JPS62119419A - 焦電型赤外検出器 - Google Patents
焦電型赤外検出器Info
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- JPS62119419A JPS62119419A JP60260034A JP26003485A JPS62119419A JP S62119419 A JPS62119419 A JP S62119419A JP 60260034 A JP60260034 A JP 60260034A JP 26003485 A JP26003485 A JP 26003485A JP S62119419 A JPS62119419 A JP S62119419A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 9
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 abstract 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 5
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 3
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/34—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using capacitors, e.g. pyroelectric capacitors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、焦電効果を利用した焦電型赤外検出器に関す
るものである。
るものである。
従来の技術
物体からの温度に応じて放射される赤外線を利用して物
体を検出したり、その温度を測定したりする赤外線検出
器には、量子効果を利用したものと、赤外線を熱として
検知する熱望のものとがある。熱望の赤外検出器におい
ては焦電効果を利用した焦電型赤外検出器があり、特開
昭57−28223公報、あるいは特開昭59−286
29公報等に記載されたものが知られている。
体を検出したり、その温度を測定したりする赤外線検出
器には、量子効果を利用したものと、赤外線を熱として
検知する熱望のものとがある。熱望の赤外検出器におい
ては焦電効果を利用した焦電型赤外検出器があり、特開
昭57−28223公報、あるいは特開昭59−286
29公報等に記載されたものが知られている。
以下、第5図乃至第6図を参照して従来の焦電型赤外検
出器について説明する。第5図は従来の焦電型赤外検出
器の概略断面図であり、101は焦電素子、102は上
部電1.103は熱吸収体、104は下部’に4、to
sは半導体単結晶による中空の支持台、106は絶縁被
膜である。而して焦電素子101は赤外線の照射によっ
て加熱され、焦電素子101の下部に半導体基板105
が存在する場合に比べれば、下方への熱伝導による熱の
逃げを防止することができ、感度向上を図ることができ
るようになっている。第6図は従来の焦電型赤外検出器
の他の例を示す概略断面図である。
出器について説明する。第5図は従来の焦電型赤外検出
器の概略断面図であり、101は焦電素子、102は上
部電1.103は熱吸収体、104は下部’に4、to
sは半導体単結晶による中空の支持台、106は絶縁被
膜である。而して焦電素子101は赤外線の照射によっ
て加熱され、焦電素子101の下部に半導体基板105
が存在する場合に比べれば、下方への熱伝導による熱の
逃げを防止することができ、感度向上を図ることができ
るようになっている。第6図は従来の焦電型赤外検出器
の他の例を示す概略断面図である。
110は焦電体結晶、111け上部電極、112は下部
電極、113は導電性接着剤、114は支持台、115
は中空を示す。この素子構成は、支持台114の周辺部
を除いて焦電素子下部に中空115を設け、下方への熱
伝導による熱の逃げを防止することにより、感度向上を
図るように構成されている。
電極、113は導電性接着剤、114は支持台、115
は中空を示す。この素子構成は、支持台114の周辺部
を除いて焦電素子下部に中空115を設け、下方への熱
伝導による熱の逃げを防止することにより、感度向上を
図るように構成されている。
発明が解決しようとする問題点
しかし、第5図のような構成の場合は焦電素子101の
下方の半導体基板105が除去されているため、熱伝導
による熱の逃げをかなり防止することができるが、依然
絶縁被膜106が存在するため、完全には下方への熱の
逃げを防止することができない。また、第6図のような
構成にすると下方への熱の逃げを防止することができる
が、焦電体基板110がその周辺部で支持台114に接
着固定されているため、その周辺部から熱伝導による熱
の逃げが生じ、感度の低下が生じるとともに、光学系と
組み合わせた場合の視野角(FOV)の低下を来すとい
う問題があった。
下方の半導体基板105が除去されているため、熱伝導
による熱の逃げをかなり防止することができるが、依然
絶縁被膜106が存在するため、完全には下方への熱の
逃げを防止することができない。また、第6図のような
構成にすると下方への熱の逃げを防止することができる
が、焦電体基板110がその周辺部で支持台114に接
着固定されているため、その周辺部から熱伝導による熱
の逃げが生じ、感度の低下が生じるとともに、光学系と
組み合わせた場合の視野角(FOV)の低下を来すとい
う問題があった。
そこで、本発明は、上記問題を解決し、熱伝導による熱
の逃げを防止することによシ、感度の向上が図れ、FO
v特性の向上が図れる焦電型赤外検出器を提供するもの
である。
の逃げを防止することによシ、感度の向上が図れ、FO
v特性の向上が図れる焦電型赤外検出器を提供するもの
である。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するための本発明の技術的な手段は、
焦電体基板と、その両面に電極を有する赤外線感化領域
と、その周辺部の一部を除いて形成した貫通領域を備え
ていることである。
焦電体基板と、その両面に電極を有する赤外線感化領域
と、その周辺部の一部を除いて形成した貫通領域を備え
ていることである。
作用
本発明は、上記構成により、焦電型赤外検出器の赤外線
感化領域が赤外線の照射によって加熱すれた場合、下方
への熱伝導による熱の逃げが防止でき、また、周辺部に
形成した貫通領域により、横方向への熱伝導による熱の
逃げを防止することができる。その結果、感度の向上及
びFOV特性の向上を図ることができる。
感化領域が赤外線の照射によって加熱すれた場合、下方
への熱伝導による熱の逃げが防止でき、また、周辺部に
形成した貫通領域により、横方向への熱伝導による熱の
逃げを防止することができる。その結果、感度の向上及
びFOV特性の向上を図ることができる。
実施例
以下、本発明の実施例を図面に基いて詳細に説明する。
第1図は本発明の焦電型赤外検出器の一実施例を示す平
面図、第2図(a)、(b)は第1図に示すX−X断面
図の2つの実施例である。
面図、第2図(a)、(b)は第1図に示すX−X断面
図の2つの実施例である。
第1図及び第2図(a)において、1は焦電体基板で、
その両面に上部電極2及び下部゛成極3が形成されてい
る。そして、焦電体基板1の両面に上部醒玉2及び下部
電極3が形成されている赤外線感化領域の周辺部に、一
部を除いて、即ち、架橋部4を除いて貫通領域5が形成
されている。第2図(b)は焦電素子の熱容量を低減し
、感度向上を図るために、赤外線感化領域の焦電体基板
1の厚さを他の焦電体基板1の厚さより薄くしている。
その両面に上部電極2及び下部゛成極3が形成されてい
る。そして、焦電体基板1の両面に上部醒玉2及び下部
電極3が形成されている赤外線感化領域の周辺部に、一
部を除いて、即ち、架橋部4を除いて貫通領域5が形成
されている。第2図(b)は焦電素子の熱容量を低減し
、感度向上を図るために、赤外線感化領域の焦電体基板
1の厚さを他の焦電体基板1の厚さより薄くしている。
例であり、他の部分は第1図、第2図(a)と同一であ
る。なお、上記成極2として、赤外線吸収体と導電i薄
膜とから構成しても同等の機能を有することができる。
る。なお、上記成極2として、赤外線吸収体と導電i薄
膜とから構成しても同等の機能を有することができる。
次に、光学系と組み合わせた場合の本発明の一実施例の
平面図を第3図に、その断面図を第4図に示す。第3図
及び第4図において、焦電体基板11の両面に上部電極
12及び下部電極13が形成され、焦電体基板110両
面に上部成極12及び下部電極13が形成されている赤
外線感化領域の周辺部に、架橋部14を除いて貫通領域
15が形成されている。そして、この焦電型検出器の赤
外線検知領域を赤外線集光レンズ16の集光領域に配し
、絶縁性接着剤17及び引き出し電極18を兼ねた固定
材で赤外線集光レンズ16と接着固定している。
平面図を第3図に、その断面図を第4図に示す。第3図
及び第4図において、焦電体基板11の両面に上部電極
12及び下部電極13が形成され、焦電体基板110両
面に上部成極12及び下部電極13が形成されている赤
外線感化領域の周辺部に、架橋部14を除いて貫通領域
15が形成されている。そして、この焦電型検出器の赤
外線検知領域を赤外線集光レンズ16の集光領域に配し
、絶縁性接着剤17及び引き出し電極18を兼ねた固定
材で赤外線集光レンズ16と接着固定している。
次に一実施例について説明する。焦電体基板1として厚
さ30μmのpb’rio3セラミクス、あるいはLi
TaO3結晶1.5−を用い、その一方の面に有効感化
領域部として直径1朋、信号取り出し部として0.1
