JPH09320808A - Ｐｔｃサーミスタ - Google Patents
ＰｔｃサーミスタInfo
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- JPH09320808A JPH09320808A JP13642996A JP13642996A JPH09320808A JP H09320808 A JPH09320808 A JP H09320808A JP 13642996 A JP13642996 A JP 13642996A JP 13642996 A JP13642996 A JP 13642996A JP H09320808 A JPH09320808 A JP H09320808A
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- resin
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、低背化でかつ面実装の可能なＰＴ
Ｃサーミスタを提供することを目的とするものである。 【解決手段】 ポリマＰＴＣ１１を介して上、下面に互
い違いになるように設けられた第１、第２の電極層１２
ａ，１２ｂの両面に第１、第２の樹脂層貫通孔１４ｃ，
１４ｄを備えた第１、第２の樹脂層１４ａ，１４ｂを有
し、この第１、第２の樹脂層１４ａ，１４ｂの両面に第
１、第２の電極層１２ａ，１２ｂと接続する第１、第２
の基板貫通孔１５ｃ，１５ｄを備えた第１、第２の基板
１５ａ，１５ｂとからなり、側面に第１、第２の樹脂層
貫通孔１４ｃ，１４ｄおよび第１、第２の基板貫通孔１
５ｃ，１５ｄを介して第１、第２の電極層１２ａ，１２
ｂのどちらか一方と電気的に接続する側面電極層１６を
備えたものである。
Ｃサーミスタを提供することを目的とするものである。 【解決手段】 ポリマＰＴＣ１１を介して上、下面に互
い違いになるように設けられた第１、第２の電極層１２
ａ，１２ｂの両面に第１、第２の樹脂層貫通孔１４ｃ，
１４ｄを備えた第１、第２の樹脂層１４ａ，１４ｂを有
し、この第１、第２の樹脂層１４ａ，１４ｂの両面に第
１、第２の電極層１２ａ，１２ｂと接続する第１、第２
の基板貫通孔１５ｃ，１５ｄを備えた第１、第２の基板
１５ａ，１５ｂとからなり、側面に第１、第２の樹脂層
貫通孔１４ｃ，１４ｄおよび第１、第２の基板貫通孔１
５ｃ，１５ｄを介して第１、第２の電極層１２ａ，１２
ｂのどちらか一方と電気的に接続する側面電極層１６を
備えたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｐositive Ｔempe
rature Ｃoefficient（以下、「ＰＴＣ」と記す。）特
性を有する導電性ポリマを用いたＰＴＣサーミスタに関
するものである。
rature Ｃoefficient（以下、「ＰＴＣ」と記す。）特
性を有する導電性ポリマを用いたＰＴＣサーミスタに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下、従来のＰＴＣサーミスタについて
説明する。
説明する。
【０００３】従来のＰＴＣサーミスタは、特公平１−２
９０４４号公報に、「導電性粉末を混入した有機高分子
材料を素子本体とし、その両面に樹脂に金属粉を混ぜて
導電性を持たせた導電性ペーストからなる電極がそれぞ
れ形成され、これら各電極にリード線が樹脂に金属粉を
混ぜて導電性を持たせた導電ペーストによって接着さ
れ、さらに、素子本体および電極を覆うように樹脂外装
がリード線の先端部を残して付与された」ものが開示さ
れている。
９０４４号公報に、「導電性粉末を混入した有機高分子
材料を素子本体とし、その両面に樹脂に金属粉を混ぜて
導電性を持たせた導電性ペーストからなる電極がそれぞ
れ形成され、これら各電極にリード線が樹脂に金属粉を
混ぜて導電性を持たせた導電ペーストによって接着さ
れ、さらに、素子本体および電極を覆うように樹脂外装
がリード線の先端部を残して付与された」ものが開示さ
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、リード線を有しているため、近年の電子部
品の低背化および面実装化に対応できないという課題を
有していた。
の構成では、リード線を有しているため、近年の電子部
品の低背化および面実装化に対応できないという課題を
有していた。
【０００５】上記課題を解決するために本発明は、低背
