JPS62106665A - 集積回路装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ、産業上の利用分野 この発明は、選択的エピタキシャル成長を利用し、装置
間の分離（アイソレーション）帯を、個別の形成ステッ
プとしてでなく、工程の一体化部分として形成する、新
規の半導体装置の製法に関するものである。この方法の
特徴の１つは、得られる構造の少くとも１つの能動エレ
メントが、分離層より前に形成され、選択的エピタキシ
ャル成長領域の内外両側に存在しうることである。

Ｂ、従来技術及び発明が解決しようとする問題点装置間
の分離（アイソレーション）は集積回路の製造において
重点な態様である。これは、寄生キャパシタンス等の現
象の発生を防止するのに啄めて重要なためである。これ
までに、分離のため各種の方法が用いられて来た。米国
特許第４３５７６２２号明細書では、−１目補型ＮＰＮ
／ＰＮＰ構造で、トランジスタ周囲に分離領域を設ける
ため、埋設酸化物分離（ＲＯＩ　）技術が用いられてい
る。

しかし、この方法では、コンパクトな構造を達成するの
が困難である。

他の方法では、単結晶Ｓｉ基板中に、分離トレンチがエ
ツチングされ、酸化物で被覆される。この例では、酸化
物層の形成は別工程で行われる。

さらに、トレンチは装置の能動エレメントを構成せず、
装置の能動エレメントはトレンチ内に形成されない。む
しろ、トレンチ自身および充填する酸化物が、装置間の
分離を行う。その結果、基板−ヒのかなりの空間が無、
駄になる。

その方法の１例は、Ｌ　Ａｎｔｉｐｏｖ、　Ｃ，Ｇ、Ｊ
ａｍｂｏｔｋａｒ。

“ポスト・エミッタ多結晶シリコンによるトレンチの分
離（Ｐｏ５ｔ　Ｅｍｉｔｔｅｒ　Ｐｏ１ｙｓｉｌｉｃｏ
ｎ　ＴｒｅｎｃｈＩｓｏｌａｔｉｏｎ　）　”アイ・ビ
ー・エム・テクニカル・ディスクロジャ・ブレティン（
Ｉ　Ｂ　Ｍ　　ＴｅｃｈｎｉｃａｌＤｉｓｃｌｏｓｕｒ
ｅ　Ｂｕｌｌｅｔｉｎ　）、　　１９８２年７月、ｐｐ
５８８−５８９に記載されている。その開示によれば、
トレンチは酸化物およびζソ化物でライニングされ、多
結晶シリコンで再充填される。この結果極めて深い構造
が得られ、これは、基板上の隣接する装置間に溝方向に
電荷が流れるのを防止するのに必要である。米国特許第
４１５９９１５号明細書にも、この方法が例示されてい
る。上記特許では、アレイ中の個々のトランジスタの周
囲に、深い分離領域が形成される。この場合も深い構造
が形成され、構造全体として、基板上にかなりの空間を
占める。

他に、装置量分Ｖｌの適切な方法として、酸化物ライニ
ング、またはＲＯＩ乞行わない、トレンチ分離のみの方
法があるが、この方法は実施が困・＋’ｊｅである。

選択的エピタキシャル成長は、装置の能動エレメントが
酸化物層のエツチングされた領域内に形成され、周囲の
酸化物が必要な分離を行うものであり、従来から使用さ
れている。この技術を、基板上の利用できる面積をあま
りとらない垂直トランジスタ構造、および対称トランジ
スタ構造に適用しようという努力が行われている。

選択的エピタキシャル成長を利用せずに、かかる構造を
形成しようとする試みは、Ｒｅｉｓｍａｎ等、“対称ト
ランジスタ構造の製法（Ｍｅｔｈｏｄ　ｆｏｒＭａｋｉ
ｎｇ　Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃａｌ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ
　５ｔｒｕｃｔｕｒｅｓ　）　、アイ・ビー・エム・テ
クニカル・ディスクロジャ・ブレティン（Ｉ　ＢＭ　　
Ｔｅｃｈｉｃａｌ　Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｅ　Ｂｕｌｌｅ
ｔｉｎ）、１９８２年１２月、ｐ１１１３３５７−３３
＜Ｓ３、および米国特許第４２１４３１５号明細書（垂
直トランジスタ構造（Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ｔｒａｎｓｉ
ｓｔｏｒ　５ｔｒｕｃｔｕｒｅｓ　）　）に記載されて
いる。上記の特許では、個々のトランジスタを取囲む深
い分離領域が、別工程で形成される。