mm巾で焦′6体基板1の1つの隅に向かう上部電極2
をNiCrを蒸着することによって形成した。次に、上
記焦電体基板1の他方の面に、上部電極2の有効感化領
域に対応した直径1 mmの有効感化領域部と上部電極
2の信号取り出し部が向かう焦電体基板1の隅と反対側
の隅に向かう0.1朋巾の信号取り出し部を持つ下部電
極3をA6を蒸着すること妃よって形成した。そして、
内周径1朋、外周径1.2順で、巾0.1朋の架橋部4
を4ケ所持つ貫通領域5に対応したマスクで上記電極形
成した焦電体基板1を覆い、イオンミリングによって貫
通領域5の焦電体基板1を除去した。その結果、このよ
うにして形成した焦電型赤外検出器において、従来のも
のに比べ良好な感度の向上が得られた。
さ30μmのpb’rio3セラミクス、あるいはLi
TaO3結晶1.5−を用い、その一方の面に有効感化
領域部として直径1朋、信号取り出し部として0.1
mm巾で焦′6体基板1の1つの隅に向かう上部電極2
をNiCrを蒸着することによって形成した。次に、上
記焦電体基板1の他方の面に、上部電極2の有効感化領
域に対応した直径1 mmの有効感化領域部と上部電極
2の信号取り出し部が向かう焦電体基板1の隅と反対側
の隅に向かう0.1朋巾の信号取り出し部を持つ下部電
極3をA6を蒸着すること妃よって形成した。そして、
内周径1朋、外周径1.2順で、巾0.1朋の架橋部4
を4ケ所持つ貫通領域5に対応したマスクで上記電極形
成した焦電体基板1を覆い、イオンミリングによって貫
通領域5の焦電体基板1を除去した。その結果、このよ
うにして形成した焦電型赤外検出器において、従来のも
のに比べ良好な感度の向上が得られた。
まだ、他の実施例として、厚さ1011mのpb’ri
Q。
Q。
セラミクス、あるいはL iT a Os結晶1−を用
い、中央部に直径500μmの貫通部のあるマスクで覆
った後、イオンミリングによって厚さを5μrrLtで
薄くしだ。次に、前記実施例で説明した方法と同様にし
て、焦電体基板11のイオンミリングを施していない側
の面には直径300μmの有効感化領域部、巾50μm
の信号取り出し部を持った上部電極12としてNiCr
電極を、イオンミリングを施した側の面には下部電極1
3としてAeまたはNiCrを蒸着した電極を形成した
。次に、内周径300μm1外周径500μm1巾50
μmの架橋部14を2ケ所持つ貫通領域に対応したマス
クで、上部電極12を形成しである側の面を覆い、イオ
ンミリングによって貫通領域15の焦電体基板11を除
去した。その後、赤外集光レンズ16である直径3朋の
イブ−ジョンレンズ上に蒸着形成シたI。
い、中央部に直径500μmの貫通部のあるマスクで覆
った後、イオンミリングによって厚さを5μrrLtで
薄くしだ。次に、前記実施例で説明した方法と同様にし
て、焦電体基板11のイオンミリングを施していない側
の面には直径300μmの有効感化領域部、巾50μm
の信号取り出し部を持った上部電極12としてNiCr
電極を、イオンミリングを施した側の面には下部電極1
3としてAeまたはNiCrを蒸着した電極を形成した
。次に、内周径300μm1外周径500μm1巾50
μmの架橋部14を2ケ所持つ貫通領域に対応したマス
クで、上部電極12を形成しである側の面を覆い、イオ
ンミリングによって貫通領域15の焦電体基板11を除
去した。その後、赤外集光レンズ16である直径3朋の
イブ−ジョンレンズ上に蒸着形成シたI。
の引き出し′成極18と、上記上部電極12の信号読み
出し部と熱圧着して導通を図った。同時に、焦電体基板
11の他の3隅を絶縁接接着剤17で接着固定した。そ
の後、リード線19と20を形成し、外部への信号取り
出しを図った。その結果熱の逃げの防止による感度の向
上、有効感化領域の薄板化にともなう雑音の低減による
S/Nの向上が図れた。また、FOv特性に関しても従
来のものに比べその特性の大巾な改善が得られた。
出し部と熱圧着して導通を図った。同時に、焦電体基板
11の他の3隅を絶縁接接着剤17で接着固定した。そ
の後、リード線19と20を形成し、外部への信号取り
出しを図った。その結果熱の逃げの防止による感度の向
上、有効感化領域の薄板化にともなう雑音の低減による
S/Nの向上が図れた。また、FOv特性に関しても従
来のものに比べその特性の大巾な改善が得られた。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば熱伝導による下方へ
の熱の逃げがなく、また横方向への熱の逃げも激減させ
ることができるため、焦電型赤外検出器としてそのS/
Nの向上が図れ、まだFOV特性の向上を図ることがで
きる。
の熱の逃げがなく、また横方向への熱の逃げも激減させ
ることができるため、焦電型赤外検出器としてそのS/
Nの向上が図れ、まだFOV特性の向上を図ることがで
きる。
図、第3図は赤外集光レンズと組み合わせた場合の本発
明の一実施例を示す平面図、第4図は第3図の実施例の
