JPS62104002A - 抵抗材料 - Google Patents
抵抗材料Info
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- JPS62104002A JPS62104002A JP60243723A JP24372385A JPS62104002A JP S62104002 A JPS62104002 A JP S62104002A JP 60243723 A JP60243723 A JP 60243723A JP 24372385 A JP24372385 A JP 24372385A JP S62104002 A JPS62104002 A JP S62104002A
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- glass
- resistor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の第1!用分野〕
本発明は、非酸化巷囲気中での焼成によって厚膜抵抗体
又はこれに類似の抵抗体を形成することができ、且つ耐
湿性の高い抵抗体を提供するCとができるペースト状折
抗材料に関する。
又はこれに類似の抵抗体を形成することができ、且つ耐
湿性の高い抵抗体を提供するCとができるペースト状折
抗材料に関する。
未焼成セラミックシートtallちグリーンシートニニ
ッケル等の卑金楠の導体ペーストY塗布し1月つInI
化モジモリブデン化物とガラスとン含有する抵抗体ペー
ストを塗布しtものを非酸化@囲気中で焼成し、厚膜導
体と厚膜抵抗体との両刀Y有する多層セラミック回路基
板ケ作成する方法は1本件出願人に係わる特願昭59−
197655号明細隻に開示されている。Cの方法にお
いては、厚膜嚢体及び厚i抵抗の形成に″#金槙が使用
されないので、多層セラミック回路基板のコストの低減
ができる。
ッケル等の卑金楠の導体ペーストY塗布し1月つInI
化モジモリブデン化物とガラスとン含有する抵抗体ペー
ストを塗布しtものを非酸化@囲気中で焼成し、厚膜導
体と厚膜抵抗体との両刀Y有する多層セラミック回路基
板ケ作成する方法は1本件出願人に係わる特願昭59−
197655号明細隻に開示されている。Cの方法にお
いては、厚膜嚢体及び厚i抵抗の形成に″#金槙が使用
されないので、多層セラミック回路基板のコストの低減
ができる。
しかし、上記出願に係わる抵抗材料で形成された厚膜抵
抗は十分な耐湿特性を有さない。例えば。
抗は十分な耐湿特性を有さない。例えば。
編度60℃、相対湿度95%の環境下に1000時間放
置した場合の抵抗変化率は+5%〜+10%程度になる
。
置した場合の抵抗変化率は+5%〜+10%程度になる
。
そCで1本発明の目的は、非酸化雰囲気中での焼成で抵
抗体を形成することができ、且つ耐湿試験における抵抗
変化率が±2%月内の抵抗体ン得ることができる抵抗材
料ケ提供することにある。
抗体を形成することができ、且つ耐湿試験における抵抗
変化率が±2%月内の抵抗体ン得ることができる抵抗材
料ケ提供することにある。
[問題点ン解決する次めの手段]
上記目的を達成する九ぬの本発明に係わる抵抗材料は、
炭化タングステン25〜75g量%と。
炭化タングステン25〜75g量%と。
ガラス10〜50’mf%と、弗化カルシウム(CaF
x)、弗化ストロンチウムC8rら】、及び弗化バリウ
ム(BaFt)の内の少なくとも1種の弗化物5〜40
重量先と、炭酸カルシウム(CaCOm) 、炭酸スト
ロンチウム(SrC(Jm) 、炭酸バリウh (Ba
C05)の内の少なくとも1aの炭酸塩10〜60重f
%とρ・ら成る混合物の粉末と、有機結合剤と、#剤と
から成る。
