JPS62101067A - 入力保護装置 - Google Patents
入力保護装置Info
- Publication number
- JPS62101067A JPS62101067A JP24204185A JP24204185A JPS62101067A JP S62101067 A JPS62101067 A JP S62101067A JP 24204185 A JP24204185 A JP 24204185A JP 24204185 A JP24204185 A JP 24204185A JP S62101067 A JPS62101067 A JP S62101067A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- input
- low concentration
- diffused layer
- type diffused
- high voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 206010024229 Leprosy Diseases 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 210000004709 eyebrow Anatomy 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0288—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using passive elements as protective elements, e.g. resistors, capacitors, inductors, spark-gaps
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は集積回路(以下ICと記す)の静゛成気による
破壊を防止するための入力保護装置に関する。
破壊を防止するための入力保護装置に関する。
ICの静電気による破壊を防止するための入力保護回路
はIC設計のうえで重要であり、従来種種の方法が考え
られてぎた。
はIC設計のうえで重要であり、従来種種の方法が考え
られてぎた。
第3図は従来の一般的な入力保護回路の等価回路であり
、入力端子31より入力抵抗32を介して論理回路36
の入力に接続され、接点35は入力保護ダイオード33
.34を介してそれぞれVDD端子37、Vss端子3
8に接続されている。
、入力端子31より入力抵抗32を介して論理回路36
の入力に接続され、接点35は入力保護ダイオード33
.34を介してそれぞれVDD端子37、Vss端子3
8に接続されている。
この回路の入力端子31に靜゛亀気(高電圧)が印加さ
れると抵抗32及びダイオード33.34により、′電
流が区源vDD父はVs=−に流れ、論理回路36の入
力には高′戒圧がかからないようになっている。
れると抵抗32及びダイオード33.34により、′電
流が区源vDD父はVs=−に流れ、論理回路36の入
力には高′戒圧がかからないようになっている。
第3図に示した従来の等価入力保護回路に2いては、入
力抵抗32の抵抗値を犬きくするほど静電耐量は犬ぎ(
なるが、スイッチングスビーN’すどの特性面への悪影
響があるため、入力抵抗32の抵抗値をそれほど大ぎく
することができず、そのため充分な静電耐量が得られな
いといった欠点があった。
力抵抗32の抵抗値を犬きくするほど静電耐量は犬ぎ(
なるが、スイッチングスビーN’すどの特性面への悪影
響があるため、入力抵抗32の抵抗値をそれほど大ぎく
することができず、そのため充分な静電耐量が得られな
いといった欠点があった。
本発明の入力保護装置は、−溝成形半導体基板内に形成
さ:n、fc第1の抵抗となる低濃度の通導成形拡散層
と、基板内に設けられた通導゛tIL筋つェル内に形成
された第2の抵抗となる低濃度の一導電的拡散層とを有
し、この逆導電形拡散層と一導電的拡散層とを直列接続
して入力抵抗を構成したこと金特漱とする。
さ:n、fc第1の抵抗となる低濃度の通導成形拡散層
と、基板内に設けられた通導゛tIL筋つェル内に形成
された第2の抵抗となる低濃度の一導電的拡散層とを有
し、この逆導電形拡散層と一導電的拡散層とを直列接続
して入力抵抗を構成したこと金特漱とする。
次に1本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の構造の断面図、第2図はそ
の等1面回路図である。
の等1面回路図である。
第1図により本発明の詳細な説明する。
41図に2いては、N形基板7に第1の抵抗となる低濃
度P形波欣j−2が設けられ、N形基板7内に設けられ
たPウェル6内に第2の抵抗となる低濃度N膨拡散層4
が設けられて2つ、N形基板7は表面部に設けられたN
形波散層9に接続されたvDD端子11によりd源VD
Dに接続され、Pウェル6は表面部に設けられたP膨拡
散層8に接続されたVss端子10iCより電源Vss
に接続されている。ここで、低濃度P形拡散層2の一端
が入力端子1に接続され他端が低濃度N膨拡散層4の一
端に接続され、低濃度N膨拡散層4の他端は内部配線1
4に接続されている。
度P形波欣j−2が設けられ、N形基板7内に設けられ
たPウェル6内に第2の抵抗となる低濃度N膨拡散層4
が設けられて2つ、N形基板7は表面部に設けられたN
形波散層9に接続されたvDD端子11によりd源VD
Dに接続され、Pウェル6は表面部に設けられたP膨拡
散層8に接続されたVss端子10iCより電源Vss
に接続されている。ここで、低濃度P形拡散層2の一端
が入力端子1に接続され他端が低濃度N膨拡散層4の一
端に接続され、低濃度N膨拡散層4の他端は内部配線1
4に接続されている。
ここで、入力端子1に負の高電圧が印加された場合、低
/11度P形拡散層2の空乏層3の広がりによr)P膨
拡散層の抵抗質は負の高電圧印加がない場合に比軸して
かなり高くなる。同様に入力端子1に正の高電圧が印加
された場合Pwel16内に形成された低濃度N膨拡散
層4の抵抗値は、非高電圧印加時に比較してかなり高(
なる。
/11度P形拡散層2の空乏層3の広がりによr)P膨
拡散層の抵抗質は負の高電圧印加がない場合に比軸して
かなり高くなる。同様に入力端子1に正の高電圧が印加
された場合Pwel16内に形成された低濃度N膨拡散
層4の抵抗値は、非高電圧印加時に比較してかなり高(
なる。
上記のような低濃度のP形波散層2及びN形波散層4は
例えばイオン注入などにより、容易に形成することがで
き、高電圧印加時の抵抗値のコントロールも比較的容易
にできる。又、上記低濃度の、P形波散層2及びN形波
散層4を形成することにより等制約にダイオード12.
