JPS6288303A - 抵抗材料 - Google Patents

抵抗材料

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JPS6288303A
JPS6288303A JP60229174A JP22917485A JPS6288303A JP S6288303 A JPS6288303 A JP S6288303A JP 60229174 A JP60229174 A JP 60229174A JP 22917485 A JP22917485 A JP 22917485A JP S6288303 A JPS6288303 A JP S6288303A
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fluoride
resistor
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敏光 本多
鬼形 和治
正一 登坂
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Taiyo Yuden Co Ltd
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Taiyo Yuden Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、非酸化雰囲気中での焼成によって厚膜抵抗体
又はこfLに類似の抵抗体を形成することができ、且つ
耐湿性の高い抵抗体を提供することができるペースト状
抵抗材料に関する。
〔従来の技術〕
未焼成セラミックシート即ちグリーンシートにニッケル
等の卑金属の導体ペース)Y塗布し、1つ炭化モリブデ
ンと弗化金網とガラスとを含有する抵抗体ペース)Y塗
布したもの馨非酸化雰囲気中で焼成し、厚膜導体と厚膜
抵抗体との両方を有する多層セラミック回路基板を作成
する方法は、本件出願人に係わる%願昭59−1976
56号明細−’9Iに開示されている。この方法におい
ては、厚膜導体及び厚膜抵抗の形成に貴金属が使用され
ないので、多層セラミック回路基板のコストの低減がで
きる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、上記出願に係わる抵抗材料で形成された厚膜抵
抗は十分な耐湿特性を有さない。例えば、温度60℃、
相対湿度95%の環境下に1000時間放置した場合の
抵抗変化率は+5%〜+10%程度になる。
そこで、本発明の目的は、非酸化雰囲気中での焼成で抵
抗体を形成することができ、且つ耐湿試験における抵抗
変化率が22%以内の抵抗体を得ることができる抵抗材
料ン提供することにある。
〔問題戸ケ解決するたぬの手段〕
上記目的を達成するための本発明に係わる抵抗材料は、
炭化モリブデン25〜70重量部と、ガラス10〜50
重中部と、弗化カルシウム(CaF’、)、弗化ストロ
ンチウムC8rら〕及び弗化バリウム(Ba F、 )
の内の少なくとも1種の弗化物5〜40重景部と、炭酸
カルシウム(Ca COm ) 、炭酸ストロンチウA
 (SrCOm) 、炭酸バリウ、A (BaC05)
の内の少なくとも1種の炭酸塩10〜60重童部と重量
当量の有機結合剤及び溶剤(ビヒクル)とηλら成る。
〔作 用〕
上記組成のペースト状抵抗材料をグリーンシート上に団
刷し、非酸化雰囲気で焼成すれば、耐湿試験における抵
抗変化率が上2%以内の厚膜抵抗体が得られる。従って
、ニッケル等の卑金属の導体ペーストによる厚膜導体の
形成と同時に卑金属厚膜抵抗ケ形成することが出来る。
〔実施例1〕 次に、本発明の実施例に係わる抵抗材料及びこれを使用
した多層セラミック回路基板の形成方法について述べる
まず、二酸化珪素(Sin、 ) 78.0重中部、酸
化亜鉛(ZnO) 5.511T M部、酸化ジルコニ
ウム(ZrO,)12.0軍1を部、炭酸カルシウム(
CaCOm) 3.0 N置部、及び酸化アルミニウム
(Altos) 1−5重量部を混合し、アルミナルツ
ボ中、1400℃で30分間溶融し、この溶融液ン水中
に投入し、急冷させた。この急冷物ヲ敗り出してアルミ
ナ乳鉢に入れ、約50μm程度になるまで粉砕し、更に
これをエタノールと共にポリエチレン與ボットミルの中
に入れ、アルミナボールで150時間粉砕し、粒径が1
0μmJJ下の粉末状のガラスケ得た。
以上)とン表に示す割合に秤量し、ボールミルに入れて
攪拌した。次いで、これをアルゴンガス雰囲気中120
0℃で1時間熱処理し、しかる後、エタノールと共にポ
リエチレン裳のボットミル中に入れ、アルミナボールで
24時間粉砕し、10μm以下の炭化モリブデンと弗化
物とガラスとの混合物の粉末を得た。即ち、表の試料A
1〜26に示されている種々の割合のガラスと炭化モリ
ブデンと弗化物との混合粉末を得た。
次に、ガラスと炭化モリブデンと弗化物と炭酸塩(Ca
C0,、S r COg、BaC01の1種月上)との
