JPH05235415A

JPH05235415A - 赤外線センサ

Info

Publication number: JPH05235415A
Application number: JP4069480A
Authority: JP
Inventors: Shinji Kobayashi; 真司小林
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1992-02-19
Filing date: 1992-02-19
Publication date: 1993-09-10

Abstract

(57)【要約】【目的】赤外線センサにおいて、シリコンウェハの状
態で各部材を形成し、各シリコンウェハを接合した後に
切断分割することで、複数個の赤外線センサを一度に製
造することができる。そして、製造時間の短縮を図り、
歩留りを向上し、生産コストを低下させる。【構成】シリコン材料により支持台４を形成する。こ
の支持台４の一端側面４Ａに絶縁膜６を介して検出部７
を設ける。さらに、前記支持台４の一端側面４Ａには、
一端側面１１Ａが蓋体１３となり、他端側面１１Ｂが凹
陥部１２となる蓋体１１をガラス層１４を介して陽極接
合する。また、蓋体１１の他端側面１１Ｂには赤外線フ
ィルタ１５を設ける。これにより、シリコンウェハの状
態での製造が可能となり、生産性を向上できると共に、
赤外線センサの小型化も容易に図ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、赤外線の吸収による温
度上昇で発生する電気的変化を利用して、対象物からの
赤外線を検出する赤外線センサに関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、赤外線センサは測定対象物から
の熱放射（赤外線）を捕らえて測温するもので、測定対
象物に直接温度センサを接触させなくても測定できると
いうメリットがある。また、この技術を利用し、最近で
は防犯用の侵入警報器等にも赤外線センサが利用される
ようになってきている。

【０００３】特に、人体の検知などを行うために、可視
光による温度上昇で誤検出するのを防止するために、検
出しようとする測定対象物の特定波長の赤外線のみを透
過し、その他の波長の赤外線をカットする機能を持った
赤外線フィルタを取付けたものがある。

【０００４】ここで、図１６に従来技術の赤外線センサ
を示し説明する。

【０００５】図中、１は赤外線センサのパッケージを示
し、該パッケージ１は基端部となるステム２と、該ステ
ム２に設けられ、赤外線センサの外形を構成するキャッ
プ３とから構成される。

【０００６】ここで、ステム２は樹脂材料により段付板
状に形成され、一端側に伸長する小径の角柱部２Ａと、
該角柱部２Ａの基端側に位置して形成された鍔部２Ｂと
からなる。

【０００７】また、キャップ３は樹脂材料により有蓋筒
状に形成され、開口部３Ａを前記ステム２の角柱部２Ａ
の外周側に接着剤等の手段により固着することによっ
て、ステム２の一端側に向けて伸長するように設けられ
ている。さらに、キャップ３の蓋部３Ｂの中央部には赤
外線を内部に取入れる光路となる大径穴３Ｃが形成され
ている。

【０００８】４はステム２の角柱部２Ａの一側面上に設
けられたシリコン製の支持台を示し、該支持台４はシリ
コン材料により約５００μｍ程度の厚さを有し、一辺が
２ｍｍの角筒状に形成され、中央部には一端側面４Ａか
ら他端側面４Ｂに向けて順次拡径するテーパ状の開口部
５が軸方向に形成されている。ここで、開口部５はシリ
コンの異方性エッチング技術を用いることにより、シリ
コンの結晶構造から設定される角度α（５４．７°）で
傾斜するテーパ状に形成されている。

【０００９】６は支持台４の一端側面４Ａ上に一体形成
された二酸化珪素からなる絶縁膜を示し、該絶縁膜６は
例えばＣＶＤ法，熱酸化法等の手段を用いて支持台４の
一端側面４Ａ側に０．５〜１μｍ程度の二酸化珪素を成
膜し、一端側面４Ａの外周側の不要部分をエッチング処
理することにより、正方形状に形成して前記開口部５の
一端側面４Ａの開口部分を覆うようになっている。