13が形成さ眉。
例えばイオン注入などにより、容易に形成することがで
き、高電圧印加時の抵抗値のコントロールも比較的容易
にできる。又、上記低濃度の、P形波散層2及びN形波
散層4を形成することにより等制約にダイオード12.
13が形成さ眉。
る。
以上説明したように低濃度P−拡散層及びN−拡散層と
を直列に接続して入力抵抗を構成することにより静電気
などの高電圧印加時にのみその空乏層が広がり高入力抵
抗となり1通常の論理レベルの逐圧印加時には、その空
乏層がほとんど広がぼ らないため低入力抵抗となり、スイッチスヒート。
を直列に接続して入力抵抗を構成することにより静電気
などの高電圧印加時にのみその空乏層が広がり高入力抵
抗となり1通常の論理レベルの逐圧印加時には、その空
乏層がほとんど広がぼ らないため低入力抵抗となり、スイッチスヒート。
に影響が少く静電耐圧の高い入力保護回路を、構成でき
る効果がある。
る効果がある。
第1図は本発明の一実施例の断面図、第2図は第1図の
等価回路図、第3図は従来の等値入力保護回路の回路図
である。 1・・・・・・入力端子、2・・・・・・低濃vP形拡
散層、3・−・・・・空乏層、4・・・・・・低I#度
N形波牧屑、5・・・・・・空乏層、6・・・・・・P
ウヱル、7・・・・・・N形基板、8・−・・・・P膨
拡散層、9・・・・−・N形微散層、10・・・・−・
Uss端子、11・・・・−・VDD端子、12,13
・・・・・・等価ダイオード、14・・・・・・内部量
J、31・・・・・・入力端子、32・・・・・・入力
抵抗、33.34・・・・・・入力保護ダイオード、3
5・・・・−・接点、36・−・・・論理回路、37・
・・・−・VDD端子、8・−・・−・VS<端子。
等価回路図、第3図は従来の等値入力保護回路の回路図
である。 1・・・・・・入力端子、2・・・・・・低濃vP形拡
散層、3・−・・・・空乏層、4・・・・・・低I#度
N形波牧屑、5・・・・・・空乏層、6・・・・・・P
ウヱル、7・・・・・・N形基板、8・−・・・・P膨
拡散層、9・・・・−・N形微散層、10・・・・−・
Uss端子、11・・・・−・VDD端子、12,13
・・・・・・等価ダイオード、14・・・・・・内部量
J、31・・・・・・入力端子、32・・・・・・入力
抵抗、33.34・・・・・・入力保護ダイオード、3
5・・・・−・接点、36・−・・・論理回路、37・
・・・−・VDD端子、8・−・・−・VS<端子。
Claims (1)
- 一導電形半導体基板内に形成された第1の抵抗となる低
濃度の逆導電形拡散層と、前記基板内に設けられた逆導
電形ウェル内に形成された第2の抵抗となる低濃度の一
導電形拡散層とを有し、前記逆導形拡散層と前記一導電
形拡散層とを直列接続して入力抵抗を構成したことを特
徴とする入力保護装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24204185A JPS62101067A (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | 入力保護装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24204185A JPS62101067A (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | 入力保護装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62101067A true JPS62101067A (ja) | 1987-05-11 |
Family
ID=17083392
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24204185A Pending JPS62101067A (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | 入力保護装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62101067A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1989007332A2 (en) * | 1988-01-19 | 1989-08-10 | Unisys Corporation | Esd protection circuit employing channel depletion |
US4982716A (en) * | 1988-02-19 | 1991-01-08 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Fuel injection valve with an air assist adapter for an internal combustion engine |
EP0562352A2 (en) * | 1992-03-26 | 1993-09-29 | Texas Instruments Incorporated | High voltage structures with oxide isolated source and RESURF drift region in bulk silicon |
FR2690786A1 (fr) * | 1992-04-30 | 1993-10-29 | Sgs Thomson Microelectronics Sa | Dispositif de protection d'un circuit intégré contre les décharges électrostatiques. |
US5925922A (en) * | 1991-09-30 | 1999-07-20 | Texas Instruments Incorporated | Depletion controlled isolation stage |
EP2765606A1 (en) * | 2013-02-06 | 2014-08-13 | Seiko Instruments Inc. | Semiconductor device having an ESD protection circuit |
EP3944316A1 (en) * | 2020-07-21 | 2022-01-26 | Nexperia B.V. | An electrostatic discharge protection semiconductor structure and a method of manufacture |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5275987A (en) * | 1975-12-22 | 1977-06-25 | Hitachi Ltd | Gate protecting device |