x)、弗化ストロンチウムC8rら】、及び弗化バリウ
ム(BaFt)の内の少なくとも1種の弗化物5〜40
重量先と、炭酸カルシウム(CaCOm) 、炭酸スト
ロンチウム(SrC(Jm) 、炭酸バリウh (Ba
C05)の内の少なくとも1aの炭酸塩10〜60重f
%とρ・ら成る混合物の粉末と、有機結合剤と、#剤と
から成る。
上記組成のペースト状抵抗材料をグリーンシート上にば
」刷し、非酸化雰囲気で焼成すれば、耐湿試験における
抵抗変化率が±2%以内の厚膜抵抗体が得られる。従っ
て、ニッケル等の卑金属の導体ペーストによる厚膜環体
の形成と同時に卑金翔J!#膜抵抗を形成することがで
きる。
」刷し、非酸化雰囲気で焼成すれば、耐湿試験における
抵抗変化率が±2%以内の厚膜抵抗体が得られる。従っ
て、ニッケル等の卑金属の導体ペーストによる厚膜環体
の形成と同時に卑金翔J!#膜抵抗を形成することがで
きる。
〔実施例1〕
次に、不発明の実施例に係わる抵抗材料及びこれ馨使用
した多層セラミック回路基板の形成方法について述べる
。
した多層セラミック回路基板の形成方法について述べる
。
まず、二酸化珪!X (SjO*) 78.0重量部、
酸化亜鉛(ZnCJ)5.5を置部、酸化ジA/ コニ
ウム(ZrO2)12、OM置部、炭酸、+フルシウム
((’act、) 3.0重量部、及び酸化アルミニウ
ム(AI、(Jl) 1−5重量部ケ混合し、アルミナ
ルツボ中、1400℃で30分間浴融し、この溶融液を
水中に投入し、@、冷させた。この急冷@ン収り出して
アルミナ乳鉢に入れ。
酸化亜鉛(ZnCJ)5.5を置部、酸化ジA/ コニ
ウム(ZrO2)12、OM置部、炭酸、+フルシウム
((’act、) 3.0重量部、及び酸化アルミニウ
ム(AI、(Jl) 1−5重量部ケ混合し、アルミナ
ルツボ中、1400℃で30分間浴融し、この溶融液を
水中に投入し、@、冷させた。この急冷@ン収り出して
アルミナ乳鉢に入れ。
1’)50μm程度になるまで粉砕し、更にこれンエタ
ノールと共にポリエチレン裂ボットミルの中に入れ、ア
ルミナボールで15011間粉砕し1粒径が10μm以
下の粉末状のガラスケ得た。
ノールと共にポリエチレン裂ボットミルの中に入れ、ア
ルミナボールで15011間粉砕し1粒径が10μm以
下の粉末状のガラスケ得た。
次に、上記ガラスと、炭化タングステン(WC。
W、Cの内のla[以上)と、弗化物(CabhSrF
*。
*。
1.5aFtの内の1[以上]とを表に示す割合に秤量
し。
し。
ボールミルに入れて攪拌した。次いで、これをアルゴン
ガス雰囲気中1200℃で1時間熱処理し。
ガス雰囲気中1200℃で1時間熱処理し。
しかる後、エタノールと共にポリエチレン製のボットミ
ル中に入れ、アルミナボールで24時間粉砕し、10μ
m以下の炭化タングステンとガラスと弗化物との混合物
の粉末を得た。ff1lち1表の試料Al〜26に示さ
れている種々の割合のガラスと炭化タングステンと弗化
物との混合粉末146次に、カラスと炭化タングステン
と弗化物と炭酸塩(CaC01、SrC0g、 BaC
(Jmの内の1g1以上)との重量割合が表の試料A1
〜26の組成の欄に示すようになるように、上述のガラ
スと炭化タングステンと弗化物との混合粉末に対して炭
酸塩馨脩加し、混合することにより℃本発明に係わる抵
抗材料の混合物の粉末ン得7tofflち、試料ム1に
おいては、抵抗材料の混合物の組成ケガラス10重量%
、W、025重量%、 Caら511i i % 、
CaCO360重量Ik%とし、残りの試料ム2〜26
においても組成の欄に示す重量割合の組成とした。
ル中に入れ、アルミナボールで24時間粉砕し、10μ
m以下の炭化タングステンとガラスと弗化物との混合物
の粉末を得た。ff1lち1表の試料Al〜26に示さ
