、「ａ−３ｉ　（０、Ｃ、Ｎ、Ｇｅ　、　Ｓ
ｎ　）　（Ｈ−Ｘ）　Ｊと表記する。）で構成し、層２
０２”をこれらの原子のいずれも含有しないか、又は層
２０２′とは別種の原子を含有するか、あるいは同種の
場合は含有量を変えたａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成する。

壕だ、マルチバンドギャップ化された多層構成の層を形
成する他の方法は、堆積膜の形成速度を変化させる方法
である。即ち、例えば第２０）図に示す例において、層
２０２′を堆積膜の形成を高速度で行なった層とし、層
２０２”は堆積膜の形成を低速度で行なった層とする。

本発明の装置により提供される光センサーにおける該光
電変換層２０２の層厚は、適用される光センサーの目的
によって適宜法められるものであるが、好ましくは０．
０５〜１００μ、よシ好ましくは０．１〜５０μ、最適
には０．５〜３０μとするのが望ましい。

本発明の装置によシ提供される光センサーにおける前述
の基体２０１と光電変換層２０２との間には、必要に応
じて第２ａ図に示すごとき下引き層２０４を設けること
ができる。該下引き層の材料としては、窒素原子を含有
するａ−３ｉ（Ｈ。

Ｘ）、即ち、ａ−８ｉＮ（Ｈ，Ｘ）　、あるいはＳｉ３
Ｎ４が用いられる。

本発明の装置によシ提供される光センサーに用いられる
ギャップ電極２０３としては、すべての導電性材料が用
いられるが、好ましくは光電変換層２０２とオーミック
コンタクトを行なうものであることが望ましい。オーミ
ックコンタクトになる導電性材料としては、光電変換層
２０２にノンドーグのａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる膜を
用ｊハた場合、Ａ６．Ｉｎ　　等の低い仕事関数の金属
を用いるか、あるいは、Ｐ又はＡ３等の第Ｖ族原子を多
量にド−ピノグして（通常は１００ｐｐｒｎ以上）低抵
抗化したａ　−３ｉ　（Ｈ、Ｘ）からなる膜を用いる。

あるいは、第２０図に示すように、光電変換層２０２と
Ａｅ等の導電性材料からなる電極２０３との間に、第Ｖ
族原子を多量にドーピングしたａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から
なる膜で構成されるオーミックコンタクト層２０５を設
けることもできる。

更に、本発明の光センサーが、基体２０１側からと、光
電変換層２０２側の両方から光が入射する形式のもので
ある場合には、第２■図に示すごとく、透明な基体２０
１と光電変換層２０２との間、および光電変換層２０２
の上に、■ｎ２０５等の透明電極２０６を設ける。

また更に、第２　（Ａ）　、　（Ｃ）−（ト）図に示す
いずれの場合にも、最上層として絶縁層（図示せず）を
設けることができ、該絶縁層に用いる材料としては、窒
素原子を含むａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）やＳｉ３Ｎ、等の絶縁
性無機材料あるいは各種の絶縁性有機樹脂材料を用いる
ことができる。

以上、第２囚乃至■図を用いて、本発明の装置により提
供される光セン丈−〇層構成の典型例について説明した
が、本発明の装置により提供される光センサーの層構成
はこれらに限定されるものではなく、例えば、光電変換
層側よシ光が入射する形式の光センサーである場合には
、基体上にギャップ型電極を形成し、更にその上に光電
変換層を設けることもできる。

こうした本発明の装置により光センサーを作製するにつ
いては、前述のａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）を母体とする光電変
換層２０２のみならず、ａ−８ｉＮ（Ｈ。

Ｘ）からなる下引き層２０４又は、第Ｖ族原子を含有す
るａ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）からなるオーミックコンタクト
層、あるいはａ−８ｉＮ（Ｈ，Ｘ）　からなる絶縁層を
、前述した本発明の堆積膜の製造方法により形成するこ
とができる。そして、これらの層を形成せしめるについ
ては、前述の堆積膜形成用の気体状原料物質と気体状酸
化剤の種類と組み合わせを適宜選択して用いることによ
り、目的に応じた所望の特性を有する層を得ることがで
きる。

