JPS62130208A - 微粉砕金属粉末の製造方法 - Google Patents

微粉砕金属粉末の製造方法

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JPS62130208A
JPS62130208A JP61283052A JP28305286A JPS62130208A JP S62130208 A JPS62130208 A JP S62130208A JP 61283052 A JP61283052 A JP 61283052A JP 28305286 A JP28305286 A JP 28305286A JP S62130208 A JPS62130208 A JP S62130208A
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ボリスラフ・ボダノビィック
ヘルムト・ベーネマン
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Studiengesellschaft Kohle gGmbH
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、特異的に活性化されたマグネシウムを用いて
金属塩を還元することにより、高反応性の微細に粉砕さ
れた金属粉末を製造する方法、並びに該粉末を使用する
方法、即ち、該粉末を活性なMgH2−Mg水素保存(
貯蔵)系を生成させるための触媒として用いる方法に関
するものである。
従来技術 粉体金相掌上〔ウールマンス・エンシクル・チク・ケム
(Ullmans Encykl、 Tech、 Ch
em、 )第4版、19巻、563頁〕、あるいは°触
媒としてまfは触媒M造上〔ウールマンス・エンシクル
・チク・ケム、第4版、13巻、517頁〕、技術上の
重要性が高い比表面積の大きい微粉砕金属粒子を溶融工
程を経ずに製造する場合、技術上適切な方法には、適当
な支持体の存在下水素等の還元剤で金属塩を還元する方
法、金属カルボニルを熱分解する方法(Fe、 Ni 
)、金属合金を化学的に変換する方法(ラネーニッケル
)、および金属蒸発法がある。
化学反応性および触媒活性の非常に高い微細金属粒子の
製造方法が、最近、リーグ(Rieke )らによって
示され、それによると、テトラヒドロフラン(THF)
やグライム(Glyme )等の溶媒和溶媒中で、所望
により、触媒量のナフタレンの存在下、金属ハライドを
アルカリ金属、具体的にはリチウムで還元することが示
されている[ R,D。
リーグら、オルガノメタリックス(Organome 
ta l−1ics ) 1983.2.377:R,
D、 リーグ、レポート(Report ) 1984
ガバ・レプ・アナウンス・インデックx (Gov、 
Rep、 Announce Tndex ) (U、
S、)1985.85(9)54 )。
商業上の効率、取扱い上の非毒性および無害性、並びに
その能力に照らして、金属塩から金属粉末を調製するた
めの還元剤としてはマグネシウムか特に好都合であると
思われる。しかしながら、溶媒の存在下または非存在下
での金属塩とマグネシウムとの反応は、通常、極めて遅
く、高い反応温度を必要とし〔例えば、クロール法(]
(rollprocess ) )、不完全であったり
、全く反応しなかったりするので、これまでは、この様
な目的にマグネシウムを適用した例は殆んどなかった。
ラネーニッケル型の水素化触媒を調製するために、TH
Fまたはエタノール中でマグネシウムを用いてニッケル
ハライドを還元する方法に関する報告が最近なされた〔
モーレ(P、Mauret )、アルホンス(P、 A
lphonse )、ジャーナル・オブ・オーガニック
・ケミストリイ(J、 Org、 Chem、 )47
(1982)3322)。しかしながら、この方法の場
合、THFtたはエタノールの沸点という高められた温
度においてのみ適度の反応が起こり得るが、この様な温
度ではかなり粗いニッケル粒子が形成され、他方、反応
温度が低くなると金属の粒子が細かくなるという不都合
があった。
本発明者らは、驚ろくべきことに、マグネシウムに、触
媒量のアントラセンまたはそのアルキルまたはアリール
誘導体および/またはアントラセンマグネシウムまたは
その誘導体をそれぞれ加えることにより、商業的な効率
で、緩和な条件下において金属塩を還元し、リーグらの
リチウムを用いる方法によって得られるものと匹敵する
極めて細かい金属粉末を与え得る、高活性で安価であり
、しかも取り扱い容易な還元剤が得られることを見出し
た。
本発明方法に従って金属粉末を調製するには、まず、マ
グネシウム金属粉末(粒子サイズが乙0゜151である
ことが好ましい)を溶媒(好ましくはTHF)中で1〜
10モル%、好ましくは2〜6モル%の量のアントラセ
ンと混合する。臭化エチル等のアルキルハライドを加え
ると好都合であるが、本発明の工程においては必須でな
い。1〜5時間後、少量のアントラセンマグネシウムト
共に、例えばTHF等に懸濁させて、あるいは乾燥粉末
として使用すると、緩和な条件下で金属塩を還元し、極
めて微細な粉末を生成させることのできる高活性のマグ
