JPS62113402A - 有機性正特性サ−ミスタ - Google Patents
有機性正特性サ−ミスタInfo
- Publication number
- JPS62113402A JPS62113402A JP25441485A JP25441485A JPS62113402A JP S62113402 A JPS62113402 A JP S62113402A JP 25441485 A JP25441485 A JP 25441485A JP 25441485 A JP25441485 A JP 25441485A JP S62113402 A JPS62113402 A JP S62113402A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- element body
- electrode
- thermistor
- metal foil
- main surfaces
- Prior art date
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- Pending
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、導電性粒子を混入分散した有機高分子材料の
正の抵抗／温度特性を利用する有機性正特性サーミスタ
に係り、詳しくは該有機性正特性サーミスタの素体に形
成されろ電瞑部分の構造に関する。
正の抵抗／温度特性を利用する有機性正特性サーミスタ
に係り、詳しくは該有機性正特性サーミスタの素体に形
成されろ電瞑部分の構造に関する。
〈従来の技術〉
第３図および第４図はいずれら従来例の打機性正特性サ
ーミスタの断面図である。これらの図において、１ｏは
サーミスタ本体である。該サーミスタ本体１゜は、素体
２゜の両主表面にそれぞれ電極３゜。
ーミスタの断面図である。これらの図において、１ｏは
サーミスタ本体である。該サーミスタ本体１゜は、素体
２゜の両主表面にそれぞれ電極３゜。
３ｏもしくは４゜、４ｏを形成して構成されている。前
記素体２゜は、導電性粒子を混入分散した有機高分子を
構成材料とするものである。導電性粒子としては、カー
ボンブラック、カーボングラファイト、金属等の粉体が
用いられる。また、有機性高分子としては、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリブタジェン系の樹脂が用いら
れろ。
記素体２゜は、導電性粒子を混入分散した有機高分子を
構成材料とするものである。導電性粒子としては、カー
ボンブラック、カーボングラファイト、金属等の粉体が
用いられる。また、有機性高分子としては、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリブタジェン系の樹脂が用いら
れろ。
導電性粒子を混入分散した有機高分子材料は、正の抵抗
／温度特性を示す。有機性正特性サーミスタは、この何
機高分子材料の抵抗／温度特性を利用するものである。
／温度特性を示す。有機性正特性サーミスタは、この何
機高分子材料の抵抗／温度特性を利用するものである。
５、 、５．は各型１．Ｓ３．，３０．４０．４．の外
面に半田付けにより取り付けされるリード端子、６ｏは
サーミスタ本体１゜とリード端子５゜の基部とを絶縁被
覆するコート部である。
面に半田付けにより取り付けされるリード端子、６ｏは
サーミスタ本体１゜とリード端子５゜の基部とを絶縁被
覆するコート部である。
しかして、上記有機性正特性サーミスタを製造するに当
たって、素体２゜の両主表面にそれぞれ電極３゜、３゜
、４゜、４ｏを形成してサーミスタ本体１０を構成する
には、従来、次のような方法がある。
たって、素体２゜の両主表面にそれぞれ電極３゜、３゜
、４゜、４ｏを形成してサーミスタ本体１０を構成する
には、従来、次のような方法がある。
第１の方法は、素体２゜の両主表面にそれぞれ金属メッ
キを施す方法である。第２の方法は、電極３ｏとなる金
属箔を素体２゜の両主表面にそれぞれ熱圧着する方法で
ある。第３の方法は、メツシュ状の金属からなる電１４
４゜、４゜を素体２゜の両主表面にそれぞれ熱圧着する
方法である。
キを施す方法である。第２の方法は、電極３ｏとなる金
属箔を素体２゜の両主表面にそれぞれ熱圧着する方法で
ある。第３の方法は、メツシュ状の金属からなる電１４
４゜、４゜を素体２゜の両主表面にそれぞれ熱圧着する
方法である。
〈発明が解決しようとする問題点〉
ところで、メッキにより形成された電極、および金属箔
の熱圧着により形成された電極（いずれも符号３゜で示
す）は、第３図に示すように、いずれも平滑な膜状であ
るため、電極３゜と素体２゜との接着強度が充分ではな
い。また、電極３゜の熱膨張率が、素体２゜の熱膨張率
