JPS62124619A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS62124619A JPS62124619A JP26406385A JP26406385A JPS62124619A JP S62124619 A JPS62124619 A JP S62124619A JP 26406385 A JP26406385 A JP 26406385A JP 26406385 A JP26406385 A JP 26406385A JP S62124619 A JPS62124619 A JP S62124619A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- layer
- thin film
- substrate
- magnetic head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は薄膜磁気ヘッドに関する。
従来の技術
従来より薄膜磁気ヘッドにおいて高い記録再生効率の得
られる構成表して、第４図に示すものが知られる。
られる構成表して、第４図に示すものが知られる。
すなわち第４図において１は磁性基板であり、２は基板
面に形成された凹部である。又４は導体層よりなるコイ
ルであり、３は上記基板と上記コイルの間の絶縁層であ
る。６は磁性薄膜より成る上部磁性層であり、５は上記
上部磁性層と上記コイルの間の絶縁を与え、又ギャップ
スペーサ−も兼ねる非磁性絶縁層である。
面に形成された凹部である。又４は導体層よりなるコイ
ルであり、３は上記基板と上記コイルの間の絶縁層であ
る。６は磁性薄膜より成る上部磁性層であり、５は上記
上部磁性層と上記コイルの間の絶縁を与え、又ギャップ
スペーサ−も兼ねる非磁性絶縁層である。
磁性基板１と上部磁性層６はギャップ６を含むリングヘ
ッドとしての磁気回路を構成し、又その磁気回路にコイ
ル４が鎖交する○ この様な構成によって、コイルが基板に埋設された形を
とると、平面上にコイルが配されて上部３ ノ、−１ 磁性層が大きくコイルをまたぐ形になる場合に比べて上
部磁性層の屈曲が少くなり、屈曲に伴う磁気特性の劣化
が少くなる。それ故に磁気ヘッドとしての高ｌＡ記録再
生効率が得られる。
ッドとしての磁気回路を構成し、又その磁気回路にコイ
ル４が鎖交する○ この様な構成によって、コイルが基板に埋設された形を
とると、平面上にコイルが配されて上部３ ノ、−１ 磁性層が大きくコイルをまたぐ形になる場合に比べて上
部磁性層の屈曲が少くなり、屈曲に伴う磁気特性の劣化
が少くなる。それ故に磁気ヘッドとしての高ｌＡ記録再
生効率が得られる。
なお上記従来技術は１ターンコイルの場合を示したがマ
ルチターンコイルの場合も基本的には同様である。
ルチターンコイルの場合も基本的には同様である。
発明が解決しようとする問題点
この様な従来技術の問題点は絶縁層３による絶縁が不完
全なものになり易いことである。すなわちこの絶縁層は
、材料としては、Ｓ ｔ Ｏ２，Ａ！、 ０３等、父方
法としては蒸着、スパッタリング等の薄膜形成技術によ
って形成されるが、第６図に示す様に、凹部の側壁部７
には組織的に緻密でない膜が形成され易く、又ずみ部８
等にはクラック状の欠陥が生じたりし易い。このために
、この上にコイルを形成すると磁性基板１との絶縁を良
好に保つのが困難となる。
全なものになり易いことである。すなわちこの絶縁層は
、材料としては、Ｓ ｔ Ｏ２，Ａ！、 ０３等、父方
法としては蒸着、スパッタリング等の薄膜形成技術によ
って形成されるが、第６図に示す様に、凹部の側壁部７
には組織的に緻密でない膜が形成され易く、又ずみ部８
等にはクラック状の欠陥が生じたりし易い。このために
、この上にコイルを形成すると磁性基板１との絶縁を良
好に保つのが困難となる。
問題点を解決するだめの手段
上記問題を解決するために、本発明では絶縁層３として
ガラスの焼き付けられた層を用いる。あるいはその様な
ガラス層の上に更に薄膜形成技術による絶縁体層を設け
る。
ガラスの焼き付けられた層を用いる。あるいはその様な
ガラス層の上に更に薄膜形成技術による絶縁体層を設け
る。
作 用
ガラス層を焼き付けると、ガラスのぬれ性によ−〕で下
地面のすみずみ丑で良好な被ふぐがなされるので、良好