化でかつ面実装の可能なＰＴＣサーミスタを提供するこ
とを目的とするものである。
化でかつ面実装の可能なＰＴＣサーミスタを提供するこ
とを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記従来の目的を達成す
るために本発明は、第１、第２の電極層の前記ポリマＰ
ＴＣと対向する面に設けられた同一材料からなる第１、
第２の基板を備えたものである。
るために本発明は、第１、第２の電極層の前記ポリマＰ
ＴＣと対向する面に設けられた同一材料からなる第１、
第２の基板を備えたものである。
【０００７】また、第１、第２の電極層の前記ポリマＰ
ＴＣと対向する面に設けられるとともに前記第１、第２
の電極層と電気的に接続する第１、第２の基板貫通孔を
備えた第１、第２の基板と、前記第１、第２の基板の第
１、第２の基板貫通孔を介して前記第１、第２の電極層
のどちらか一方と電気的に接続した少なくとも前記第
１、第２の基板の対向する側面に設けられた側面電極層
とからなるものである。
ＴＣと対向する面に設けられるとともに前記第１、第２
の電極層と電気的に接続する第１、第２の基板貫通孔を
備えた第１、第２の基板と、前記第１、第２の基板の第
１、第２の基板貫通孔を介して前記第１、第２の電極層
のどちらか一方と電気的に接続した少なくとも前記第
１、第２の基板の対向する側面に設けられた側面電極層
とからなるものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、ポリマＰＴＣを介して上、下面に互い違いになるよ
うに設けられた第１、第２の電極層と、前記第１、第２
の電極層のポリマＰＴＣの対向する面に設けられるとと
もに前記第１、第２の電極層と電気的に接続する第１、
第２の樹脂層貫通孔を備えた第１、第２の樹脂層と、前
記第１、第２の樹脂層の前記ポリマＰＴＣと対向する面
に設けられるとともに前記第１、第２の樹脂層貫通孔を
介して前記第１、第２の電極層と電気的に接続する第
１、第２の基板貫通孔を備えた第１、第２の基板と、少
なくとも前記第１、第２の基板の対向する側面に設けら
れ前記第１、第２の樹脂層貫通孔および第１、第２の基
板貫通孔を介して前記第１、第２の電極層のどちらか一
方と電気的に接続する側面電極層とからなるものであ
る。
は、ポリマＰＴＣを介して上、下面に互い違いになるよ
うに設けられた第１、第２の電極層と、前記第１、第２
の電極層のポリマＰＴＣの対向する面に設けられるとと
もに前記第１、第２の電極層と電気的に接続する第１、
第２の樹脂層貫通孔を備えた第１、第２の樹脂層と、前
記第１、第２の樹脂層の前記ポリマＰＴＣと対向する面
に設けられるとともに前記第１、第２の樹脂層貫通孔を
介して前記第１、第２の電極層と電気的に接続する第
１、第２の基板貫通孔を備えた第１、第２の基板と、少
なくとも前記第１、第２の基板の対向する側面に設けら
れ前記第１、第２の樹脂層貫通孔および第１、第２の基
板貫通孔を介して前記第１、第２の電極層のどちらか一
方と電気的に接続する側面電極層とからなるものであ
る。
【０００９】また、請求項２記載の発明は、ポリマＰＴ
Ｃを介して上、下面に設けられた第１、第２の電極層
と、前記第１、第２の電極層の前記ポリマＰＴＣと対向
する面に設けられた第１、第２の樹脂層と、前記第１、
第２の樹脂層の前記ポリマＰＴＣと対向する面に設けら
れた同一材料からなる第１、第２の基板と、少なくとも
前記第１、第２の基板の側面に前記第１、第２の電極層
と電気的に接続するように設けられた側面電極層とから
なるものである。
Ｃを介して上、下面に設けられた第１、第２の電極層
と、前記第１、第２の電極層の前記ポリマＰＴＣと対向
する面に設けられた第１、第２の樹脂層と、前記第１、
第２の樹脂層の前記ポリマＰＴＣと対向する面に設けら
れた同一材料からなる第１、第２の基板と、少なくとも
前記第１、第２の基板の側面に前記第１、第２の電極層
と電気的に接続するように設けられた側面電極層とから
なるものである。
【００１０】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
記載の第１、第２の電極層は、前記第１、第２の電極層
の端縁と側面電極とを電気的に接続するとともに第１、
第２の樹脂層貫通孔および第１、第２の基板貫通孔を介
して側面電極層と電気的に接続してなるものである。
記載の第１、第２の電極層は、前記第１、第２の電極層
の端縁と側面電極とを電気的に接続するとともに第１、