重量割合が表の試料1〜26の組成の欄に示すようにな
るように、上述のガラスと炭化モIIブデンと弗化物と
の混合粉末に対して炭酸塩を添加し、混合することによ
って本発明に係わる抵抗材料の粉末ン得た。即ち、試料
A1においては、抵抗材料の組成をガラ2101111
部、Mo、025 NN部、Ca P* 5 i1r倉
部、CaC0g 60 g置部とし、残りの試料点2〜
26においても組成の欄に示j @−It tI!1合
の組成とした。
次に、各試料の抵抗材料の粉末100重l・部に、有機
結合剤としてのエチルセルロース10重量部ン溶剤とし
てのブチルカルピトール90重責部に溶かしたものから
成る有機バインダ溶液即ちビヒクル25重音部を加えて
3本ロールミルで混練して約800ボイズの抵抗体ペー
ストを得た。
一方、上記抵抗体ペーストン印刷するだめのグリーンシ
ート上次の方法で作製した。^1鵞08粉末50重量部
、Sin、粉末20m1部、SrO粉末25w1t部、
Li、0粉末1i量部、及びMgO粉末4重量部からな
るセラミック原料粉末と、アク1Jル酸エステルボ17
マーの水溶液からなるバインダーと、グリセリンと、カ
ルボン酸塩及び水と、をそnぞれボールミルに入れて混
合して、スIIツブを作製し、脱泡処理した後にドクタ
ーブレード法により厚さ200μmの長尺のグリーンシ
ートを作製した。そして、このグリーンシー)7>う、
9mmx9 mmと6 mm X 9 mmの2種類の
グリーンシ一ト片ケ切り抜いた。
次に、第1図に示す如く、前者のグ+J−ンシート片t
ll上に、ニッケル(Ni )粉末と有機バインダ溶液
(エチルセルロース10i1[FBvテレピン油90重
景部置部かしたもの)とを3:1の比で混練シた導体ヘ
ーストを200メツシユのスクリーンを用いて印刷し、
125℃、10分間乾燥することによって第1図に示す
如<Ni導体膜(2)を形成した。
次に、本発明に係わる抵抗体ペース)Y導体ペーストと
同様にスクリーン印刷し、乾燥することによって、第1
図に示す如く抵抗体膜(3)を形成した。
次に、クリーンシート片(1)の上に鎖線で示す大きさ
のもう一万のグリーンシート片(41ヲ積層し、100
℃、150 kg/cm’で熱圧着し、こn’2酸化雰
囲気中500℃で熱処理して有機結合剤及び溶剤(有機
ビヒクル)を飛散及び分解し、N、(98,5容積%)
 十He (1−5容積%)の還元雰囲気中で1100
℃、2時間焼成し、第2図に示す如く、磁器層(1a)
(4a)の中に、厚膜導体(2a〕と厚膜抵抗体(3a
)とを有する混成集積回路用の多層セラミック回路基板
を完成させた。なお、抵抗体(3a)の導体(2a)K
かからない部分の大きさは、3mmX3 mmであり、
M厚は18μmである。また、抵抗体(3a)の組成は
、焼成前の抵抗材料の無機質の組成にほぼ一致している
次に、この抵抗体(3a)の25℃におけるシート抵抗
島(Ω/口〕をディジタルマルチメータで濱11定した
。次いで、各試料(多層セラミック回路基板)を温度6
0℃、相対湿度95%の環境下に1000時間放置し、
その後、ディジタルマルチメータで角びシート抵抗R+
 (Ω/口)を仰1定し、この耐湿試験による厚膜導体
(2a)の抵抗変化率△RY(R1Ro/Ro)X10
0%で求めた。表の特性の欄には上記のRoとΔRとが
示さγしている。なお、1の値の欄のkは×10ケ意味
する。
IQ+ 表の試料AI−26から明らかな如く、抵抗材料の組成
ケ、 ガラス 10〜50重食部、 炭化モリブデン 25〜70重量部、 弗化物 5〜40重量部、 炭酸塩 10〜60重景部、 重量量の有機結合剤及び溶剤、 とすることにより、還元雰囲気中の焼成であるにも拘ら
ず、シート抵抗が205.4Ω/口〜125.0×10
1Ω/口、耐湿試験による抵抗変化率ΔRが−2,0%
〜+2.0%の範囲内の厚膜抵抗体を提供することがで
きる。
なお、表に示されていない本発明の範囲外の試料により
次のことが確認されている。
(1)  炭化モリブデンの童ン25重−1#部よりも
少なくすると、抵抗値が高くなり過ぎる。
(21炭化モIJ )fyノiiY 701itsより
も多くすると、焼結が困難になる。
(3)  ガラスのii′を10]j+−1を部よりも
少なくすると、焼結が困難になる。
(4)  ガラスの量を50重軍部よりも多くすると、
抵抗値が高くなり過ぎる。
(5)  弗化物の童’Y5iii1部よりも少なくす
ると、抵抗変化率ΔRY土2%の範囲に収めることが困
難になる。
(6)弗化物のitン40重量部よりも多くすると、抵
抗変化率△Rをユ2%以内に収ぬることが困難になる。
(7)炭酸塩の1v1o重量部よりも少なくすると、抵
抗変化率ΔRY+2%の範囲に収めることが困難になる
(8)炭酸塩の′jil暑60重責部よりも多くすると
、抵抗変化率ΔFt’にチ2%の範囲に収めることが困
難になる。
〔実施例2〕 ガラスの組成か変化しても、実施例1と同様な作用効果
が得られることχ確かめるために、次の如くガラス粉末