【００１０】７は支持台４の一端側面４Ａ上に絶縁膜６
を介して設けられた赤外線検出部を示し、該検出部７は
焦電効果を有するチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ），チ
タン酸鉛（ＬＴＴ）等の強誘電体セラミックを、蒸着，
スパッタリング等の手段を用いて絶縁膜６上に薄膜状に
して形成されている。そして、該検出部７においては、
表面に赤外線が照射されて熱に変換されると、検出部７
の温度が上昇し焦電効果により表面電荷が発生し、該検
出部７の上，下面から外部に向けて形成された図示しな
い電極およびリード線を介して出力信号を外部に導出す
る。

【００１１】８はキャップ３の大径穴３Ｃを塞ぐように
設けられた赤外線フィルタを示し、該赤外線フィルタ８
は測定対象物の特定波長の赤外線のみを大径穴３Ｃを介
してキャップ３内に取入れる。ここで、該フィルタ８は
測定する赤外線の波長により設定されるもので、例えば
人体検出の場合には７μｍのカット・オフフィルタが用
いられ、その材料もシリコンやポリエチレン等により製
造されている。

【００１２】このように構成される従来技術の赤外線セ
ンサにおいては、キャップ３の大径穴３Ｃから侵入しよ
うとするさまざまな波長の赤外線を、赤外線フィルタ８
により測定対象物の特定波長の赤外線だけを透過させ、
不必要な赤外線をカットする。また、特定波長の赤外線
は検出部７に照射され、熱に変換して該検出部７の表面
温度を上昇させる。これにより、検出部７に焦電効果が
発生し、表面に電荷が生じ、この電荷を検出信号として
電極を介して外部に出力する。そして、外部に設けられ
た測定器（図示せず）で、この検出信号に基づいて検出
対象物の温度または認識を行うようになっている。

【００１３】一方、支持台４をシリコン材料で形成する
ことにより、シリコンは熱伝達率が高いため、検出部７
からの熱伝達が良く、該検出部７の反応速度を迅速にで
きる。さらに、シリコンは異方性エッチング技術等の加
工処理により開口部５を形成することができ、ヒートシ
ンクとして表面積を有効に確保することができる。一
方、シリコンウェハによる多数個取りも可能であるとい
う種々の利点がある。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来技術の赤外線センサにおいては、製造工程の最終段階
で赤外線フィルタ８の取付られたキャップ３をステム２
に取付けるようになっているが、この取付作業に時間を
要するために、歩留り低下の原因となり、結果的に生産
コストが高くなるという問題がある。

【００１５】また、赤外線センサの小型化を考えたとき
に、赤外線フィルタ８はキャップ３に取付ける関係上、
該赤外線フィルタ８の小径化が困難となるため、実質的
に赤外線センサの小型化が困難になるという問題があ
る。

【００１６】さらに、赤外線センサにおいては、赤外線
フィルタ８の替わりに集光レンズを用いたもの、または
赤外線フィルタ８と共に集光レンズを用いたもの等があ
るが、これらの場合においても、前述と同様の問題が生
じる。

【００１７】本発明は上述した従来技術の問題に鑑みな
されたもので、本発明は赤外線フィルタまたは集光レン
ズ等の取付けを容易にできると共に、センサ全体の小型
化を図ることができるようにした赤外線センサを提供す
ることを目的としている。

【００１８】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、第１の発明による赤外線センサは、シリコン製
の支持台と、該支持台の一端側面に絶縁膜を介して設け
られた赤外線検出部と、一端側面が蓋部となると共に、
他端側面に凹陥部が形成され、前記支持台の一端側面の
外周側を接合することにより設けられたシリコン製の蓋
体とから構成したことにある。

【００１９】この場合、前記蓋体の蓋部に赤外線フィル
タを貼着してもよい。

【００２０】さらに、前記支持台と蓋体とをシリコン同
士による直接接合としてもよく、前記支持台とフィルタ
支持部とを接合する部分にガラスを介装してもよい。

【００２１】一方、第２の発明による赤外線センサは、
シリコン製の支持台と、該支持台の一端側に絶縁膜を介
して設けられた赤外線検出部と、ガラス製の筒状体から
なり、他端側面が前記支持台の一端側面に接合された筒
体と、該筒体の一端側面を施蓋するように接合されたシ
リコン製の集光レンズとから構成したことにある。

【００２２】この場合、前記集光レンズに赤外線フィル
タを貼着してもよい。

【００２３】

【作用】上記第１の発明による構成においては、シリコ
ン製の支持台と蓋体との接合には直接接合で接合し、ガ
ラスを介装した場合には陽極接合（室温陽極接合）で各
部材を容易に接合できる。

【００２４】さらに、第２の発明による構成において
は、シリコン製の支持台およびシリコン製の集光レンズ
とガラス製の筒体との各接合には、陽極接合で各部材を
容易に接合できる。

【００２５】

【実施例】以下、本発明の実施例を図１ないし図１５に
基づき説明する。なお、実施例では前述した従来技術と
同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略す
るものとする。

【００２６】まず、図１ないし図１２に本発明の第１の
実施例を示す。

【００２７】図中、１１は支持台４の一端側面４Ａ上に
後述するガラス層１４を介して設けられた蓋体を示し、
該蓋体１１はシリコン材料から約５００μｍ程度の厚さ
を有し、一辺が２ｍｍの直方体状に形成され、他端側面
１１Ｂから一端側面１１Ａに向けて凹陥部１２が形成さ
れ、該凹陥部１２の底部１２Ａと一端側面１１Ａとの間
には蓋部１３が形成されている。ここで、凹陥部１２は
支持台４の開口部５の製造方法と同様にして、シリコン
の異方性エッチング技術を用いることにより、シリコン
の結晶構造から設定される角度α（５４．７°）で傾斜
するテーパ状に形成され、エッチング時間を調整するこ
とで蓋部１３を残すようして形成されている。

【００２８】１４は支持台４の一端側面４Ａと蓋体１１
との間に設けられたガラスにより形成された薄膜状のガ
ラス層を示し、該ガラス層１４は支持台４と蓋体１１と
を陽極接合するようになっている。

【００２９】１５は蓋体１１の一端側面１１Ａ上に貼着
された赤外線フィルタを示し、該赤外線フィルタ１５は
従来技術で述べた赤外線フィルタ８と同様に、赤外線の
特定波長を選択し、この特定波長のみを透過するように
なっている。

【００３０】本実施例による赤外線センサは上述の如き
構成を有するもので、その検出動作については前述した
従来技術の赤外線センサと殆ど差異はない。

【００３１】次に、その製造方法について、図２ないし
図１１に基づいて説明する。

【００３２】まず、支持台４のシリコンウェハ状態での
製造工程について、図２ないし図５により説明する。

【００３３】図２中のシリコンウェハ１６の一端側面１
６Ａ，他端側面１６ＢにはＣＶＤ法，熱酸化法等の手段
を用いて二酸化珪素膜１７，１８が形成されている。ま
た、該二酸化珪素膜１７，１８にはフォトレジスト１
９，２０が塗布されている。

【００３４】ここで、図３に示す開口部５の加工作業で
は、他端側面１６Ｂに塗布されたフォトレジスト２０に
第１のフォトマスク２１（開口部５に対応する部分に複
数個の正方形穴２１Ａ，２１Ａ，…を形成したもの）を
介して図示しない露光機等を用いてフォトレジスト２０
を露光させ、該フォトレジスト２０の露光された部分を
溶解するエッチング処理を施した後に、二酸化珪素膜１
８を溶解するエッチング処理を行い、フォトレジスト２
０を除去する。次に、他端側面１６Ｂ側から異方性エッ
チングを行う。これにより、第１のフォトマスク２１に
より露光された部分が溶解され、二酸化珪素膜１７まで
角度αを以て傾斜し、他端側面１６Ｂから一端側面１６
Ａに向けて貫通する複数の開口部５，５，…が形成され
る（図４参照）。なお、これらのエッチング処理により
シリコンウェハ１６の他端側面１６Ｂに形成された二酸
化珪素膜１８は殆ど溶解されてしまう。

【００３５】一方、図４に示す絶縁膜６の加工作業で
は、一端側面１６Ａに塗布されたフォトレジスト１９に
第２のフォトマスク２２（各開口部５に対応した部分を
覆うフォトマスク部２２Ａ，２２Ａ，…が形成されたも
の）を介してフォトレジスト１９を露光させ、該フォト
レジスト１９の露光した部分を溶解するエッチング処理
を施した後に、二酸化珪素膜１７の部分的な溶解を行う
エッチング処理を行う。これにより、図５に示すように
シリコンウェハ１６の一端側面１６Ａ上に複数の絶縁膜
６，６，…が形成される。その後に、フォトレジスト１
９を除去する。

【００３６】また、このように形成された各絶縁膜６上
には、蒸着，スパッタリング等の手段を用いて赤外線検
出部７，７，…を薄膜状に形成する。

【００３７】この製造工程においては、図５に示すよう
にシリコンウェハ１６の他端側面１６Ｂには、複数の開
口部５が形成され、一端側面１６Ａには、各絶縁膜６を
介して各検出部７が形成され、複数個の支持台４を形成
する。

【００３８】次に、蓋体１１のシリコンウェハ状態での
製造工程について、図６ないし図８により説明する。

【００３９】ここでは、シリコンウェハ２３の他端側面
２３Ｂには二酸化珪素膜２４を形成下後にフォトレジス
ト２５を塗布し、第１のフォトマスク２１を用いて、先
に述べた支持台４の製造作業と同様の種々のエッチング
処理および異方性エッチング処理を行う。この場合、エ
ッチング時間を短くすることにより、他端側面２３Ｂか
ら一端側面２３Ａに向けて角度αを以て傾斜する凹陥部
１２，１２，…が形成され、該各凹陥部１２の底部１２
Ａと他端側面２３Ａとの間には複数の蓋部１３，１３，
…が形成される（図８参照）。その後に、二酸化珪素膜
２４を溶解するエッチング処理を施し、該二酸化珪素膜
２４を除去する。

【００４０】そして、このように形成されたシリコンウ
ェハ２３の一端側面２３Ａに蒸着，スパッタリング等の
手段を用いてシリコンウェハ２３とは結晶構造の異なる
シリコンのフィルタ膜２６を形成する（図８参照）。

【００４１】この製造工程においては、シリコンウェハ
２３の他端側面２３Ｂには、複数の凹陥部１２が形成さ
れ、一端側面２３Ｂには赤外線フィルタ１５となるフィ
ルタ膜２６が形成され、複数個の蓋体１１を形成する。

【００４２】最後に、図９ないし図１１に示す接合工程
では、シリコンの異方性エッチング技術によりそれぞれ
別工程で製造された複数個の支持台４が形成されている
シリコンウェハ１６と、複数個の蓋体１１が形成されて
いるシリコンウェハ２３との接合を行う。

【００４３】この場合、シリコンウェハ２３の他端側面
２３Ｂには、スパッタリングまたは蒸着等の手段により
ガラス層１４を形成し、該ガラス層１４を介して、各シ
リコンウェハ１６，２３を室温陽極接合技術を用いて接
合する。そして、図１１のように接合された各ウェハ１
６，２３を点線に沿って切断分割することにより、図１
に示す赤外線センサを複数個製造する。

【００４４】本実施例による赤外線センサは、上述した
各製造工程により製造されるもので、支持台４および蓋
体１１はシリコンの異方性エッチング技術により各シリ
コンウェハ１６，２３に複数個製造することができ、さ
らに支持台４および蓋体１１の接合においても、ガラス
層１４を介して各シリコンウェハ１６，２３を陽極接合
技術で容易に接合することができ、複数個の赤外線セン
サを一度に製造することができる。これにより、製造時
間の短縮を確実に図ることができ、歩留りを向上でき、
生産コストを効果的に低下させることができる。

【００４５】また、蓋体１１の一端側面１１Ａに形成さ
れた赤外線フィルタ１５は、シリコンウェハ２３の段階
でフィルタ膜２６として形成しているから、従来技術の
ようにキャップ３を介して設ける必要がなく、赤外線フ
ィルタ１５の形成を容易に行うことができる。これによ
り、フィルタ１５の大きさは自由に設定することがで
き、結果的に赤外線センサの形状は、支持台４および蓋
体１１の大きさ（本実施例においては２ｍｍ角）により
設定でき、赤外線センサの小型化を容易に図ることがで
きる。

【００４６】さらに、支持台４だけでなく、蓋体１１も
シリコン材料により形成することにより、検出部７から
の熱を支持台４および蓋体１１に伝え、ヒートシンクの
面積を大きく確保することができ、検出部７の放熱性を
高め、センサ感度を著しく向上させることができる。

【００４７】なお、前記実施例では、各シリコンウェハ
１６，２３間にガラス層１４を介装させ、室温陽極接合
により接合したが、各ウェハ１６，２３間にガラス層１
４を介装させず、図１２に示すように赤外線センサを構
成することにより、シリコンウェハのシリコン同士の直
接接合により行うことも可能である。

【００４８】また、前記実施例で赤外線フィルタ１５の
材料にポリエチレンを用いた場合には、陽極接合した後
にフィルタ膜２６を形成するようにすればよく、また、
蓋体１１自体がシリコン材料により形成されているか
ら、測定対象物によっては赤外線フィルタ１５を廃止す
ることもできる。

【００４９】次に、第２の実施例を図１３ないし図１５
に基づいて説明するに、本実施例の特徴は、支持台の上
にガラス製の筒体を介してシリコン製の集光レンズを設
けたことにある。なお、本実施例では前述した第１の実
施例と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を
省略するものとする。

【００５０】図中、３１は支持台４の一端側面４Ａ上に
設けられた筒体を示し、該筒体３１はガラス材料から一
辺が２ｍｍ角筒状に形成され、他端側面３１Ｂから一端
側面３１Ａに向けて軸方向に貫通穴３２が形成されてい
る。

【００５１】３３は筒体３１の一端側面３１Ａ上に設け
られた集光レンズを示し、該集光レンズ３３はシリコン
材料から一辺が２ｍｍの板状に形成され、他端側が大径
の板部３３Ａとなり、該板部３３Ａの中央部には一側に
向けて突出する半球状のレンズ部３３Ｂとが形成されて
いる。ここで、レンズ部３３Ｂはシリコンの不純拡散技
術，等方性エッチング技術等を用いることにより形成さ
れている。

【００５２】３４は集光レンズ３３の板部３３Ａの他端
側に蒸着，スパッタリングまたはエッチング等の手段に
より形成された赤外線フィルタを示し、該赤外線フィル
タ３４は集光レンズ３３を介して侵入してきた赤外線の
特定波長を選択し、この特定波長のみを透過するように
なっている。

【００５３】本実施例による赤外線センサは上述の如き
構成を有するもので、外部からの赤外線を集光レンズ３
３で集光し、検出部７で検出するもので、該検出部７に
よる検出動作については前述した従来技術の赤外線セン
サと殆ど差異はない。