第２の樹脂層貫通孔および第１、第２の基板貫通孔を介
して側面電極層と電気的に接続してなるものである。
【００１１】また、請求項４に記載の発明は、請求項１
または２記載のポリマＰＴＣの上、下面の第１、第２の
電極層が形成されていない部分に第１、第２のダミー樹
脂層を設けてなるものである。
または２記載のポリマＰＴＣの上、下面の第１、第２の
電極層が形成されていない部分に第１、第２のダミー樹
脂層を設けてなるものである。
【００１２】（実施の形態１）以下、本発明の一実施の
形態におけるＰＴＣサーミスタについて、図面を参照し
ながら説明する。
形態におけるＰＴＣサーミスタについて、図面を参照し
ながら説明する。
【００１３】図１は、本発明の一実施の形態におけるＰ
ＴＣサーミスタの断面図である。図において、１１は高
密度ポリエチレン等からなる結晶性ポリマとカーボンブ
ラック等からなる導電性粒子とを混合してなる組成物か
らなるポリマＰＴＣである。１２ａ，１２ｂはそれぞれ
ポリマＰＴＣ１１の上、下面にそれぞれ互い違いになる
ように設けられたフェノール系の樹脂等を含有した比抵
抗が１×１０-3Ω以下の第１、第２の電極層で、この第
１、第２の電極層１２ａ，１２ｂとポリマＰＴＣ１１と
は互いに樹脂を含有しているため密着性が良いものであ
る。このとき、第１、第２の電極層１２ａ，１２ｂは、
ポリマＰＴＣ１１の端縁を除いて設けられている。１３
ａ，１３ｂはそれぞれポリマＰＴＣ１１の上、下面の第
１、第２の電極層１２ａ，１２ｂが設けられていないポ
リマＰＴＣ１１の上、下面の端縁に設けられたポリエス
テル系等の樹脂からなる第１、第２のダミー樹脂層であ
る。１４ａ，１４ｂは第１、第２の電極層１２ａ，１２
ｂおよび第１、第２のダミー樹脂層１３ａ，１３ｂのポ
リマＰＴＣ１１と対向する面に設けられ、第１、第２の
電極層１２ａ，１２ｂと電気的に接続する第１、第２の
樹脂層貫通孔１４ｃ，１４ｄを備えてなるポリエステル
等の絶縁性樹脂等からなる第１、第２の樹脂層である。
１５ａ，１５ｂは第１、第２の樹脂層１４ａ，１４ｂの
ポリマＰＴＣ１１の対向する面に設けられ第１、第２の
樹脂層１４ａ，１４ｂの第１、第２の樹脂層貫通孔１４
ｃ，１４ｄを介して第１、第２の電極層１２ａ，１２ｂ
のどちらか一方と電気的に接続するように設けられた第
１、第２の基板貫通孔１５ｃ，１５ｄとを設けてなるア
ルミナセラミクス等からなる第１、第２の基板である。
１６は第１、第２のダミー樹脂層１３ａ，１３ｂおよび
ポリマＰＴＣ１１の側面に設けられ第１、第２の樹脂層
貫通孔１４ｃ，１４ｄおよび第１、第２の基板貫通孔１
５ｃ，１５ｄを介してのみ第１、第２の電極層１２ａ，
１２ｂのどちらか一方と電気的に接続するフェノール系
の樹脂銀等からなる一対の側面電極層である。
ＴＣサーミスタの断面図である。図において、１１は高
密度ポリエチレン等からなる結晶性ポリマとカーボンブ
ラック等からなる導電性粒子とを混合してなる組成物か
らなるポリマＰＴＣである。１２ａ，１２ｂはそれぞれ
ポリマＰＴＣ１１の上、下面にそれぞれ互い違いになる
ように設けられたフェノール系の樹脂等を含有した比抵
抗が１×１０-3Ω以下の第１、第２の電極層で、この第
１、第２の電極層１２ａ，１２ｂとポリマＰＴＣ１１と
は互いに樹脂を含有しているため密着性が良いものであ
る。このとき、第１、第２の電極層１２ａ，１２ｂは、
ポリマＰＴＣ１１の端縁を除いて設けられている。１３
ａ，１３ｂはそれぞれポリマＰＴＣ１１の上、下面の第
１、第２の電極層１２ａ，１２ｂが設けられていないポ
リマＰＴＣ１１の上、下面の端縁に設けられたポリエス
テル系等の樹脂からなる第１、第２のダミー樹脂層であ
る。１４ａ，１４ｂは第１、第２の電極層１２ａ，１２
ｂおよび第１、第２のダミー樹脂層１３ａ，１３ｂのポ
リマＰＴＣ１１と対向する面に設けられ、第１、第２の
電極層１２ａ，１２ｂと電気的に接続する第１、第２の
樹脂層貫通孔１４ｃ，１４ｄを備えてなるポリエステル
等の絶縁性樹脂等からなる第１、第２の樹脂層である。
１５ａ，１５ｂは第１、第２の樹脂層１４ａ，１４ｂの
ポリマＰＴＣ１１の対向する面に設けられ第１、第２の
樹脂層１４ａ，１４ｂの第１、第２の樹脂層貫通孔１４
ｃ，１４ｄを介して第１、第２の電極層１２ａ，１２ｂ
のどちらか一方と電気的に接続するように設けられた第
１、第２の基板貫通孔１５ｃ，１５ｄとを設けてなるア
ルミナセラミクス等からなる第１、第２の基板である。
１６は第１、第２のダミー樹脂層１３ａ，１３ｂおよび