これまで、選択的エピタキシャル成長は、酸化物層のエ
ツチングされた領域内に、サブコレクタ２含む装置の能
動エレメントすべてを形成するのに利用されて℃・た。

米国特許第４４００４１１号明細書にそのような構造が
開示されている。しかしこの方法でサブコレクタを選択
的にエピタキシャル成長させた場合、オートドーピング
その他の問題が発生する。

したがって、この発明の目的は、酸化物層のエツチング
された領域内に、選択的エピタキシャル成長により、集
積回路装置の能動エレメントのすべてを形成することに
より生ずる従来技術における問題を回避することにある
。この発明の他の目的は、装置間の分離（アイソレーシ
ョン）が本質的に形成されるトランジスタ・アレイを製
作する方法を提供することにある。

さらにこの発明の目的は、装置間分離帯を内蔵する対称
トランジスタ構造を提供することにある。

さらに、この発明の他の目的は、従来よりコンパクトな
トランジスタ・アレイを提供することにある。この発明
の他の目的は、装置接合部が同寸法であるバイポーラ装
置の垂直自己整合構造を提供することにある。この発明
の他の目的は、バイポーラ・トランジスタ・アレイ中に
、改良されたベース接点構造を提供することにある。

これらの目的に従って、装置間分離が本質的に形成され
、各装置のエピタキシャル成長領域の外側に、少くとも
１つの能動エレメントが形成される集積回路装置を形成
する方法について説明する。

コノ方法はＣＭＯ３，相補型ＮＰＮ／ＰＮＰ構造、およ
びバイポーラ・トランジスタ構造の形式に適用すること
が可能で、特に同寸法のバイポーラ装置接合部を得て、
これにより装置の性能を強化するのに有利である。

この方法を反復すると、アレイ中に複数の対称的なトラ
ンジスタ構造を得ることができる。さらに、装置のエレ
メントが垂直に自己整合され、装置の接合部が同寸法で
、しかも従来可能であったものよりコンパクトに分離さ
れた対称トランジスタ構造のニレメントラ有するアレイ
について開示する。

Ｄ、実施例 第１（ａ）図−第１（ｊ）図は、この発明による第１の
種類の構造を形成する工程段階を示す。第１（ａ）図で
、単結晶シリコン基板１０は、５×１０〜２×１０２０
／ｃｍ３の範囲でｎ十型にドーピングした下部１２と、
形成する装置の種類に応じてドーピングした上部１４を
有する。たとえば、ｎチャネルのＭＯ８構造を形成する
には、部分１４ば、１０１４〜６×１０１６／Ｃｍ３の
濃度にｐ型にドーピングする。ＮＰＮバイポーラ構造が
望ましい場合は部分１４は、希望の装置の性質に応じて
特定濃度（たとえば１０１５〜５×１０１０１６Ｃの範
囲）のｎ゛−型にドーピングする。また、上部は、下部
１２かも分離したエピタキシャル層として形成すること
ができる。下部１２は、形成する装置のサブコレクタ領
域を形成する。さらに、下部１２ば、これよりも感度の
高いＳｉ構造中に埋設したサブコレクタであってもよい
。

この時点で、この明細書全体を通じて、ドーピング剤の
濃度の好ましい範囲を示しであることに注目されたい。

さらに、広範囲のドーピング技術の知識を有する技術者
が、示された濃度範囲を用いて、不必要な実験なせずに
適切な技術を使用することができる。

厚み２００　ｎｍないし２μの酸化物層２０乞従来の方
法で上部１４上に成長させる。エミッタ酸化物開口部３
０も周知の方法を用いて異方的に形成させる。第２図に
示すように、複数の装置を製作する場合は、複数の開口
部を形成させる。これらの開口部は、形成される垂直ト
ランジスタ構造の自己整合を確実にするため、後に行わ
れる反応性イオン・エツチング（ＲＩＥ）工程で使用さ
れる。

