JPS62124204A - 難加工性材料製のタ−ゲツト製造方法及びそれに使用するホツトプレス装置 - Google Patents
難加工性材料製のタ−ゲツト製造方法及びそれに使用するホツトプレス装置Info
- Publication number
- JPS62124204A JPS62124204A JP25991185A JP25991185A JPS62124204A JP S62124204 A JPS62124204 A JP S62124204A JP 25991185 A JP25991185 A JP 25991185A JP 25991185 A JP25991185 A JP 25991185A JP S62124204 A JPS62124204 A JP S62124204A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- silicide
- production
- difficult
- hot
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Powder Metallurgy (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高融点金属或いは高融点金属シリサイドに代
表される難加工性材料から成るターゲットの製造方法及
び該製造方法において直接使用されるホットプレス装置
に関するものである。特に、本発明は、高密度の高融点
金属シリサイド、例えばモリブデンシリサイド、タング
ステンシリサイド、チタンシリサイド等から成るターゲ
ットの製造に好適である。こうしたターゲットは、半導
体装置の電極或いは配線、特ＫＭＯ８−ＬＳＩのゲート
電極、ソース電極及びドレイン電極として眉いられる。
表される難加工性材料から成るターゲットの製造方法及
び該製造方法において直接使用されるホットプレス装置
に関するものである。特に、本発明は、高密度の高融点
金属シリサイド、例えばモリブデンシリサイド、タング
ステンシリサイド、チタンシリサイド等から成るターゲ
ットの製造に好適である。こうしたターゲットは、半導
体装置の電極或いは配線、特ＫＭＯ８−ＬＳＩのゲート
電極、ソース電極及びドレイン電極として眉いられる。
発明の背景
半導体装置の電極あるいは配線、特にＭＯＳ・ＬＳＩの
ゲート電極としてはポリシリコンが従来用いられてきた
が、ＭＯＳ−ＬＳＩの高集積化に伴いポリシリコンゲー
ト電極の抵抗による信号伝搬遅延が問題化している。一
方、セルファジイン法によるＭＯ８素子形成を容易なら
しめる為ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極とし
て融点の高い材料の使用が所望されている。こうした状
況においてポリシリコンより抵抗率の低い高融点金属ゲ
ート電極、ソース電極及びドレイン電極の研究が進む一
方、シリコンゲートプロセスとの互換性を第１とした高
融点金属シリサイド電極の研究が活発に進行しつつある
。そうした高融点金属や高融点金属シリサイドの有望な
実用例が、タングステン、モリブデン、チタン、ニオブ
、タンタル、モリブデンシリサイド、タングステンシリ
サイド、チータンシリサイド等である。
ゲート電極としてはポリシリコンが従来用いられてきた
が、ＭＯＳ−ＬＳＩの高集積化に伴いポリシリコンゲー
ト電極の抵抗による信号伝搬遅延が問題化している。一
方、セルファジイン法によるＭＯ８素子形成を容易なら
しめる為ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極とし
て融点の高い材料の使用が所望されている。こうした状
況においてポリシリコンより抵抗率の低い高融点金属ゲ
ート電極、ソース電極及びドレイン電極の研究が進む一
方、シリコンゲートプロセスとの互換性を第１とした高
融点金属シリサイド電極の研究が活発に進行しつつある
。そうした高融点金属や高融点金属シリサイドの有望な
実用例が、タングステン、モリブデン、チタン、ニオブ
、タンタル、モリブデンシリサイド、タングステンシリ
サイド、チータンシリサイド等である。
こうした半導体装置の電極あるいは配線用の高融点金属
或いは高融点金属シリサイド＃膜の形成に有効表方法の
一つはスパッタ法である。スパッタ法は上記のよう表材
斜脚のターゲットにアルゴンイオンを衝突させて金属を
放出させ、放出金属をターゲツト板に対向した基板に堆
積させる方法である。使用されるターゲットとしては円
環状のものが多い。円環状ターゲットの内周面はアルゴ
ンの衝突に適するよ５成る曲率の下で彎曲された輪郭を
有している。円環状ターゲットの外周面もスパッタ装置
への装着に適するよう賦形される。
或いは高融点金属シリサイド＃膜の形成に有効表方法の
一つはスパッタ法である。スパッタ法は上記のよう表材
斜脚のターゲットにアルゴンイオンを衝突させて金属を
放出させ、放出金属をターゲツト板に対向した基板に堆
積させる方法である。使用されるターゲットとしては円