即ち、例えば光電変換層がａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる場合であれば、気体状原料物質（Ａ）として、ケイ
素原子（Ｓｌ）と水素原子（Ｈ）を構成原子とする５Ｉ
Ｈ４、Ｓ　ｌ　２　Ｈａ、Ｓｊ、Ｈい　Ｓｉ＜Ｈ＋。等
のシラン、あるいは５ｉＨｓＣｅ、　ＳｉＨ，Ｆ、　５
ｉＨｓＢｒ等の水素原子の多いハロゲン化シラン等を用
い、気体状酸化剤としてＦ２、ｃｇ、、３ｒ、、Ｉｔ　
等のハロゲンガス、あるいは発生期の弗素、塩素、臭素
等のハロゲン系酸化剤を用いることができる。そして、
気体状酸化剤としては、特に好ましくはＦ２ガス、Ｃｅ
ｚがスを用いればよい。

又、ｎ型不純物を含有するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる層を形成する場合であれば、前述の気体状原料物質
にｆ１口えて、ｎ型不純物導入用の原料物質を用いれば
よい。このようなｎ型不純物導入用の原料物質としては
、Ｂ、Ｈ６、Ｂ、Ｈ，ｏ。

Ｂ、）Ｈ９、ＢａＨ＋ｏ　、ＢａＨｔｚ、Ａｇ（ＣＨｓ
）ｓ、Ａｅ　（ＣｔＨ５）ｓ、Ｇ　ａ　（ＣＨｓ　）３
、Ｉｎ（ＣＨｓ）ｓ等の第■族原子を構成原子として含
む化合物があげられるが、中でも１３２Ｈ，が好ましい
。

同様に、ｎ型不純物を含有するａ　−３ｉ　（Ｈ，Ｘ、
）で構成される層を形成するには、前述の気体状原料物
質にｎ型不純物導入用原料物質を含有せしめればよい。

このようなｎ型不純物４人用ぶ料物質としては、ＰＨ３
、Ｐ、　Ｈ４、Ａｓ　Ｈ３、Ｓｂ　Ｈ３、ＢｉＨｌ等の
第Ｖ族原子を構成原子として含む化合物を用いるが、中
でもＰＨ３が好ましい。

また、ａＳ’＋　（０＋Ｃ、Ｎ、Ｇｅ　、Ｓｎ　）　（
ＨｌＸ）で構成される層を形成するについては、気体状
原料物質（Ａ）として、前述のシラン化合物やハロゲン
化シラン等のケイ素を構成成分とする化合物にかえて、
Ｎ２、ＮＨ３、Ｈ２ＮＮＨ２、ＨＮ、、ＮＨ４Ｎ３等の
窒素原子を構成要素として含む化合物、あるいはＣＨ，
、Ｃ２ＨイＣｓ　Ｈｓ、Ｃ２Ｈ４、Ｃ，Ｈ６、Ｃ，Ｈ２
等の炭化水素化合物、ｃｅ’ＨイＧｅ２Ｈａ、Ｇ　ｅ　
ｓ　Ｈｓ、Ｇｅ４　Ｈｔｏ　ｓ　Ｇｅ５　Ｈ１２等のゲ
ル７７、ＳｎＨ４等を用いる。また、気体状酸ｒヒ剤と
しては、前述のハロゲン系酸化剤及び０２　、Ｏｓ　、
Ｎ２Ｏ４、Ｎ２０．　、Ｎ２０　等の酸素系、窒素系酸
化剤の中から選ばれる少なくともいずれか一種を用いる
。

