JPS6196739A - 半導体ウエハ用保護膜 - Google Patents
半導体ウエハ用保護膜Info
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- JPS6196739A JPS6196739A JP21882384A JP21882384A JPS6196739A JP S6196739 A JPS6196739 A JP S6196739A JP 21882384 A JP21882384 A JP 21882384A JP 21882384 A JP21882384 A JP 21882384A JP S6196739 A JPS6196739 A JP S6196739A
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は半導体製造工程に、おいて、半導体ウェハの
表面を不純物汚染やスクラッチ等の物理的損傷から保護
するために、半導体ウェハの表面に塗布される半導体ウ
ェハ用保護膜に関する。
表面を不純物汚染やスクラッチ等の物理的損傷から保護
するために、半導体ウェハの表面に塗布される半導体ウ
ェハ用保護膜に関する。
（ロ）従来技術
例えば、半導体ウェハの裏面を研磨するラッピング工程
においては、半導体ウェハ表面への不純物汚染あるいは
スクラッチ等を防止するために、表面に保護膜を塗布し
てラッピング作業が行われる。このような半導体ウェハ
への保護膜の塗布はラッピング工程のみならず、その他
の半導体ウェハを取り扱う工程においても前記と同様の
目的でしばしば行われる。
においては、半導体ウェハ表面への不純物汚染あるいは
スクラッチ等を防止するために、表面に保護膜を塗布し
てラッピング作業が行われる。このような半導体ウェハ
への保護膜の塗布はラッピング工程のみならず、その他
の半導体ウェハを取り扱う工程においても前記と同様の
目的でしばしば行われる。
しかしながら、この保護膜はもともと略透明色であり、
しかも非常に薄く塗布されるために、保護膜が塗布され
た半導体ウェハを一見しても、保護膜の有無を判断する
ことが困難である。そのため、その確認のために余計な
時間を費やして作業能率を低下させたり、また、ともす
れば保護膜を塗布していない半導体ウェハを処理してそ
の表面を汚染したりする場合もある。さらには、保護膜
を除いて処理しなければならない工程において、その除
去をしなかったために半導体ウェハが不良になる等の問
題も発生し易い。
しかも非常に薄く塗布されるために、保護膜が塗布され
た半導体ウェハを一見しても、保護膜の有無を判断する
ことが困難である。そのため、その確認のために余計な
時間を費やして作業能率を低下させたり、また、ともす
れば保護膜を塗布していない半導体ウェハを処理してそ
の表面を汚染したりする場合もある。さらには、保護膜
を除いて処理しなければならない工程において、その除
去をしなかったために半導体ウェハが不良になる等の問
題も発生し易い。
（ハ）目的
この発明は半導体ウェハに保護膜が塗布されているか否
かを容易に判断できる半導体ウェハ用保護膜を提供する
ことを目的としている。
かを容易に判断できる半導体ウェハ用保護膜を提供する
ことを目的としている。
（ニ）構成
この発明に係る半導体ウェハ用保護訣は、半導体ウェハ
表面に塗布される保護膜に着色剤を含有させたことを特
徴としている。
表面に塗布される保護膜に着色剤を含有させたことを特
徴としている。
（ホ）実施例
第１図はこの発明に係る半導体ウェハ用保護膜を塗布し
た半導体ウェハを示す斜視図である。同図において１は
表面に所定の回路素子が構成された半導体ウェハ、２は
前記半導体ウェハ１の表面に塗布された保護膜である。
た半導体ウェハを示す斜視図である。同図において１は
表面に所定の回路素子が構成された半導体ウェハ、２は
前記半導体ウェハ１の表面に塗布された保護膜である。
この保護膜に使用される材料は、半導体ウェハにとって
有害なナトリウム等のアルカリ金属や塩素等の不純物を
含まず、かつこれらの不純物を容易に透過しないものが
選択される。また、この材料は半導体ウェハにスクラチ
ッチ等を発生させるような異物を含まず、かつ保護膜の
表面に異物が付着してもこれによって半導体ウェハにス
クラッチ等を損傷を容易に与えないものでなければなら
ない。
有害なナトリウム等のアルカリ金属や塩素等の不純物を
含まず、かつこれらの不純物を容易に透過しないものが
選択される。また、この材料は半導体ウェハにスクラチ
ッチ等を発生させるような異物を含まず、かつ保護膜の
表面に異物が付着してもこれによって半導体ウェハにス
クラッチ等を損傷を容易に与えないものでなければなら
ない。
６ これらの条件に適合する材料には例えば
、フォトエツチング工程で使用されるフォトレジストが
ある。このフォトレジストとしては、ゴム系のネガレジ
ストあるいはノボラック樹脂系のポジレジストの何れで
もよい。また、保護膜としてはフォトレジストに限られ