環状のものが多い。円環状ターゲットの内周面はアルゴ
ンの衝突に適するよ５成る曲率の下で彎曲された輪郭を
有している。円環状ターゲットの外周面もスパッタ装置
への装着に適するよう賦形される。
従来方法とその問題点
従来のターゲット製造方法は、第２（ａ）図に示すよう
に、下ダイス１、ダイケース３、バンチ５、スリーブ７
及び中仕切り９を具備するホットプレス装置を使用し、
充填された被成型材料粉末をホットプレスし、第２（ｂ
）図に示すような円盤状プレス品を作製しそして後切削
研磨加工によって第２（Ｃ）図に示すよ５な最終ターゲ
ット形態に仕上げていた。第２（ｃ）図に示すように、
ターゲット内周面はアルゴンの衝突に適した号曲した輪
郭に仕上げられる。ターゲット外周面はスパッタ装置へ
の装着に適した適宜の形に仕上げられる。
に、下ダイス１、ダイケース３、バンチ５、スリーブ７
及び中仕切り９を具備するホットプレス装置を使用し、
充填された被成型材料粉末をホットプレスし、第２（ｂ
）図に示すような円盤状プレス品を作製しそして後切削
研磨加工によって第２（Ｃ）図に示すよ５な最終ターゲ
ット形態に仕上げていた。第２（ｃ）図に示すように、
ターゲット内周面はアルゴンの衝突に適した号曲した輪
郭に仕上げられる。ターゲット外周面はスパッタ装置へ
の装着に適した適宜の形に仕上げられる。
ターゲットは、その密度比が高いことを要求される。こ
れはターゲットに空隙が多いと、スパッタ時にターゲッ
ト内で一様な熱伝導が行われないためターゲットが割れ
たり、包臓ガスの放出が起ったりしてスパッタリング特
性を悪化し、良質の薄膜を形成しえないからである。そ
のため、ホットプレスによって加工される円盤状プレス
品は、９５％＠度比を越える高密度のものとされている
。
れはターゲットに空隙が多いと、スパッタ時にターゲッ
ト内で一様な熱伝導が行われないためターゲットが割れ
たり、包臓ガスの放出が起ったりしてスパッタリング特
性を悪化し、良質の薄膜を形成しえないからである。そ
のため、ホットプレスによって加工される円盤状プレス
品は、９５％＠度比を越える高密度のものとされている
。
ターゲツト材質は上記のよ５な高融点金属或いはそのシ
リサイドといった難加工性材料であるに加えて、その密
度が高くなるとターゲットの加工は非常に困難となる。
リサイドといった難加工性材料であるに加えて、その密
度が高くなるとターゲットの加工は非常に困難となる。
斯界では、こうした長時間の切削研磨はやむをえないも
のとして、第２（ａ）〜（ｃ）図に示したような手順の
下で歩留りの悪いしかも美大な時間を要する加工作業が
慣習的に行われてきた。
のとして、第２（ａ）〜（ｃ）図に示したような手順の
下で歩留りの悪いしかも美大な時間を要する加工作業が
慣習的に行われてきた。
発明の目的
こうした従来方法の欠点の認識の下で、本発明は、難加
工性材料ターゲットの製造における歩留りの向上と加工
時間の短縮を図ることを目的とする。
工性材料ターゲットの製造における歩留りの向上と加工
時間の短縮を図ることを目的とする。
従来方法の欠点は基本的に、円盤状のプレス品から円環
状のターゲットを加工することに由来する。そこで、本
発明者等は、発想を転換し、ホットプレスにより円環状
プレス品を生成し、これを最終形態に加工することを案
出した。こうすることにより、削除量は大巾に減少し、
歩留りの向上と加工時間の短縮を一挙に図ることが出来
るはずである。
状のターゲットを加工することに由来する。そこで、本
発明者等は、発想を転換し、ホットプレスにより円環状
プレス品を生成し、これを最終形態に加工することを案
出した。こうすることにより、削除量は大巾に減少し、
歩留りの向上と加工時間の短縮を一挙に図ることが出来
るはずである。
この方法を実施可能ならしめる為には、円環状プレス品
を作製する技術の確立が必要である。一般にホットプレ
ス装置は、下ダイス、ダイケース、パンチを含めすべて
グラファイト製である。円環状プレス品の円環中空部に
対応する芯柱を自初同じくグラファイト製とし、シリサ
イド製品の製造を試みたが、グラファイト製芯柱が割れ
る事故が多発した。ホットプレスは、高密度のプレス品
を製造する為１２００℃を越える高温で実施される。
を作製する技術の確立が必要である。一般にホットプレ
ス装置は、下ダイス、ダイケース、パンチを含めすべて
グラファイト製である。円環状プレス品の円環中空部に
対応する芯柱を自初同じくグラファイト製とし、シリサ
イド製品の製造を試みたが、グラファイト製芯柱が割れ
る事故が多発した。ホットプレスは、高密度のプレス品
を製造する為１２００℃を越える高温で実施される。
シリサイド被プレス品の線膨張率はグラファイトのそれ
よりも大きい為、上記のような高温から常温に戻った時
芯柱が周囲から締付けられることが上記割れの原因であ
ることが判明した。そこで、芯柱な被プレス品の熱膨張
係数と同じか或いはそれより大きい材料から作製するこ
とによりホットプレスを実施した結果、上記のような割
れ問題は完全に解消出来た。こうして、円環状のプレス