【００５４】次に、その製造方法について図１４および
図１５に基づいて説明する。

【００５５】まず、図１４に示す下側のシリコンウェハ
は第１の実施例で述べた如く複数個の支持台４が形成さ
れたシリコンウェハ１６であり、一端側面１６Ａには、
各絶縁膜６を介して各検出部７が形成されている。

【００５６】３５はガラス材料により円柱状に形成され
たガラス板を示し、該ガラス板３５にはＣＯ2 レーザま
たは放電加工等の手段により他端側面３５Ｂから一端側
面３５Ａに向けて貫通する複数個の貫通穴３２が所定位
置に穿設されている。

【００５７】３６は複数個の集光レンズ３３が形成され
たシリコンウェハを示し、該シリコンウェハ３６の一端
側面３６Ａ側には、複数個のレンズ部３３Ｂが等方性エ
ッチングにより形成され、他端側面３６Ｂには、前述し
た赤外線フィルタ３４が複数個形成されている。

【００５８】このように構成される各シリコンウェハ１
６，３６およびガラス板３５をそれれぞれ室温陽極接合
し、その後図１５に示す点線に沿って切断分割すること
により集光レンズを有する赤外線センサを複数個製造す
ることができる。

【００５９】かくして、本実施例においても前述した第
１の実施例と同様に、支持台４および集光レンズ３３は
シリコンの異方性エッチング技術および等方性エッチン
グ技術を用いて各シリコンウェハ１６，３６にそれぞれ
複数個形成する。さらに、支持台４および集光レンズ３
３の接合においても、ガラス板３５を介して各シリコン
ウェハ１６，３６をそれぞれ陽極接合技術で容易に接合
することができ、複数個の赤外線センサを一度に製造す
ることができ、生産コストを確実に低下させることがで
きる。

【００６０】また、本実施例による赤外線センサは集光
レンズ３３により赤外線を集光して検出部７に照射する
ことができるから、第１の実施例よりも高感度の検出を
行うことができる。

【００６１】さらに、本実施例においては、集光レンズ
３３の焦点はレンズ部３３Ｂの形状により設定されるも
のであるから、この焦点距離に対応した長さにガラス板
３５の厚さを設定することで容易に焦点距離を合わせる
ことができる。

【００６２】なお、前記実施例においては、集光レンズ
３３のレンズ部３３Ｂを一端側面に凸レンズを形成した
が、本発明はこれに限らず、他端側面に凹レンズを形成
してもよく、さらにフレネルレンズを形成することも可
能である。

【００６３】また、前記各実施例では、蓋体１１の凹陥
部１２と支持台４の一端側面４Ａとの間および集光レン
ズ３３と筒体３１の貫通穴３２内には密閉空間を形成す
ることができ、この密閉空間にガスを封入させることに
より、検出部７の感度を向上させることができる。

【００６４】さらに、前記各実施例では、絶縁膜６を二
酸化珪素により形成したが、本発明はこれに限らず、窒
化珪素膜を形成するようにしても、ＣＶＤ法等により窒
化珪素膜，二酸化珪素膜，シリコン膜を任意に組合せた
積層膜を形成してもよい。

【００６５】

【発明の効果】以上詳述した如く、第１の発明によれ
ば、シリコン材料により支持台を形成し、該支持台の一
端側面に絶縁膜を介して赤外線検出部を設け、前記支持
台の一端側面には他端側面が凹陥部となり、一端側面が
蓋部となるシリコン製の蓋体を接合し、該蓋体に赤外線
フィルタを設ける構成としたから、前記支持台および蓋
体の製造をシリコンウェハの状態で行い、かつ絶縁膜，
赤外線検出部および赤外線フィルタの形成もシリコンウ
ェハの状態で行って、シリコン同士の直接接合によりシ
リコンウェハを接合することができる。これにより、赤
外線センサの製造を一度に行うことができ、製造コスト
を低下させると共に、センサの小型化を図ることができ
る。さらに、支持台および蓋体をシリコン材料により形
成することにより、ヒートシンクの部分を広く確保で
き、赤外線検出部における検出感度を向上させることが
できる。