本発明の光センサーの製造装置においては、成膜工程が
円滑に進行し、高品質で、所望の電°　気的、光学的特
性を有し、かつ、光電変喚効率の高いものを得るべく、
気体状原料物質（Ａ）と気体状酸化剤の種類を組み合わ
せ、これ等の混合比、混合時の圧力、流量、成膜空間内
の圧力、キャリアーガスの流量、成膜温度、ガスの流量
等を所望に応じて適宜選択する必要がある。そして、こ
れらの成膜（でおける種々の因子は、有機的に関連する
ものであって、単独で決定されるものではなく、相互関
係を考慮して決定される必要があるが、例えば、気体状
原料物質（Ａ）と気体状酸化剤の割合は、導入流量比で
、好ましくは１／１ｏｏ〜１００／１とし、よシ好まし
くは１１５ｏ〜５０／１とするのが望ましい。又、ｎ型
不純物又はｎ型不純物を構成要素として含む気体状物質
と気体状原料物質（Ａ）の量の割合は、導入流量比で、
好ましくは’／１０６〜１／１０　、よシ好ましくけ１
７１０５〜’７２０％最適には’／１０５〜１１５０と
するのが望ましい。更に気体状原料物質（Ａ）と気体状
酸化剤の混合時の圧力は、化学的接触の確立を高めるた
めにはより高くする方が好ましいが、反応性を考慮して
決定するのが好ましく、好ましくはｌ　Ｘ　１０”７〜
１０気圧、より好ましくはＩ　Ｘ　ＩＦ’〜３気圧とす
るのが望ましい。

成膜空間内の圧力、即ち、その表面に成膜される基体が
配設されている空間内の圧力は、反応空間に於いて生成
される励起状態の前駆体及び場合によって該前駆体より
派生的（で生ずる前駆体が成膜プロセスに効果的に寄与
する様に適宜所望に応じて設定される。

成膜空間の内圧力は、成膜空間が反応空間と開放的に連
続している場合には、気体状原料物質（Ａ）とｎ型不純
物又はｎ型不純物導入用の気体状原料物質と気体状酸化
剤との反応空間での導入圧及び流量との関連に於いて、
例えば差勅排気或いは、大型の排気装（δの１吏用等の
工夫を加えて調整することができる。

或いは、反応空間と成膜空間の連結部のコンダクタンス
が小さい場合には、成膜空間に適当な排気装置を設け、
該装置の排気量を制御することで成膜空間の圧力を調整
することができる。

又、反応空間と成膜空間が一体的になっていて、反応位
置と成膜位置が空間的に異なるだけの場合には、前述の
様に差動排気するか或いは、排気能力の充分ある大型の
排気装置を設けてやればよい。

上記のようにして成膜空間内の圧力は、反応空間に導入
される気体状原料物質（Ａ）とｐ型不純物又はｎ型不純
物導入用気体状原料物質と、気体状酸化剤の導入圧力と
の関係に於いて決められるが、好ましくは、Ｏ，０ＯＩ
Ｔｏｒｒ　〜１００Ｔｏｒｒ　。

より好ましくは、０．０ＩＴｏｒｒ　〜３０Ｔｏｒｒ　
、最適には、０００５Ｔｏｒｒ　〜１ＯＴｏｒｒとする
のが望ましい。

ガスの流量に就いては、反応空間への気体状原料物質（
Ａ）、ｐ型不純物又はｎ型不純物導入用気体状原料物質
及び気体状酸化剤の導入の際にこれ等が均一に効率良く
混合され、前記前駆体が効率的に生成され且つ成膜が支
障なく適切になされる様に、ガス導入口と基体とガス排
気口との幾何学的配置を考慮して設計される必要がある
。

成膜時の基体温度としては、使用されるガス種及び形成
される堆積膜の種類と要求される特性に応じて、個々に
適宜所望に従って設定されるが、非晶質の膜を得る場合
には好ましくは室温から４５０℃、より好ましくは５０
〜４００°Ｃとするのが望ましい。殊に、よシ良好な光
電変換特性を有するａ−３ｔ　（Ｈ，Ｘ）の膜を得る場
合には、好ましくは、７０〜３５０°Ｃとするのが望ま
しい。

また、多結晶の膜を得る場合には、好ましくは２００〜
６５０℃、Ｊ［好ましくは３００へ６０ｏ０Ｃとするの
が望ましい。

成膜空間の雰囲気温度としては、生成される前記前駆体
及び前記前、躯体よシ派生的に生ずる前駆体が成膜に不
適当なものに変化せず、且つ効率良く前駆体が生成され
るべく、基体温度との関連で適宜所望に応じて決められ
る。