ポリマＰＴＣ１１の側面に設けられ第１、第２の樹脂層
貫通孔１４ｃ，１４ｄおよび第１、第２の基板貫通孔１
５ｃ，１５ｄを介してのみ第１、第２の電極層１２ａ，
１２ｂのどちらか一方と電気的に接続するフェノール系
の樹脂銀等からなる一対の側面電極層である。
【００１４】以上のように構成されたＰＴＣサーミスタ
について、以下にその製造方法を図面を参照しながら説
明する。
について、以下にその製造方法を図面を参照しながら説
明する。
【００１５】図２、図３、図４は本発明の一実施の形態
におけるＰＴＣサーミスタの製造方法を示す工程図であ
る。
におけるＰＴＣサーミスタの製造方法を示す工程図であ
る。
【００１６】まず、図２（ａ）に示すように、基板貫通
孔（図示せず）を有するシート２１の少なくとも基板貫
通孔近傍に焼成銀等からなる導電性ペーストを上、下面
からスクリーン印刷し約８５０℃で約３０分間焼成させ
シート２１の上、下面および基板貫通孔に基板電極層２
２を形成する。
孔（図示せず）を有するシート２１の少なくとも基板貫
通孔近傍に焼成銀等からなる導電性ペーストを上、下面
からスクリーン印刷し約８５０℃で約３０分間焼成させ
シート２１の上、下面および基板貫通孔に基板電極層２
２を形成する。
【００１７】次に、図２（ｂ）に示すように、基板電極
層２２以外のシート２１の上面にポリエステル系等の絶
縁樹脂をスクリーン印刷し約１３０℃で約１５分間硬化
させ樹脂層２３を形成する。
層２２以外のシート２１の上面にポリエステル系等の絶
縁樹脂をスクリーン印刷し約１３０℃で約１５分間硬化
させ樹脂層２３を形成する。
【００１８】次に、図２（ｃ）に示すように、基板電極
層２２および樹脂層２３の上面に基板電極層２２と電気
的に接続するとともに後述する分割線（図示せず）内の
端縁を除いてフェノール系等の導電性ペーストをスクリ
ーン印刷し、約１５０℃で約３０分間硬化させ、電極層
２４を形成する。
層２２および樹脂層２３の上面に基板電極層２２と電気
的に接続するとともに後述する分割線（図示せず）内の
端縁を除いてフェノール系等の導電性ペーストをスクリ
ーン印刷し、約１５０℃で約３０分間硬化させ、電極層
２４を形成する。
【００１９】次に、図３（ａ）に示すように、電極層２
４を形成していない樹脂層２３の上面にポリエステル系
等の絶縁性樹脂をスクリーン印刷し、１３０℃で１５分
間硬化させ、ダミー樹脂層２５を形成する。
４を形成していない樹脂層２３の上面にポリエステル系
等の絶縁性樹脂をスクリーン印刷し、１３０℃で１５分
間硬化させ、ダミー樹脂層２５を形成する。
【００２０】次に、図３（ｂ）に示すように、結晶化度
７０〜９１％の高密度ポリエチレン等からなる結晶性ポ
リマを５６重量％と平均粒径５８nmで比表面積３８m2／
ｇのカーボンブラック等からなる導電性粒子を４３重量
％および酸化防止剤を１重量％とを約１５０℃に加熱し
た２本のロール（図示せず）にて約２０分間混合し、こ
の混合物を２本ロールからシート状で取り出して裁断
し、シート２１と同形状のポリマＰＴＣ２６を作製した
後、シート２１の上面に電極層２４等を形成している面
に電極層２４とポリマＰＴＣ２６とを電気的に接続する
ように挟み込んで約１５０℃に加熱した熱プレス機で約
２０kg／cm2で約１０秒間圧着して、電子線照射装置内
で電子線を約４０Ｍｒａｄ照射し、電子線架橋をする。
７０〜９１％の高密度ポリエチレン等からなる結晶性ポ
リマを５６重量％と平均粒径５８nmで比表面積３８m2／
ｇのカーボンブラック等からなる導電性粒子を４３重量
％および酸化防止剤を１重量％とを約１５０℃に加熱し
た２本のロール（図示せず）にて約２０分間混合し、こ
の混合物を２本ロールからシート状で取り出して裁断
し、シート２１と同形状のポリマＰＴＣ２６を作製した
後、シート２１の上面に電極層２４等を形成している面
に電極層２４とポリマＰＴＣ２６とを電気的に接続する
ように挟み込んで約１５０℃に加熱した熱プレス機で約
２０kg／cm2で約１０秒間圧着して、電子線照射装置内
で電子線を約４０Ｍｒａｄ照射し、電子線架橋をする。
【００２１】次に、図４（ａ）に示すように、基板電極
層２２が一方向に並ぶように短冊状になるような分割溝
２７にダイシング等により１次基板分割を行う。
層２２が一方向に並ぶように短冊状になるような分割溝
２７にダイシング等により１次基板分割を行う。
【００２２】次に、図４（ｂ）に示すように、ダミー樹
脂層２５およびポリマＰＴＣ２６の側面に、貫通孔のあ
る樹脂層電極層（図示せず）および基板電極層２２を介
