JPS62130551A - 集積回路 - Google Patents
集積回路Info
- Publication number
- JPS62130551A JPS62130551A JP27178585A JP27178585A JPS62130551A JP S62130551 A JPS62130551 A JP S62130551A JP 27178585 A JP27178585 A JP 27178585A JP 27178585 A JP27178585 A JP 27178585A JP S62130551 A JPS62130551 A JP S62130551A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitors
- series
- capacitor
- layer
- integrated circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、バイポーラ集積回路における容量器に関し、
特に電圧耐量を向上させた容量器に関する。
特に電圧耐量を向上させた容量器に関する。
従来、この種の容量器は回路的に電圧耐量を問題としな
い構成とするか、さらには構造的に１圧耐量を、向上さ
せるなどの工夫が必要であった。
い構成とするか、さらには構造的に１圧耐量を、向上さ
せるなどの工夫が必要であった。
従来の例においては、前記の如く電圧耐量を問題としな
い回路構成にする為に抵抗器などの余分な回路素子が必
要となったり、さらにはそれが１気的特性に悪影響を与
えるなどの欠点があっな。
い回路構成にする為に抵抗器などの余分な回路素子が必
要となったり、さらにはそれが１気的特性に悪影響を与
えるなどの欠点があっな。
さらに、従来の例においては容量器の誘１体の膜厚、材
質等を考慮せねばならず容量値とのバランス等に多大な
労力が必要であった。
質等を考慮せねばならず容量値とのバランス等に多大な
労力が必要であった。
本発明の容量器は、同−島領域内に片側の１極が共通の
複数の容量器を有し、それを直列接続する事により、電
圧耐量を向上させる事を特徴としている。
複数の容量器を有し、それを直列接続する事により、電
圧耐量を向上させる事を特徴としている。
第１図は、本発明の一実施例の断面図である。
１は、容量器の接続素子であり、電極３に接続されてい
る。２は容量器のもう片側の接続端子であり電極４に接
続されている。５は容量器の誘電体であり、一般的には
、シリコン酸化膜等を使用している。６は１本発明にお
ける容量器の共通の電極である。７は、複数の容量器を
ひとつの島領域とする為の絶縁拡散である。すなわち電
極３と電極６間がひとつの容量器であり、１極４と電極
６がひとつの容量器である。第２図は、本発明の一実施
例を回路的に表現したものである。第１図で示した構造
と対応する部分を同一番号で付しである。すなわち、第
２図で示される様に本発明によれば、同一島領域の複数
の容量器が例えば、２個直列接続されれば、雷圧耐１°
は、２倍に向上される。
る。２は容量器のもう片側の接続端子であり電極４に接
続されている。５は容量器の誘電体であり、一般的には
、シリコン酸化膜等を使用している。６は１本発明にお
ける容量器の共通の電極である。７は、複数の容量器を
ひとつの島領域とする為の絶縁拡散である。すなわち電
極３と電極６間がひとつの容量器であり、１極４と電極
６がひとつの容量器である。第２図は、本発明の一実施
例を回路的に表現したものである。第１図で示した構造
と対応する部分を同一番号で付しである。すなわち、第
２図で示される様に本発明によれば、同一島領域の複数
の容量器が例えば、２個直列接続されれば、雷圧耐１°
は、２倍に向上される。
本発明によれば、バイポーラ特有の島領域をひとつで実
施できる為、チップにおける占有面積を大巾に縮小でき
る。さらに、本発明によれば、端子間で見れば、通常の
容量器と同等なので、電気的特性に与える影！４！は、
かなり小さくできる。さらに、本発明によれば、通常の
回路上印加される電圧耐量向上以外にも静電破壊対策と
して非常に有効である。
施できる為、チップにおける占有面積を大巾に縮小でき
る。さらに、本発明によれば、端子間で見れば、通常の
容量器と同等なので、電気的特性に与える影！４！は、
かなり小さくできる。さらに、本発明によれば、通常の
回路上印加される電圧耐量向上以外にも静電破壊対策と
して非常に有効である。
第１図は、本発明の一実施例を示す断面図、第２図は、
本発明の一実施例を表現した回路図である。 １・・・・・・端子、２・・・・・・端子、３・・・・
・・電極、４・・・・・・電極、５・・・・・・誘電体
、６・・・・・・共通１極、７・・・・・・絶縁拡散。 代理人 弁理士 内 原 日。 −１，、′
本発明の一実施例を表現した回路図である。 １・・・・・・端子、２・・・・・・端子、３・・・・
・・電極、４・・・・・・電極、５・・・・・・誘電体
、６・・・・・・共通１極、７・・・・・・絶縁拡散。 代理人 弁理士 内 原 日。 −１，、′
Claims (1)
- 同一島領域に複数の容量器を設け、直列接続する事によ
り、電圧耐量を向上させる事を特徴とした、容量器を持
つ集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27178585A JPS62130551A (ja) | 1985-12-02 | 1985-12-02 | 集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27178585A JPS62130551A (ja) | 1985-12-02 | 1985-12-02 | 集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62130551A true JPS62130551A (ja) | 1987-06-12 |
Family
ID=17504811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27178585A Pending JPS62130551A (ja) | 1985-12-02 | 1985-12-02 | 集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62130551A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01283863A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-15 | Nec Corp | Ｍｏｓ型半導体装置 |
| JPH02276088A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-11-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
| JPH05259383A (ja) * | 1992-03-11 | 1993-10-08 | Sharp Corp | 半導体容量素子 |
| US5485292A (en) * | 1993-06-24 | 1996-01-16 | North American Philips Corporation | High voltage differential sensor having a capacitive attenuator |
| US5508881A (en) * | 1994-02-01 | 1996-04-16 | Quality Microcircuits Corporation | Capacitors and interconnect lines for use with integrated circuits |
| JP2008288372A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
-
1985
- 1985-12-02 JP JP27178585A patent/JPS62130551A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01283863A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-15 | Nec Corp | Ｍｏｓ型半導体装置 |
| JPH02276088A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-11-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
| JPH05259383A (ja) * | 1992-03-11 | 1993-10-08 | Sharp Corp | 半導体容量素子 |
| US5485292A (en) * | 1993-06-24 | 1996-01-16 | North American Philips Corporation | High voltage differential sensor having a capacitive attenuator |
| US5508881A (en) * | 1994-02-01 | 1996-04-16 | Quality Microcircuits Corporation | Capacitors and interconnect lines for use with integrated circuits |
| JP2008288372A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
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