JPS62140493A - ハイブリツドｉｃのスル−ホ−ル形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 ハイブリッドＩＣのセラミック基板に、スルーホールを
形成するにあたり、スルーホールの厚膜よりなる導体層
を、厚膜よりなる絶縁体層を介してスルーホール孔の内
壁部に形成することにより、スルーホール導体層の断線
障害を防止する。

〔産業上の利用分野〕

本発明方法は、片面アース、或いは両面実装のハイブリ
ッドＩＣに係わり、特にセラミック基板に設けるスルー
ホール形成方法に関する。

近年は、セラミック基板、例えばアルミナ基板の表裏の
両面に、所望の厚膜回路を設け、さらに所望の回路部品
を実装した、所謂両面実装のハイブリッドＩＣが開発さ
れている。高周波回路等の場合には、実装面とは反対側
の裏面に、裏面全面にアース層を形成したバイブリフｌ
″ＩＣが使用されている。

このようなハイブリッドＩＣは、セラミック基板の表裏
の両面に形成した専体パターンを、スルーホールを介し
て接続するのが一般的である。

この際、断線する恐れのないスルーホールが要望されて
いる。

〔従来の技術〕

第２図は従来方法でスルーホールを形成した両面実装の
ハイブリッドＩＣの断面図であり、第３図は従来例のス
ルーホールの詳細を示す断面図である。

第２図、第３図において、セラミック基板（例えばアル
ミナ基板）１の、表裏の両面に、それぞれ厚膜よりなる
導体パターン４が形成され、表面に形成した導体パター
ン４は回路部品３Ａに、裏面に形成した導体パターン４
は回路部品３Ｂにそれぞれ接続されている。

そして、セラミック基板ｌにスルーホール２を設け、ス
ル−ホール２を介して、この表裏面に形成した導体パタ
ーン４を接続している。

このスルーホール２の下孔であるスルーホール孔２Ａは
、レーザー加工、或いはグリーンシート状態で打抜き加
工等して穿設している。

従来のスルーホール形成方法は、下記の如くである。

スルーホール孔２Ａを設けたセラミック基板１を、基板
ホルダーの上面に載置して、セラミック基板１の表面に
、翼体ペースト（例えばＣｕペースト等）をスクリーン
印刷して、導体パターン４を印刷する。

この際、基板ホルダーのスルーホール孔２Ａに対応する
位置に設けた吸引孔より、空気を吸引すると、導体ペー
ストがスルーホール孔２八内に吸引され、スルーホール
孔２Ａの内壁、及び裏面の周縁に密着する。

その後、乾燥し、さらに、７００℃〜１０００°Ｃの温
度でで焼成し、導体パターン４及びスルーホール２の導
体層５を形成している。

〔発明が解決しようとする問題点〕

スルーホール孔２Ａをレーザー加工する際、スルーホー
ル孔２Ａの近傍のみが数千度に加熱される。

このためセラミック基板に含有されているＣ　ａ　＋　
Ｍｇが、スルーホール孔２Ａの壁面に析出してガラス状
となり、スルーホール孔２Ａの内壁が、滑らかになる。

また、スルーホール孔２Ａを打抜き加工すると、孔の周
縁部が圧縮され、その結果、周縁部、及び周縁部に近い
内壁面が滑らかになる。

従来の導体層５の形成方法は、上記壁面が滑らかのこと
に起因して、導体ペーストの付着性が低下して、内壁の
全面に一様に導体ペーストが塗布されないことがある。

また、焼成するとペーストのバインダの一部は飛散する
。したがって、第４図１こ示すように、導体ペーストの
薄い部分に、クランク６ａが発生し、導通不良となると
いう問題点がある。

さらにまた、付着性が劣ることに起因して、導体層５と
内壁の間に空隙６ｂが生じて、稼動中に温度変化等によ
り空隙６ｂの上層の部分が剥離し、断線障害を惹起する
という問題点がある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記従来の問題点を解決するため本発明方法は、第１図
に示す如くに、セラミック基板１に設けたスルーホール
孔２Ａの壁面、及び表裏面の周縁に、誘電体ペーストの
厚膜よりなる絶縁体層（１０）をスクリーン印刷、焼成
して形成し、その後、絶縁体層１０の上層に、厚膜より
なる導体層１５を、導体パターン４の形成時に同時に形
成するようにしたものである。