【００６６】一方、支持台と蓋体との間にガラス層を介
装することにより、接合方法を室温陽極接合で行うこと
もできる。

【００６７】第２の発明によれば、シリコン材料により
支持台を形成し、該支持台の一端側面に絶縁膜を介して
赤外線検出部を設け、前記支持台の一端側面には他端側
面が接合されるガラス製の筒体を設け、該筒体の一端側
面にはシリコン製の集光レンズを設けたから、第１の発
明と同様の効果を得ることができると共に、集光レンズ
によって、赤外線を集光して赤外線検出部に照射するか
ら、該赤外線検出部における検出感度を向上させること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例による赤外線センサの縦
断面図である。

【図２】第１の実施例による支持台の製造工程を示す説
明図である。

【図３】図２の拡大断面図である。

【図４】図２に続く支持台の製造工程の説明図である。

【図５】支持台の形成されたシリコンウェハに絶縁膜お
よび検出部を形成した状態を示す断面図である。

【図６】第１の実施例による蓋体の製造工程を示す説明
図である。

【図７】図６の拡大断面図である。

【図８】蓋体の形成されたシリコンウェハに赤外線フィ
ルタを形成した状態を示す断面図である。

【図９】支持台の形成されたシリコンウェハと蓋体の形
成されたシリコンウェハとの接合する状態を示す説明図
である。

【図１０】図９の拡大断面である。

【図１１】シリコンウェハの接合された状態を示す斜視
図である。

【図１２】第１の実施例による変形例を示す赤外線セン
サの縦断面図である。

【図１３】本発明の第２の実施例による赤外線センサの
縦断面図である。

【図１４】集光レンズの形成されたシリコンウェハ，支
持台の形成されたシリコンウェハおよび筒体の形成され
たガラスとの接合する状態を示す説明図である。

【図１５】図１４の拡大断面図である。

【図１６】従来技術による赤外線センサの縦断面図であ
る。

【符号の説明】

４支持台４Ａ一端側面４Ｂ他端側面５開口部６絶縁膜７赤外線検出部１１蓋体１１Ａ一端側面１１Ｂ他端側面１２凹陥部１３蓋部１４ガラス層１５，３４赤外線フィルタ１６，２３，３６シリコンウェハ１６Ａ，２３Ａ，３６Ａ一端側面１６Ｂ，２３Ｂ，３６Ｂ他端側面１７，１８，２４二酸化珪素膜２６フィルタ膜３１筒体３２貫通穴３３集光レンズ３３Ａ板部３３Ｂレンズ部３５ガラス板３５Ａ一端側面３５Ｂ他端側面

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】シリコン製の支持台と、該支持台の一端
側面に絶縁膜を介して設けられた赤外線検出部と、一端
側面が蓋部となると共に、他端側面に凹陥部が形成さ
れ、前記支持台の一端側面の外周側を接合することによ
り設けられたシリコン製の蓋体とから構成してなる赤外
線センサ。
【請求項２】前記蓋体の蓋部に赤外線フィルタを貼着
してなる請求項１記載の赤外線センサ。
【請求項３】前記支持台と蓋体とをシリコン同士によ
る直接接合としてなる請求項１記載の赤外線センサ。
【請求項４】前記支持台と蓋体とを接合する部分にガ
ラスを介装してなる請求項１記載の赤外線センサ。
【請求項５】シリコン製の支持台と、該支持台の一端
側に絶縁膜を介して設けられた赤外線検出部と、ガラス
製の筒状体からなり、他端側面が前記支持台の一端側面
に接合された筒体と、該筒体の一端側面を施蓋するよう
に接合されたシリコン製の集光レンズとから構成してな
る赤外線センサ。
【請求項６】前記集光レンズに赤外線フィルタを貼着
してなる請求項５記載の赤外線センサ。