ネシウムが得られる。本発明方法の一変法として、予め
調製しておいたアントラセンマグネシウムを活性化剤と
して加えてもよい。
超音波浴中で活性化を行うと、金属表面に光沢を与える
のに好都合である。本発明方法においては、−78℃〜
150℃、好ましくは一30℃〜80℃の温度下、金属
塩と、マグネシウム/アントラセン系またはマグネシウ
ム/アントラセンマグネシウム系とを接触させると、発
熱し、温度および金属塩の種類に応じて1〜30時間の
間に微細な金属粒子の析出が完了する。
この反応の実施にあたっては、アントラセン、アントラ
センマグネシウムまたはそれらの誘導体が、マグネシウ
ムと、金属塩との反応の過程で、高活性なマグネシウム
の種を生成させる触媒として作用することが重要である
。これらの活性化触媒が省略されると、比較実験の結果
に示されているように、著しい遅速化および/または出
発物質の不完全な還元をきたす。触媒の通例として、ア
ントラセンは容易に分離され、バッチがら回収され、再
使用される。
金属塩の金属として用いるのに好ましいものは、周期律
表のIB、IIB、■BおよびVIIIBの各族に属す
る元素であり、金属塩または金属化合物として用いるの
に好ましいものは、無機または有機アニオンを含むもの
、さらに好ましくは、ハロゲン化物、アルコラード類お
よび有機酸の塩類等、溶媒として用いられる系中で溶媒
和し得るものである。周期律表のIB、IIB、■B、
およびVIIIB族に属する元素の例には、CulAg
、 Au ; Zn、 Cd、Hg ;Mn、 Tc%
Re ; Fe、 Co、 Ni、 Ru、 Rh、 
Pd。
Os、 Ir、 Ptがある。
本発明方法によれば、安価で取り扱い上安全かつ無害な
マグネシウムを用い、一般的にしかも効率良く金属類の
金属塩を還元して比表面積6〜100m/yの微細金属
粉末を調製することが初めて可能となった。
本発明方法によって得られた微細金属粉末は、そのまま
、または支持体と結合させ、不均質系触媒として用いる
ことができる。本発明方法による支持(担持)された触
媒を調製するためには、アントラセンまたはアントラセ
ンマグネシウム、あるいはそれらの誘導体の存在下、A
12o3.5i02、MgO、ゼオライトまたは活性炭
等の無機支持体として用いられるものを存在させ、マグ
ネシウムによる金属塩の還元を行うことが好ましい。こ
の様にして得られる系の表面には微細な金属粒子が付い
ており、この系もまた、溶媒の不在下、または懸濁化剤
の不存在下、触媒として(例えば水素化触媒)用いるの
に便利である。その様な触媒系の内、技術上、並びに商
業上特に重要な系の一例は、本発明方法によって得られ
るMg H2−Mg保存系である。
最近、可逆的な金属水素化物−金属水素保存系は、軽量
で場所をとらず、安全で、加圧されていない水素保存系
を得る手段として技術上重要とされている。可逆的な水
素保存系として考慮されている既知の金属水素化物−金
属の水素保存系の内、MgH2−Mg系は、可逆的に結
合する水素の重量比率が最も高<(7,6重量%)、従
って、保存物質の単位重量当りのエネルギー密度が最も
高いことから(2,3KWh/Kg )、他と区別され
る。
上記の理由、並びにマグネシウムが比較的安価であるこ
とから、MgH2−Mg系は、移動相(mobilea
ppl 1cat 1ons )  として適用(例え
ば、水素発生性ビヒクル′)するか、ヒートポンプのた
めの高温保存物として用いるのに好適な水素保存系であ
ると思われるが、その様な適用は、この系の動力学が不
足しているために、妨げられている。純粋なマグネシウ
ムの水素化は激しい条件下でのみ可能であり、その様な
条件下においても、水素化は極めて遅く、不完全である
ことが知られていた。また、この様にして得られた水素
化マグネシウムの脱水素速度は水素保存要素として許容
できないものであった。従って、この10〜15竿間、
マグネシウムの水素許容能力(hydrogenabi
lity )を改善するために、マグネシウムを異質の
金属、または金属間化合物でドーピング(doping
)するか、または合金を調製させる等、多くの試みがな
されている〔文献の総説、ボダノビツク(B、 Bog
danovic)、7ンゲ・ケム(Angew、 Ch
em、 ) 97 (1985)253;アンゲ・ケム
・イン・ニド・イングル(Angew、 Chem、 
Int、 Ed、 Engl、 )24 (1985)
262〕。この経路により、動力学面では幾らかの改善
が達成されたが、接糸の本質的な欠点の内、幾つかは未
解消のままである。すなわち、異質の金属または金属間
化合物でドーピングされたマグネシウムの最初の水素化
には依然として激しい条件が必要とされ、これらの系の
動力学は数回の水素化/脱水素化サイクルの後において
のみ満足すべきものとなり、可逆的な水素の含有挺が増
加する。また、動力学的な性質を改善するためには、か
なりの割合の異質金属または高価な金属間化合物を必要
とする。しかも、これらの系の保存容量は、一般にMg
H2の理論的予測値よりもはるかに低い。
Mg H2−Mg系の動力学および保存容量における実
質的な向上は、マグネシウムの均質系触媒水素化反応で
あって、マグネシウムと水素とを周期律表の■亜族〜■