第１（ｂ）図は、上部１４をプラズマまたは湿式エツチ
ングで、いずれの場合も好ましくは等方性エツチングに
より、下部１２までエツチングして形成した谷（フレバ
ス）４０を示す。この谷４０は、第１（ｃ）図−第１（
Ｊ）図には示されていないが、潤５１（ｂ）図に示すよ
うに、サブコレクタ領域１２まで伸ばすことができる。

一般に、谷４０は第１（ｂ）図−第１（ｊ）図および第
２図に示すような形状、すなわち平坦な下面７有する台
形であることが好ましい。

プラズマ・エツチングを用いた場合、谷４０の側面は曲
面であってもよい。長方形の谷をエツチングしてもよい
。

サブコレクタ領域１２に構造全体に拡散させた装置を谷
４０内に、下記に述べる方法で形成する。

谷４０は能動装置領域を構成する。この領域の大きさは
、穴３０の幅、形成するベースの大きさ、およびその中
のエピタキシャル成長の大きさによって変えることがで
きる。実際に、望ましいベースの幅は、エピタキシャル
成長の大きさが選択したベースの幅によって決まるため
に、全体を決定する要素となる。

第１（ｃ）図で、熱形成５ｉ０２等の酸化物層を谷４０
の内面に成長させる。望ましい厚みは、装置の望ましい
動作特性および必要とする分ド准の程度に応じて、２０
ないし３００　ｎｍとすることができる。酸化物層は極
めて薄いものでよ（、これにより従来可能であった構造
よりコンパクトにすることができる。また、２層以上を
成長させることも可能で、追加する層は窒化物（酸化物
・＜＜化物の、組合わせを形成）または他の適当な絶縁
体とする。

これらの層は寄生キャパシタンスを防止する効果がある
。

次に、第１（ｄ）図に示すように、酸化物層５０に、酸
化物上層２０に形成したエミッタ開口部を通してＲＩＥ
を行い、酸化物層５０中に異方的に自己整合コレクタ・
ホール６０を開口させる。このようにして、サブコレク
タ領域１２は、装置全体の他の能動エレメントに接触す
る。この方法で形成したコレクタ・ホール６０は、エミ
ッタ開口部６０と同じ大きさでなげればならない。

ＲＩＥ工程後に、選択性エピタキシャル技術を用いて谷
（フレバス）４０を再充填する。第１（ｅ）図に示すよ
うに、コレクタ・ホール６０を開口させた後、サブコレ
クタ材料１２？：谷４０中に膨張さ・）七ることにより
、コレクタ７０化サブコレクタ１２かも拡散させる。こ
の時点で、コレクタ７０の不鈍物濃度を増大させるため
に、平坦化拡散またはイオン注入を行うことができる。

これが必要な場合は、選択的エピタキシャル成長の前に
行うことが好ましい。

最後に、谷内でｐ型シリコン８０を成長させて、装置の
ベースを形成させる。第１（ｆ）図で、濃度が５×１０
〜２×１０７０ｍ　のｎ十型エミッタ９０乞拡散ま７′
こはイオン注入により、ｐ型エピタキシャル構造８０内
に形成させる。

装置全体で、コレクタとベース、ベースとエミッタの接
合部間のベース領域の幅は、これも望ましい装置の特性
により、Ｄ、１〜０．５１Ｌとすることができる。これ
までに述べた工程では、自己整合構造のほかに、装置の
製作に重要な、面積の等しい上記の接合部が得られる。

これらの接合部の面積はそれぞれ等しい寸法のエミッタ
開口部およびコレクタ開口部により画定される。

また、谷４０内のｐ型エピタキシャル材料８０は一工程
段階で選択的エピタキシャル成長させることができるこ
と、エピタキシャル成長工程中に、コレクタがサブコレ
クタの拡散膨張により同時に形成されることに注目され
たい。代りに、イオン注入、拡散等、適当な方法を用い
て、コレクタ、ベースおよびエミッタを別々の工程段階
で成長させることができる。