断面図、第5図、第6図は各々従来の焦電型赤外検出器
の断面図である。 1.11・・・焦電体基板、2.12・・・上部電極、
3.13・・・下部電極、4.14・・・架橋部、5.
15・・・貫通領域、16・・・赤外線集光レンズ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第
1図 第2図 第3 図 第 4 図 第5図 第G図
明の一実施例を示す平面図、第4図は第3図の実施例の
断面図、第5図、第6図は各々従来の焦電型赤外検出器
の断面図である。 1.11・・・焦電体基板、2.12・・・上部電極、
3.13・・・下部電極、4.14・・・架橋部、5.
15・・・貫通領域、16・・・赤外線集光レンズ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第
1図 第2図 第3 図 第 4 図 第5図 第G図
Claims (4)
- (1)焦電体基板の一方の面に赤外線吸収体を兼ねた上
部電極を他方の面に下部電極を具備し、前記焦電体基板
の両面に電極を有する領域の周辺部に一部を除いて貫通
領域を形成したことを特徴とする焦電型赤外検出器。 - (2)上部電極かつ赤外線吸収体と導電性薄膜とからな
る特許請求の範囲第1項記載の焦電型赤外検出器。 - (3)両面に電極を有する感能領域の焦電体基板の厚さ
を、他の部分の焦電体基板の厚さより薄くしたことを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の焦電型赤外検出器
。 - (4)赤外線集光レンズの集光領域に、焦電体基板の両
側に電極を有する赤外線感能領域が位置するように接着
したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の焦電
型赤外検出器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60260034A JPH0629780B2 (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 焦電型赤外検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60260034A JPH0629780B2 (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 焦電型赤外検出器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62119419A true JPS62119419A (ja) | 1987-05-30 |
JPH0629780B2 JPH0629780B2 (ja) | 1994-04-20 |
Family
ID=17342381
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60260034A Expired - Lifetime JPH0629780B2 (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 焦電型赤外検出器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0629780B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH046424A (ja) * | 1990-04-24 | 1992-01-10 | Nec Corp | 赤外線センサ |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60119426A (ja) * | 1983-12-01 | 1985-06-26 | Murata Mfg Co Ltd | 薄膜型焦電センサアレイ |
-
1985
- 1985-11-20 JP JP60260034A patent/JPH0629780B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60119426A (ja) * | 1983-12-01 | 1985-06-26 | Murata Mfg Co Ltd | 薄膜型焦電センサアレイ |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH046424A (ja) * | 1990-04-24 | 1992-01-10 | Nec Corp | 赤外線センサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0629780B2 (ja) | 1994-04-20 |
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