-
1985
- 1985-10-28 JP JP24204185A patent/JPS62101067A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5275987A (en) * | 1975-12-22 | 1977-06-25 | Hitachi Ltd | Gate protecting device |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1989007332A2 (en) * | 1988-01-19 | 1989-08-10 | Unisys Corporation | Esd protection circuit employing channel depletion |
US4982716A (en) * | 1988-02-19 | 1991-01-08 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Fuel injection valve with an air assist adapter for an internal combustion engine |
US5925922A (en) * | 1991-09-30 | 1999-07-20 | Texas Instruments Incorporated | Depletion controlled isolation stage |
US5977596A (en) * | 1991-09-30 | 1999-11-02 | Texas Instruments Incorporated | Depletion controlled isolation stage |
EP0562352A2 (en) * | 1992-03-26 | 1993-09-29 | Texas Instruments Incorporated | High voltage structures with oxide isolated source and RESURF drift region in bulk silicon |
EP0562352A3 (ja) * | 1992-03-26 | 1994-01-05 | Texas Instruments Inc | |
FR2690786A1 (fr) * | 1992-04-30 | 1993-10-29 | Sgs Thomson Microelectronics Sa | Dispositif de protection d'un circuit intégré contre les décharges électrostatiques. |
US5548134A (en) * | 1992-04-30 | 1996-08-20 | Sgs-Thomson Microelectronics, S.A. | Device for the protection of an integrated circuit against electrostatic discharges |
US5903424A (en) * | 1992-04-30 | 1999-05-11 | Sgs-Thomson Microelectronics S.A. | Method for protecting an integrated circuit against electro-static discharges |
EP2765606A1 (en) * | 2013-02-06 | 2014-08-13 | Seiko Instruments Inc. | Semiconductor device having an ESD protection circuit |
EP3944316A1 (en) * | 2020-07-21 | 2022-01-26 | Nexperia B.V. | An electrostatic discharge protection semiconductor structure and a method of manufacture |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3992855B2 (ja) | 静電気放電保護のための回路 | |
KR0159451B1 (ko) | 반도체장치의 보호회로 | |
TW473979B (en) | ESD protection circuit for mixed-voltage I/O by using stacked NMOS transistors with substrate triggering technique | |
US5001529A (en) | Semiconductor device having protection circuit | |
KR960012249B1 (ko) | 래치업 방지회로를 가진 cmos 집적회로장치 | |
US5594265A (en) | Input protection circuit formed in a semiconductor substrate | |
JPH0415955A (ja) | 半導体装置の入力回路の製造方法 | |
KR100188359B1 (ko) | 파워 온 리셋 회로 | |
JPS62101067A (ja) | 入力保護装置 | |
JPS5916365A (ja) | 相補型半導体装置 | |
KR100226741B1 (ko) | 정전기보호회로 | |
KR100290916B1 (ko) | 이에스디(esd) 보호회로 및 그의 제조 방법 | |
JPH0219979B2 (ja) | ||
JPH0566741B2 (ja) | ||
JPH02135774A (ja) | 半導体装置 | |
KR0144243B1 (ko) | 게이트 어레이의 입출력 셀 레이아웃 방법 | |
KR930017168A (ko) | 트리플웰을 가지는 반도체 메모리 장치 | |
JPS61102766A (ja) | 半導体集積回路 | |
JPS62122164A (ja) | 入力保護回路 | |
JPH04105357A (ja) | 半導体集積回路 | |
KR100334863B1 (ko) | 반도체장치 | |
JP2926785B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH06342904A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPH0434967A (ja) | Mos型集積回路装置 | |
JPH04177861A (ja) | 半導体装置 |