JPS58159332A - 表面保護皮膜を有する半導体ウエハ - Google Patents
表面保護皮膜を有する半導体ウエハInfo
- Publication number
- JPS58159332A JPS58159332A JP57042366A JP4236682A JPS58159332A JP S58159332 A JPS58159332 A JP S58159332A JP 57042366 A JP57042366 A JP 57042366A JP 4236682 A JP4236682 A JP 4236682A JP S58159332 A JPS58159332 A JP S58159332A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- semiconductor wafer
- protective film
- semiconductor
- surface protective
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02118—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は表面保護皮膜を有する半導体ウェハに係る。
半導体ウェハは、バルク単結晶から、切出され、表面を
研磨して製作される。
研磨して製作される。
エピタキシャルウェハは、基板としてのウェハへさらに
、エピタキシャル成長層を形成して製作する。
、エピタキシャル成長層を形成して製作する。
このようにして作ったウェハの表面は、清浄であるが、
清浄表面に、微少なゴミ、結晶片、粉なとが付着し、表
面を汚す惧れがある。このような汚れは、なかなか除去
することができない。清浄な表面に付いたゴミなどの付
着力は特に強いからである。
清浄表面に、微少なゴミ、結晶片、粉なとが付着し、表
面を汚す惧れがある。このような汚れは、なかなか除去
することができない。清浄な表面に付いたゴミなどの付
着力は特に強いからである。
表面に付いた汚れ、ゴミなどを取るには、水洗い、界面
活性剤を使った洗浄、有機溶剤による洗浄などの慣用手
段が用いられる。しかし、これらの方法によっても、汚
れを完全に取ることは難しい。
活性剤を使った洗浄、有機溶剤による洗浄などの慣用手
段が用いられる。しかし、これらの方法によっても、汚
れを完全に取ることは難しい。
そこで、従来は、第９図に示す半導体ミラーウェハ２０
や、第１０図に示すエピタキシャルウェハ２１は、表面
Ｓを清浄にした後、第１１図に例示するパッケージに１
枚ずつ収納した。第１０図に於て、基板２２の上にエピ
タキシャル成長層２３を成長させ、表面Ｓは清浄になっ
ている。
や、第１０図に示すエピタキシャルウェハ２１は、表面
Ｓを清浄にした後、第１１図に例示するパッケージに１
枚ずつ収納した。第１０図に於て、基板２２の上にエピ
タキシャル成長層２３を成長させ、表面Ｓは清浄になっ
ている。
このような半導体ウェハ２０、又は２１をパッケージ２
４へ、清浄表面Ｓが下向き（裏面Ｒが上向き）になるよ
う収め、プラスチックスプリング２５を上から嵌め、フ
タ２６で被蓋して、ウェハを１枚ごとにパッケージング
する。
４へ、清浄表面Ｓが下向き（裏面Ｒが上向き）になるよ
う収め、プラスチックスプリング２５を上から嵌め、フ
タ２６で被蓋して、ウェハを１枚ごとにパッケージング
する。
半導体ウェハの中でも、Ｓｉ ウェハは機械的強度に優
れている。しかし、ＧａＡｓなど化学物半導体ウェハは
、機械的強度に劣る。Ｓｉに比べて、一般に、降伏応力
が小さく、特に＜ １１０ ＞方向に特に、外力などが
加わらないよう、１枚ごとにパッケージするという必要
性が高かった。
れている。しかし、ＧａＡｓなど化学物半導体ウェハは
、機械的強度に劣る。Ｓｉに比べて、一般に、降伏応力
が小さく、特に＜ １１０ ＞方向に特に、外力などが
加わらないよう、１枚ごとにパッケージするという必要
性が高かった。
本発明は、このような難点を解決するものである。
本発明の半導体ウェハは、表面を清浄にしたウェハの上
に、有機溶剤に溶けるプラスチックの皮膜を形成した、
表面保護皮膜を有する半導体ウェハである。
に、有機溶剤に溶けるプラスチックの皮膜を形成した、
表面保護皮膜を有する半導体ウェハである。