第１（ｇ）図は、装置のｎ十型サブコレクタ・リーチス
ルー１００の形成を示す。このリーチスルーは、装置全
体の接触構造の残りの部分と同じ主表面上の接触を容易
にするために、サブコレクタ領域１２と同じ濃度とする
。これについては以下に詳述する。

１−Ｖｌ（ｈ）図−第１（ｊ）図は、この発明の装置お
よび形成方法を可能にする代りのベース接触構造を示す
。皿状形状の谷４０のため、ウェーハ表面上にベース接
点を形成することが可能で、これにより、これまでの場
合のような埋設接点の代りに、装置の、アレイ中の他の
能動エレメントへの接続を可能にする。

３ｇ　１　（ｈ、）図で、酸化物層２０？：通して外部
のベース接点１７４を形成する。また、エミッタ接点１
７２を、サブコレクタ・リーチスルー１００の接点１７
６と共に形成する。

代りに、第１（ｉ）図で、重複接点１８２が領域８Ｑｆ
、）、初期に酸化物層２０の下および基板１０の上部１
４中に拡散またはイオン注入により成長させたｐ十型の
領域１８４と接続する。接点１７２．１７４．１７６お
よび１８２に、多結晶シリコン、ポリサイド、ケイ酸化
金属等の材料を使用することができる。このように、隣
接する装置のベースは、外部からでな（、装置坑内で結
合することができる。

＞ｎ　１　（ｊ）図は、接点材料として多結晶シリコン
、ポリサイド、またはケイ酸化金属１９２を使用した重
複接点構造を示す。材料１°９２を酸化物１？＃　２０
の上に成長させ、ベース領域８０に接触する。

第１（ｊ）図に示した構造はバイポーラ構造であるが、
上記の技術はＣＭＯＳまたは相補型Ｎ１）Ｎ−ＰＮＰト
ランジスタ・アレイの形成にも同様に適用可能である。

任意の０ＭＯ８構成のアレイを第２図に示す。

ｎ十型のＳｉブランケット・サブコレクタ２０２上にｐ
型のＳｉ皮膜をエピタキシャル成長させ、これにより工
程が終了した後、２ＭＯ８装置中に装置’（領域を形成
させる上記の選択的エピタキシャル工程（第１（ａ）図
−第１（ｅ）図）？：用いて、複数のｎ型領域２０８’
ｉ形成させる。元のｐ型エビタキシャル層の残存するｐ
型領域が、ＮＭＯ８装置を製作するのに用いられる。そ
の後、元の厚い酸化物層のオーバーレイ（第１（ａ）図
の酸化物層）が除去される。次にウェーハを洗滌した後
、従来の方法を使用して、それぞれ適当な領域にＰＭＯ
８およびＮＭＯ３を製作し、６Ｍ０８回路を形成させる
。ゲート接点２９０．２９２、および接点２８４．２８
６．２９４．２９６の形成も、周知の方法７用いて行う
。第２図の最左端に示す追加のｐ＋型領領域２４０成長
させてＣＭＯ８構造を形成させることもできる。

第２図の各領域における不純物の好まし還・濃度範囲は
下記のとおりである。

１０　　１０７ｃｍ ｐ　　　１０　−１０”／・・３ ｎ＋　　　５Ｘ１０１９−５Ｘ１０／ｃｍｐ＋　　　５
　　ＸＩＯ−５ＸＩＤ　　７０ｍ望ましい不純物の濃度
範囲、および望ましい装置特性が与えられれば、通常の
知識を有する技術者にとって、不必要な実験を行わずに
、各種のドーピングおよび成長技術をいかに適用するか
を決めろことが可能であることは明らかである。

次に、この発明の方法てく、第６（ａ）図−第３（ｆ）
図に示す相補型垂直Ｎ　Ｐ　ＮおよびＰＮＰ装置構造に
適用することにつし・て説明する。下記の選択的エピタ
キシャル成長およびイオン注入技術を用いることにより
、高性能の装置欠製作することができる。