な絶縁特性が得られる。父、ガラスの焼き付けられた面
では表面凹凸の急峻なエツジや凹部のスミ等がうめられ
て、なめらかな面になっているだめに、それを下地に更
に絶縁体層の薄膜形成を行なったときに、より緻密な膜
成長が得られ、絶縁特性が向上する。
地面のすみずみ丑で良好な被ふぐがなされるので、良好
な絶縁特性が得られる。父、ガラスの焼き付けられた面
では表面凹凸の急峻なエツジや凹部のスミ等がうめられ
て、なめらかな面になっているだめに、それを下地に更
に絶縁体層の薄膜形成を行なったときに、より緻密な膜
成長が得られ、絶縁特性が向上する。
実施例
以下図面を用いて実施例の説明を行う。
第１図ａ〜ｄは本発明の第１の実施例による磁気ヘッド
が形成される手順を示している。壕ず同図ａの様に磁性
基板１上の、所定のコイル形成位置に凹部２を形成する
。基板にはＭｎ−Ｚｎンエライト等を用い、又凹部は化
学エツチング、電解エツチング、物理エツチング、機械
加工等の方法で６１、−１ 形成する。次に基板全面にガラス層３ａを形成する。こ
のガラス層の形成には、スパッタリング等の薄膜技術を
用いでも良いし、ガラス微粒子を分散させたアルコール
溶液中で、基板上にガラス粒子を沈降させてガラス層を
形成しても良い。
が形成される手順を示している。壕ず同図ａの様に磁性
基板１上の、所定のコイル形成位置に凹部２を形成する
。基板にはＭｎ−Ｚｎンエライト等を用い、又凹部は化
学エツチング、電解エツチング、物理エツチング、機械
加工等の方法で６１、−１ 形成する。次に基板全面にガラス層３ａを形成する。こ
のガラス層の形成には、スパッタリング等の薄膜技術を
用いでも良いし、ガラス微粒子を分散させたアルコール
溶液中で、基板上にガラス粒子を沈降させてガラス層を
形成しても良い。
その後ガラス層を形成した基板を、上記ガラスの軟化点
以上の温度で焼き付け、ガラスを再溶融させる。ガラス
層が薄膜技術で形成されているときは、その層中の欠陥
を上記ガラスの再溶融によって回復させることが出来、
又ガラス層が粉末集合体の層の場合は同熱処理によって
ガラスは連続した層に変えられる。熱処理後は一般的に
は第１図すの様に断面図上スミ部にガラスが少し留る様
な形になる場合が多い。又凹部の垂直壁へのガラスの付
着量が不十分であった場合でも、ガラスのぬれ性によっ
て同垂直壁は十分ぬらされ、良好な絶縁性を得ることが
出来る。
以上の温度で焼き付け、ガラスを再溶融させる。ガラス
層が薄膜技術で形成されているときは、その層中の欠陥
を上記ガラスの再溶融によって回復させることが出来、
又ガラス層が粉末集合体の層の場合は同熱処理によって
ガラスは連続した層に変えられる。熱処理後は一般的に
は第１図すの様に断面図上スミ部にガラスが少し留る様
な形になる場合が多い。又凹部の垂直壁へのガラスの付
着量が不十分であった場合でも、ガラスのぬれ性によっ
て同垂直壁は十分ぬらされ、良好な絶縁性を得ることが
出来る。
その後第１図Ｃの様に、基板全面に、コイルとなる材料
（Ａｌ１ 、 Ｃｕ 、 Ａｕ等）を蒸着、スパッタ等
により、４の如く付着形成する。その膜厚は最初６ベー
。
（Ａｌ１ 、 Ｃｕ 、 Ａｕ等）を蒸着、スパッタ等
により、４の如く付着形成する。その膜厚は最初６ベー
。
の凹部の深さより大きくする。その後基板面を機械加工
でＸＸ′の位置捷で研摩し、コイルとして不要な部分を
除去するとともに、基板面を平ら々鏡面に加工する。
でＸＸ′の位置捷で研摩し、コイルとして不要な部分を
除去するとともに、基板面を平ら々鏡面に加工する。
次に、第１図ｄに示す様に、ギャップ６のだめの層を蒸
着、スパッタ等で形成する。材料はＳｉｎ。
着、スパッタ等で形成する。材料はＳｉｎ。
５１０２．Ａ℃２０３等を用いる。その後更に上部磁性
層６を蒸着、スパッタ等で形成し、ヘノに基本部分の構
成を終える。
層６を蒸着、スパッタ等で形成し、ヘノに基本部分の構
成を終える。
以上の様に構成することによって、基板に埋設されたコ
イルの基板に対する絶縁性を良好に保つことが出来る。
イルの基板に対する絶縁性を良好に保つことが出来る。
第２図は本発明の第２の実施例を示すものである。凹部
２の内面が機械加工等による凹凸の大きな面であっても
ガラス層３ａの表面張力によって、ガラス層表面はなめ
らかな層となり、その上に付着するコイル層を良好な状
態で形成できることを示している。