第１図は、本発明の半導体ウェハを作るための工程略図
である。
である。
表面清浄な半導体ウェハＡから出発する。清浄にする方
法は、公知の方法を使う。
法は、公知の方法を使う。
（プラスチック／溶剤）塗布液Ｂを用意する。
プラスチックは、平滑な皮膜を表面に形成するものであ
れば良い。有機溶剤は、溶質としてのプラスチックを溶
かす事のできるものであれば良い。
れば良い。有機溶剤は、溶質としてのプラスチックを溶
かす事のできるものであれば良い。
そして、有機溶剤が乾燥した後、プラスチック成分が表
面に残り、皮膜を作ることが必要である。
面に残り、皮膜を作ることが必要である。
溶質と溶液の比は、乾燥時間、乾燥温度、保護皮膜の厚
さ等、所望の条件に依存して決定される。
さ等、所望の条件に依存して決定される。
たとえば、プラスチックが、アセチルセルローズ系の樹
脂で、有機溶剤が、これを溶かすことのできる酢酸メチ
ルとする事ができる。
脂で、有機溶剤が、これを溶かすことのできる酢酸メチ
ルとする事ができる。
たとえば、プラスチックがポリ塩化ビニール系の樹脂で
、有機溶剤がトルエン又はメチルエチルケトンとする事
ができる。
、有機溶剤がトルエン又はメチルエチルケトンとする事
ができる。
この他にも、適当なプラスチックと、これを溶かす事の
できる有機溶剤を組合わせて塗布液Ｂを作る事ができる
。
できる有機溶剤を組合わせて塗布液Ｂを作る事ができる
。
塗布液Ｂを、表面清浄な半導体ウェハＡに塗布する。塗
布Ｃの方法は任意である。例えば、スポイトを用いて塗
布液ＢをウェハＡ上に滴下してもよい。噴霧器等で吹き
つけても良い。
布Ｃの方法は任意である。例えば、スポイトを用いて塗
布液ＢをウェハＡ上に滴下してもよい。噴霧器等で吹き
つけても良い。
次にウェハＡを乾燥りする。例えば、常温自然乾燥で（
２４℃）、１２時間程度でよい。有機溶剤は乾燥工程で
蒸発する。
２４℃）、１２時間程度でよい。有機溶剤は乾燥工程で
蒸発する。
乾燥りの後、プラスチックは固化して、皮膜となる。こ
うして、−表面保護皮膜を有する半導体ウェハＥができ
る。
うして、−表面保護皮膜を有する半導体ウェハＥができ
る。
第２図は半導体ミラーウェハ１の清浄表面Ｓ上へ表面保
護皮膜２を設けた実施例の斜視図、第３図は同じものの
縦断面図である。ミラーウェハ１の厚みは約０．４ ｍ
ｓ、表面保護皮膜２の厚みは０．１〜０．４ｍｓ程度で
ある。
護皮膜２を設けた実施例の斜視図、第３図は同じものの
縦断面図である。ミラーウェハ１の厚みは約０．４ ｍ
ｓ、表面保護皮膜２の厚みは０．１〜０．４ｍｓ程度で
ある。
第４図はエピタキシャルウェハの例を示す斜視図、第５
図は同じものの断面図である。半導体基板３の上へエピ
タキシャル成長層４が設けてあり、この上にプラスチッ
ク表面保護皮膜２が付着している。基板３の厚みは約Ｑ
、４ｓｍ、エピタキシャル成長層４の厚みは０．１〜１
０μｍ１表面保護皮膜２の厚みは０．１〜０．４鰺であ
る。この実施例では、ウェハの周辺５に、０．５〜１ｍ
の幅で、保護皮膜２のない部分がある。これは、後に、
表面保護皮膜２を機械的に剥離する時に、便利なためで
ある。
図は同じものの断面図である。半導体基板３の上へエピ
タキシャル成長層４が設けてあり、この上にプラスチッ
ク表面保護皮膜２が付着している。基板３の厚みは約Ｑ
、４ｓｍ、エピタキシャル成長層４の厚みは０．１〜１
０μｍ１表面保護皮膜２の厚みは０．１〜０．４鰺であ
る。この実施例では、ウェハの周辺５に、０．５〜１ｍ
の幅で、保護皮膜２のない部分がある。これは、後に、
表面保護皮膜２を機械的に剥離する時に、便利なためで
ある。
以上の例は、ウェハの片側だけに、保護皮膜を設けてい
る。しかし、両側に保護皮膜を付けてもよい。
る。しかし、両側に保護皮膜を付けてもよい。
第６図はそのような例を示す実施例の斜視図で、第７図
は縦断面図である。
は縦断面図である。
半導体ウェハ６の両面が清浄に研磨、洗浄され、両面に
表面保護皮膜２が付けである。半導体ウェハ６の厚みは
０．４路程度、表面保護皮膜２の厚みは０．１〜０．４
襲程度とする。
表面保護皮膜２が付けである。半導体ウェハ６の厚みは
０．４路程度、表面保護皮膜２の厚みは０．１〜０．４
襲程度とする。
効果を述べる。
（１）清浄表面が表面保護皮膜で覆われているから、ゴ
ミや汚れがついても皮膜上にとどまり、ウェハ表面を汚
さない。
ミや汚れがついても皮膜上にとどまり、ウェハ表面を汚
さない。
（２） 表面保護皮膜で覆われているから、機械的強
度が増大する。外的な衝撃力などがあっても、割れにく
くなる。補強されているから、取扱い、輸送に便利であ
る。
度が増大する。外的な衝撃力などがあっても、割れにく
くなる。補強されているから、取扱い、輸送に便利であ
る。
（３）汚れや割れの惧れが少いので、多数枚を並べて、
ひとつのパッケージの中へ収納することができる。第８
図はパッケージングの１例を示す斜視図である。プラス
チックケース１゜は、長細い容器で、横方向に多数本の
溝１１が設けである。本発明の半導体ウェハＥは、多数
枚を、溝１１に立てて、プラスチックケース１０の中へ
入れ、カバー１２で蓋をすることにょ一シのように、１
枚ごとに収納しなければならない、という煩わしさがな
くなる。収納、輸送が効率的に行える。
ひとつのパッケージの中へ収納することができる。第８
図はパッケージングの１例を示す斜視図である。プラス
チックケース１゜は、長細い容器で、横方向に多数本の
溝１１が設けである。本発明の半導体ウェハＥは、多数
枚を、溝１１に立てて、プラスチックケース１０の中へ
入れ、カバー１２で蓋をすることにょ一シのように、１
枚ごとに収納しなければならない、という煩わしさがな
くなる。収納、輸送が効率的に行える。
（４）半導体ウェハＥから、表面保護皮膜を剥す時に、
ゴミ、粉などを皮膜とともに除去する事ができる。本発
明の表面保護皮膜を有する半導体ウェハＥは、使用する
前に、表面保護皮膜を剥し、さらにイソプロピルアルコ
ール等で洗浄する。
ゴミ、粉などを皮膜とともに除去する事ができる。本発
明の表面保護皮膜を有する半導体ウェハＥは、使用する
前に、表面保護皮膜を剥し、さらにイソプロピルアルコ
ール等で洗浄する。
最初の工程で、表面を清浄にしているが、それでもなお
、ゴミ、結晶片、粉などが表面上に微少量残留している
可能性がある。このような微細なゴミ等も、表面保護皮
膜を剥すときに、これに粘着して取り去られるわけであ
る。従って、半導体ウェハをデバイス工程へ送る時は、
表面には全くゴミ等が無い状態になっている。皮膜剥離
によるゴミ除去の能力は、有機溶剤による洗浄などより
、はるか。
、ゴミ、結晶片、粉などが表面上に微少量残留している
可能性がある。このような微細なゴミ等も、表面保護皮
膜を剥すときに、これに粘着して取り去られるわけであ
る。従って、半導体ウェハをデバイス工程へ送る時は、
表面には全くゴミ等が無い状態になっている。皮膜剥離
によるゴミ除去の能力は、有機溶剤による洗浄などより
、はるか。
に優れている。
このように有用な発明である。
本発明は、任意の半導体ウェハに適用することができる
。たとえば以下の半導体ウェハに用いると良い。
。たとえば以下の半導体ウェハに用いると良い。
（１）Ｓｉ（シリコン）エピタキシャルウェハ（２）
厘−Ｖイ、ヒ合物半導体のミラーウェハ（例えばＧａ
Ａｓ １１ｎＰ 、１１ｎＡｓ 、 ＩｎＳｂ 、 Ｇ
ａ５ｂ ） （３）Ｉ−Ｖ化合物半導体エピタキシャルウェハ及びＩ
−Ｖ化合物混晶半導体エピタキシャルウェハ 例えば ＧａＡ／Ａｓ （エピタキシャル層）／ ＧａＡｓ
（基板）ＩｎＧａＡｓＰ （ｚピタキシャル層）／Ｉｎ
Ｐ（基板）ＧａＡ７ＡｓＳｂ（エピタキシャル層）／
ＧａＳｂ （基板）ＩｎＳｂＡｓＰ （エピタキシャル
層） ／ ＩｎＡｓ （基板）（４） ＣｄＴｅなど
の襲−■化合物半導体のミラーウェハ
厘−Ｖイ、ヒ合物半導体のミラーウェハ（例えばＧａ
Ａｓ １１ｎＰ 、１１ｎＡｓ 、 ＩｎＳｂ 、 Ｇ
ａ５ｂ ） （３）Ｉ−Ｖ化合物半導体エピタキシャルウェハ及びＩ
−Ｖ化合物混晶半導体エピタキシャルウェハ 例えば ＧａＡ／Ａｓ （エピタキシャル層）／ ＧａＡｓ
（基板）ＩｎＧａＡｓＰ （ｚピタキシャル層）／Ｉｎ
Ｐ（基板）ＧａＡ７ＡｓＳｂ（エピタキシャル層）／
ＧａＳｂ （基板）ＩｎＳｂＡｓＰ （エピタキシャル
層） ／ ＩｎＡｓ （基板）（４） ＣｄＴｅなど
の襲−■化合物半導体のミラーウェハ
第１図は本発明の表面保護皮膜を有する半導体ウェハを
作るための工程略図。 第２図は半導体ミラーウェハ上に表面保護膜を付けた実
施例の斜視図。 第３図は同じものの縦断面図。 第４図はエピタキシャルウェハの上に表面保護膜を、周
辺部を残して、付けた実施例の斜視図。 第５図は同じものの縦断面図。 第６図は半導体ウェハの両面に表面保護膜を付けた実施
例の斜視図。 第７図は第６図の縦断面図。 第８図は本発明の表面保護膜を有する半導体ウェハを多
数枚、ケースに収納した状態を示す斜視図。 第９図は半導体ミラーウェハの斜視図。 第１０図は半導体エピタキシャルウェハの斜視図。 第１１図は従来の半導体ウェハのパッケージングを例示
する断面図。 １・・・・・・ミラーウェハ ２・・・・・・表・面保護皮膜 ３・・・・・・半導体装置 ４・・・・・・エピタキシャル成長層 ５・・・・・・周 辺 ６・・・・・・半導体ウェハ Ａ・・・・・・表面清浄な半導体ウェハＢ・・・・・・
（プラスチック／溶剤）塗布液 Ｃ・・・・・・塗 布 Ｄ・・・・・・乾 燥 Ｅ・・・・・・表面保護皮膜を有する半導体ウェハ Ｓ・・・・・・清浄表面 発 明 者 関 延 正 昭
竹 本 菊 部 横 川 正 道 特許庁長官 島１）巻回 殿 １．・ド件の表示 特願昭５７−４２３６６ ２、発明の名称 表面保護皮膜を有する半導体ウェハ ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 居 所大阪市東区北浜５丁目１５番地 名 称 （２１３）住友電気工業株式会社代表者社長
亀 井 正 夫 ′４４代 理 人 畢５３７ 住 所 大阪市東成区中道３丁目１５番１６号６、補正
の内容 特許請求の範囲 （１）表面清浄な半導体ウェハと、該表面上に機械的剥
離が可能なように付着せしめられた、有機溶剤に可溶な
プラスチック皮膜とから成る事を特徴とする表面保護皮
膜を有する半導体ウェハ。 （２）半導体ウェハが、置−■化合物半導体基板ウェハ
、ｉ−ｖ化合物半導体エピタキシャルウェハ、メはＩ−
Ｖ化合物混晶半導体エピタキンヤルウエハである特許請
求の範囲第（１）項記載の表面保護及膜を有する半導体
ウェハ。 （３） プラスチック皮膜がアセチルセルローズ系の
樹脂からなり、有機溶剤が酢酸メチルである特許請求の
範囲第（１）項記載の表面保護皮膜を有する半導体ウェ
ハ。 （４） プラスチック皮膜がポリ塩化ビニール系の樹
脂からなシ、有機溶剤がトルエン又はメチ請求の範囲第
（１）項記載の表面保護及膜を有する半導体ウェハ。 （５）半導体ウェハの周辺０．５〜ＩＭのみプラスチッ
ク皮膜が付着していない特許請求の範囲第（１）項記載
の表面保護皮膜を有する半導体ウェハ。
作るための工程略図。 第２図は半導体ミラーウェハ上に表面保護膜を付けた実
施例の斜視図。 第３図は同じものの縦断面図。 第４図はエピタキシャルウェハの上に表面保護膜を、周
辺部を残して、付けた実施例の斜視図。 第５図は同じものの縦断面図。 第６図は半導体ウェハの両面に表面保護膜を付けた実施
例の斜視図。 第７図は第６図の縦断面図。 第８図は本発明の表面保護膜を有する半導体ウェハを多
数枚、ケースに収納した状態を示す斜視図。 第９図は半導体ミラーウェハの斜視図。 第１０図は半導体エピタキシャルウェハの斜視図。 第１１図は従来の半導体ウェハのパッケージングを例示
する断面図。 １・・・・・・ミラーウェハ ２・・・・・・表・面保護皮膜 ３・・・・・・半導体装置 ４・・・・・・エピタキシャル成長層 ５・・・・・・周 辺 ６・・・・・・半導体ウェハ Ａ・・・・・・表面清浄な半導体ウェハＢ・・・・・・
（プラスチック／溶剤）塗布液 Ｃ・・・・・・塗 布 Ｄ・・・・・・乾 燥 Ｅ・・・・・・表面保護皮膜を有する半導体ウェハ Ｓ・・・・・・清浄表面 発 明 者 関 延 正 昭
竹 本 菊 部 横 川 正 道 特許庁長官 島１）巻回 殿 １．・ド件の表示 特願昭５７−４２３６６ ２、発明の名称 表面保護皮膜を有する半導体ウェハ ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 居 所大阪市東区北浜５丁目１５番地 名 称 （２１３）住友電気工業株式会社代表者社長
亀 井 正 夫 ′４４代 理 人 畢５３７ 住 所 大阪市東成区中道３丁目１５番１６号６、補正
の内容 特許請求の範囲 （１）表面清浄な半導体ウェハと、該表面上に機械的剥
離が可能なように付着せしめられた、有機溶剤に可溶な
プラスチック皮膜とから成る事を特徴とする表面保護皮
膜を有する半導体ウェハ。 （２）半導体ウェハが、置−■化合物半導体基板ウェハ
、ｉ−ｖ化合物半導体エピタキシャルウェハ、メはＩ−
Ｖ化合物混晶半導体エピタキンヤルウエハである特許請
求の範囲第（１）項記載の表面保護及膜を有する半導体
ウェハ。 （３） プラスチック皮膜がアセチルセルローズ系の
樹脂からなり、有機溶剤が酢酸メチルである特許請求の
範囲第（１）項記載の表面保護皮膜を有する半導体ウェ
ハ。 （４） プラスチック皮膜がポリ塩化ビニール系の樹
脂からなシ、有機溶剤がトルエン又はメチ請求の範囲第
（１）項記載の表面保護及膜を有する半導体ウェハ。 （５）半導体ウェハの周辺０．５〜ＩＭのみプラスチッ
ク皮膜が付着していない特許請求の範囲第（１）項記載
の表面保護皮膜を有する半導体ウェハ。
Claims (5)
- （１）表面清浄な半導体ウェハと、該表面上に機械的剥
離系可能なように付着せしめられた、有機溶剤に可溶な
プラスチック皮膜とから成る事を特徴とする表面保護皮
膜を有する半導体ウェハ。 - （２）半導体ウェハが、璽−■化合物半導体基板ウェハ
、璽−Ｖ化合物半導体エピタキシャルウェハ、又はｌ−
■化合物混晶半導体エピタキシャルウェハである特許請
求の範囲第（１）項記載の表面保護皮膜を有する半導体
ウェハ。 - （３） プラスチック皮膜がアセチルセルローズ系の
樹脂からなり、有機溶剤が酢酸メチルである特許請求の
範囲第（１）項記載の表面保護皮膜を有する半導体ウェ
ハ。 - （４） プラスチック皮膜がポリ塩化ビニール系の樹
脂からなり、有機溶剤がトルエン又はメチルエチルケト
ンである特許請求の範囲第（１）項記載の表面保護皮膜
を有する半導体ウェハ。 - （５）半導体ウェハの周辺０．５〜１１ｓのみプラスチ
ック皮膜が付着していない特許請求の範囲第（１）項記
載の表面保護皮膜を有する半導体ウェハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57042366A JPS58159332A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | 表面保護皮膜を有する半導体ウエハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57042366A JPS58159332A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | 表面保護皮膜を有する半導体ウエハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58159332A true JPS58159332A (ja) | 1983-09-21 |
Family
ID=12634033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57042366A Pending JPS58159332A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | 表面保護皮膜を有する半導体ウエハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58159332A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6196739A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Rohm Co Ltd | 半導体ウエハ用保護膜 |
| JPH03102815A (ja) * | 1989-09-14 | 1991-04-30 | Hitachi Cable Ltd | 半導体基板表面保護方法およびその方法を実施して作成した電界効果トランジスタ |
| US7985699B2 (en) | 2006-03-22 | 2011-07-26 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and storage medium |
| JP2019091779A (ja) * | 2017-11-14 | 2019-06-13 | 株式会社ディスコ | 小径ウェーハの製造方法 |
-
1982
- 1982-03-17 JP JP57042366A patent/JPS58159332A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6196739A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Rohm Co Ltd | 半導体ウエハ用保護膜 |
| JPH03102815A (ja) * | 1989-09-14 | 1991-04-30 | Hitachi Cable Ltd | 半導体基板表面保護方法およびその方法を実施して作成した電界効果トランジスタ |
| US7985699B2 (en) | 2006-03-22 | 2011-07-26 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and storage medium |
| JP2019091779A (ja) * | 2017-11-14 | 2019-06-13 | 株式会社ディスコ | 小径ウェーハの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4853286A (en) | Wafer processing film | |
| EP0452186B1 (fr) | Procédé pour l'obtention de blocs d'autoadhésifs thermofusibles à surface non collante | |
| CA2692124A1 (en) | Thin film iii-v compound solar cell | |
| EP3613081A1 (en) | Systems and methods for fabricating semiconductor devices via remote epitaxy | |
| JPS58159332A (ja) | 表面保護皮膜を有する半導体ウエハ | |
| JP2000506793A (ja) | 容器に除去可能な印刷マークを施す方法 | |
| CN100405553C (zh) | 化合物半导体晶片的制备方法 | |
| JP3183335B2 (ja) | 積層体及び半導体基板の製造方法 | |
| CA1125028A (en) | Method of obtaining polycrystalline silicon and workpiece useful therein | |
| US5271803A (en) | Method of forming finished edge of plural-layer optical membrane | |
| JP2002029899A (ja) | 有機光学単結晶の清浄方法及び有機光学単結晶 | |
| US7078343B2 (en) | Method of manufacturing compound semiconductor wafer | |
| FR2639149A1 (fr) | Procede de realisation de composants sans substrat | |
| JP2902880B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| Yamagishi | GaAs ICs on Si Substrates and Formation on Multi GaAs Layer Structure | |
| JPS6199336A (ja) | 電子素子の製造方法 | |
| JP2860743B2 (ja) | ホットメルトの包装方法 | |
| JPS6286302A (ja) | 固体撮像素子用色分解フイルタ−の製造方法 | |
| JPS62177000A (ja) | 砒化ガリウム結晶体の洗浄液 | |
| JPS61106495A (ja) | ３−５化合物単結晶薄膜をそなえたＳｉ基板およびその製造方法 | |
| JPH06204315A (ja) | 半導体ウェーハおよびその保管方法 | |
| JP3167350B2 (ja) | 素子の製造法 | |
| JPH05299362A (ja) | 半導体素子用ウエハ及び半導体素子の製造方法 | |
| JPH079371Y2 (ja) | 真空容器窓用掃除具 | |
| KR890002094B1 (ko) | 갈륨비소 단결정층 성장방법 |