第５　ｒａ１図で、好ましい不純物濃度、１０　−５Ｘ
１０　７０ｍを有するｐ型巣結晶シリコン基板３０２中
に、従来のイオン注入、および不純物ドライブイン法を
用℃・てそれぞれｎ＋型およびｐ＋＋サブコレクタろ０
４および５０６を形成させる。ｎ＋およびｐ十型すブコ
ンクタは′！０　−１０　７０ｍの濃度範囲にドーピン
グすることが好ましい。ｐ＋＋サブコレクタを形成させ
る場合、好ましい不純物濃度である５Ｘ　１［Ｊ　　　
５Ｘ１０　　／ａｍ　（７）ｎ型分離層３０８も、二重
注入により形成される。

次に、第３（ｂ）図に示すように、厚み５００　ｎｍ−
２μの酸化物層３１２を、基板およびサブコレクタ領域
上、および一部これらの中に成長させる。

酸化物層６１２の上には、薄い５ｉ３１’Ｊ４層３１４
を成長させることができる。この酸化物層から選択的に
開口部（番号なし）をエツチングする。これらの開口部
には、選択的エピタキシャル成長を行うが、これらはＮ
ＰＮトランジスタの形成に用いられる。次に、ｎ−型領
域３１０およびｎ＋＋リーチスルー領域６１６を選択的
に成長させてＮＰＮ）ランジスタとする。領域３１０の
不純物濃度は、５Ｘ　１０　７０ｍの範囲とするのが好
ましい。

領域３１６の不純物濃度は、選択的イオン注入により高
く（すなわちサブコレクタ６０４と同じ範囲）すること
ができる。

第６（ｃ）図では、ＰＮＰトランジスタの形式のため類
似の手順が行われる。これを行う前に、装置領域３１０
および３１６に５ｉＯ７・等の適当なマスキング層（図
示されていない）を被覆する。開口部（番号なし）が酸
化物層から選択的にエツチングされる。次に、ｐ−領域
ろ２２およびｐ−１−ＩＪ　−チスルー領域ろ２６を選
択的に成長させる。領域６２２の不純物濃度範囲は、領
域６１０の不純物濃度範囲と同じであることが好ましい
。この場合も、領域３２６の不純物濃度は選択的イオン
注入により高く（領域３０６と同じ範囲に）することが
できる。

この時点で、酸化物層６１２および窒化物層３１４の選
択的エツチングにより、従来技術のトレンチを堀り、再
充填する方法と同様に効果的で、しかも別々の工程段階
でなく一工程段階で、分１１部分の形成が可能になるこ
とに注目されたい。また、ＰＮＰトランジスタの分離帯
６０８およびサブコレクタ３０６（第６（ａ）図参照）
の実施は、ＰＮＰＩ−ランジスタのための酸化物の開口
部がエツチングされて、自己整合が達成されるまで延期
できる。

第６（ｄ）図は、次の工程段階を示す。この段階では牝
牛・機械的研摩等の方法で構造の表面を平坦化した後、
平坦化した表面上にドーピングしない多結晶ンリコン層
６４２を付着させる。この層３４２はポリサイドまたは
金属のケイ酸塩であってもよい。次に、この層？まずイ
オン注入により選択的にドーピングした後、選択的にエ
ツチングし、ＮＰＮおよびＰＮＰ　）ランジスタの外部
ベース部を形成させる部分のみを残す。これらのベース
部はヒ素またはホウ素イオン注入により、適当にドーピ
ングする。得られたｐ十領域６５゛２およびｎ＋領域６
５４を第３（ｅ）図に示す。これらの外部ベース部の不
純物濃度範囲は、領域３０４．３０６と等しいことが好
ましい。

外部ベース部を形成させた後、外部ベース分離側壁スペ
ーサ３６０　（５ｉ０２）を形成させる。再びヒ素また
はホウ素の選択的イオン注入により、本質ベース部を形
成させ、不純物濃度に好ましい範囲である１０〜５×１
０１８／ｃｍ３　とする。これらのｐ領域３５６および
ｎ領域３５８も、第３（ｅ）図に示す。同時に外部ベー
スおよび固有ベースを結合し、固有ベースの不純物プロ
ファイルが画定される。これは不純物ドライブイン・ア
ニールにより行われる。