品が好適に作製可能となり、以ってホットプレスにより
円環状プレス品を生成し、次いでそれを機械加工する新
たなターゲット製造方法が実現可能となったのである。
よりも大きい為、上記のような高温から常温に戻った時
芯柱が周囲から締付けられることが上記割れの原因であ
ることが判明した。そこで、芯柱な被プレス品の熱膨張
係数と同じか或いはそれより大きい材料から作製するこ
とによりホットプレスを実施した結果、上記のような割
れ問題は完全に解消出来た。こうして、円環状のプレス
品が好適に作製可能となり、以ってホットプレスにより
円環状プレス品を生成し、次いでそれを機械加工する新
たなターゲット製造方法が実現可能となったのである。
斯くして、本発明は、ターゲット作製用雌加工性材料を
ホットプレスして環状成型品を作成し、そして後該環状
成型品の少くとも内周面を切削研磨加工することにより
最終形態に仕上げる難加工性材料製のターゲット製造方
法を提供する。更に、本発明は、上記方法の実施に直接
使用されるホットプレス装置として、環状中空部に対応
する芯柱を被成型材料の熱膨張係数と実質量じかそれよ
り大きな熱膨張係数を有する材料製としたことを特徴と
するホットプレス装置をも提供する。好ましくは、芯柱
は被成型材料自身のプレス品として作製される。
ホットプレスして環状成型品を作成し、そして後該環状
成型品の少くとも内周面を切削研磨加工することにより
最終形態に仕上げる難加工性材料製のターゲット製造方
法を提供する。更に、本発明は、上記方法の実施に直接
使用されるホットプレス装置として、環状中空部に対応
する芯柱を被成型材料の熱膨張係数と実質量じかそれよ
り大きな熱膨張係数を有する材料製としたことを特徴と
するホットプレス装置をも提供する。好ましくは、芯柱
は被成型材料自身のプレス品として作製される。
第１（ａ）図は、本発明におけるホットプレス装置を示
す。第２（ａ）図と対応する要素には同じ参照番号を付
しである。この場合、プレス空洞中央に芯柱Ｃが取付け
られセして芯柱Ｃの上部にパンチ５と整合し、パンチの
運動を案内する案内１０が設けられている。従来通り、
下ダイス１、ダイケース３、パンチ５、スリーブ７、中
仕切り９はグラファイト類であり、そして上記案内１０
もまたグラファイト類である。グラファイトの使用は高
温での被成型材料の汚染を避けるためである。
す。第２（ａ）図と対応する要素には同じ参照番号を付
しである。この場合、プレス空洞中央に芯柱Ｃが取付け
られセして芯柱Ｃの上部にパンチ５と整合し、パンチの
運動を案内する案内１０が設けられている。従来通り、
下ダイス１、ダイケース３、パンチ５、スリーブ７、中
仕切り９はグラファイト類であり、そして上記案内１０
もまたグラファイト類である。グラファイトの使用は高
温での被成型材料の汚染を避けるためである。
芯柱Ｃは、被成型材料の熱膨張係数と同じかそれ以上の
熱膨張率を有する材料から作製される。
熱膨張率を有する材料から作製される。
加えて、高温下で汚染を生じない材料であることも必要
である。例えば、タングステンシリサイド（線膨張率６
Ｘ１０ ／’Ｃ）をホットプレスする場合、望化硼素
（ＢＮ）が使用しうるが、一番最適にはタングステンシ
リサイドのプレス品から芯柱が作製される。こうすれば
、汚染の心配はないし、膨張代等の設定計算も簡単であ
る。芯柱の離型性の悪化が懸念されるが、窒化硼素（Ｂ
Ｎ）粉等の離型剤を塗布することにより解決される。
である。例えば、タングステンシリサイド（線膨張率６
Ｘ１０ ／’Ｃ）をホットプレスする場合、望化硼素
（ＢＮ）が使用しうるが、一番最適にはタングステンシ
リサイドのプレス品から芯柱が作製される。こうすれば
、汚染の心配はないし、膨張代等の設定計算も簡単であ
る。芯柱の離型性の悪化が懸念されるが、窒化硼素（Ｂ
Ｎ）粉等の離型剤を塗布することにより解決される。
被成型材料粉末は芯柱周囲に所定の膨張代Ｘを残すよう
ダイケース内部空洞に充填される。その後、１２００℃
を越える高温でホットプレスされ、第１（ｂ）図に示さ
れるような円環状プレス品を生成する。次いで、切削研
磨により第１（Ｃ）図に示す最終形態に仕上げられる。
ダイケース内部空洞に充填される。その後、１２００℃
を越える高温でホットプレスされ、第１（ｂ）図に示さ
れるような円環状プレス品を生成する。次いで、切削研
磨により第１（Ｃ）図に示す最終形態に仕上げられる。
第１（ｃ）図ターゲットの外周は加工されていないが、
第２（Ｃ）図と同様の或いは別様の適宜の加工を施しう
る。
第２（Ｃ）図と同様の或いは別様の適宜の加工を施しう
る。
第１（ｂ）図から第１（ｃ）図への削除量は第２（ｂ）
図から第２（ｃ）図への削除量に較べてＴｉ中空部に相
当する量減少している。
図から第２（ｃ）図への削除量に較べてＴｉ中空部に相
当する量減少している。
削除量の一層の低減を図るため、第１（ｂ’）図に示す
ように、中空部を一端周辺において拡大したようなプレ
ス品を作製することも出来る。これは中仕切りの形状を
対応する形状に変更することによって可能である。但し