〔作用〕

上記本発明方法によれば、絶縁体層１０は、ガラスを主
体とした誘電体ペーストが焼成されたものであるので、
滑らかなスルーホール孔２Ａの内壁に付着性が良好であ
る。また導体ペーストが、絶縁体層に付着し易いことは
公知のことである。

したがって、絶縁体層ｌＯはスルーホール孔２Ａの内壁
に密着し、導体層１５は絶縁体層１０の上層に密着して
形成されるので、クラック、或いは空隙が生ずることが
なく、導通の信頼度の高いスルーホール２を設けること
ができる。

〔実施例〕

以下図示実施例により、本発明方法を具体的に説明する
。なお、全図を通じて同一符号は同一対象物を示す。

第１図は本発明方法の１実施例の断面図であって、（ａ
ｌは絶縁体層の形成過程を、（ｂ）は導体層の形成過程
を示す。

本発明に係わるスルーホール形成方法は、スルーホール
孔２Ａを穿設したセラミック基板１を、図示してない基
板ホルダーの上面に載置し、セラミック基板ｌの表面か
ら、それぞれのスルーホール孔２Ａ部分に誘電体ペース
トをスクリーン印刷し、基板ホルダーのスルーホール孔
２Ａに対応する位置に設けた吸引孔より、空気を吸引す
る。

このことにより、誘電体ペーストがスルーホール孔静内
に吸引され、スルーホール孔２Ａの内壁、及び表裏裏面
の周縁に密着する。

その後、乾燥、焼成して、第１図（ａｌに示すように、
絶縁体層１０を形成する。

次に、従来と同様に、セラミック基板１を基板ホルダー
の上面に載置して、表面に導体ペースト（例えばＣｕペ
ースト等）をスクリーン印刷して、導体パターン４を印
刷する際に、基板ホルダーのスルーホール孔２Ａに対応
する位置に設けた吸引孔より、空気を吸引して絶縁体層
１０の上層に、扉体ペーストを塗布する。

そして、乾燥、焼成して、導体パターン４及び導体層１
５を第１図（ｂｌに示すように形成する。

上述のように形成したスルーホール２は、絶縁体層１０
が、ガラスを主体とした誘電体ペーストよりなるもので
あるから、滑らかなスルーホール孔２Ａの内壁に密着し
、はぼ一様の厚さに形成され、さらに、ｗ体ベース゛ト
が、絶縁体層１０に密着して、はぼ一様の厚さの導体層
１５となっている。

したがって、クランク、或いは空隙が生ずることがなく
、導通の信頼度の高いスルーホール２が形成される。

なお、本発明方法はレーザ加工、打抜き加工してなるス
ルーホール孔以外、例えば超音波加工したスルーホール
孔に適用しても効果がある。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明方法は、ハイブリッドＩＣの
セラミック基板にスルーホールを形成するにあたり、ス
ルーホールの厚膜よりなる導体層を、厚膜よりなる絶縁
体層を介してスルーホール孔の内壁に形成するようにし
たもので、クラック。

空隙等の発生が阻止されて、導通不良、断線障害を惹起
する恐れがなく、導通の信鯨度が高いという、実用上で
優れた効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明方法の１実施例の断面図で、（ａｌは絶
縁体層の形成過程を示す図、（ｂｌは導体層の形成過程
を示す図、 第２図は従来方法でスルーホールを形成した両面実装の
ハイブリッドＩＣの断面９図、第３図は従来例のスルー
ホールの詳細を示す断面図である。 図において、 １はセラミック基十反、 ２はスルーホール、 ２Ａはスルーホール孔、 ４は導体パターン、 ５．１５は導体層、 ６ａはクラック、 ６ｂは空隙、 ＩＯは絶縁体層を示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　セラミック基板（１）に設けたスルーホール孔（２Ａ
   ）の壁面、及びその周縁に、厚膜よりなる絶縁体層（１
   ０）を形成し、 その後、該絶縁体層（１０）の上層に、厚膜よりなる導
   体層（１５）を形成することを特徴とするハイブリッド
   ＩＣのスルーホール形成方法。