してのみ電極層２４のどちらか一方と電気的に接続する
フェノール系の樹脂銀等からなる一対の側面電極層２８
を形成する。
脂層２５およびポリマＰＴＣ２６の側面に、貫通孔のあ
る樹脂層電極層（図示せず）および基板電極層２２を介
してのみ電極層２４のどちらか一方と電気的に接続する
フェノール系の樹脂銀等からなる一対の側面電極層２８
を形成する。
【００２３】最後に、図４（ｃ）に示すように、ダイシ
ング等により分割してＰＴＣサーミスタ２９を製造する
ものである。
ング等により分割してＰＴＣサーミスタ２９を製造する
ものである。
【００２４】なお、本実施の形態では側面電極層１６に
電気的に接続するのは第１、第２の樹脂層貫通孔１４
ｃ，１４ｄおよび第１、第２の基板貫通孔１５ｃ，１５
ｄを介してのみ第１、第２の電極層１２ａ，１２ｂとし
たが、第１、第２の電極層の端縁でも側面電極層に電気
的に接続するとともに第１、第２の樹脂層貫通孔および
第１、第２の基板貫通孔を介して電気的に接続しても良
い。
電気的に接続するのは第１、第２の樹脂層貫通孔１４
ｃ，１４ｄおよび第１、第２の基板貫通孔１５ｃ，１５
ｄを介してのみ第１、第２の電極層１２ａ，１２ｂとし
たが、第１、第２の電極層の端縁でも側面電極層に電気
的に接続するとともに第１、第２の樹脂層貫通孔および
第１、第２の基板貫通孔を介して電気的に接続しても良
い。
【００２５】（実施の形態２）以下、本発明の他の実施
の形態におけるＰＴＣサーミスタについて図面を参照し
ながら説明する。
の形態におけるＰＴＣサーミスタについて図面を参照し
ながら説明する。
【００２６】図５は本発明の他の実施の形態におけるＰ
ＴＣサーミスタの断面図である。図において、３１は高
密度ポリエチレン等からなる結晶性ポリマとカーボンブ
ラック等からなる導電性粒子とを混合してなる組成物か
らなるポリマＰＴＣである。３２ａ，３２ｂはそれぞれ
ポリマＰＴＣ３１の上、下面にそれぞれ互い違いになる
ように設けられたフェノール系の樹脂等を含有した比抵
抗が１×１０-3Ω以下の第１、第２の電極層で、この第
１、第２の電極層３２ａ，３２ｂとポリマＰＴＣ３１と
は互いに樹脂を含有しているため密着性が良いものであ
る。このとき、第１、第２の電極層３２ａ，３２ｂは、
ポリマＰＴＣ３１の端縁を除いて設けられている。３３
ａ，３３ｂはそれぞれポリマＰＴＣ３１の上、下面の第
１、第２の電極層３２ａ，３２ｂが設けられていないポ
リマＰＴＣ３１の上、下面の端縁に設けられたポリエス
テル系等の樹脂からなる第１、第２のダミー樹脂層であ
る。３４ａ，３４ｂは第１、第２の電極層３２ａ，３２
ｂおよび第１、第２のダミー樹脂層３３ａ，３３ｂのポ
リマＰＴＣ３１と対向する面に設けられポリエステル等
からなる第１、第２の樹脂層である。３５ａ，３５ｂは
第１、第２の樹脂層３４ａ，３４ｂのポリマＰＴＣ３１
の対向する面全体に設けられたアルミナセラミクス等の
同一材料からなる第１、第２の基板である。３６は第
１、第２の電極層３２ａ，３２ｂのどちらか一方と電気
的に接続するように設けられたフェノール系の樹脂銀等
からなる一対の側面電極層である。
ＴＣサーミスタの断面図である。図において、３１は高
密度ポリエチレン等からなる結晶性ポリマとカーボンブ
ラック等からなる導電性粒子とを混合してなる組成物か
らなるポリマＰＴＣである。３２ａ，３２ｂはそれぞれ
ポリマＰＴＣ３１の上、下面にそれぞれ互い違いになる
ように設けられたフェノール系の樹脂等を含有した比抵
抗が１×１０-3Ω以下の第１、第２の電極層で、この第
１、第２の電極層３２ａ，３２ｂとポリマＰＴＣ３１と
は互いに樹脂を含有しているため密着性が良いものであ
る。このとき、第１、第２の電極層３２ａ，３２ｂは、
ポリマＰＴＣ３１の端縁を除いて設けられている。３３
ａ，３３ｂはそれぞれポリマＰＴＣ３１の上、下面の第
１、第２の電極層３２ａ，３２ｂが設けられていないポ
リマＰＴＣ３１の上、下面の端縁に設けられたポリエス
テル系等の樹脂からなる第１、第２のダミー樹脂層であ
る。３４ａ，３４ｂは第１、第２の電極層３２ａ，３２
ｂおよび第１、第２のダミー樹脂層３３ａ，３３ｂのポ
リマＰＴＣ３１と対向する面に設けられポリエステル等
からなる第１、第２の樹脂層である。３５ａ，３５ｂは
第１、第２の樹脂層３４ａ，３４ｂのポリマＰＴＣ３１
の対向する面全体に設けられたアルミナセラミクス等の
同一材料からなる第１、第２の基板である。３６は第
１、第２の電極層３２ａ，３２ｂのどちらか一方と電気