２の内面が機械加工等による凹凸の大きな面であっても
ガラス層３ａの表面張力によって、ガラス層表面はなめ
らかな層となり、その上に付着するコイル層を良好な状
態で形成できることを示している。
第３図は本発明の第３の実施例を示すものである。化学
的、あるいは物理的いずれの場合でも工７ベー ツチングを用いて凹部を形成すると、そのエツチング条
件によっては、第３図２で示すようなエッチ近傍でのミ
ゾ状の深みが形成されるのを防ぎ切れない場合がある。
的、あるいは物理的いずれの場合でも工７ベー ツチングを用いて凹部を形成すると、そのエツチング条
件によっては、第３図２で示すようなエッチ近傍でのミ
ゾ状の深みが形成されるのを防ぎ切れない場合がある。
この様なとき、絶縁層形成を従来の方法で行うと上記ミ
ゾ近傍は更に欠陥の多い不都合な膜となる。しかし本発
明によればガラス層の量を最適化することによって、第
３図に示す様に凹部の周辺ミゾは埋められ、その上に形
成されるコイル膜も良好なものが得られる。
ゾ近傍は更に欠陥の多い不都合な膜となる。しかし本発
明によればガラス層の量を最適化することによって、第
３図に示す様に凹部の周辺ミゾは埋められ、その上に形
成されるコイル膜も良好なものが得られる。
以上述べた実施例ではガラスによる絶縁層は単一層の場
合であった。実際に、この様なガラスの層厚を５μｍ程
度以上に設定して良いような場合（すなわちその様な凹
部寸法の場合）には、単一のガラス層で十分な結果が得
られた。しかしガラス層厚がそれ以下、たとえば１μｍ
程度になると、基板がＭｎ−Ｚｎフェライトなどである
場合、ガラス中にフェライト成分が拡散し、ガラスの比
抵抗が低下する等の問題が見られた。
合であった。実際に、この様なガラスの層厚を５μｍ程
度以上に設定して良いような場合（すなわちその様な凹
部寸法の場合）には、単一のガラス層で十分な結果が得
られた。しかしガラス層厚がそれ以下、たとえば１μｍ
程度になると、基板がＭｎ−Ｚｎフェライトなどである
場合、ガラス中にフェライト成分が拡散し、ガラスの比
抵抗が低下する等の問題が見られた。
この様な問題を解決した第４の実施例としてガラス層を
２層とする方法があげられる。すなわち、ガラス層を２
層に別け１層目のガラスの焼き付け温度」＝す２層目の
それを低く設定する。これによって基板成分は１層目に
は拡散するが、２層目には殆んど及ばない様にすること
ができて絶縁特性を向−トさせることができる。
２層とする方法があげられる。すなわち、ガラス層を２
層に別け１層目のガラスの焼き付け温度」＝す２層目の
それを低く設定する。これによって基板成分は１層目に
は拡散するが、２層目には殆んど及ばない様にすること
ができて絶縁特性を向−トさせることができる。
更に第５の実施例としてガラス層を焼きつけた上に、更
に、薄膜技術によるＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ２等の絶縁膜を
形成する方法があげられる。この様にすると、ガラスの
一旦焼き付けられた層は表面凹凸の急峻なエツジや凹部
のスミ等が埋められたなめらかな表面を持っているため
に、その上に薄膜技術で形成される膜も膜欠陥の少いも
のが得られ、絶縁特性を向上させることができる。すな
わち、この場合は焼き付けられたガラス層は、その上の
薄膜形成の膜欠陥発生を押える様な下地表面形状を与え
るために存在しているといえる。
に、薄膜技術によるＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ２等の絶縁膜を
形成する方法があげられる。この様にすると、ガラスの
一旦焼き付けられた層は表面凹凸の急峻なエツジや凹部
のスミ等が埋められたなめらかな表面を持っているため
に、その上に薄膜技術で形成される膜も膜欠陥の少いも
のが得られ、絶縁特性を向上させることができる。すな
わち、この場合は焼き付けられたガラス層は、その上の
薄膜形成の膜欠陥発生を押える様な下地表面形状を与え
るために存在しているといえる。
以上の２つの例によって絶縁層を比較的薄くせねばなら
ない場合も有効に対処することが出来る。
ない場合も有効に対処することが出来る。
次に凹部の深さが比較的深い場合の問題について述べよ
う。今丑で述べたいずれの例においても、９７１、−７ ガラス層の焼付処理を行う前の状態では凹部垂直壁に付