ず例えば、ポリイミド系樹脂Ｐ Ｉ Ｑ （ｐｏｌｙｉ
ｍｉｄｅ １ｓｏｉｎｄｒｏ ｑｕｉｎａｚｏｌｉｎｅ
ｄｉｏｎｅ）を用いてもよい。
、フォトエツチング工程で使用されるフォトレジストが
ある。このフォトレジストとしては、ゴム系のネガレジ
ストあるいはノボラック樹脂系のポジレジストの何れで
もよい。また、保護膜としてはフォトレジストに限られ
ず例えば、ポリイミド系樹脂Ｐ Ｉ Ｑ （ｐｏｌｙｉ
ｍｉｄｅ １ｓｏｉｎｄｒｏ ｑｕｉｎａｚｏｌｉｎｅ
ｄｉｏｎｅ）を用いてもよい。
また、このような保護膜に含有させる着色剤としは前記
と同様に半導体ウェハに悪影響を与える不純物や異物を
含まないものであることが必要とされる。例えば、酸・
アルカリの試薬として用いられるメチルレッドあるいは
メチルレッド等が使用される。
と同様に半導体ウェハに悪影響を与える不純物や異物を
含まないものであることが必要とされる。例えば、酸・
アルカリの試薬として用いられるメチルレッドあるいは
メチルレッド等が使用される。
このような着色剤を含んだ保護膜は、フォトレジスの塗
布と同様にスピンナー等によって半導体ウェハ表面に塗
布される。保護膜の膜厚は不純物汚染あるいはスクラッ
チ防止に有効で、かつ保護膜の有無の確認が容易に行え
る程に着色される厚さに設定される。
布と同様にスピンナー等によって半導体ウェハ表面に塗
布される。保護膜の膜厚は不純物汚染あるいはスクラッ
チ防止に有効で、かつ保護膜の有無の確認が容易に行え
る程に着色される厚さに設定される。
（へ）効果
この考案は半導体ウェハの表面に塗布される保護膜に着
色剤を含有させたから、半導体ウェハに保護膜が塗布さ
れているか否かが一見して判別できる。そのため、塗布
の有無を確認するための時間が無くなり作業能率が向上
するとともに、誤判断に基づく半導体ウェハ表面の不純
物汚染やスクラッチの発生等のトラブルを未然に防止す
ることができる。
色剤を含有させたから、半導体ウェハに保護膜が塗布さ
れているか否かが一見して判別できる。そのため、塗布
の有無を確認するための時間が無くなり作業能率が向上
するとともに、誤判断に基づく半導体ウェハ表面の不純
物汚染やスクラッチの発生等のトラブルを未然に防止す
ることができる。
第１図はこの発明の一実施例に係る半導体ウェハ用保護
欣を塗布した半導体ウェハを示す。 １・・・半導体ウェハ、２・・・保護膜。
欣を塗布した半導体ウェハを示す。 １・・・半導体ウェハ、２・・・保護膜。
Claims (1)
- （１）半導体ウェハ表面に塗布される保護膜に着色剤を
含有したことを特徴とする半導体ウェハ用保護膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21882384A JPS6196739A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 半導体ウエハ用保護膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21882384A JPS6196739A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 半導体ウエハ用保護膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6196739A true JPS6196739A (ja) | 1986-05-15 |
Family
ID=16725904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21882384A Pending JPS6196739A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 半導体ウエハ用保護膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6196739A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58159332A (ja) * | 1982-03-17 | 1983-09-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 表面保護皮膜を有する半導体ウエハ |
-
1984
- 1984-10-17 JP JP21882384A patent/JPS6196739A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58159332A (ja) * | 1982-03-17 | 1983-09-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 表面保護皮膜を有する半導体ウエハ |
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