JPS62127738A - 感光性ポリイミド前駆体用現像液 - Google Patents

感光性ポリイミド前駆体用現像液

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JPS62127738A
JPS62127738A JP26814385A JP26814385A JPS62127738A JP S62127738 A JPS62127738 A JP S62127738A JP 26814385 A JP26814385 A JP 26814385A JP 26814385 A JP26814385 A JP 26814385A JP S62127738 A JPS62127738 A JP S62127738A
Authority
JP
Japan
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weight
polyimide
methyl
developer
solvents
Prior art date
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Pending
Application number
JP26814385A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsunori Tsuchiya
勝則 土屋
Mitsumasa Kojima
児嶋 充雅
Asao Isobe
磯部 麻郎
Daisuke Makino
大輔 牧野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP26814385A priority Critical patent/JPS62127738A/ja
Publication of JPS62127738A publication Critical patent/JPS62127738A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/325Non-aqueous compositions

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は感光性ポリイミド前駆体をパターン化する際の
現像液に関するものである。
(従来の技術) 近年、半導体工業の分野でポリイミドが眉間絶縁膜や保
護膜として使用されている。さらに最近になってポリイ
ミド前駆体にパターン形成能を付与し、感光性のポリイ
ミド前駆体とし、工程の合理化が試みられている。また
、ポリイミドの通用として、数〜数十μmの厚さの塗膜
を用いる半導体以外に、数百人の厚さの膜を用いる液晶
の配向膜がある。このような極薄ポリイミド膜形成にも
感光性ポリイミド前駆体の通用が考えられている。
(発明が解決しようとする問題点) しかし、従来の感光性前駆体ポリイミドの現像液は、N
−メチル−2−ピロリドン、N、N−ジメチルアセトア
ミド、ジメチルスルホキシド、N。
N−ジメチルホルムアミドなどの溶剤を主成分としてい
るため、露光により架橋構造を形成した感光性ポリイミ
ド前駆体に対しても強い親和力を有している。このため
現像中に本来不溶性である露光部の溶解も進み、現像時
間とともに露光部の膜厚も大きく減少する。従って膜が
薄くなる程、現像後の膜厚の管理が困難となる。特に膜
厚が1μm以下の場合・数秒以内に露光部も熔解するた
め、実質上現像が不可能となる。また薄膜用の現像液と
して、特公昭58−223149号公報に示されるよう
なN、N−ジメチルアセトアミド、メチルアルコールお
よびジエチレングリコール等ヲ含む組成液が提案されて
いるが、この現像液の組成でも数百人の膜厚のパターン
化は実用上不可能であった・ 本発明の目的は、液晶の配向膜のような極薄膜のポリイ
ミドのパターン加工を可能にする現像液を提供すること
にある。
(問題点を解決するための手段) 本発明は、感光性ポリイミド前駆体から所定のパターン
を有するポリイミドを形成するための現像液であって、
(A)N、N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチ
ルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチル−
2−ピロリドン、1゜3−ジメチル−2−イミダゾリジ
ノン、N−アセチル−ε−カプロラクタム、γ−ブチル
ラクトン、ヘキサメチルホスホルアミドおよびテトラメ
チレンスルホンから選ばれる一種または二種以上の溶剤
、(B)メチルアルコールおよび(C)一般式R1OC
H2CH2OH(ここでR1は水素原子または低級アル
キル基)で表される溶剤からなり、(A)および(B)
を20〜50重量%、(C)を80〜50重量%とした
感光性ポリイミド前駆体用現像液に関する。
上記(A)の化合物は単独でまたは二種類以上混合して
用いられる。
本発明に用いる上記の(C)一般式R1OCH2CH2
OHで表される溶剤の具体例としては、エチレングリコ
ール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレ
ングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコール
モノブチルエーテル等挙lげられる。
本発明の現像液は、上記(A)群の溶剤、(B)メチル
アルコールおよび(C)上記の一般式R5OCH2CH
2OHで表わされる溶剤からなる。
(A)群の溶剤と(B)メチルアルコールの使用割合は
、これらの合計量を100重量%とすると、(A)群の
溶剤40〜90重量%、(B)メチルアルコール60〜
10重量%の範囲であることが好ましい。(A)群の溶
剤の比が高すぎると、現像した膜にクランクが入りやす
くなり、一方低すぎると未露光部の溶解が進行せず、現
像が困難になる傾向がある。
(A)群の溶剤(B)メチルアルコールおよび(C)上
記の一般式R1OCH2CH2OHで表される溶剤の使
用割合は、全量をLoo重f%とすると、(A)および
(B)を20〜50重量%に対して(C)を80〜50
重量%の範囲とされる。(C)の使用割合が80重量%
を越えると、未露光部の溶解が進行せず、現像が困難に
なり、一方、これが50重量%より少なくなると、露光
部の熔解が急速に進行するため、膜厚の管理が困難とな
る。
本発明においては、現像性に悪影響を及ぼさない範囲内
で、上記三つの群以外の溶剤を含有させてもよい。これ
らの溶剤としては、アルコール類、多価アルコール誘導
体類、エステル類、炭化水素類、エーテル類などが好適
なものとして挙げられる。上記(A)、(B)および(
C)の混合順序には制限がない。
本発明になる現像液を用いた現像は浸漬法、スプレー法
等により常法に従って行われ、浸漬法では室温で1〜5
分で完了する。現像した画像は現像液を取り除くためリ
ンス液で洗浄される。リンス液としては、現像液と混和
性の良い、ポリアミド酸(ポリイミドの前駆体ポリマ)
に対する貧溶媒などが用いられる。リンス液の例として
は、水、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプ
ロピルアルコール、トルエン、キシレン、アセトン、メ
チルエチルケトン、メチルセロソルブ、エチルセロソル
ブなどが挙げられる。
本発明における感光性ポリイミド前駆体は公知のネガ型
の材料であればよく、例えば特開昭49−17374号
、特開昭49−115541号、特開昭54−8811
6号、特開昭54−145794号、特開昭55−15
5347号、特開昭55−45748号等に示された感
光性ポリイミド前駆体が挙げられる。
実施例1 感光性ポリイミド前駆体(日立化成(株)製、PL−1
100)をN−メチル−2−ピロリドンで5重量%の濃
度に希釈したものをシリコンウェハに回転数300Or
、p、mで回転塗布し、80℃で15分間乾燥して厚さ
約0.2μmの塗膜を得た。この塗膜にクロムマスクを
介して高圧水銀灯で365nmの光量が50mJ/−に
なるように光を照射した。次にN−メチル−2−ピロリ
ドン20重量%、メチルアルコール10重量%、エチレ
ングリコール70重量%からなる現像液に、室温で60
秒浸漬現像した。次いでエチルアルコールでリンスした
。現像物をリンス液から取り出し、直ちに窒素ガスを吹
きつけて乾燥し、さらに300°Cで30分間熱処理し
て、ポリイミドの良好なパターンを得た。熱処理後のポ
リイミドの膜厚は800人であった。
実施例2 現像液として、N、N−ジメチルアセトアミド15重量
%、メタノール10重量%、エチレングリコールモノブ
チルエーテル75重量%の混合液を用いる他は実施例1
と同じ条件でパターン加工を行ない、良好なポリイミド
パターンを得た。熱処理後のポリイミドの膜厚は800
人であった。
実施例3 現像液としてジメチルスルホキシド20重量%、メタノ
ール10重量%およびエチレングリコールモノメチルエ
ーテル70重量%の混合液を用いる他は、実施例1と同
じ条件でパターン加工を行ない、良好なポリイミドパタ
ーンを得た。熱処理後のポリイミドのll臭厚は800
人であった。
実施例4 現像液としてN−メチル−2−ピロリドン15重量%、
メタノール10重量%、エチレングリコールモノエチル
エーテル75重量%の混合液を用いる他は、実施例1と
同じ条件でパターン加工を行ない良好なポリイミドパタ
ーンを得た。熱処理後のポリイミドの膜厚は800人で
あった。
比較例1 現像液としてN−メチル−2−ピロリドン60重量%お
よびメタノール40重量%の混合液を用いる他は実施例
1と同じ条件でパターン加工を行なったが、1〜2秒間
のうちに露光部も全部溶解し、パターンを得ることがで
きなかった。
比較例2 現像液として、N−メチル−2−ピロリドン80重量%
、水20重量%の混合液を用いる他は実施例1と同じ条
件でパターン加工を行なったが、2〜3秒間のうちに露
光部も全部熔解し、パターンを得ることができなかった
比較例3 現像液としてN−メチル−2ピロリドン30重量%、メ
タノール20重量%、ジエチレングリコールモノメチル
ニー・チル50重量%からなる混合液を用いる他は実施
例1と同じ条件でパターン加工を行なったが、15秒程
で露光部も全部溶解し、パターン得ることができなかっ
た。さらに現像時間を短縮してパターン加工を試みたと
ころ、5〜10秒間でポリイミドパターンを得たが、現
像時間の管理幅が著しく狭く、実用的でないことが示さ
れた。
(発明の効果) 本発明によれば、極薄膜のポリイミドの加工を可能にす
る現像液を得ることができる。
代理人 弁理士 若 林 邦 彦゛−“パゝ!

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、感光性ポリイミド前駆体から所定のパターンを有す
    るポリイミドを形成するための現像液であって、(A)
    N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセ
    トアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチル−2−ピ
    ロリドン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、
    N−アセチル−ε−カプロラクタム、γ−ブチルラクト
    ン、ヘキサメチルホスホルアミドおよびテトラメチレン
    スルホンから選ばれる一種または二種以上の溶剤、(B
    )メチルアルコールおよび(C)一般式R_1OCH_
    2CH_2OH(ここでR_1は水素原子または低級ア
    ルキル基)で表される溶剤からなり、(A)および(B
    )を20〜50重量%、(C)を80〜50重量%とし
    た感光性ポリイミド前駆体用現像液。
JP26814385A 1985-11-28 1985-11-28 感光性ポリイミド前駆体用現像液 Pending JPS62127738A (ja)

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JP (1) JPS62127738A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0342393A2 (en) * 1988-05-17 1989-11-23 International Business Machines Corporation Process for forming a polyimide pattern on a substrate
US6403289B1 (en) 1997-10-31 2002-06-11 Nippon Zeon Co., Ltd. Developer for photosensitive polyimide resin composition

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0342393A2 (en) * 1988-05-17 1989-11-23 International Business Machines Corporation Process for forming a polyimide pattern on a substrate
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