JPH06204315A - 半導体ウェーハおよびその保管方法 - Google Patents

半導体ウェーハおよびその保管方法

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JPH06204315A
JPH06204315A JP35948092A JP35948092A JPH06204315A JP H06204315 A JPH06204315 A JP H06204315A JP 35948092 A JP35948092 A JP 35948092A JP 35948092 A JP35948092 A JP 35948092A JP H06204315 A JPH06204315 A JP H06204315A
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JP
Japan
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wafer
semiconductor wafer
highly viscous
wafers
wax
Prior art date
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Pending
Application number
JP35948092A
Other languages
English (en)
Inventor
Fumio Inoue
文雄 井上
Takahiro Sato
隆博 佐藤
Etsuro Morita
悦郎 森田
Hiroyuki Oi
浩之 大井
Tatsuya Osada
達哉 長田
Chizuko Okada
千鶴子 岡田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Silicon Corp
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Silicon Corp
Mitsubishi Materials Corp
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Publication date
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 梱包、搬送等取扱時の半導体ウェーハの破
損、欠陥発生、および、半導体ウェーハの表面の汚染を
防止する。 【構成】 半導体ウェーハ11をスピナ13の台13A
上に載置し、この半導体ウェーハ11表面および裏面に
高粘性体を滴下し、スピナ13を回転させる。半導体ウ
ェーハ11表面に均一の厚さに高粘性体を塗布、被覆す
る。塗布後、ベーキングを行って溶剤を蒸発させること
により、半導体ウェーハ11の全表面を高粘性体の被覆
層12により覆う。搬送時は各葉の間にシート22を挟
んで重ね合わせる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、梱包、搬送、移送、保
存、保管、保持、処理、取扱等にあって汚染、損傷が生
じることがない半導体ウェーハおよび半導体ウェーハの
保管方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、ウェーハ工程が終了した半導体ウ
ェーハ(以下、ウェーハ)の取扱、例えばウェーハ工程
からデバイス工程へのウェーハの搬送等での取扱は、以
下のよう行っていた。例えば、単一のプラスチック容器
に複数葉のウェーハを収納し、この容器を複数個、各容
器の間にクッション材を介在させて箱詰めして梱包し、
その箱を搬送していた。このため、梱包工程が煩雑さを
伴うとともに、複数の収納容器等が必要であり、コスト
的にも無駄が多かった。そして、梱包を解く際にも、こ
れらの工程において付着したダストや、容器内で付着し
た汚染物を除去するために、超純水による洗浄処理が必
要であった。これらの難点を解決するために、半導体ウ
ェーハと超純水(DIW)の氷から作られた氷板とを交
互に積層配置し、容器に収納する梱包方法、または、複
数葉の半導体ウェーハを超純水中に所定の間隔をおいて
配置した状態で凍結させた後に容器に収納する梱包方法
が提案されている(特開平4−128173号公報)。
ここに、超純水とは、イオン交換とフィルタ通過だけを
行わせた純水をさらに逆浸透圧法等により純度を高めた
ものをいう。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】以上の方法は、ウェー
ハの汚染の防止にはある程度の効果を示すが、ウェーハ
を氷中に凍結するために梱包工程においても極低温に維
持して行う必要があり、また、搬送の際にもドライアイ
スなどの冷媒を常時、供給しなければならない。また、
ウェーハを氷中に封止するために大がかりな装置が必要
とされ、ウェーハを1枚ずつ取り出す際にも煩雑さが伴
う。すなわち、ウェーハのロット全体が氷漬けとなって
いるので、使用時に1枚ごとに取り出すのが厄介であ
る。さらに、超純水が氷化する際の体積膨張により、薄
いウェーハが破損する恐れがある。そこで、ウェーハを
1枚ずつ氷以外の遮蔽物で被覆する技術が望まれてい
る。
【0004】本発明の目的は、その全表面を常温で被
覆、密封することができ、汚染物から完全に遮断され、
外力から保護され、かつ、1枚ずつの取扱が簡単な半導
体ウェーハ、および、その保管方法を提供することにあ
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、鏡面研磨後の
半導体ウェーハの全表面を高粘性体により被覆する半導
体ウェーハの保管方法を提供するものである。また、本
発明は、全表面を高粘性体からなる被覆層により被覆し
た半導体ウェーハを提供するものでもある。ここで、高
粘性体としては、ワックス等の有機化合物半液体であ
り、超清浄度を有し、かつ、ウェーハ周辺の不純物を強
力に吸着し、ウェーハを汚染しないものが用いられる。
例えばポリエチレングリコール、フロロカーボン系の界
面活性剤等である。
【0006】
【作用】本発明においては、ウェーハを1枚ずつ、その
全表面を高粘性体で被覆する。この結果、ウェーハがプ
ラスチック等の収納ケース等に直接接触することがな
く、また、ウェーハ表面に外気等が接触することによる
ウェーハ表面の汚染もない。その結果、ウェーハ表面が
損傷したり、内部欠陥を惹起したりすることはない。特
に、この高粘性体としてポリエチレングリコールやフロ
ロカーボン系の界面活性剤を用いると、ウェーハの使用
時(デバイス工程)の洗浄がより簡略化できる。そし
て、複数葉のウェーハを同時に一体として取り扱う場合
には、これらの間に密着防止シートを挟んで重ね合わせ
ることにより、これら全体の一体化を防止することがで
きる。すなわち、ウェーハを1枚ずつ取り扱うことも容
易にできる。したがって、このウェーハは自動枚葉処理
機に供給することが容易であって、また、自動化処理に
適した保管方法である。さらに、封入前にウェーハに付
着していた汚染物が高粘性体に吸着されて、洗浄時に除
去されるので、ウェーハの洗浄度が高められ好適なウェ
ーハを与えることができる。また、搬送時の衝撃等の外
力は高粘性体に吸収されるので、簡便かつ安全にウェー
ハの搬送を行うことができる。
【0007】
【実施例】以下に本発明の一実施例を図1〜図3を参照
しながら説明する。図1は本発明の一実施例に係るウェ
ーハの密封工程の概略を示す模式図である。図1におい
て、(A)はウェーハのミラー面側を被覆する工程を、
(B)はミラー面被覆後のベーキング工程を、(C)は
ウェーハ裏面の被覆工程を、(D)は裏面被覆後のベー
キング工程を、それぞれ示している。
【0008】図1中(D)において示すように、ウェー
ハ11の全表面(表裏面、面取り面、オリフラ面)は例
えば数十μmの厚さの被覆層12により被覆されてい
る。被覆層12は、ポリエチレングリコールにより形成
されている。なお、ウェーハ11としては、シリコンウ
ェーハ、ガリウムひ素ウェーハ等の半導体ウェーハを用
いている。また、これらのウェーハ11は、鏡面研磨後
のものをそのまま、さらにエッチング処理を施した後、
または、熱処理後のものについて使用するものである。
さらに、ウェーハ11としては例えばその厚さは600
μm、その径は8インチのもの等、全ての大きさ、任意
の形状のものを使用することができる。
【0009】次に、図1を用いてウェーハ11の被覆工
程を説明する。この被覆を行うウェーハ11は、上述し
たように、スライシング、オリフラ加工等の研削工程、
ラッピング、ポリッシング工程、エッチング工程、熱処
理工程、検査工程等のウェーハ製造工程を終了したもの
を用いるものとする。また、図中、13はスピナ、13
Aはウェーハ11が載置されるスピナの載置台である。
【0010】まず、載置台13の上面中央部にウェーハ
11をそのミラー面を上にして載置し、このウェーハ1
1の上面中心部に高粘性体である(粘度5〜200c
p)ポリエチレングリコールWAXを所定量(例えば
0.5〜1.5ml)だけ滴下する(A)。このときの
温度は室温とする。そして、スピナ13を所定速度(例
えば1000〜6000rpm)で回転、駆動する。こ
の結果、ポリエチレングリコールWAXはウェーハ11
上面を均一の厚さ(例えば1.0〜200μm)となる
ように被覆する。
【0011】次いで、処理時間短縮の目的でベーキング
を行う場合には、(B)に示すようにスピナ13からウ
ェーハAを取り外し、所定のベーキング炉に装入してウ
ェーハ11をベーキングする(B)。30〜50℃にて
5〜20分間ベーキングを行うものである。この結果、
ウェーハ11表面を被覆するポリエチレングリコールW
AX12から溶剤(メタノール・水・アルコール)が蒸
発し、ウェーハ11表面は所定の厚さ(例えば0.8〜
160μm)の被覆層12により被覆されることとな
る。
【0012】しかる後、(C)に示すように、載置台1
3上においてウェーハ11を反転して、ウェーハ11の
裏面を上に向けて載置し、スピナ13を駆動して同様の
処理を行う。すなわち、ポリエチレングリコールWAX
をウェーハ11の裏面中央部に所定量だけ滴下し、所定
速度で回転することにより、所定厚さのポリエチレング
リコールWAXにより該裏面を被覆する。次いで、ウェ
ーハ11を取り外して炉に装入し、ベーキングすること
により、ウェーハ11の裏面にも所定厚さの被覆層12
を形成する(D)。すなわち、ウェーハ11の全表面は
高粘性体の被覆層12により被覆されるものである。
【0013】図2はこのようにして被覆されたウェーハ
11Aを搬送用収納筒21に梱包する方法を示してい
る。すなわち、その直径が、ワックス被覆ウェーハ11
Aのそれよりもわずかに大きい収納筒21を用い、複数
枚のワックス被覆ウェーハ11Aを厚さ方向に重ね合わ
せて収納筒21に収納したものである。この場合、ワッ
クス被覆ウェーハ11Aとワックス被覆ウェーハ11A
との間には1枚の密着防止シート22を介在させてい
る。密着防止シート22はその一部を耳状に突出させた
もので、所定の材質(例えば炭化弗素系樹脂)、所定の
厚さ(例えば100〜1000μm)に形成したもので
ある。この結果、梱包を解く時にワックス被覆ウェーハ
11Aを1枚ずつ取り出すことが簡単であり、その取扱
がきわめて容易となる。なお、この収納筒21の外面に
は格納したウェーハ11Aの製造履歴等を示すバーコー
ド23を貼付してある。
【0014】図3は、この収納筒21を搬送する際に用
いるプラスチック製のポット型キャリア34を示してい
る。このキャリア34は、筒本体35と、蓋36と、を
有している。筒本体35の内面には固定式のリング状プ
ラスチッククッション37が設けられ、このクッション
37を介して上記収納筒21が格納、保持されるもので
ある。クッション37により搬送時の衝撃等が吸収され
る構成である。したがって、このキャリア34を用いて
搬送したワックス被覆ウェーハ11Aは、使用時には1
枚ずつ取り出されて、自動枚葉処理機によって処理され
ることとなる。例えば洗浄工程において洗浄され、ワッ
クス層12は除去されるものである。
【0015】
【発明の効果】本発明によれば、ウェーハの保管、搬
送、取扱等を1枚単位で自由に行うことができる。ま
た、この取扱時、ウェーハ表面の汚染、ウェーハの損傷
等は完全に防止することができる。さらに、デバイス工
程で洗浄処理に用いられる界面活性剤を用いて被覆する
ことにより、該デバイス工程での洗浄工程を省略するこ
ともできるという効果がある。また、ワックスでの被
覆、その脱離は体積膨張、収縮を伴わず、ウェーハに余
分な外力を印加するおそれはない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係るウェーハの被覆工程の
概略を示す模式図である。
【図2】本発明の一実施例に係る搬送用筒へのウェーハ
の格納方法の概略を示す分解斜視図である。
【図3】本発明の一実施例に係る搬送、保管用の容器を
示す断面図である。
【符号の説明】
11 ウェーハ 11A ワックス被覆ウェーハ 12 被覆層
フロントページの続き (72)発明者 森田 悦郎 東京都千代田区岩本町3丁目8番16号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 (72)発明者 大井 浩之 東京都千代田区岩本町3丁目8番16号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 (72)発明者 長田 達哉 東京都千代田区岩本町3丁目8番16号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 (72)発明者 岡田 千鶴子 埼玉県大宮市北袋町一丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社中央研究所内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 鏡面研磨後の半導体ウェーハの全表面を
    高粘性体により被覆することを特徴とする半導体ウェー
    ハの保管方法。
  2. 【請求項2】 全表面を高粘性体からなる被覆層により
    被覆したことを特徴とする半導体ウェーハ。
JP35948092A 1992-12-25 1992-12-25 半導体ウェーハおよびその保管方法 Pending JPH06204315A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997008746A1 (fr) * 1995-08-30 1997-03-06 Achilles Corporation Recipient contenant des galettes de semiconducteur, structure contenant des galettes de semiconducteur et procede d'introduction et d'extraction de galettes de semiconducteur

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997008746A1 (fr) * 1995-08-30 1997-03-06 Achilles Corporation Recipient contenant des galettes de semiconducteur, structure contenant des galettes de semiconducteur et procede d'introduction et d'extraction de galettes de semiconducteur
KR100446842B1 (ko) * 1995-08-30 2004-12-04 아키레스 가부시키가이샤 반도체웨이퍼의수납용기,수납구조및수납.인출방법

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Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19990629