亜族の金属ハロゲン化物からなる触媒、並びに有機マグ
ネシウムまたは水素化マグネシウムの存在下、多環系芳
香族アミンまたは3級アミンの存在下、所望により、°
マグネシウムハライド(MgX2 ) (式中、X =
 C1、Br、■)の存在下で反応させることに関する
欧州特許出願明細書N10003564(本出願人の出
願に係る)記載の方法に従って達成された。
上記の方法は、最初の、マグネシウムの水素化が緩和な
条件下に起こることは別として、続く脱水素化/水素化
サイクルにおいて、他よりも優れた動力学が得られる点
で有利である。これは、以後の脱水素化/水素化サイク
ルにおける、マグネシウムによる水素の支持は、もはや
、全く加圧することなく、あるいは僅かな加圧下で、こ
の型の既知の系(例えばMg−Mg2Ni系)よりも低
温で可能であることにより、示される。均質系触媒を介
して得られるMgH2−Mg系の保存容量は理論値に近
い。
さらに、ドイツ置床審査特許出願公開(DE−OS)3
747360(本出願人の出願に係る)に記載の活性な
MgH2−Mg水素保存系の製造方法は、水素化マグネ
シウムまたは微粉砕金属マグネシウムを、適当な遷移金
属コンプレックスまたは適当な遷移金属有機化合物と接
触させてドーピングさせることからなる。この方法によ
ると、それぞれの遷移金属が水素化マグネシウムまたは
マグネシウム粒子の表面に極めて細かく分布して析出し
、脱水素化および水素化の触媒として作用する。
この方法は、被覆している少量の遷移金属が、直ちに、
または数回の脱水素化/水素化サイクルの後に強力な触
媒作用を来し、この触媒作用が以後の脱水素化/水素化
を通して維持される点で特に優れている。通常、望まし
い触媒効果が生じるためには、水素化マグネシウムまた
はマグネシウムを基準にして、各遷移金属が3重量°%
存在すれば充分である。この様にして得られる系のH2
保存容量はかなり高い。
この方法に用いられる遷移金属コンプレックスまたは遷
移金属−有機化合物としては、ニッケル、パラジウムお
よび鉄のコンプレックス類、または有機金属化合物が好
ましいと考えられる。
本発明の活性なMgH2−Mg水素保存系の生産法は、
上記の遷移金属の塩を適当な溶媒(好ましくはTHF)
中、微粉砕形の金属マグネシウムを大過剰に存在させ、
触媒量のアントラセンまたはアントラセンマグネシウム
あるいはその誘導体の存在下、遷移金属塩をマグネシウ
ムで還元することからなる。次いで、極微細な形で析出
した遷移金属は過剰に存在するマグネシウム粒子の表面
に付着して残存し、以後の水素化−脱水素化工程におけ
る触媒として作用する。この工程における遷移金属とし
ては、ハロゲン化物、アセチルアセトネート、またはア
ルコラードの形のニッケルか好ましい。金属マグネシウ
ムの形状としては、粒子サイズ10.05 m (27
0メツシュ)のマグネシウム粉末が好ましいと考えられ
る。
本発明方法はDE−OS  3247360ニオケる活
性なMgH2−Mg水素保存系製造方法の代替法であっ
て、ドーピング段階における遷移金属コンプレックスま
たは遷移金属有機化合物の代りに、通常、入手かより容
易で、より安価な遷移金属の塩類を用いる点で有利な方
法を提供するものである。
本発明方法に従って製造された、ニッケルでドーピング
された形の水素保存物質の動力学はDE−O33247
360により製造される対応物と匹敵するものであり、
その水素保存容量はそれと同様か、またはそれ以上であ
る。
以下に実施例を挙げ、本発明をさらに詳しく説明する。
たたし、本発明はこれらの実施例により制限されるもの
ではない。
実験はアルゴン雰囲気下に行われた。予備乾燥したTH
Fをジエチルマグネシウム上で蒸留して使用した。
実施例I Mg粉末(50メツシュ) 0,49 y (20mm
ol)のTHF200.t’中中温濁液アントラセン0
.36y (2mmol )と臭化エチル2滴を加え、
この混合物を室tirで、橙色のアントラセンマグネシ
ウムが析出するまで攪拌した(2〜5時間)。次いて、
無水N+ Cr22.6 Of(20mmol )を加
え、このバッチを室温で28時間攪拌し、黒色の沈殿を
ρ取してTHFで3〜5回洗浄した後、真空乾燥(10
−3トル)した。以下の組成: Ni 78.9 ; 
Mg2.7 ; C12,5; H1,3:およびC/
1.1%の黒色の発火性の粉末1.56yを得た。この
粉末の比表面積(BET法)は7.2 m2/ 9であ
った。
実施例2〜8 実施例2〜8は、実施例1と同様にして行われた。実施
例1〜8における全実験データーを表1に示す。
実施例9 マグネシウム粉末(50メツシュ)50.0g(2,0
6mol)のTHF130mp中懸濁液にアントラセン
0.23y(1,3mmol)と臭化エチル2滴を加え
、得られた混合物をアントラセンマグネシウムが析出す
るまで攪拌した(約5時間)。次いで、この懸濁液に無
水NiCl23.41 ? (26,3mm01)を加
え、このバッチを20時間攪拌し、諷過して溶液からM
g粉末を分離し、THFで洗浄した後、高真空下に乾燥
させた。1.3重量%のNlでドープされた空気安定性
のMg粉末49.4fが得られた。該粉末16.6yを
、完全自動にヒの電気的にコントロールされた装置1.