、こうした変更策はプレス比の変動をもたらすので、実
用上許容しうる範囲にとどめねばならない。
ように、中空部を一端周辺において拡大したようなプレ
ス品を作製することも出来る。これは中仕切りの形状を
対応する形状に変更することによって可能である。但し
、こうした変更策はプレス比の変動をもたらすので、実
用上許容しうる範囲にとどめねばならない。
発明の効果
ｔ 削除量の減少分だけ歩留りが向上する。
２ 切削研磨加工時間が大巾に削減される。
実施例
タングステンシリサイド（ＷＳｉ、）を被成型材料とし
て第１図に示したホットプレス装置により内径１６０．
Ｘ外径２５２鶴の円環状プレス品を作製し次いでこれを
内周面研削してターゲットを作製した。従来法に比し、
歩留りは４０チ向上しそして加工時間はＨに減少した。
て第１図に示したホットプレス装置により内径１６０．
Ｘ外径２５２鶴の円環状プレス品を作製し次いでこれを
内周面研削してターゲットを作製した。従来法に比し、
歩留りは４０チ向上しそして加工時間はＨに減少した。
第１（ａ）図は本発明におけるホットプレス装置の断面
図、第１（ｂ）図は第１（＆）図の装置により生成され
た円環状プレス品の断面図、第１ （ｂ’）図はその変
更例、＠ １ （ｅ）図は第１伽）図から加工されたタ
ーゲットの断面図、そして第２（ａ）、２ （ｂ）及び
２（ｃ）図は従来法によるターゲット作製手履を示す第
１（＆）〜（ｃ）と同様の図面である。 １ ：下ダイス ３ ：ダイケース ５ ：パンチ ７ ニスリーブ ９ ：中仕切り Ｃ：芯柱 １０：案内 第１（ｏ）図 第１（ｂ）図 第１（ビ）図 第１ｃｃ）図 ■＝二＝刀 手続浦正書（方式） ％式％ 事件の表示 昭和６０年特 願第２５９９１ｊ 号補正
をする者 事件との関係 特許出願人名 称
日本鉱業株式会社
図、第１（ｂ）図は第１（＆）図の装置により生成され
た円環状プレス品の断面図、第１ （ｂ’）図はその変
更例、＠ １ （ｅ）図は第１伽）図から加工されたタ
ーゲットの断面図、そして第２（ａ）、２ （ｂ）及び
２（ｃ）図は従来法によるターゲット作製手履を示す第
１（＆）〜（ｃ）と同様の図面である。 １ ：下ダイス ３ ：ダイケース ５ ：パンチ ７ ニスリーブ ９ ：中仕切り Ｃ：芯柱 １０：案内 第１（ｏ）図 第１（ｂ）図 第１（ビ）図 第１ｃｃ）図 ■＝二＝刀 手続浦正書（方式） ％式％ 事件の表示 昭和６０年特 願第２５９９１ｊ 号補正
をする者 事件との関係 特許出願人名 称
日本鉱業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ターゲット作製用難加工性材料をホットプレスして
環状成型品を作成し、そして後該環状成型品の少くとも
内周面を切削研磨加工することにより最終形態に仕上げ
る難加工性材料製のターゲット製造方法。 ２）難加工性材料が、モリブデンシリサイド、タングス
テンシリサイド、チタンシリサイド等の高融点金属シリ
サイドである特許請求の範囲第１項記載のターゲット製
造方法。 ３）ターゲット作製用難加工性材料をホットプレスして
環状成型品を作成し、そして後該環状成型品の少くとも
内周面を切削研磨加工することにより最終形態に仕上げ
る難加工性材料製のターゲット製造方法において直接使
用されるホットプレス装置であつて、環状中空部に対応
する芯柱を被成型材料の熱膨張係数と実質同じかそれよ
り大きな熱膨張係数を有する材料製としたことを特徴と
するホットプレス装置。 ４）芯柱が被成型材料製である特許請求の範囲第３項記
載のホットプレス装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25991185A JPS62124204A (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | 難加工性材料製のタ−ゲツト製造方法及びそれに使用するホツトプレス装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25991185A JPS62124204A (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | 難加工性材料製のタ−ゲツト製造方法及びそれに使用するホツトプレス装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62124204A true JPS62124204A (ja) | 1987-06-05 |
Family
ID=17340639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25991185A Pending JPS62124204A (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | 難加工性材料製のタ−ゲツト製造方法及びそれに使用するホツトプレス装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62124204A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008255481A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-10-23 | Mitsubishi Materials Corp | 蒸着材 |