着しているガラスの膜厚は一般に薄い。しかし焼付けの
段階でガラスのぬれ性により、周辺からガラスが垂直壁
部分に供給され、凹部は十分な厚さが保たれる。しかし
これにも限度があり凹部深さが大きすぎると垂直壁は十
分にぬらされなくなる。この様な場合は垂直壁の表面粗
さを底面の表面粗さより大きくすることにより良好な結
果が得られる。ガラスはより荒れた面をより良くぬらす
性質があるから、この様にすることによって凹部垂直壁
は良くぬらされる様になり、良好な絶縁性が確保される
。この様な表面粗度を変えた加工を行なうには、機械加
工の場合には加工砥石の底面と側面の粗度を変えれば良
い。又加工に化学エツチングを用いる場合は結晶面方位
によるエツチング面アレの差異を利用することが出来る
。
う。今丑で述べたいずれの例においても、９７１、−７ ガラス層の焼付処理を行う前の状態では凹部垂直壁に付
着しているガラスの膜厚は一般に薄い。しかし焼付けの
段階でガラスのぬれ性により、周辺からガラスが垂直壁
部分に供給され、凹部は十分な厚さが保たれる。しかし
これにも限度があり凹部深さが大きすぎると垂直壁は十
分にぬらされなくなる。この様な場合は垂直壁の表面粗
さを底面の表面粗さより大きくすることにより良好な結
果が得られる。ガラスはより荒れた面をより良くぬらす
性質があるから、この様にすることによって凹部垂直壁
は良くぬらされる様になり、良好な絶縁性が確保される
。この様な表面粗度を変えた加工を行なうには、機械加
工の場合には加工砥石の底面と側面の粗度を変えれば良
い。又加工に化学エツチングを用いる場合は結晶面方位
によるエツチング面アレの差異を利用することが出来る
。
発明の効果
以上の説明より明らかな様に、本発明によれば、コイル
埋込み形の薄膜ヘッドにおいて、基板とコイル間の絶縁
性を良好に保つことができ、高性能１０ ページ で生産歩留りの高い薄膜磁気ヘッドを得ることができる
。
埋込み形の薄膜ヘッドにおいて、基板とコイル間の絶縁
性を良好に保つことができ、高性能１０ ページ で生産歩留りの高い薄膜磁気ヘッドを得ることができる
。
第１図ａ −ｄは本発明の第１の実施例による薄膜磁気
ヘッドの断面図、第２図、第３図はそれぞれ本発明の第
２．第３の実施例を示す断面図、第４図、第５図はそれ
ぞれ従来の薄膜磁気ヘッドの断面図である。 １・・・・・磁性基板、２・・・・・凹部、３ａ・・・
ガラス層、４・・・・ コイル、５・・・・・ギャップ
、６・・・・・・上部磁性層。
ヘッドの断面図、第２図、第３図はそれぞれ本発明の第
２．第３の実施例を示す断面図、第４図、第５図はそれ
ぞれ従来の薄膜磁気ヘッドの断面図である。 １・・・・・磁性基板、２・・・・・凹部、３ａ・・・
ガラス層、４・・・・ コイル、５・・・・・ギャップ
、６・・・・・・上部磁性層。
Claims (4)
- （１）磁性基板面に設けた凹部に薄膜コイルを埋設し、
上記凹部と上記薄膜コイルの間に上記凹部内面に対して
焼き付けたガラス層を絶縁層として配したことを特徴と
する薄膜磁気ヘッド。 - （２）ガラス層は磁性基板側に接する第１のガラス層と
、薄膜コイル側に接する第２のガラス層からなり、上記
第１のガラス層の焼き付け温度は、上記第２のガラス層
の焼き付け温度より高いことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の薄膜磁気ヘッド。 - （３）ガラス層と薄膜コイルとの間に更に、スパッタ、
蒸着等の薄膜技術により形成した絶縁層を設けたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッド
。 - （４）凹部垂直内壁の表面粗度を凹部底面の表面粗度よ
り大きくしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26406385A JPS62124619A (ja) | 1985-11-25 | 1985-11-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26406385A JPS62124619A (ja) | 1985-11-25 | 1985-11-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62124619A true JPS62124619A (ja) | 1987-06-05 |