の約４０分の１程度と極めて小さいため、後の工程であ
る半田付けやコート部の焼成等の加熱工程で素体２゜と
電極３゜とが異なる熱膨張率で膨張収縮を繰り返す。そ
のため、電極３゜の剥離が生じやすい。
の熱圧着により形成された電極（いずれも符号３゜で示
す）は、第３図に示すように、いずれも平滑な膜状であ
るため、電極３゜と素体２゜との接着強度が充分ではな
い。また、電極３゜の熱膨張率が、素体２゜の熱膨張率
の約４０分の１程度と極めて小さいため、後の工程であ
る半田付けやコート部の焼成等の加熱工程で素体２゜と
電極３゜とが異なる熱膨張率で膨張収縮を繰り返す。そ
のため、電極３゜の剥離が生じやすい。
これに対して、メッンユ状の金属により形成された電極
４゜では、第４図に示すように、電極４゜の網部分が素
体２゜の表面部に食い込むので、素体２゜と電極４゜と
の接合強度が大となり、電極４゜が素体２ｏから剥離す
るおそれかない。
４゜では、第４図に示すように、電極４゜の網部分が素
体２゜の表面部に食い込むので、素体２゜と電極４゜と
の接合強度が大となり、電極４゜が素体２ｏから剥離す
るおそれかない。
しかしながら、このようなメツシュ状の金属による電極
４゜では、この電極４゜の各網部分の食い込みに伴なっ
て素体２゜の材料が電極４゜の網目から外部に浮き出し
て電極４゜の表面に露呈する。そのた 。
４゜では、この電極４゜の各網部分の食い込みに伴なっ
て素体２゜の材料が電極４゜の網目から外部に浮き出し
て電極４゜の表面に露呈する。そのた 。
め、電極４゜とリード端子５゜とを半田付けする場合に
、半田による接着面積が狭小となり、電極４゜とリード
端子５゜との接着強度が低下する。
、半田による接着面積が狭小となり、電極４゜とリード
端子５゜との接着強度が低下する。
本発明は、従来の各方法の問題点に鑑みて為されたもの
であって、素体と電極との接着強度、および電極とリー
ド端子との接着強度をともに強化することを目的とする
。
であって、素体と電極との接着強度、および電極とリー
ド端子との接着強度をともに強化することを目的とする
。
く問題点を解決するための手段〉
本発明は、上記目的を達成するために、導電性粒子を混
入分散した有機高分子を構成材料とする素体の両主表面
に、それぞれ電極となる金属箔を接合し、この金属箔に
は素体側へ突出する多数の凸部を形成し、該凸部を素体
の両主表面にそれぞれ食い込ませて有機性正特性サーミ
スタを構成した。
入分散した有機高分子を構成材料とする素体の両主表面
に、それぞれ電極となる金属箔を接合し、この金属箔に
は素体側へ突出する多数の凸部を形成し、該凸部を素体
の両主表面にそれぞれ食い込ませて有機性正特性サーミ
スタを構成した。
〈作用〉
上記の構成によれば、電極となる金属箔の凸部が素体の
主表面の各部に食い込むので、電極と素体との接着強度
が増大する。また、リード端子の基部と電極との接合面
積が広く、しかも凸部の外側の凹部に半田が貯溜しやす
くなるので、半田による接着力が増し、電極とリード端
子との接着強度が増大する。
主表面の各部に食い込むので、電極と素体との接着強度
が増大する。また、リード端子の基部と電極との接合面
積が広く、しかも凸部の外側の凹部に半田が貯溜しやす
くなるので、半田による接着力が増し、電極とリード端
子との接着強度が増大する。
〈実施例〉
以下、本発明を第１図および第２図に示す実施例に基づ
いて詳細に説明する。第１図は本発明の一実施例である
有機性正特性サーミスタの本体部分の断面図である。同
図において、サーミスタ本体ｌは、素体２と一対の電極
３，３とから構成されている。前記素体２は、導電性粒
子が混入分散した有機高分子を構成材料とする。導電性
粒子としては、カーボンブラック、カーボングラファイ
ト、金属等の粉体が用いられる。また、有機性高分子と
しては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブタジェ
ン系の樹脂が用いられる。第１図中、符号４．４はリー
ド端子である。各リード端子４はそれぞれ電極３の外面
に半田付けにより取着される。５はサーミスタ本体！と
リード端子４の基部とを絶縁被覆するコート部である。
いて詳細に説明する。第１図は本発明の一実施例である
有機性正特性サーミスタの本体部分の断面図である。同
図において、サーミスタ本体ｌは、素体２と一対の電極
３，３とから構成されている。前記素体２は、導電性粒
子が混入分散した有機高分子を構成材料とする。導電性
粒子としては、カーボンブラック、カーボングラファイ
ト、金属等の粉体が用いられる。また、有機性高分子と
しては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブタジェ
ン系の樹脂が用いられる。第１図中、符号４．４はリー
ド端子である。各リード端子４はそれぞれ電極３の外面
に半田付けにより取着される。５はサーミスタ本体！と
リード端子４の基部とを絶縁被覆するコート部である。
該コート部５は樹脂の焼成により形成される。
しかして、前記電極３は金属箔で構成されている。該金
属箔３は素体２の両主表面に、それぞれ加熱加圧により
圧着されている。この実施例では、金属箔３として、約
２０μｍの膜厚のニッケルの金属箔が用いられている。
属箔３は素体２の両主表面に、それぞれ加熱加圧により
圧着されている。この実施例では、金属箔３として、約
２０μｍの膜厚のニッケルの金属箔が用いられている。
このほか、銅、もしくは銅−ニッケル合金等の金属箔が
用いられろ。この金属箔３には、全面各部に素体２側へ
突出する多数の凸部６．・・・が形成されている。これ
ろの各凸部６は素体２の両主表面部に食い込んでいる。
用いられろ。この金属箔３には、全面各部に素体２側へ
突出する多数の凸部６．・・・が形成されている。これ
ろの各凸部６は素体２の両主表面部に食い込んでいる。
この金属箔３の凸部６は、第２図（Ａ）の説明図に示す
ように、プレス面に多数の凸部７を有するプレス金型８
．８により、素体２に対して一対の金属箔３，３を加熱
加圧することによって、形成される。図中、符号６ａは
、凸部６の外側の凹部である。
ように、プレス面に多数の凸部７を有するプレス金型８
．８により、素体２に対して一対の金属箔３，３を加熱
加圧することによって、形成される。図中、符号６ａは
、凸部６の外側の凹部である。
ところで、素体２中における導電性粒子の分散度ｐは、
第２図（Ｂ）に示すように、素体２の厚み方向の各部で
均一ではなく、両主表面部での分散度が他の部分に比べ
て低い、という事実がある。
第２図（Ｂ）に示すように、素体２の厚み方向の各部で
均一ではなく、両主表面部での分散度が他の部分に比べ
て低い、という事実がある。
そこで、該凸部６の食い込み深さｄは、導電性粒子の分
散度が低い主表面部を貫通する程度で、かつ金属箔３を
その凹部６を分断しない程度の深さとすることが望まし
く、具体的には該食い込み深さｄは５〜２０μｍ程度と
することが望ましい。
散度が低い主表面部を貫通する程度で、かつ金属箔３を
その凹部６を分断しない程度の深さとすることが望まし
く、具体的には該食い込み深さｄは５〜２０μｍ程度と
することが望ましい。
従来のように平滑な金属箔で構成した電極の接着強度は
平均１ 、５ｋｇであるのに対して、上記実施例のもの
では、電極３の接着強度は３．２ｋｇであり、従来の２
倍以上の値を示した。
平均１ 、５ｋｇであるのに対して、上記実施例のもの
では、電極３の接着強度は３．２ｋｇであり、従来の２
倍以上の値を示した。
また、従来の有機性正特性サーミスタの抵抗値は、Ｉｃ
ｍ角の索体のもので、０．０５２Ωであったが、上記実
施例のものでは、抵抗値が０．０４９Ωであり、従来の
らのより低い抵抗値が得られた。
ｍ角の索体のもので、０．０５２Ωであったが、上記実
施例のものでは、抵抗値が０．０４９Ωであり、従来の
らのより低い抵抗値が得られた。
〈発明の効果〉
以上のように本発明によれば、電極となる金属箔の凸部
が素体の主表面の各部に食い込んでいるので、電極と素
体との接着強度が増大する。また、リード端子の基部と
電極との接合面積が広く、しかも凸部の外側に凹部を形
成するようにすれば、そこに半田が貯溜しやすくなるの
で、半田による接着力が増し、電極とリード端子との接
着強度が増大する。したがって、素体と電極との接着強
度、および電極とリード端子との接着強度がともに大き
な有機性正特性サーミスタが得られる。
が素体の主表面の各部に食い込んでいるので、電極と素
体との接着強度が増大する。また、リード端子の基部と
電極との接合面積が広く、しかも凸部の外側に凹部を形
成するようにすれば、そこに半田が貯溜しやすくなるの
で、半田による接着力が増し、電極とリード端子との接
着強度が増大する。したがって、素体と電極との接着強
度、および電極とリード端子との接着強度がともに大き
な有機性正特性サーミスタが得られる。
また、金属箔の凸部が、素体中の導電性粒子の分散度が
高い層に達するようにできるので、電極相互間の抵抗値
が低下し、そのため、低抵抗のサーミスタが容易に製造
しうる。
高い層に達するようにできるので、電極相互間の抵抗値
が低下し、そのため、低抵抗のサーミスタが容易に製造
しうる。
第１図および第２図は本発明の実施例に係り、第１図は
サーミスタ本体の断面図、第２図はその細部構造を示す
説明図、第３図および第４図はいずれら従来の有機性正
特性サーミスタの断面図である。 ｌ・・サーミスタ本体、２・・・素体、３・・・電極（
金属箔）、４・・・リード端子、５・・・コート部、６
・・・凸部。 出 願 人 株式会社 村田製作所 代 理 人 弁 理 士 岡 １） 和
秀第２図
サーミスタ本体の断面図、第２図はその細部構造を示す
説明図、第３図および第４図はいずれら従来の有機性正
特性サーミスタの断面図である。 ｌ・・サーミスタ本体、２・・・素体、３・・・電極（
金属箔）、４・・・リード端子、５・・・コート部、６
・・・凸部。 出 願 人 株式会社 村田製作所 代 理 人 弁 理 士 岡 １） 和
秀第２図
Claims (1)
- （１）導電性粒子を混入分散した有機高分子を構成材料
とする素体と、前記素体の両主表面に形成された電極と
を有する有機性正特性サーミスタにおいて、 前記素体の両主表面に電極となる金属箔を接合し、この
金属箔には素体側へ突出する多数の凸部を形成し、該凸
部を素体の両主表面にそれぞれ食い込ませたことを特徴
とする有機性正特性サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25441485A JPS62113402A (ja) | 1985-11-12 | 1985-11-12 | 有機性正特性サ−ミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25441485A JPS62113402A (ja) | 1985-11-12 | 1985-11-12 | 有機性正特性サ−ミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62113402A true JPS62113402A (ja) | 1987-05-25 |
Family
ID=17264641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25441485A Pending JPS62113402A (ja) | 1985-11-12 | 1985-11-12 | 有機性正特性サ−ミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62113402A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5874885A (en) * | 1994-06-08 | 1999-02-23 | Raychem Corporation | Electrical devices containing conductive polymers |
| US6531950B1 (en) | 2000-06-28 | 2003-03-11 | Tyco Electronics Corporation | Electrical devices containing conductive polymers |
| US6593843B1 (en) | 2000-06-28 | 2003-07-15 | Tyco Electronics Corporation | Electrical devices containing conductive polymers |
-
1985
- 1985-11-12 JP JP25441485A patent/JPS62113402A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5874885A (en) * | 1994-06-08 | 1999-02-23 | Raychem Corporation | Electrical devices containing conductive polymers |
| US6570483B1 (en) | 1994-06-08 | 2003-05-27 | Tyco Electronics Corporation | Electrically resistive PTC devices containing conductive polymers |
| US6531950B1 (en) | 2000-06-28 | 2003-03-11 | Tyco Electronics Corporation | Electrical devices containing conductive polymers |
| US6593843B1 (en) | 2000-06-28 | 2003-07-15 | Tyco Electronics Corporation | Electrical devices containing conductive polymers |
| US6987440B2 (en) | 2000-06-28 | 2006-01-17 | Tyco Electronics Corporation | Electrical devices containing conductive polymers |
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