次に、本発明の光センサーの連続製造装置について、図
面によシよシ詳しく説明するが、本発明はこれによって
限定されるものでは、ない。

第１図は、本発明の光センサーの連続製造装置の典型的
な例を模式的に示す断面略図である。

第１図に示す装置は、それぞれが成膜空間（ａ）、　（
ｂ）　、　（ｅ）を有する反応容器（成膜室）Ａ、Ｂ。

Ｃ１該反応容器Ａ乃至Ｃへ供給される原料ガス供給系（
１）乃至（ｉｉＯとに大別されて構成される。

図中、１０１〜１０８は原料ガスが充填されていルホン
ヘ、１０１ａ〜１０８ａは夫々のガス供給パイグ、１０
１ｂ〜１０８ｂは夫々、各ボンベからのガスｔＤ　流ｔ
　調Ｖ　用のマスフローフントローラ−１１０１ｃ　−
１０８ｃは夫々のガス圧力計、１ｏ１ｄ〜１０８ｄ及び
１０１ｅ〜１０８ｅ　　はパルプ、１ｏ１ｆ〜１０８ｆ
　　は夫々のボンベ内の圧力を示す圧力計を夫々示して
おシ、ガスボンベ１０１　、１０２　ヲ備、ｔた原料ガ
ス供給系（１）は前記気体状原料物質（Ａ）（例えばＳ
ｉＨ４ガス、ＣＨ，ガス等）を供給するためのものでち
ゃ、ガスボンベ１０３〜１０５を備えた原料ガス供給系
（１１）は、ｐ型不純物導入用原料物質（例えばＢ２Ｈ
６ガス等）又はｎ型不純物導入用原料物質（例えばＰＨ
３ガス等）を供給するだめのものであり、ガスボンベ１
０６〜１０８を備えた原料ガス供給系（ｉｉｉ）は、気
体状酸化剤（例えばＦ２ガスやＯ，ガス等）及び不活性
ガス（例えばＨｅガス等）を供給するだめのものである
。

成膜空間（ａ）　、　（ｂ）　、　（Ｃ）を備えた反応
容器Ａ、Ｂ、Ｃは、それぞれ上壁、側壁、底壁によシ密
封されておシ、各反応容器は隔壁（側壁）により隔絶さ
れて連結されている。

反応容器Ａ乃至Ｃのそれぞれにはそれぞれの上壁を貫通
する所定数のガス導入管が配管されておシ、該原料ガス
導入管の反応容器内での配管構造は、該複数の原料ガス
導入管の配管の下流に反応空間が形成されるように構成
されている。即ち、夫々の原料ガス導入管の系内配管は
、同心円の三重管構造となっており、内側から順に、前
記原料ガス供給系（１）からのガスを導入する第１のガ
ス導入管１０９、原料ガス供給系（１１）からのガスを
導入する第２のガス導入管１１０、そして原料ガス供給
系（１ｉｉ）からのガスを導入する第３のガス導入管１
１１が一束を形成するようにされている。これらのガス
導入管１０９〜１１１の一端は原料ガス供給系（１）〜
（ｉｉｉ）に、ノやイブライン及びパルプを介して連通
ずるとともに、所定のパルプを操作することにより、各
原料ガス供給系（１）〜６１１）から反応室Ａ−Ｃに供
給される原゛料ガスの供給量が調節できるように構成さ
れている。

また夫々のガス導入管１０９〜１１１の他端は、各反応
容器内に配置されている光センサー用の基体１１８　、
１１８’　、　１１８’に対向したガス排出口となって
おり、各ガス導入管１０９〜１１１のガス排出口の位置
は、内側のガス導入管になるほど基体１１８　、１１８
’　、　１１８’の表面位置から遠くなるようにされて
いる。

反応容器Ａ乃至Ｃの内部には、夫々基体ホルダー１１２
　、１１２’　、　１１２’が設けられておシ、基体ホ
ルダー１１２　、１１２’　、　１１２’の内部には、
加熱用ヒーター１１３　、１１３’　、　１１３’が設
けられている。

該り０熱用ヒーターは、基体１１８．１１８’　、　１
１８’を成膜前に所定温度に加熱したシ、成膜中所定温
度に保持したり、あるいは成膜後に７ニール処理するだ
めのものである。該加熱用ヒーター１１３　、１１３’
　、　１１３“は、夫々導線１１／ｌ　、　１１・ｌ’
、１１４’を介して電源１１５　、１１５’　、　１１
５’に接続されている。