| JP2009287092A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Mitsubishi Materials Corp | カルコパイライト型半導体膜成膜用スパッタリングターゲットの製造方法 |
| CN104842237A (zh) * | 2015-06-09 | 2015-08-19 | 朱德金 | 一种圆锥球磨机压模箱 |
-
1985
- 1985-11-21 JP JP25991185A patent/JPS62124204A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008255481A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-10-23 | Mitsubishi Materials Corp | 蒸着材 |
| JP2009287092A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Mitsubishi Materials Corp | カルコパイライト型半導体膜成膜用スパッタリングターゲットの製造方法 |
| CN104842237A (zh) * | 2015-06-09 | 2015-08-19 | 朱德金 | 一种圆锥球磨机压模箱 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0500031A1 (en) | Method of manufacturing a sputtering target | |
| US20060172454A1 (en) | Molybdenum alloy | |
| DE3562060D1 (en) | Method of producing gate electrodes composed of double layers made of high-melting metal silicides and doped polycrystalline silicon | |
| JPH08318434A (ja) | ワイヤー電極の製造方法並びにワイヤー電極 | |
| JP4405606B2 (ja) | チタンスパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| JP2757287B2 (ja) | タングステンターゲットの製造方法 | |
| JPS62124204A (ja) | 難加工性材料製のタ−ゲツト製造方法及びそれに使用するホツトプレス装置 | |
| JP3039789B2 (ja) | 合成石英ガラス管の製造方法 | |
| US3735458A (en) | Method of manufacturing rotary anodes for use in x-ray tube and rotary anodes manufactured by said method | |
| CN111057832A (zh) | 一种螺旋锥齿轮的热处理变形控制方法 | |
| JP3011528B2 (ja) | 半導体加熱用セラミックスヒーター及びその製造方法 | |
| JP3768807B2 (ja) | 底のある円筒状メタルターゲットの製造方法 | |
| JP2739196B2 (ja) | ダイヤモンドダイス及びその製造方法 | |
| JPS5858952A (ja) | 精密密閉鍛造方法 | |
| JP3509390B2 (ja) | 熱電素子チップ作製用形材の製造方法 | |
| JP3127310B2 (ja) | 非晶質合金の製造方法 | |
| JPS62208527A (ja) | マグネトロン用エンドハツトの製法 | |
| JPS62286627A (ja) | モリブデン等の難加工性高融点金属からなる超薄肉円筒体の製造方法 | |
| JP3080500B2 (ja) | 化合物超電導線材の製造方法 | |
| JPH0543908A (ja) | 中空素材の製造方法 | |
| JPS61144229A (ja) | 超耐摩耗複合合金工具の製造方法 | |
| JPS5811319B2 (ja) | 熱間静水圧プレスによる異型成型法 | |
| JPH04274818A (ja) | 熱間押出し製管法 | |
| JPH02156070A (ja) | 冷間鍛造用金型およびその製法 | |
| JPH05221665A (ja) | 光学素子成形用金型および製造方法 |