馨作製した。二酸イヒ珪素lid、)75.0重量部、
三酸化ニホウ素CB、0.) 13.0重量部、炭酸カ
ルシウム(Canon) 10.0重量部、及び酸化ア
ルミニウム(alto、) 2.0重量部を混合し、実
施例1と同様の手法にて粉末状のガラスを得た。
次に、このガラスを使用して実施例1の試料扁6と同一
組成の抵抗材料ケ実施例1と同一の方法で得、これを使
用して実施例1と同一の方法で同一構造の多層セラミッ
ク回路基板を形成し、実施例1と同様に電気的特性を訓
示したところ、シート抵抗値は3.103 X 10Ω
/口、抵抗変化率△Rは−0,9%であった。
この実施例2から明らかなように、ガラスの組成を変え
ても抵抗特性に大きな相違は見られない。
つまり、本発明において使用されるガラスは必ずしも特
定された1つの組成に限ら匙るものではない。ナオ、実
施例I Vc オn ルSin、 −ZnO−ZrO,
−CaO−AI、01系ガラス、実施例2のSin、 
−B、03−CaOA、1t03系ガラスはいずrしも
作業点(IXIO’ホイズとなる温度)が900〜12
00℃のガラスである。本発明に係わるガラスは、実施
例1及び2の組成のガラスに限ることなく、900〜1
200℃の作業点ケ有し、且つ還元雰囲気で焼成する際
に金網化されやすい金属酸化物(PbO、SnO,、R
i。
01等)を含まないものであれば、どのようなものでも
よい。
〔変形例〕
本発明は上述の実施例に駆足されるものでなく、例えば
次の変形例が可能なものである。
13+  炭化モリブデンとガラスと弗化物と炭酸塩と
を含む抵抗体ペーストya17塗布したグリーンシート
の焼成温度’に1000℃〜1200℃の範囲で変化さ
せても、抵抗値R8汲び抵抗変化率ΔRが殆んど変化し
ないことがR認されている。例えば、実施例1の試料A
3と同一組成で焼成温度のみを1000℃、1050℃
、1150℃、1200℃に変化させた時の抵抗値R1
は110.I X 10’Ω/口、108.9 X 1
0  Ω/口、109.5 X 10  Ω/口、10
9.2 X 10Ω/口であり、fた抵抗変化率ΔRは
−1,4%、−1,6%、−1,5%、−1,8%であ
った。他の組成においてもほぼ同様な結果が得られた。
(bl  グリーンジ−トン焼成する時の雰囲気を中性
雰囲気(不活性雰囲気)としてもよい。また、グリーン
シートケ焼成する前の有機物を分解及び飛散させるため
の酸化性雰囲気の熱処理温度ケ例えば400℃〜600
℃で変化させてもよい。
(cl  ガラスと炭化モリブデンと弗化物との混合物
のアルゴン雰囲気中での焼成温度を、例えば900〜1
200℃の範囲で変化させてもよい。またこの焼成をア
ルゴンガス心外の不活性雰囲気、又は真空中、又は中性
雰囲気、又は還元性雰囲気で行ってもよい。
(di  抵抗体ペーストを作るための有機バインダ溶
液(ビヒクル〕は、ニトロセルロース等の樹脂を、テレ
ピン油、ブチルカルピトールアセテート等の高沸点溶剤
に溶かしたものでもよい。また、この有機バインダ溶液
の量は15〜35重景部程重量望ましい。
〔発明の効果〕
上述から明ら刀1な如く、本発明のペースト状抵抗材料
とニッケル等の卑金属の導体ペーストとを非酸化雰囲気
で同時焼成することができ、且つ本発明の抵抗材料には
貴金属が含まれていない。従って、多層セラミック回路
基板、又はこれに類似の電気回路部品の小型化及び低コ
スト化洗寄与することができる。また、本発明の抵抗材
料は前述の特許出願の抵抗材料に比較し、耐湿性の良い
抵抗体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例に係わる多層セラミック回路基
板7炸與する際のグリーンシートと導体膜及び抵抗体膜
のパターンな示す平面図、第2図は第1図のロー■IN
K相当てる部分の焼成後の多層セラミック回路基板を示
す断面図である。 ill・・・グリーンシート片12+・・・導体膜、(
31・・・抵抗体膜、(4)・・・グリーンシート片。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)炭化モリブデン 25〜70重量部、ガラス 1
    0〜50重量部、 弗化カルシウム、弗化ストロンチウム、及び弗化バリウ
    ムの内の少なくとも1種の弗化物 5〜40重量部、 炭酸カルシウム、炭酸ストロンチウム、及び炭酸バリウ
    ムの内の少なくとも1種の炭酸塩 10〜60重量部、 適当量の有機結合剤及び溶剤、 から成るペースト状抵抗材料。
  2. (2)前記炭化モリブデンは、1炭化1モリブデン(M
    oC)及び/又は1炭化2モリブデン(Mo_2C)で
    ある特許請求の範囲第1項記載の抵抗材料。
  3. (3)前記ガラスは、作業点が900〜1200℃の範
    囲のものである特許請求の範囲第1項又は第2項記載の
    抵抗材料。
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