的に接続するように設けられたフェノール系の樹脂銀等
からなる一対の側面電極層である。
【００２７】以上のように構成されたＰＴＣサーミスタ
について、以下にその製造方法を図面を参照しながら説
明する。
について、以下にその製造方法を図面を参照しながら説
明する。
【００２８】図６、図７、図８は本発明の他の実施の形
態におけるＰＴＣサーミスタの製造方法を示す工程図で
ある。
態におけるＰＴＣサーミスタの製造方法を示す工程図で
ある。
【００２９】まず、図６（ａ）に示すように、シート４
１の上面にポリエステル系等の絶縁樹脂をスクリーン印
刷し約１３０℃で約１５分間硬化させ樹脂層４２を形成
する。
１の上面にポリエステル系等の絶縁樹脂をスクリーン印
刷し約１３０℃で約１５分間硬化させ樹脂層４２を形成
する。
【００３０】次に、図６（ｂ）に示すように、樹脂層４
２の上面に後述する分割線（図示せず）内の端縁を除い
てフェノール系等の導電性ペーストをスクリーン印刷
し、約１５０℃で約３０分間硬化させ、電極層４３を形
成する。
２の上面に後述する分割線（図示せず）内の端縁を除い
てフェノール系等の導電性ペーストをスクリーン印刷
し、約１５０℃で約３０分間硬化させ、電極層４３を形
成する。
【００３１】次に、図６（ｃ）に示すように、電極層４
３を形成していない樹脂層４２の上面にポリエステル系
等の絶縁性樹脂をスクリーン印刷し、１３０℃で１５分
間硬化させ、ダミー樹脂層４４を形成する。
３を形成していない樹脂層４２の上面にポリエステル系
等の絶縁性樹脂をスクリーン印刷し、１３０℃で１５分
間硬化させ、ダミー樹脂層４４を形成する。
【００３２】次に、図７（ａ）に示すように、結晶化度
７０〜９１％の高密度ポリエチレン等からなる結晶性ポ
リマを５６重量％と平均粒径５８nmで比表面積３８m2／
ｇのカーボンブラック等からなる導電性粒子を４３重量
％および酸化防止剤を１重量％とを約１５０℃に加熱し
た２本のロール（図示せず）にて約２０分間混合し、こ
の混合物を２本ロールからシート状で取り出して裁断
し、シート４１と同形状のポリマＰＴＣ４５を作製した
後、シート４１の上面に電極層４３等を形成している面
に電極層４３とポリマＰＴＣ４５とを電気的に接続する
ように挟み込んで約１５０℃に加熱した熱プレス機で約
２０kg／cm2で約１０秒間圧着して、電子線照射装置内
で電子線を約４０Ｍｒａｄ照射し、電子線架橋をする。
７０〜９１％の高密度ポリエチレン等からなる結晶性ポ
リマを５６重量％と平均粒径５８nmで比表面積３８m2／
ｇのカーボンブラック等からなる導電性粒子を４３重量
％および酸化防止剤を１重量％とを約１５０℃に加熱し
た２本のロール（図示せず）にて約２０分間混合し、こ
の混合物を２本ロールからシート状で取り出して裁断
し、シート４１と同形状のポリマＰＴＣ４５を作製した
後、シート４１の上面に電極層４３等を形成している面
に電極層４３とポリマＰＴＣ４５とを電気的に接続する
ように挟み込んで約１５０℃に加熱した熱プレス機で約
２０kg／cm2で約１０秒間圧着して、電子線照射装置内
で電子線を約４０Ｍｒａｄ照射し、電子線架橋をする。
【００３３】次に、図７（ｂ）に示すように、短冊状に
なるような分割溝４６にダイシング等により１次基板分
割を行う。
なるような分割溝４６にダイシング等により１次基板分
割を行う。
【００３４】次に、図８（ａ）に示すように、ダミー樹
脂層４４およびポリマＰＴＣ４５の側面に、電気的に接
続するフェノール系の樹脂銀等からなる一対の側面電極
層４７を形成する。
脂層４４およびポリマＰＴＣ４５の側面に、電気的に接
続するフェノール系の樹脂銀等からなる一対の側面電極
層４７を形成する。
【００３５】最後に、図８（ｂ）に示すように、ダイシ
ング等により分割してＰＴＣサーミスタ４８を製造する
ものである。
ング等により分割してＰＴＣサーミスタ４８を製造する
ものである。
【００３６】
【発明の効果】以上のように本発明は、低背化でかつ面
実装が可能なＰＴＣサーミスタを提供できるものであ
る。
実装が可能なＰＴＣサーミスタを提供できるものであ
る。
【００３７】また、ポリマＰＴＣと電極層とを直接また
は貫通孔を介して側面電極層に接続するため、半田付け
時にポリマＰＴＣに熱が伝導しこの熱によりポリマＰＴ
Ｃが膨張した応力を樹脂層およびダミー樹脂層が吸収す
るので、電気的接続が向上したＰＴＣサーミスタを提供
できるものである。
は貫通孔を介して側面電極層に接続するため、半田付け
時にポリマＰＴＣに熱が伝導しこの熱によりポリマＰＴ