１１９　、１１９’　、　１１９’はそれぞれ反応容器
Ａ、Ｂ、Ｃの底側部に設けられた排気口であシ、該排気
口はそれぞれパルプ手段を備えた排気管を介して排気装
置に連通している（このところ図示せず）ｊ １１２は、基体１１８　、１１８’　、　１１８“を反
応容器内に搬入し、そして成膜終了後系外に搬出するだ
めの搬送ベルトである。

１２３は、搬送ベルト１２２の供給ローラであシ、１２
４は該搬送ベルトの巻取ｐローラである。

搬送ベル）　１１２は、供給ａ−２１２３に始端し、巻
増シローラ１２４で終端する一体のものであシ、各反応
容器Ａ、Ｂ、Ｃでは基体ホールダー１１２、１１２’　
、　１１２’の表面に面接して移動する。そして、反応
容器の側壁の搬送ベル）　１１２の通過部分には、上下
に開閉すると共に内部を密・封する形式の扉１２５　、
１２６　、１２７そして１２８が設けられている。

前記のそれぞれの扉は、搬送ベルｌ−１１２のみの移動
の際には所定位置にあって反応容器内部を密封してその
部分を指移動できるようになっておシ、ベルト上に載置
した基体が反応容器に搬入されたり、そこから搬出され
たりする際には開いて基体がそこを支障なく通過できる
空間をもたらし、基体の通過後は所定の位置に戻るよう
にされている。

即ち、成膜操作を開始するに先立って、基体１１８を反
応容器Ａの直前に位置するベルト１２２上に載置し、扉
１２５を開くと同時に巻取シローラを駆動させて基体１
１８を反応容器Ａ内に搬入し、同時に扉１２５を閉じる
。基体１１８が基体ホルダー１１２上の所定位置に来た
ところで巻取りローラ１２４の駆動を停止し、該基体表
面上に第一の堆積膜形成操作を開始する。前記第一の堆
積膜形成が終了したところで、前述と同様にして扉１２
６、そして巻取りローラを操作して基体１１８を反応容
器Ｂ内の基体ホルダー１１２′上の所定の位置に移動さ
せ、そこで基体１１８上に第二の堆積膜を形成させる（
基体１１８’）。前記第二の堆積膜形成が終了したとこ
ろで、前述と同様にして扉１２７、そして巻取シローラ
を操作して基体１１８’を反応容器Ｃ内の基体ホルダー
１１２′上の所定の位置に移動させ、そこで第三の堆積
膜を形成させる（基体１１８’）。第三の堆積膜形成を
終了した後は、前述と同様にして扉１２８、そして巻取
９０−ラ１２４を操作し、基体１１８’を系外に搬出す
る。

上記成膜操作はいずれも前述の排気装置を操作して真空
条件下で行われる。そして基体の反応容器への搬入、反
応容器から他の反応容器への移動、最終の成膜終了時最
終反応容器から系外への搬出の際は、関係する反応容器
内雰囲気を阻害しないようにすることが必要であり、そ
のために関係する雰囲気を等圧にすることが通常には行
われる。また、関係する雰囲気が反応容器間である場合
には、系内を同種の不活性ガスで等圧状態にさせてもよ
い。

上述の装置操作説明では、１個の基体の場合について述
べたが、本発明の装置においては複数量の基体について
同時に所定の成膜を行うことができ、その場合成膜製品
を連続して得ることができる。

その場合、図示の基体１１８について、反応容器Ａにお
いて第一の成膜の終了したところで、該基体を反応容器
Ｂに移すと同時に新たな別の基体（図示せず）を反応室
Ｂに搬入し、そうしたところで後者については第二の成
膜を行い、前者については第一の成膜を行う。それらの
成膜が終了したところで、後者の基体は反応容器Ｃに移
し、前者の基体：は反応容器Ｂに移し、更に新たな別の
基体を反応容器Ａに搬入し、反応容器Ｃ内の基体には第
三の膜を、反応容器Ｂ内の基体に（ｄ第二の膜を、そし
て反応容５Ａ内の基体には第一の膜をそれぞれ成膜する
。そして三者の成膜が終了したところで、反応容器Ｃか
らは成膜製品を輩出し、一方反応容器Ａには新たな別の
基体を搬入して、上述と同様にして王者の基体のそれぞ
れについて所定の膜を成膜する。