Family
ID=17398011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26406385A Pending JPS62124619A (ja) | 1985-11-25 | 1985-11-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62124619A (ja) |
-
1985
- 1985-11-25 JP JP26406385A patent/JPS62124619A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4281357A (en) | Thin film magnetic head and method of making the same | |
| JPS60179919A (ja) | 磁気記録再生装置及びその製造方法 | |
| JPH0546010B2 (ja) | ||
| JPH0485827A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| EP0091818A2 (en) | Process for the production of a metal oxide patterns with planar surface | |
| JPS6222247B2 (ja) | ||
| JPS62124619A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| US6167611B1 (en) | Process for producing a vertical magnetic head | |
| US4489105A (en) | Method of making a thin film magnetic head | |
| KR0130488B1 (ko) | 부동형 자기 헤드 및 그 제조 방법 | |
| US6775098B2 (en) | Magnetic recording head with dielectric layer separating magnetic pole tips extensions from the zero throat coil insulator | |
| JPH0253217A (ja) | 磁気ヘッドの活動面の平滑化を行なう方法 | |
| JPS5877016A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH0628617A (ja) | 磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH04113506A (ja) | 浮動型磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2635670B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JP2521796Y2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH0430471B2 (ja) | ||
| JPH06103524B2 (ja) | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 | |
| JP2680750B2 (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS6124007A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS60258715A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JP2977897B2 (ja) | 薄膜磁気テープヘッドの製造方法 | |
| JPS63249918A (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH0337809A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |