JPH04144161A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPH04144161A JPH04144161A JP26908290A JP26908290A JPH04144161A JP H04144161 A JPH04144161 A JP H04144161A JP 26908290 A JP26908290 A JP 26908290A JP 26908290 A JP26908290 A JP 26908290A JP H04144161 A JPH04144161 A JP H04144161A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野]
この発明は、リードフレームを用いて組み立てられる半
導体集積回路装置に関するものである。
導体集積回路装置に関するものである。
[従来の技術]
第3図はこの種の従来の半導体集積回路装置を示す図で
ある。同図において、1は集積回路、2はこの集積回路
1が装着されるアイランド部、3は前記集積回路1のパ
ッド部と導電性のワイヤ4で接続されるリードフレーム
のインナリード部、5は前記集積回路1のリードフレー
ムのアイランド部2.ワイヤ4およびリードフレームの
インナリード部3を封止するパッケージ部、6はリード
フレームのアウタリード部である。
ある。同図において、1は集積回路、2はこの集積回路
1が装着されるアイランド部、3は前記集積回路1のパ
ッド部と導電性のワイヤ4で接続されるリードフレーム
のインナリード部、5は前記集積回路1のリードフレー
ムのアイランド部2.ワイヤ4およびリードフレームの
インナリード部3を封止するパッケージ部、6はリード
フレームのアウタリード部である。
次に、上記構成による半導体集積回路装置の作用につい
て説明する。集積回路1はリードフレームのアイランド
部2に接着され、集積回路1のパッド部とインナリード
部3間を導電性のワイヤ4で接続した後に樹脂等により
封止される。そして、集積回路1の電気的信号は集積回
路1のパッド部からワイヤ4とリードフレームのインナ
リード部3およびアウタリード部6により電気的に接続
されており、半導体集積回路装置の電気的信号端子とな
る。
て説明する。集積回路1はリードフレームのアイランド
部2に接着され、集積回路1のパッド部とインナリード
部3間を導電性のワイヤ4で接続した後に樹脂等により
封止される。そして、集積回路1の電気的信号は集積回
路1のパッド部からワイヤ4とリードフレームのインナ
リード部3およびアウタリード部6により電気的に接続
されており、半導体集積回路装置の電気的信号端子とな
る。
[発明が解決しようとする課題]
従来の半導体集積回路装置は、以上のように構成されて
いるので、現存する複数の集積回路1を1つのパッケー
ジ内に封止するには、混成集積回路の技術を用いるか、
もしくはスーパインテグレ−ジョン方式等を用い、複数
の集積回路1の機能を1つの集積回路に納めるよう再設
計する必要があった。
いるので、現存する複数の集積回路1を1つのパッケー
ジ内に封止するには、混成集積回路の技術を用いるか、
もしくはスーパインテグレ−ジョン方式等を用い、複数
の集積回路1の機能を1つの集積回路に納めるよう再設
計する必要があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、現存する集積回路を組み合わせてパッケー
ジした半導体集積回路装置を得ることを目的とする。
れたもので、現存する集積回路を組み合わせてパッケー
ジした半導体集積回路装置を得ることを目的とする。
[課題を解決するための手段]
この発明に係る半導体集積回路装置は、アイランド部の
互いに絶縁された相異なる面に、それぞれ集積回路を接
着したものである。
互いに絶縁された相異なる面に、それぞれ集積回路を接
着したものである。
[作用1
この発明においては、リードフレームのアイランド部の
相異なる面に集積回路を接着したことから、複数の集積
回路を単一の集積回路装置に封止できる。
相異なる面に集積回路を接着したことから、複数の集積
回路を単一の集積回路装置に封止できる。
[実施例]
以下、この発明の一実施例を図面について説明する。
第1図はこの発明の半導体集積回路装置の一実施例を示
す図である。この図において、11は第1の集積回路、
12は第2の集積回路、13はこれら第1.第2の集積
回路11.12が相異なる面13a、13bにそれぞれ
接着されたリードフレームのアイランド部、14.15
は前記第1゜第2の集積回路11.12のパッド部と導
電性のワイヤ16でそれぞれ接続されるリードフレーム
のインナリード部で、アウタリード部18を共有してお
り、インナリード部14.15はこのアウタリード部1
8より分岐された構成をなしている。17は前記第1.
第2の集積回路11゜12とリードフレームのアイラン
ド部13とワイヤ16およびリードフレームのインナリ
ード部14.15を樹脂封止したパッケージ、18はリ
ードフレームのアウタリード部である。
す図である。この図において、11は第1の集積回路、
12は第2の集積回路、13はこれら第1.第2の集積
回路11.12が相異なる面13a、13bにそれぞれ
接着されたリードフレームのアイランド部、14.15
は前記第1゜第2の集積回路11.12のパッド部と導
電性のワイヤ16でそれぞれ接続されるリードフレーム
のインナリード部で、アウタリード部18を共有してお
り、インナリード部14.15はこのアウタリード部1
8より分岐された構成をなしている。17は前記第1.
第2の集積回路11゜12とリードフレームのアイラン
ド部13とワイヤ16およびリードフレームのインナリ
ード部14.15を樹脂封止したパッケージ、18はリ
ードフレームのアウタリード部である。
第2図はリードフレームのアイランド部13の詳細図で
、第1の集積回路11と第2の集積回路12の裏面電位
が異なる場合の電位を補正するために、絶縁体21をは
さみ、導電体22.23を設けた例である。
、第1の集積回路11と第2の集積回路12の裏面電位
が異なる場合の電位を補正するために、絶縁体21をは
さみ、導電体22.23を設けた例である。
この実施例では、リードフレームのアイランド部13の
相異なる面13a、13bのうち、面13aに第1の集
積回路11を接着し、面13bに第2の集積回路12を
接着している。
相異なる面13a、13bのうち、面13aに第1の集
積回路11を接着し、面13bに第2の集積回路12を
接着している。
ここで、リードフレームのインナリード部14.15の
うち、第1の集積回路11に接続されるインナリード部
14は、第1の集積回路11の方向に曲げ、第2の集積
回路12に接続されるインナリード部15は第2の集積
回路12の方向に曲げ、各々のインナリード部14.1
5はアイランド面よりインナリード部14.15のボン
ディング面がワイヤリング方向に対し高くなるような段
差を持たせ、各々の集積回路11.12との接続を容易
にしている。
うち、第1の集積回路11に接続されるインナリード部
14は、第1の集積回路11の方向に曲げ、第2の集積
回路12に接続されるインナリード部15は第2の集積
回路12の方向に曲げ、各々のインナリード部14.1
5はアイランド面よりインナリード部14.15のボン
ディング面がワイヤリング方向に対し高くなるような段
差を持たせ、各々の集積回路11.12との接続を容易
にしている。
なお、上記実施例では、リードフレームのアウタリード
部18は第1の集積回路11と第2の集積回路12とも
揃った形状を示しているが、アウタリード部18は不揃
でもよい。
部18は第1の集積回路11と第2の集積回路12とも
揃った形状を示しているが、アウタリード部18は不揃
でもよい。
〔発明の効果]
以上説明したように、この発明は、アイランド部の互い
に絶縁された相異なる面に、それぞれ集積回路を接着し
たので、高集積化がはかれるとともに、生産性が向上し
、かつ装置が安価に得られる効果がある。
に絶縁された相異なる面に、それぞれ集積回路を接着し
たので、高集積化がはかれるとともに、生産性が向上し
、かつ装置が安価に得られる効果がある。
第1図はこの発明の一実施例による半導体集積回路装置
の断面図、第2図はアイランド部の詳細を示す斜視図、
第3図は従来の半導体集積回路装置の断面図である。 図において、11は第1の集積回路、12は第2の集積
回路、13はアイランド部、13a。 13bはアイランド部の相異なる面、−14,15はイ
ンナリード部、16はワイヤ、17はパッケージ、18
はリードフレームのアウタリード部である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 (外2名)第 図 第 図
の断面図、第2図はアイランド部の詳細を示す斜視図、
第3図は従来の半導体集積回路装置の断面図である。 図において、11は第1の集積回路、12は第2の集積
回路、13はアイランド部、13a。 13bはアイランド部の相異なる面、−14,15はイ
ンナリード部、16はワイヤ、17はパッケージ、18
はリードフレームのアウタリード部である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 (外2名)第 図 第 図
Claims (1)
- リードフレームのインナリード部と、アイランド部に
装着された集積回路のパッド部とがワイヤにより接続さ
れ、前記リードフレームのアウタリード部以外を樹脂封
止した半導体集積回路装置において、前記アイランド部
の互いに絶縁された相異なる面に、それぞれ集積回路を
接着したことを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26908290A JPH04144161A (ja) | 1990-10-04 | 1990-10-04 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26908290A JPH04144161A (ja) | 1990-10-04 | 1990-10-04 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04144161A true JPH04144161A (ja) | 1992-05-18 |
Family
ID=17467421
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26908290A Pending JPH04144161A (ja) | 1990-10-04 | 1990-10-04 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04144161A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5495125A (en) * | 1993-11-19 | 1996-02-27 | Nec Corporation | Molded semiconductor device |
US5530281A (en) * | 1994-12-21 | 1996-06-25 | Vlsi Technology, Inc. | Wirebond lead system with improved wire separation |
-
1990
- 1990-10-04 JP JP26908290A patent/JPH04144161A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5495125A (en) * | 1993-11-19 | 1996-02-27 | Nec Corporation | Molded semiconductor device |
US5530281A (en) * | 1994-12-21 | 1996-06-25 | Vlsi Technology, Inc. | Wirebond lead system with improved wire separation |
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