ボダノビイック(B、 Bogdanovic )ロッ
ク・シト(loc、 cit、 )、56頁〕を用い、
水素化の圧力と温度を変化させ、55回の連続水素化−
脱水素化サイクルにかけた。
これらのサイクルの間、保存物質のH2容量と動力学と
は一定のままであった。試料の可逆的な水素含量は3.
67重量%であった。
実施例10 50メツシュのMg粉末の代りに270メツシュのMg
粉末を用いる外は、実施例9と同じ方法、同じモル数で
実験を行った。以下の組成:Mg97.4 ;Ni 1
.0 ;C0,6;Ho、7およびC1002%を有す
る、ニッケルでドーピングされた空気−安定性のMg粉
末48.Ofを得た。
該粉末15.14を、実施例9と同様に、水素化の圧力
と温度を変化させ、28回の連続水素化−脱水素化サイ
クルにかけた。これらのす・イクルの間、保存物質のH
2許容量および動力学は一定に維持されていた。試料は
、可逆的に結合した水素を7重量%含有していた。
特許出願人  シュツウディエンゲゼルシャフト・コー
ル・ミツト・ベシュレンクテル・ ハフラング

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、微細に粉砕された金属粉末の製造方法であって、金
    属塩と、触媒量のアントラセンおよび/またはアントラ
    センマグネシウムまたはそれらの誘導体群の1つを活性
    化剤として加えたマグネシウムとを溶媒中、所望により
    、無機性支持物質の存在下で反応させることを特徴とす
    る方法。 2、マグネシウムが、超音波浴中で、触媒量のアントラ
    センおよび/またはアントラセンマグネシウムまたはそ
    れらの誘導体群の1つにより処理されていることを特徴
    とする第1項記載の方法。 3、金属塩として、周期律表の第 I B、IIB、VIIBお
    よびVIIIB族の金属の金属塩が用いられることを特徴と
    する第1項または第2項記載の方法。 4、溶媒としてテトラヒドロフランが用いられることを
    特徴とする第1項〜第3項のいずれかに記載の方法。 5、アントラセンまたはアントラセンマグネシウムの誘
    導体として、それらのアルキルまたはアリール誘導体が
    用いられることを特徴とする第1項〜第4項のいずれか
    に記載の方法。 6、第1項〜第5項のいずれかの方法で得られた微粉砕
    金属粉末を不均質系触媒として用いることを特徴とする
    第1項〜第5項のいずれかに記載の方法。 7、工程中に存在している無機性支持物質の表面の金属
    粉末析出物を不均質系触媒として用いることを特徴とす
    る第1項〜第5項のいずれかに記載の方法。 8、無機性支持物質としてSiO_2、Al_2O_3
    、MgOまたは活性炭が用いられることを特徴とする第
    1項〜第5項および第7項のいずれかに記載の方法。 9、過剰に存在する微粉砕金属マグネシウムを無機性支
    持物質として用い、得られた金属でドーピングされたマ
    グネシウムを水素保存物質として用いることを特徴とす
    る第1項〜第5項および第7項のいずれかに記載の方法
    。 10、マグネシウム粉末として粒子サイズ≦0.3mm
    (50メッシュ)、好ましくは≦0.05mm(270
    メッシュ)のマグネシウム粉末を用いることを特徴とす
    る第1項〜第5項および第7項のいずれかに記載の方法
    。 11、マグネシウム粉末のドーピングに、金属Co、P
    t、Pd、Cr、Feの金属塩類、好ましくはハロゲン
    化物の形のニッケル塩を用いることを特徴とする第1項
    〜第5項、第7、第9および第10項のいずれかに記載
    の方法。
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