かくなる構成の本発明の装置は、基体上に形成される堆
積膜の数に応じた数の反応容器を設けるとともに、各反
応容器に基体を順次搬送する手段を設け、更に該搬送手
段を通過させるだめの上下開閉自在な扉を反応容器の側
壁に備えることによシ、多層構造を有する光起電力素子
を連続して製造することができるものである。

そして、成膜室が１つであった従来の装置の場合のごと
く、形成される堆積膜の種類に応じてたえず原料ガス供
給系を制御する必要はなくなシ、各々の反応容器に供給
する原料ガスの流量、ガス圧等の諸条件を一度決定する
だけで連続して製造することができるので、緒特性およ
び膜厚、膜質等の安定した光センブーを効率的に量産す
ることができるものである。

次に、本発明の装置の具体的操作について実施例を用い
てより詳しく説明するが、掌発明の装置の操作はこれに
より限定されるものではない。

実施例１ 第１図に示した装置を用いて、第２　ＩＩ））図に示す
光センサーを作製した。

なお、本例（・こおいては、反応容器Ａ乃至Ｃ内に配置
される基体の表面と原料ガス導入用の配管の先端位置と
は４ｃｍとなるようにしだ。

まずガラス板を基体として用い、該基体を反応容器直前
で搬送ベルト１２２上に載置した。

扉１２５を開いて搬送ベルトを駆動１〜、該基体を基体
ホルダー１１２上の所定位置まで搬送したところで搬送
ベルトの、Ｗ動を中止し、扉１２５　。

１２６を完全に閉じるとともに、反応容器Ａ内を排気パ
ルプ（図示せず）を開いて十分に真空排気した。これと
同時に加熱ヒーターにより基体温度が２００’Ｃ，とな
るまで加熱し、該温度に保持した。

こうしたところで、まずボンベ１０１に充填されている
Ｓ　ｉ　Ｈ，ガス３０ＳＣＣＭ　　とボンベ１０２に充
填されているＮＨ，ガス３０　ＳＣＣＭ　を原料ガス導
入管１０９を介して反応容器Ａに導入した。また、ボ／
べ１０７に充填されているＨｅガス４５ＳＣＣＭをガス
導入管１１１を介して反応容器Ａに導入した。夫々のガ
ス流量が安定したところで反応容器Ａ内の圧力を排気パ
ルプ（図示せず）を調整して、１．ＱＴｏｒｒに設定し
た。この状態で、ボンへ１０６に充填されているＦ２ガ
ス５ＳＣＣＭをガス導入管１１１を介して反応容器Ａ内
に導入した。

この時、５ＩＨ４ガスとＦ２ガスの混合域で青白い強い
発光が観察された。このままの状態で３分間保持し、そ
の後、すべての原料ガスの導入を中止した。その結果、
ガラス板上に約１０００久の膜厚を有するａ−３ＩＮ：
Ｈ：Ｆ　からなる下引き層２０４が形成された。

次に排気パルプを開いて反応容器Ａを排気しＩＦ”ｌ’
ｏｒｒの真空度とするとともに、反応容器Ｂも真空排気
して１０−”ｐｏｒｒの真空度としだ。

反む容器Ａ及びＢのガス圧が同じになったところで扉１
２６を開くとともに、搬送ベルトを駆動し、ａ−８ｉＮ
：Ｈ：Ｆ　からなる下引き層２０４が形成されている基
体１１８′を基体ホルダー１１２′上の所定位置に搬送
した。この際反応容器Ａ及びＢのガス圧が同じであるた
め、反応容器Ａ内のガスと反応容器Ｂ内のガスとが混合
してしまうことはない。（なお、本実施例においては反
応容器Δ及びＢの真空度が同じになる様に真空排気した
が、真空排気は必ずしも必要ではなく、反応容器Ａと反
応容器Ｂのガス圧が同じであればよい。例えば原料ガス
や不活性ガスを導入したままで、ガス圧さえ同じにして
おけば、反応容器Ａのガスと反応容器Ｂのガスが互いに
混じり合うことはない。） 基体ホルダー１１２′上の所定位置に達したところで扉
１２６を閉じ、加熱ヒーター１１３′によシ基体１１８
′を２００°Ｃに加熱保持した。

こうしたところで、ガスボンベ１０１に充填すれている
５ＩＨ４ガス：３０ＳＣＣＭをガス導入管１０９を介し
て反応容器Ｂ　Ｋ　４人し、同時にがスボンベ１０７に
充填されているＨｅガス４５ＳＣＣＭ’ｚガス導入管１
１１を介して反応容器Ｂに導入した。

夫々のガスの流量が安定したところで排気バルブ（図示
せず）を調整して、反応容器Ｂ内の圧力を１．ＱＴｏｒ
ｒ　　に設定した。こうしたところへ、ボンへ１０６に
充填されているＦ、ガス５　ＳＣＣＭをガス導入管１１
１を介して成膜室Ｂ内Ｋ　４人する。

そのままの状態で１時間保持し、その後すべての原料ガ
スの導入を中止したところ、すでに形成されているａ−
８ｉＮ：Ｈ：Ｆ　からなる下引き層２０４の上に、ａ−
３ｉ：Ｈ：Ｆからなる光電変換層２０２が約１．０μの
膜厚に形成された。

次に、反応容器及びＣを真空排気し、夫々１０−’Ｔｏ
ｒｒ　の真空度とした。反応容器Ｂ及、び反応容器Ｃの
ガス圧が同じになったところで扉１２７を開き、搬送ベ
ルトを駆動して、ａ７Ｓｉ　：Ｈ：Ｆからなる光電変換
層２０２の形成された基体１１８’ｉ基体ホルダー１１
２′上の所定位置まで搬送し、搬送ベルトの駆動を中止
した。扉１２７を閉じた後、ボンベ１０１に充填されて
いるＳｉＨ４ガス３０ＳＣＣＭ　　ｆｔガス導入管１０
９を介して反応容器Ｃに導入し、またボンベ１０４に充
填されているＨｅガスで５０００ｐｐｍ　に希訳された
ＰＨ，ガス（以後、ｒ　ＰＨ３／Ｈｅガス」と表記する
。）６　ＳＣＣＭ　をガス導入管１１０“を介して反応
容器Ｃ内に導入しさらにボンベ１０７に充填されている
Ｈｅガス４５　ＳＣＣＭをガス導入管１１１を介して反
応容器Ｃ内に導入した。反応容器Ｃ内のガス圧を１．０
Ｔｏｒｒに設定したのち、ボンベ１０６に充填されてい
るＦ２ガス５ＳＣＣＭをガス導入管１１１’を介して反
応容器Ｃに導入し、そのままの状態で１分間保持し、そ
の後、すべての原料ガスの導入を中止した。その結果、
前記のａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｆ層上に、約３００人の膜厚を有
するれ型ａ−８ｔ：Ｈ：Ｆ：Ｐからなるオーミックコン
タクト層２０５が形成された。

最後に扉１２８を開くとともに、搬送ベルトを駆動して
、前記の三つの層が形成された基体を反応容器外へ搬出
した。搬送ベルト上の基体をとり出し、これを更に別の
反応容器に入れ、ギヤラグ長２．５ｍ、ギャップ間隔０
．２羽のくし型ｋｌ電極２０３を約５００にの膜厚とな
るように真空蒸着法によシ形成し、第２（２）図に示す
層構成の光センサーを得だ。