Ｃが膨張した応力を樹脂層およびダミー樹脂層が吸収す
るので、電気的接続が向上したＰＴＣサーミスタを提供
できるものである。
【図１】本発明の一実施の形態におけるＰＴＣサーミス
タの断面図
タの断面図
【図２】同製造方法を示す工程図
【図３】同製造方法を示す工程図
【図４】同製造方法を示す工程図
【図５】本発明の他の実施の形態におけるＰＴＣサーミ
スタの断面図
スタの断面図
【図６】同製造方法を示す工程図
【図７】同製造方法を示す工程図
【図８】同製造方法を示す工程図
１１ ポリマＰＴＣ １２ａ 第１の電極層 １２ｂ 第２の電極層 １３ａ 第１のダミー樹脂層 １３ｂ 第２のダミー樹脂層 １４ａ 第１の樹脂層 １４ｂ 第２の樹脂層 １４ｃ 第１の樹脂層貫通孔 １４ｄ 第２の樹脂層貫通孔 １５ａ 第１の基板 １５ｂ 第２の基板 １５ｃ 第１の基板貫通孔 １５ｄ 第２の基板貫通孔 １６ 側面電極層
フロントページの続き (72)発明者 岩尾 敏之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 福井 禎明 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 ポリマＰＴＣを介して上、下面に互い違
いになるように設けられた第１、第２の電極層と、前記
第１、第２の電極層のポリマＰＴＣの対向する面に設け
られるとともに前記第１、第２の電極層と電気的に接続
する第１、第２の樹脂層貫通孔を備えた第１、第２の樹
脂層と、前記第１、第２の樹脂層の前記ポリマＰＴＣと
対向する面に設けられるとともに前記第１、第２の樹脂
層貫通孔を介して前記第１、第２の電極層と電気的に接
続する第１、第２の基板貫通孔を備えた第１、第２の基
板と、少なくとも前記第１、第２の基板の対向する側面
に設けられ前記第１、第２の樹脂層貫通孔および第１、
第２の基板貫通孔を介して前記第１、第２の電極層のど
ちらか一方と電気的に接続する側面電極層とからなるＰ
ＴＣサーミスタ。 - 【請求項２】 ポリマＰＴＣを介して上、下面に設けら
れた第１、第２の電極層と、前記第１、第２の電極層の
前記ポリマＰＴＣと対向する面に設けられた第１、第２
の樹脂層と、前記第１、第２の樹脂層の前記ポリマＰＴ
Ｃと対向する面に設けられた同一材料からなる第１、第
２の基板と、少なくとも前記第１、第２の基板の側面に
前記第１、第２の電極層と電気的に接続するように設け
られた側面電極層とからなるＰＴＣサーミスタ。 - 【請求項３】 第１、第２の電極層は、前記第１、第２
の電極層の端縁と側面電極とを電気的に接続するととも
に第１、第２の樹脂層貫通孔および第１、第２の基板貫
通孔を介して側面電極層と電気的に接続してなる請求項
１記載のＰＴＣサーミスタ。 - 【請求項４】 ポリマＰＴＣの上、下面の第１、第２の
電極層が形成されていない部分に第１、第２のダミー樹
脂層を設けてなる請求項１または２記載のＰＴＣサーミ
スタ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13642996A JP3820629B2 (ja) | 1996-05-30 | 1996-05-30 | Ｐｔｃサーミスタ |
| JP34984499A JP3820825B2 (ja) | 1996-05-30 | 1999-12-09 | Ｐｔｃサーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13642996A JP3820629B2 (ja) | 1996-05-30 | 1996-05-30 | Ｐｔｃサーミスタ |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34984499A Division JP3820825B2 (ja) | 1996-05-30 | 1999-12-09 | Ｐｔｃサーミスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09320808A true JPH09320808A (ja) | 1997-12-12 |
| JP3820629B2 JP3820629B2 (ja) | 2006-09-13 |
Family
ID=15174945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13642996A Expired - Lifetime JP3820629B2 (ja) | 1996-05-30 | 1996-05-30 | Ｐｔｃサーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3820629B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1168377A1 (en) * | 1999-03-08 | 2002-01-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ptc chip thermistor |
| JP2009533880A (ja) * | 2006-04-14 | 2009-09-17 | ブアンズ・インコーポレイテッド | 面実装が可能な導電性ポリマー電子デバイスとその製造方法 |
| JP2010024840A (ja) * | 2008-07-15 | 2010-02-04 | Nikki Co Ltd | Ｌｐｇ加熱装置 |
| WO2016061094A1 (en) * | 2014-10-14 | 2016-04-21 | Tyco Electronics Corporation | Method for manufacturing a surface mount device |
| US9646744B2 (en) | 2014-10-14 | 2017-05-09 | Littelfuse, Inc. | Method for manufacturing a surface mount device |
| US9659690B2 (en) | 2014-10-14 | 2017-05-23 | Littelfuse, Inc. | Method for manufacturing a surface mount device |
-
1996
- 1996-05-30 JP JP13642996A patent/JP3820629B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1168377A1 (en) * | 1999-03-08 | 2002-01-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ptc chip thermistor |
| EP1168377A4 (en) * | 1999-03-08 | 2005-03-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | PTK chip thermistor |
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| JP2013254971A (ja) * | 2006-04-14 | 2013-12-19 | Bourns Inc | 面実装が可能な導電性ポリマー電子デバイスとその製造方法 |
| JP2014140083A (ja) * | 2006-04-14 | 2014-07-31 | Bourns Inc | 面実装が可能な導電性ポリマーｐｔｃデバイスとその製造方法 |
| JP2010024840A (ja) * | 2008-07-15 | 2010-02-04 | Nikki Co Ltd | Ｌｐｇ加熱装置 |
| WO2016061094A1 (en) * | 2014-10-14 | 2016-04-21 | Tyco Electronics Corporation | Method for manufacturing a surface mount device |
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| US9659690B2 (en) | 2014-10-14 | 2017-05-23 | Littelfuse, Inc. | Method for manufacturing a surface mount device |
| CN107112098A (zh) * | 2014-10-14 | 2017-08-29 | 力特保险丝公司 | 用于制造表面贴装器件的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3820629B2 (ja) | 2006-09-13 |
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