最後に、第′５（ｆ）図に示すように、エミッタ・プレ
ート３６６．６６８をそれぞれＮＰＮおよびＰＮＰトラ
ンジスタ用として形成させる。外部ベース・プレートの
ｊ１ソ成と同様な方法で、多結晶シリコン層を付着させ
、選択的イオン注入を行い、適当に形状を付ける。エミ
ッタ拡散のためには、エミッタ不純物のドライブイン・
アニールを行う。

次に従来の方法を用いて製造を完了する。エミッタ・グ
レート５６６の注入前に、エミッタ・イオン注入を任意
に行うこともできる。

２”’；４４　（ａ）図〜第４（ｉ）図は、この発明な
バイポーラＭＯ８（ＢＩＭＯ８）集積回路に応用した方
法を示す。第４（ａ）図に示すように、平坦化拡散また
はイオン注入等の従来の方法により、Ｐ型基板４００（
不純物濃度は１０〜１０　７ｃｍ　　の範囲が好ましい
ン上に、ｎ＋サブコレクタ４０２（不純物濃度は１０〜
２Ｘ１０　　／ａｍ　　の範囲が好まし℃・）を形成さ
せる。サブコレクタ／＋０２の厚みは２００　ｎｍない
し１μとする。

第４（ｂ）図は装置領域４１２の画定を示す。装置領域
を形成させるため、基板上にＳ　ｒ　０２層４１０を成
長させ、酸化物の壁４１４を残して選択的エツチング７
行う。製造が完了すると、これらの壁４１４は効果的に
酸化物充填分離トレンチに対応する。後の加工段階にお
けるウェーハの平坦化を容易にするため、任意選択で酸
化物層４１０の上にＳ　ｉ３　Ｎ４層４１８を付着させ
る。第３（ａ）図〜第３（ｆ）図の構造と同様、領域４
１２の深さくｒ！、　２００　ｎｍ−ないし２μとする
。

第４（ｃ）図において、領域４１２にＳｉを選択的エピ
タキシャル成長させる。ＮＰＮトランジスタにはｎ−エ
ビ、ＰＮＰトランジスタにはｐ−エビを成長させる。エ
ピタキシャル成長領域４３２は、１０１４〜５Ｘ１０　
　／ａｍ　　の濃度でドーピングを行う。必要があれば
、ウェーハの表面を化学・機械研摩等、周知の方法で平
坦化する。次にＳ　ｔ　３　Ｎ４層を除去する。次に、
第４（ｄ）図に示すように、たとえば選択的イオン注入
、不純物ドライブイン等により、。＋リーチスルー４４
０を形成させる。

このリーチスルー４４０の不純物濃度はサブコレクタ４
０２と同範囲とする。

第４（ｅ）図において、ｎ−エピタキシャル成長のため
の領域の１つを、ホウ素イオン注入、その他ＮＭＯ８の
製造に適した方法により、ｐドーピングを行う。これに
より１０〜１０　の濃度にドーピングされた領域４５０
が得られる。次に、所期の厚み（たとえば５〜２００　
ｎｍ　）の薄い酸化物層４５５を成長させる。このｉ’
ｊ’＋：　ＶＣ酸化物を、たとえば第２図に関して説明
したようなりＨＦ等により、バイポーラ装置領域４３２
かも選択的に除去する。次に、第４（ｆ）図に示すよう
に、不純物濃度がサブコレクタ４０２と同様な範囲の、
高さが２００〜６００　ｎｍのｐ十外部ベース・グレー
ト（ＮＰＮトランジスタ用、ＰＮＰトランジスタ用、Ｐ
ＮＰ　）ランジスタの場合はｎ　＋　）を、ｐ＋（また
はｎ　＋　）多結晶シリコン、ポリサイド、または耐熱
性金属ケイ化物を付着させ、適当なパターンを付けるこ
とにより形成させる。ＮＭＯＳトランジスタのゲート４
６２もこの方法で形成させる。

第４（ｆ）図において、バイポーラ・トランジスタの外
部ベース４６０およびＮＭＯ８）ランジスタのケート４
６２を形成させた後、ＮＰＮトランジスタの装置領域４
３２にｐイオン注入（領域４５０と同範囲の不純物濃度
に）して、固有ベース４６４を形成させる。ｎチャネル
Ｉ’ＥＴのＮＭＯＳ領域４５０にｎ−イオン注入を行い
、トランジスタの、ｎ　　’！ａ’軽（ドーピングした
ドレイン（ＬＤＤ）領域４６６を形成させる。領域４６
６の不純物濃度は１０１６〜１０１８／Ｃｍ３の範囲と
する。第４（ｇ）図において、外部ベース・プレート４
６０および４６２上に、５ｉ０２側壁スペーサ４７０を
形成させる。

第４（ｈ）図において、ＮＫ／ＩＯＳトランジスタのた
めｎ＋ソースおよびドレイン４８０を形成させる。

不純物濃度は５×１０〜５ｘｉｏ　　７ｃｍ　　の範囲
が望ましい。この段階で任意に、ＮＰＮトランジスタの
だめのｎ十エミッタ４８２を形成させてもよい。第４（
ｉ）図において、ｎ＋にドーピングした多結晶シリコン
またはポリサイドの第２の層を形成させる。この層はＮ
ＰＮ）ランジスタ用のエミッタ・プレート４９０および
ＰＭＯ３Ｉ−ランジスタ用のゲー）　４９２　？：含む
。装置は従来の方法により仕上げを行う。

第４　Ｃａ）図板下に示すサブコレクタ・リーチスルー
領域４４０は、普通の熱拡散、またはイオン注入により
形成させることができることに注目されたい。

上記の方法は、シリコンを用いた製造技術に基いて説明
を行ったが、適当な変更により、半導体の主原料として
、ガリウム・ヒ素（ＧａＡｓ）を用いて上記の方法およ
び構造ケ実現することができる。

Ｅ９発明の効果 装置間の分離（アイソレーンヨン）帯形成を個別の形成
ステップとしてではなく、工程中で一体的に形成するの
で、従来よりコンパクトなアレイ構造を実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１（ａ）図−第１（ｊ）図は、この発明の方法を用い
た第１の種類の構造と、各製造段階を示す。第２図は、
第１図に示す構造および方法によるエレメントで形成さ
れるアレイを示す。８Ｋ　３　（ａ）図−第６（ｆ）図
は、この発明の方法を用いた第２の種類の構造と、この
構造を形成する工程段階を示す。第４（ａ）図−第４（
ｉ）図は、この発明により製作される第６の種類の構造
と、中間製造段階を示す。 １０・・・・シリコン基板、１２・・・・ｎ十型にドー
ピングした下部、１４・・・・形成すべき装置の種類に
応じてドーピングする上部、２０・・・・酸化物層、′
５０・・・・エミッタ酸化物開口部、４０・・・・谷（
フレハス）、５０・・・・酸化物層、６０・・・・コレ
クタ・ホール、７０・・・・コレクタ、８０・・・・ｐ
型エピタキシャル構造、１００・・・・サブコレクタ・
り一チスルー、１７２．１７４．１７６．１８２・・・
・接点、１９２・・・・ケイ酸化金属を使用した重複接
点。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）絶縁層で分離された集積回路装置を製造する方法
   であつて、 （ｉ）単結晶シリコン基板中に複数のサブコレクタを形
   成する工程と、 （ｉｉ）上記基板の、上記装置を形成すべき部分の上に
   酸化物層を成長させる工程と、 （ｉｉｉ）上記サブコレクタ上の上記酸化物層の第１の
   領域をエッチングする工程と、 （ｉｖ）少くとも上記第１の領域に、選択的エピタキシ
   ャル成長により、上記集積回路装置を形成する工程と、 を含むことを特徴とする、集積回路装置製造方法。
2. （２）上記基板が上部および下部からなり、上記ステッ
   プ（１）が、形成すべき装置の種類に応じて、前記基板
   の上記上部をドーピングするステップを含み、上記基板
   の上記下部が上記サブコレクタを形成することを特徴と
   する特許請求範囲第（１）項記載の方法。