れている種々の割合のガラスと炭化タングステンと弗化
物との混合粉末146次に、カラスと炭化タングステン
と弗化物と炭酸塩(CaC01、SrC0g、 BaC
(Jmの内の1g1以上)との重量割合が表の試料A1
〜26の組成の欄に示すようになるように、上述のガラ
スと炭化タングステンと弗化物との混合粉末に対して炭
酸塩馨脩加し、混合することにより℃本発明に係わる抵
抗材料の混合物の粉末ン得7tofflち、試料ム1に
おいては、抵抗材料の混合物の組成ケガラス10重量%
、W、025重量%、 Caら511i i % 、
CaCO360重量Ik%とし、残りの試料ム2〜26
においても組成の欄に示す重量割合の組成とした。
次に、各試料の抵抗材料の混合物の粉末100重量部に
、有機結合剤としてのエチルセルロース10重量部を溶
剤としてのブチルカルピトール90重量部に溶かしたも
のから成る有機バインダ溶液即ちビヒクル25重量sy
r加えて3本ロールミルで混線して約800ボイズの抵
抗体ペーストを得た。
、有機結合剤としてのエチルセルロース10重量部を溶
剤としてのブチルカルピトール90重量部に溶かしたも
のから成る有機バインダ溶液即ちビヒクル25重量sy
r加えて3本ロールミルで混線して約800ボイズの抵
抗体ペーストを得た。
一万、上記抵抗体ペーストな釦刷するためのグリーンシ
ートy!′次の方法でf+:製した。AI、O,粉末5
0i[Ji部、 5i(J、粉末20重量部、5rCJ
l/’A宋25重量部、L+*08床13i量都、及び
Mgt)粉末4重1・部からなるセラミック原料粉末と
、アクリル酸エステルポリマーの水溶液からなるバイン
ダーと。
ートy!′次の方法でf+:製した。AI、O,粉末5
0i[Ji部、 5i(J、粉末20重量部、5rCJ
l/’A宋25重量部、L+*08床13i量都、及び
Mgt)粉末4重1・部からなるセラミック原料粉末と
、アクリル酸エステルポリマーの水溶液からなるバイン
ダーと。
グリセリンと、カルボン酸塩及び水とをそれぞれボール
ミルに入れて混合して、スリップを作製し。
ミルに入れて混合して、スリップを作製し。
脱泡処理し友後にドクターブレード法により厚さ200
μmの長尺のグリーンジートン炸裂した。
μmの長尺のグリーンジートン炸裂した。
−fft、て、このグリーンシートから、9mmX9m
mと6mmX9mmの2種類のグリーンシート片を切り
抜いfc。
mと6mmX9mmの2種類のグリーンシート片を切り
抜いfc。
次に、第1図に示す如く、前者のグリーンシート片山上
に、ニッケル(Ni)粉末と有機ノ(インダ溶液(エチ
ルセルロース10重ν部をテレピン油90重1#部に溶
かし友もの)とを3=1の比で混練した導体ペース)’
2200メツシュのスクリーン印刷いてば」刷し、12
5℃、10分間乾燥することによって第1図に示す如<
Nj導体膜(2)を形成した。
に、ニッケル(Ni)粉末と有機ノ(インダ溶液(エチ
ルセルロース10重ν部をテレピン油90重1#部に溶
かし友もの)とを3=1の比で混練した導体ペース)’
2200メツシュのスクリーン印刷いてば」刷し、12
5℃、10分間乾燥することによって第1図に示す如<
Nj導体膜(2)を形成した。
次に1本発明に係わる抵抗体ペースト”Y導体ペースト
と同様にスクリーン印刷し、乾燥することによつ又、第
1図に示す如く抵抗体膜(3)ン形成した。
と同様にスクリーン印刷し、乾燥することによつ又、第
1図に示す如く抵抗体膜(3)ン形成した。
次に、グリーンシート片illの上に@線で示す大きさ
のもう一万のグリーンシート片(41ケ積層し。
のもう一万のグリーンシート片(41ケ積層し。
100℃、 150 kg/cm’で熱圧着し、これ
を酸化雰囲気中500℃で熱処理して有機結合剤及び溶
剤(有機ビヒクル)を飛散及び分解し、N、 (98,
5容積%) 十H,+ 1−5容積%)の還元雰囲気中
で1100℃、2時ル」焼成し、第2図に示す如く、磁
器層(1a)(4a)の中に、厚膜導体(2a)と厚膜
抵抗体(3a)とχ有する混成集積回路用の多層セラミ
ック回路基板ン完成させた。なお、抵抗体(3a)の導
体(2a)にかからない部分り大きさは、3mm×3m
mであり、膜厚は18μmである。また。
を酸化雰囲気中500℃で熱処理して有機結合剤及び溶
剤(有機ビヒクル)を飛散及び分解し、N、 (98,
5容積%) 十H,+ 1−5容積%)の還元雰囲気中
で1100℃、2時ル」焼成し、第2図に示す如く、磁
器層(1a)(4a)の中に、厚膜導体(2a)と厚膜
抵抗体(3a)とχ有する混成集積回路用の多層セラミ
ック回路基板ン完成させた。なお、抵抗体(3a)の導
体(2a)にかからない部分り大きさは、3mm×3m
mであり、膜厚は18μmである。また。
抵抗体(3a)の組成は、焼成前の抵抗材料の#機質の
組成にほぼ一致している。
組成にほぼ一致している。
次に、この抵抗体(3a)の25℃におけるシート抵抗
R0(Ω/口)をディジタルマルチメータで即1定した
口次いで、各試料(多層セラミ・ンク回路基板11度り
0℃、相対3度95鵞の環境下に1000時間放置し、
その後、ディジタルマルチメータで杓びシート抵抗R+
(Ω/口)を測定し、Cの耐湿試験による厚膜導体(2
aJの抵抗変化率ΔRY ([b−Re/Re)X10
0%で求めた。表の特性の欄には上記のRoとΔRとが
示されている。な訃、Roの僅の欄のkは×101ン意
味する。
R0(Ω/口)をディジタルマルチメータで即1定した
口次いで、各試料(多層セラミ・ンク回路基板11度り
0℃、相対3度95鵞の環境下に1000時間放置し、
その後、ディジタルマルチメータで杓びシート抵抗R+
(Ω/口)を測定し、Cの耐湿試験による厚膜導体(2
aJの抵抗変化率ΔRY ([b−Re/Re)X10
0%で求めた。表の特性の欄には上記のRoとΔRとが
示されている。な訃、Roの僅の欄のkは×101ン意
味する。
表の試料点1〜26から明らかな如く、抵抗材料の混合
物の組成を。
物の組成を。
ガラス 10〜50冨量%。
炭化タングステン 25〜75″i量%、弗化物 5〜
40′M4.′!!に%。
40′M4.′!!に%。
炭酸塩 10〜60富f%
とすることにより、Ryc雰囲気中の焼成であるにも拘
らず、シート抵抗が2)5.3Ω/口〜108.23に
Ω/口、耐湿試験による抵抗変化率ΔRが−2,0%〜
+2.0%の範囲内の厚膜抵抗体ケ提供することができ
る。
らず、シート抵抗が2)5.3Ω/口〜108.23に
Ω/口、耐湿試験による抵抗変化率ΔRが−2,0%〜
+2.0%の範囲内の厚膜抵抗体ケ提供することができ
る。
な訃、表に示されていない本発明の範囲外の試料により
矢のことが確認されている。
矢のことが確認されている。
+11 炭化タングステンのtY25]ii%よりも
少なく1′ると、抵抗値か高くなり過ぎる。
少なく1′ると、抵抗値か高くなり過ぎる。
(2+ 炭化タングステンの1Y751量1よりも多
くすると、焼結が1難になる。
くすると、焼結が1難になる。
(3)ガラスの:kt′l¥:10亀量%よりも少なく
てると、焼結が困難になる。
てると、焼結が困難になる。
(4) ガラスの量馨60’liU童鴨よりも多くす
ると。
ると。
抵抗値が高くなジ溝ぎる。
151 弗化物の1!1′ケ5N貴5よりも少なくす
ると。
ると。
抵抗変化率Δ【(ン±2%の範囲に収めることが困難に
なる。
なる。
(6夛 弗化物の@540重借11りも多くすると。
抵抗変化率Δ1(な±2%以内に収めることが困難にな
る。
る。
+71 #酸塩の倉をlO重量%よりも少なくすると
、抵抗変化率ΔRヶ±2%の範囲に収ぬることが困難に
なる。
、抵抗変化率ΔRヶ±2%の範囲に収ぬることが困難に
なる。
(81炭酸塩の童Y60重搦゛1よりも多くてると。
抵抗変化率ΔRを±2%の範囲に収めることが困難にな
る。
る。
〔実施例2〕
ガラスのmH,が変化しても、実施例1と同様な作用効
果が得られることを確かめる之めに1次の如くガラス粉
末”rfT:製し、た。二酸化珪素(S 1(Jl )
75.011量地、三酸化ニホウ素(By(Js) 1
3.0重′Ijks、炭酸カルシウム((’aCOs)
10−On 情部、及び酸化アルsl ニウム(A
1* Us ) 2.0重量Sヶ混合し。
果が得られることを確かめる之めに1次の如くガラス粉
末”rfT:製し、た。二酸化珪素(S 1(Jl )
75.011量地、三酸化ニホウ素(By(Js) 1
3.0重′Ijks、炭酸カルシウム((’aCOs)
10−On 情部、及び酸化アルsl ニウム(A
1* Us ) 2.0重量Sヶ混合し。
実施例1とト1様の手法にて動床状のガラスケ得た。
次に、このガラスケ使用してガラス10重f1%。
We25i月%、 W、C25重Jl1%、CaF、
5重1LSrFt 5 ili 8%、BaF、 5
N、 18−%、 5rCO,15重量%、L3aCU
s 10重量%から成る抵抗材料の混合物ン実流側1と
同一の方法で得、cjケ使用して実施例1と同一の方法
で同一構造の多層セラミック回路基板ン形成し、実施例
1と同様に電気的特性ケ測定したとCろ、シート抵抗値
は1.762 kΩ/口、抵抗変化率ΔRは−0,8%
であり次。
5重1LSrFt 5 ili 8%、BaF、 5
N、 18−%、 5rCO,15重量%、L3aCU
s 10重量%から成る抵抗材料の混合物ン実流側1と
同一の方法で得、cjケ使用して実施例1と同一の方法
で同一構造の多層セラミック回路基板ン形成し、実施例
1と同様に電気的特性ケ測定したとCろ、シート抵抗値
は1.762 kΩ/口、抵抗変化率ΔRは−0,8%
であり次。
こり実施例2から明らかなように、ガラスの組成ヶ変え
又も抵抗特性に大きな相違は見らjない。
又も抵抗特性に大きな相違は見らjない。
つ筐り1本発明において使用されるガラスは必ずしも特
定され次1つの組成に限られるものではない。なお、実
施例1におけるS iO,−ZnO−ZrO,−CaU
−AI、(J、糸カラス、実施例2の5iU1 B
yC)s−Cab) klt(Us !カラスはいず
4もf’F巣、1(IXIO’ホイズとなる温度)が9
00〜1200℃のガラスである。本発明に係わるガラ
スは、実施例1及び2の組成のガラスに限ることなく
、900〜1200℃の作業点を有し、且つ還元雰囲気
で焼成する際に金属化されや丁い金歯酸化物(PbO1
SnO,、Bi。
定され次1つの組成に限られるものではない。なお、実
施例1におけるS iO,−ZnO−ZrO,−CaU
−AI、(J、糸カラス、実施例2の5iU1 B
yC)s−Cab) klt(Us !カラスはいず
4もf’F巣、1(IXIO’ホイズとなる温度)が9
00〜1200℃のガラスである。本発明に係わるガラ
スは、実施例1及び2の組成のガラスに限ることなく
、900〜1200℃の作業点を有し、且つ還元雰囲気
で焼成する際に金属化されや丁い金歯酸化物(PbO1
SnO,、Bi。
0、等)馨含筐ないものであれは、どのようなものでも
よい。
よい。
不発明は上述の実施例に限定されるものでなく。
例えば次の変形例が可能なものである。
(al 炭化タングステンとガラスと弗化物と炭酸塩
とを含む抵抗体ペーストラ塗布したグリーンシートの焼
成温度ン1000℃〜1200℃の範囲で変化させても
、抵抗値R0及び抵抗変化率ΔRが殆ント変化しないこ
とが確認されている。例えば。
とを含む抵抗体ペーストラ塗布したグリーンシートの焼
成温度ン1000℃〜1200℃の範囲で変化させても
、抵抗値R0及び抵抗変化率ΔRが殆ント変化しないこ
とが確認されている。例えば。
実施例1の試料Allと同一組成で焼成温度のλヶ10
00℃、1050℃、1150℃、1200℃に変化さ
ぜ友時の抵抗値R0は41.54 kΩ/口。
00℃、1050℃、1150℃、1200℃に変化さ
ぜ友時の抵抗値R0は41.54 kΩ/口。
41.62 kΩ/0.41.39にΩ/口、41.4
2にΩ/口でトク、また抵抗変化率ΔRは+1.5%、
+1.6% 、+1.4%、+1.3%であり友。他の
組成においてもほぼ同様な結果か得られた。
2にΩ/口でトク、また抵抗変化率ΔRは+1.5%、
+1.6% 、+1.4%、+1.3%であり友。他の
組成においてもほぼ同様な結果か得られた。
(bl クリーンジ−トン焼成する時の寄181気ン
中性4jf囲気(不活性雰囲気)としてもよい。また。
中性4jf囲気(不活性雰囲気)としてもよい。また。
グリーンシートを焼成する前の有機物ケ分解及び飛散さ
せるfcぬの酸化性雰囲気の黙想fgJ温度を例えは4
00℃〜600℃で変化させてもよい。
せるfcぬの酸化性雰囲気の黙想fgJ温度を例えは4
00℃〜600℃で変化させてもよい。
(cl ガラスと炭化タングステンと弗化物との混合
物のアルゴン雰囲気中での焼成温度を1例えば900〜
1200℃の範囲で変化させてもよい。またCの決成ン
アルゴンガス9外の不活性雰囲気。
物のアルゴン雰囲気中での焼成温度を1例えば900〜
1200℃の範囲で変化させてもよい。またCの決成ン
アルゴンガス9外の不活性雰囲気。
又は真空中、又は中性雰囲気、又は還元性雰囲気で行っ
てもよい。
てもよい。
+dl 抵抗体ペーストケ作る之めの有機バインダ浴
液(ヒヒクルノは、ニトロセルロース等の樹脂ケ、テレ
ピン油、ブチルカルピトールアセテート等の^沸点溶剤
に浴かしたものでもよい。また、この有機バインダfg
gの曾は15〜35重量部程度置部ましい。
液(ヒヒクルノは、ニトロセルロース等の樹脂ケ、テレ
ピン油、ブチルカルピトールアセテート等の^沸点溶剤
に浴かしたものでもよい。また、この有機バインダfg
gの曾は15〜35重量部程度置部ましい。
土述から明らかな如く1本発明のペースト状抵抗材料と
ニッケル等の卑金属の導体ペーストとを非改化岑囲気で
同時焼成することができ、且つ本発明の抵抗材料には貴
金楕が含筐れてぃない。従って、多/1111ヤラビツ
ク回路基板、又はこむに類似の血気回路部品の小型化及
び低コスト化に寄与することができる。また1本発明の
抵抗材料は前述の特許出願の抵抗材料に比較し、WR湿
性の良い抵抗体を提供することができる。
ニッケル等の卑金属の導体ペーストとを非改化岑囲気で
同時焼成することができ、且つ本発明の抵抗材料には貴
金楕が含筐れてぃない。従って、多/1111ヤラビツ
ク回路基板、又はこむに類似の血気回路部品の小型化及
び低コスト化に寄与することができる。また1本発明の
抵抗材料は前述の特許出願の抵抗材料に比較し、WR湿
性の良い抵抗体を提供することができる。
第1図は本発明の実施例に係わる多層セラミック回路基
板ケ作製する際のグリーンシートと導体膜及び抵抗体膜
のパターンケ示す平面図、第2図は第1図のローu線に
相当てる部分の焼成畿の多層セラミック回路基板ン示す
動向図でトる。 II+・・・グリーンシート片、(2)・・・導体膜、
(3)・・・抵抗体ai41・・・クリーンシー、片。
板ケ作製する際のグリーンシートと導体膜及び抵抗体膜
のパターンケ示す平面図、第2図は第1図のローu線に
相当てる部分の焼成畿の多層セラミック回路基板ン示す
動向図でトる。 II+・・・グリーンシート片、(2)・・・導体膜、
(3)・・・抵抗体ai41・・・クリーンシー、片。
Claims (3)
- (1)炭化タングステン25〜75重量%、ガラス10
〜50重量%、 弗化カルシウム、弗化ストロンチウム、及び弗化バリウ
ムの内の少なくとも1種の弗化物5〜40重量%、 炭酸カルシウム、炭酸ストロンチウム、及び炭酸バリウ
ムの内の少なくとも1種の炭酸塩10〜60重量%から
成る混合物の粉末と、 有機結合剤と、 溶剤と から成るペースト状抵抗材料。 - (2)前記炭化タングステンは、一炭化一タングステン
(WC)と一炭化二タングステン(W_2C)との内の
少なくとも1種である特許請求の範囲第1項記載の抵抗
材料。 - (3)前記ガラスは、作業点が900〜1200℃の範
囲のものである特許請求の範囲第1項又は第2項記載の
抵抗材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60243723A JPS62104002A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 抵抗材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60243723A JPS62104002A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 抵抗材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62104002A true JPS62104002A (ja) | 1987-05-14 |
JPH051964B2 JPH051964B2 (ja) | 1993-01-11 |
Family
ID=17108031
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60243723A Granted JPS62104002A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 抵抗材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62104002A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018164118A1 (ja) * | 2017-03-07 | 2018-09-13 | 三井金属鉱業株式会社 | ペースト組成物、炭化物焼結体およびその製造方法、並びに耐火部材 |
-
1985
- 1985-10-30 JP JP60243723A patent/JPS62104002A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018164118A1 (ja) * | 2017-03-07 | 2018-09-13 | 三井金属鉱業株式会社 | ペースト組成物、炭化物焼結体およびその製造方法、並びに耐火部材 |
JPWO2018164118A1 (ja) * | 2017-03-07 | 2020-01-09 | 三井金属鉱業株式会社 | ペースト組成物、炭化物焼結体およびその製造方法、並びに耐火部材 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH051964B2 (ja) | 1993-01-11 |
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