JPS62108553A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS62108553A JPS62108553A JP60249467A JP24946785A JPS62108553A JP S62108553 A JPS62108553 A JP S62108553A JP 60249467 A JP60249467 A JP 60249467A JP 24946785 A JP24946785 A JP 24946785A JP S62108553 A JPS62108553 A JP S62108553A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置に関し、特に外部から半
導体装置内に侵入するイオン性不純物および半導体装置
中に含まれているイオン性不純物を集積する樹脂封止型
半導装置に関する。
導体装置内に侵入するイオン性不純物および半導体装置
中に含まれているイオン性不純物を集積する樹脂封止型
半導装置に関する。
従来、この種の樹脂封止型半導体装置は、半導体素子の
チップおよびリードフレームをシリコン樹脂等によって
封止するようになっているが、封止樹脂中に含まれる塩
素イオン（以下Ｃｆ）やナトリウムイオン（以下Ｎ ａ
” ）等のイオン性不純物の作用で、半導体素子の配線
を腐食させ断線を引き起こすことがしばしばあった。半
導体素子の配線材料はアルミニウム（以下ＡＩ）がほと
んどであるため、これを防止することは不可能であった
。
チップおよびリードフレームをシリコン樹脂等によって
封止するようになっているが、封止樹脂中に含まれる塩
素イオン（以下Ｃｆ）やナトリウムイオン（以下Ｎ ａ
” ）等のイオン性不純物の作用で、半導体素子の配線
を腐食させ断線を引き起こすことがしばしばあった。半
導体素子の配線材料はアルミニウム（以下ＡＩ）がほと
んどであるため、これを防止することは不可能であった
。
従来、この断線の防止策としては、第１に封止樹脂中に
含まれるＣ１．Ｎａを協力除去した封止樹脂の使用や、
リードフレームの表面に吸着しているＣｆ、Ｎａ＋を洗
浄により極力取り除いた状態で使用する方法が取られて
いた。
含まれるＣ１．Ｎａを協力除去した封止樹脂の使用や、
リードフレームの表面に吸着しているＣｆ、Ｎａ＋を洗
浄により極力取り除いた状態で使用する方法が取られて
いた。
第２に封止樹脂とリードフレームの界面を径で水分とと
もに半導体装置内に侵入するＣ１−、Ｎａ”については
、封止樹脂とリードフレームの密着性を向上させるため
のリードフレームの表面処理の改良やリードフレームと
密着性のよい封止樹脂の開発が行われたり、また侵入径
路を小さくする方法として樹脂封止領域内の内部リード
に穴をあけたり、あるいは内部リードを細くしたり、屈
曲させたりするなど、さまざまな工夫がなされてきた。
もに半導体装置内に侵入するＣ１−、Ｎａ”については
、封止樹脂とリードフレームの密着性を向上させるため
のリードフレームの表面処理の改良やリードフレームと
密着性のよい封止樹脂の開発が行われたり、また侵入径
路を小さくする方法として樹脂封止領域内の内部リード
に穴をあけたり、あるいは内部リードを細くしたり、屈
曲させたりするなど、さまざまな工夫がなされてきた。
第３に半導体素子側の工夫としては、ＡＩの配線上に耐
蝕性に優れたシリコン酸化膜（以下８ｉ０２）やシリコ
ン窒化膜（以下８ｉ３Ｎ４）を成長させ、断線を防止し
ていたが、半導体素子の電極（以下ポンディングパッド
）として使用するＡＩについては、細線でリードフレー
ムと結線しなければならないので８ｉ０１や８ｉｓＮａ
の絶縁物でカバーすることが不可能であり、この問題を
避けることができなかった。
蝕性に優れたシリコン酸化膜（以下８ｉ０２）やシリコ
ン窒化膜（以下８ｉ３Ｎ４）を成長させ、断線を防止し
ていたが、半導体素子の電極（以下ポンディングパッド
）として使用するＡＩについては、細線でリードフレー
ムと結線しなければならないので８ｉ０１や８ｉｓＮａ
の絶縁物でカバーすることが不可能であり、この問題を
避けることができなかった。
上述した従来の樹脂封止型半導体装置は、以下のような
理由によって、完全には半導体素子の腐蝕・断線を防止
することができないという欠点がある。
理由によって、完全には半導体素子の腐蝕・断線を防止
することができないという欠点がある。
第１の封止樹脂中に含まれているＣ１．Ｎａを除去する
方法では、除去する量が高嵩数１０ ｐｐｍで限度があ
る。また樹脂の一般特性として水分を吸収しやすいので
、水分と共にＣｌ−、Ｎａ＋が侵入したり封止樹脂とリ
ードフレームの界面を伝わって侵入するため十分な効果
を得ることが困難である。第２の方法であるリードフレ
ームの表面処理の改良やリードフレームとの密着性のよ
い封止樹脂の一発および界面からの侵入径路を小さくす
るためのリードフレームの改良設計においても、侵入時
間を遅延させるという効果はあるものの十分な結果には
至らない。第３の方法である耐蝕性に優れたＳ ｉＯｚ
や８ｉａＮ４を成長させた半導体素子においても、ポン
ディングパッド部の腐蝕を避けることができなかった。
方法では、除去する量が高嵩数１０ ｐｐｍで限度があ
る。また樹脂の一般特性として水分を吸収しやすいので
、水分と共にＣｌ−、Ｎａ＋が侵入したり封止樹脂とリ
ードフレームの界面を伝わって侵入するため十分な効果
を得ることが困難である。第２の方法であるリードフレ
ームの表面処理の改良やリードフレームとの密着性のよ
い封止樹脂の一発および界面からの侵入径路を小さくす
るためのリードフレームの改良設計においても、侵入時
間を遅延させるという効果はあるものの十分な結果には
至らない。第３の方法である耐蝕性に優れたＳ ｉＯｚ
や８ｉａＮ４を成長させた半導体素子においても、ポン
ディングパッド部の腐蝕を避けることができなかった。
特にこのような半導体素子のＡＩ配線の腐蝕は、半田付
けのフラックス中に含まれるＣ１．Ｎａ等の影響が大き
く、プレッシャークツカー等の信頼性試験でＡＪ配線の
腐蝕による断線が発生しやすいという欠点もある。
けのフラックス中に含まれるＣ１．Ｎａ等の影響が大き
く、プレッシャークツカー等の信頼性試験でＡＪ配線の
腐蝕による断線が発生しやすいという欠点もある。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体素子を樹脂に
より封止し、前記半導体素子の直上の封止領域内にあい
対して設けられ一方にはプラスの電圧を他方にはマイナ
スの電圧をそれぞれ印加することによって電界を生じ前
記樹脂中のイオン性不純物を集積する２個の電極板を備
えている。
より封止し、前記半導体素子の直上の封止領域内にあい
対して設けられ一方にはプラスの電圧を他方にはマイナ
スの電圧をそれぞれ印加することによって電界を生じ前
記樹脂中のイオン性不純物を集積する２個の電極板を備
えている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図および第２図は本発明の一実施例の内部拡大斜視
図および外観図である。
図および外観図である。
本実施例はＣ１−やＮａ＋等のイオン性不純物を集積す
る電極板１および２．半導体素子３．リードフレーム４
を有し樹脂８により封止される。電極板ｌおよび２は半
導体素子３の直上の封止領域内に設置され、一方の電極
板ｌにプラスの電圧を、他方の電極板２にマイナスの電
圧をそれぞれ印加したときに半導体素子３の周囲に電界
が得られるように、相互にあい対して組合わされるよう
なフォーク状の形状をなしている。
る電極板１および２．半導体素子３．リードフレーム４
を有し樹脂８により封止される。電極板ｌおよび２は半
導体素子３の直上の封止領域内に設置され、一方の電極
板ｌにプラスの電圧を、他方の電極板２にマイナスの電
圧をそれぞれ印加したときに半導体素子３の周囲に電界
が得られるように、相互にあい対して組合わされるよう
なフォーク状の形状をなしている。
このような形状の電極板ｌおよび２は、リードフレーム
４の半導体素子搭載部４１に半導体素子３を搭載して接
着した後あるいは次工程におけるポンディングパッド５
と内部リード４２を細線６で結線した後に、例えばリー
ドフレーム４のつりピン４３に電極板端子１１および２
１を接着剤７で接着することにより、リードフレーム４
に固定される。その後、樹脂８により樹脂封止され、外
部リード４４から不要部４５を除去して所定の形状に成
形し、表面処理が行われる。
４の半導体素子搭載部４１に半導体素子３を搭載して接
着した後あるいは次工程におけるポンディングパッド５
と内部リード４２を細線６で結線した後に、例えばリー
ドフレーム４のつりピン４３に電極板端子１１および２
１を接着剤７で接着することにより、リードフレーム４
に固定される。その後、樹脂８により樹脂封止され、外
部リード４４から不要部４５を除去して所定の形状に成
形し、表面処理が行われる。
以上のように構成した本実施例において、電極板１に電
極板端子１１からプラスの電圧を、また電極板２に電極
板端子２１からマイナスの電圧をそれぞれ印加して電界
を設ける。この電界により。
極板端子１１からプラスの電圧を、また電極板２に電極
板端子２１からマイナスの電圧をそれぞれ印加して電界
を設ける。この電界により。
Ｃ１−等のマイナス電荷をもったイオンはプラスの電圧
をもった電極板ｌに集積し、またＮａ等のプラス電荷を
もったイオンはマイナスの電圧をもった！Ｍ板２に集積
する。このため、半導体素子表面３１にはイオン性不純
物が到達しにくくなる。
をもった電極板ｌに集積し、またＮａ等のプラス電荷を
もったイオンはマイナスの電圧をもった！Ｍ板２に集積
する。このため、半導体素子表面３１にはイオン性不純
物が到達しにくくなる。
従って、半導体素子３の腐蝕による劣化および配線の断
線を防止することができる。
線を防止することができる。
なお本実施例においては、電極板ｌおよび２の形状とし
てフォーク状のものを例示したが、これに限らず半導体
素子表面を覆うものであれば他の形状のものでも同様な
効果を発揮する。またＳｉ３Ｎ４等によりカバーをした
半導体素子の場合には、ポンディングパッドの上方のみ
に電極板を設けることにより、上述したと同様な効果が
期待できる。
てフォーク状のものを例示したが、これに限らず半導体
素子表面を覆うものであれば他の形状のものでも同様な
効果を発揮する。またＳｉ３Ｎ４等によりカバーをした
半導体素子の場合には、ポンディングパッドの上方のみ
に電極板を設けることにより、上述したと同様な効果が
期待できる。
以上説明したよりに本発明は、半導体素子の直上に電極
板を２個設け、一方にはプラスの電圧、他方にはマイナ
スの電圧を印加して電界を生じさせ、封止樹脂中のイオ
ン性不純物や外部から水分とともに侵入したイオン性不
純物を集積することにより、イオン性不純物が半導体素
子表面に到達するのを阻止できるため、半導体素子のＡ
Ｉ配線の腐蝕による断線および劣化を防止できる効果が
ある。
板を２個設け、一方にはプラスの電圧、他方にはマイナ
スの電圧を印加して電界を生じさせ、封止樹脂中のイオ
ン性不純物や外部から水分とともに侵入したイオン性不
純物を集積することにより、イオン性不純物が半導体素
子表面に到達するのを阻止できるため、半導体素子のＡ
Ｉ配線の腐蝕による断線および劣化を防止できる効果が
ある。
第１図および第２図は本発明の一実施例の内部拡大ｆｐ
＋視図および外観図である。 １．２・・・・・・電極板、３・・・・・・半導体素子
、４・・・・・・リードフレーム、５・・・・・・ポン
ディングパッド、６・・・・・・細線、７・・・・・・
接着剤、８・・・・・・樹脂、１１．２１・・・・・・
電極板端子、３１・・・・・・半導体素子表面、４１・
・・・・・半導体素子搭載部、４２・・・・・・内部リ
ード、４３・・・・・・つりビン、４４・・・・・・外
部リード、４５・・・・・・不要部。 ２１電極抜壇チ
＋視図および外観図である。 １．２・・・・・・電極板、３・・・・・・半導体素子
、４・・・・・・リードフレーム、５・・・・・・ポン
ディングパッド、６・・・・・・細線、７・・・・・・
接着剤、８・・・・・・樹脂、１１．２１・・・・・・
電極板端子、３１・・・・・・半導体素子表面、４１・
・・・・・半導体素子搭載部、４２・・・・・・内部リ
ード、４３・・・・・・つりビン、４４・・・・・・外
部リード、４５・・・・・・不要部。 ２１電極抜壇チ
Claims (1)
- 半導体素子を樹脂により封止した樹脂封止型半導体装置
において、前記半導体素子の直上の封止領域内にあい対
して設けられ一方にはプラスの電圧を他方にはマイナス
の電圧をそれぞれ印加することによって電界を生じ前記
樹脂中のイオン性不純物を集積する２個の電極板を備え
ることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60249467A JPS62108553A (ja) | 1985-11-06 | 1985-11-06 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60249467A JPS62108553A (ja) | 1985-11-06 | 1985-11-06 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62108553A true JPS62108553A (ja) | 1987-05-19 |
Family
ID=17193388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60249467A Pending JPS62108553A (ja) | 1985-11-06 | 1985-11-06 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62108553A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5589709A (en) * | 1992-12-03 | 1996-12-31 | Linear Technology Inc. | Lead frame capacitor and capacitively-coupled isolator circuit using same |
| US5942794A (en) * | 1996-10-22 | 1999-08-24 | Matsushita Electronics Corporation | Plastic encapsulated semiconductor device and method of manufacturing the same |
-
1985
- 1985-11-06 JP JP60249467A patent/JPS62108553A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5589709A (en) * | 1992-12-03 | 1996-12-31 | Linear Technology Inc. | Lead frame capacitor and capacitively-coupled isolator circuit using same |
| US5650357A (en) * | 1992-12-03 | 1997-07-22 | Linear Technology Corporation | Process for manufacturing a lead frame capacitor and capacitively-coupled isolator circuit using same |
| US5926358A (en) * | 1992-12-03 | 1999-07-20 | Linear Technology Corporation | Lead frame capacitor and capacitively-coupled isolator circuit using same |
| US5942794A (en) * | 1996-10-22 | 1999-08-24 | Matsushita Electronics Corporation | Plastic encapsulated semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US6130115A (en) * | 1996-10-22 | 2000-10-10 | Matsushita Electronics Corporation | Plastic encapsulated semiconductor device and method of manufacturing the same |
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