こうして得られた光センサーについて検討したところ、
基体上に形成された各層はいずれも膜厚、膜質ともに均
一で、すぐれた品質を有するものであった。

また、得られた光センサーに電圧を印加し、流れる電流
を測定したところ、光照射時と暗時との電流の比はｌ　
Ｘ　１０”であった。まだ２４時間光照射を続けた後で
もこの値はかわらなかった。なお光照射はガラス板側よ
り行なった。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光センサーの連続製造装置の典型例
を模式的に示す図であシ、第２（Ａ）乃至ｑ図は、本発
明の連続製造装置を用いて製造される光センサーの構成
の典型列を示す模式図である。 第１図について、 １０１〜１０８　・・・ガスボンベ、１０１ａ　−１０
８ａ−ガス供給・セイク、１０１ｂ〜１０８ｂ・・・マ
スフローコントローフ−１１０１Ｃ〜１０８Ｃ・・・ガ
ス圧力計、ｘｏｔａ　　（Ａ）〜１０８ｄ　、　１０１
ｅ　〜１０８ｅ−バルブ、１０１ｆ　〜１０８ｆ・・・
ガス圧力計、１０９〜１０９”、　１１０〜１．１０“
、１１１〜１１１′・・・原料ガス導入管、１１２〜１
１２′・・・基体ホルダー、１１３〜１１３”・・・加
熱ヒーター、１１４〜１１４”−３，導線、１□５〜１
．５・０．、電源、１．８〜１□ｅ、、、　（Ｃ）基体
、１１９〜１１９”・・・排気口、１２２・・・搬送ベ
ルト、１２３・搬送ベルト供給ローラー、１２４・・・
搬送ベルト巻取りローラー、１２５〜１２８・・・上下
開閉自在扉、Ａ、’Ｂ、Ｃ−・−反応容器、（ａ）　、
　（ｂ）　ｌ　（ｃ）　・・・反　（Ｄ）３空間 第２図について ２０１・・・基体、２０２・・・光電変換層、２０２’
　、　２０２”・・・光電変換層を構成する層、２０３
・・・ギヤラグ型（Ｅ）電極、２０４・・・下引き層、
２０５・・・オーミックコンタクト層、２０６・・・透
明電極 第２図 手　続　抽　ｉＥ　　ｌＦ（方式） 昭和６１年３月４日 特〆ｆ庁長官　宇　看″　道　部　殿 １、事件の表示 昭和６０年特ｒ［願第２８８２１３　号２、発明の名称 光センサーの連続製造装置 ３　補正をする者 事件との関係　　　　特許出願人 住　所　　東京都大田区下丸子３丁目３０番２号名称　
（１００）キャノノ株式会社 ４代理人 住　所　　東京都千代田区麹町３丁目１２番地６麹町グ
リーンビル

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体上に複数の層を有する光センサーを連続して
   製造する装置であつて、前記基体上の層の数に応じた複
   数の連接した反応容器と、前記反応容器の夫々の上壁に
   設けられたガス導入用の配管と、前記反応容器の夫々の
   側壁下部に設けたガス排気手段と、前記反応容器の夫々
   に前記基体を順次搬送する手段とから構成されていて、
   前記反応容器に導入される層形成用の気体状原料物質と
   該気体状原料物質に酸化作用する性質を有する気体状酸
   化剤とが、各々別の経路より前記反応容器に導入される
   と同時にプラズマ反応を介することなくして化学的に接
   触するようにされていることを特徴とする光センサーの
   連続製造装置。
2. （２）反応容器の夫々に前記基体を順次搬送する手段が
   、搬送ベルトである特許請求の範囲第（１）項に記載さ
   れた光センサーの連続製造装置。
3. （３）反応容器の側壁の搬送ベルトの通過部分に、上下
   に開閉すると共に反応容器内部を密封する形式の扉が設
   けられている特許請求の範囲第（２）項に記載された光
   センサーの連続製造装置。
4. （４）前記ガス導入用の配管が、同心円の多重管構造を
   有している特許請求の範囲第（１）項に記載された光セ
   ンサーの連続製造装置。
5. （５）前記ガス導入用の配管のガス排出口が、反応容器
   内に配置された基体の表面と対向する位置に設けられて
   いる特許請求の範囲第（１）項に記載された光センサー
   の連続製造装置。
6. （６）前記ガス導入用の配管が、同心円の多重管構造を
   有しており、かつ、内側のガス導入管になるほどガス排
   出口の位置が基体の表面位置から遠くなるようにされて
   いる特許請求の範囲第（４）項に記載された光センサー
   の連続製造装置。