JP2612935B2 - ウェハ - Google Patents
ウェハInfo
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- JP2612935B2 JP2612935B2 JP1127412A JP12741289A JP2612935B2 JP 2612935 B2 JP2612935 B2 JP 2612935B2 JP 1127412 A JP1127412 A JP 1127412A JP 12741289 A JP12741289 A JP 12741289A JP 2612935 B2 JP2612935 B2 JP 2612935B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- film
- sio
- forming region
- chip forming
- Prior art date
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［概要］ 半導体チップを形成するウェハに関し、 ウェハ端部からチップ形成領域内への洗浄残液の拡散
によるパーティクルの拡散を防止することを目的とし、 ウェハ表面の最外周にSiを環状に露出させ、その内側
に環状のSiO2膜を形成し、さらにその内側にチップ形成
領域を形成して構成する。
によるパーティクルの拡散を防止することを目的とし、 ウェハ表面の最外周にSiを環状に露出させ、その内側
に環状のSiO2膜を形成し、さらにその内側にチップ形成
領域を形成して構成する。
［産業上の利用分野］ この発明は半導体チップを形成するウェハに関するも
のである。
のである。
近年の高集積化された半導体装置ではその製造過程に
おいてウェハ上に描画されるパターンが益々微細化さ
れ、これにともなって従来では問題とならなかった微細
なパーティクルがウェハの洗浄時等に付着してもそのウ
ェハから形成される半導体装置の歩留りや信頼性を低下
させる原因となっている。
おいてウェハ上に描画されるパターンが益々微細化さ
れ、これにともなって従来では問題とならなかった微細
なパーティクルがウェハの洗浄時等に付着してもそのウ
ェハから形成される半導体装置の歩留りや信頼性を低下
させる原因となっている。
［従来の技術］ 従来、MOSトランジスタの製造工程ではそのゲート酸
化膜形成工程に先立ってウェハ上にパターニングされた
Si3N4膜をマスクとしてバルクSi上にSiO2膜が形成され
るLOCOS工程が行なわれ、そのSiO2膜が形成された後に
はSi3N4膜が除去されて、第３図に示すようにウェハ１
表面に盛り上がった状態で形成されるSiO2膜２の間にバ
ルクSi3が露出される。そして、このようなウェハ１が
第４図に示すような石英で形成されたバスケット４に多
数枚収容された状態で洗浄かつ乾燥された後、次工程に
送られる。
化膜形成工程に先立ってウェハ上にパターニングされた
Si3N4膜をマスクとしてバルクSi上にSiO2膜が形成され
るLOCOS工程が行なわれ、そのSiO2膜が形成された後に
はSi3N4膜が除去されて、第３図に示すようにウェハ１
表面に盛り上がった状態で形成されるSiO2膜２の間にバ
ルクSi3が露出される。そして、このようなウェハ１が
第４図に示すような石英で形成されたバスケット４に多
数枚収容された状態で洗浄かつ乾燥された後、次工程に
送られる。
［発明が解決しようとする課題］ 上記のような工程で形成されたウェハ１は第４図に鎖
線で示すように同ウェハ１中央部に多数のチップが形成
されるチップ形成領域５が形成され、そのチップ形成領
域においてSiO2膜２が所定のパターンで形成される。チ
ップ形成領域５の周囲はバルクSi3が露出され、各チッ
プ間のスクライブラインもバルクSi3が露出されてい
る。そして、SiO2膜２は親水性を備え、バルクSi3は溌
水性を備えている。
線で示すように同ウェハ１中央部に多数のチップが形成
されるチップ形成領域５が形成され、そのチップ形成領
域においてSiO2膜２が所定のパターンで形成される。チ
ップ形成領域５の周囲はバルクSi3が露出され、各チッ
プ間のスクライブラインもバルクSi3が露出されてい
る。そして、SiO2膜２は親水性を備え、バルクSi3は溌
水性を備えている。
このようなウェハ１を前記工程でバスケット４に収容
して洗浄すると、バスケット４内周面に形成されたウェ
ハ保持片６とウェハ１端縁部表面との間隙に洗浄液が残
り易く、その洗浄液がウェハ１端縁部からウェハ１中央
部に溝状に連なるスクライブラインを毛管現象により上
昇し、洗浄液中に含まれるパーティクルやバスケット４
に付着しているパーティクルがチップ形成領域中に例え
ば第４図に破線で示す範囲Ｄで拡散する。このため、こ
の範囲Ｄ内のチップの歩留りが低下してしまう。そこ
で、このような不具合を防止するために洗浄液を浄化装
置で常に浄化しながら洗浄することが行なわれているが
充分な効果を期待することはできなかった。
して洗浄すると、バスケット４内周面に形成されたウェ
ハ保持片６とウェハ１端縁部表面との間隙に洗浄液が残
り易く、その洗浄液がウェハ１端縁部からウェハ１中央
部に溝状に連なるスクライブラインを毛管現象により上
昇し、洗浄液中に含まれるパーティクルやバスケット４
に付着しているパーティクルがチップ形成領域中に例え
ば第４図に破線で示す範囲Ｄで拡散する。このため、こ
の範囲Ｄ内のチップの歩留りが低下してしまう。そこ
で、このような不具合を防止するために洗浄液を浄化装
置で常に浄化しながら洗浄することが行なわれているが
充分な効果を期待することはできなかった。
この発明の目的は、ウェハの乾燥工程においてウェハ
端部からチップ形成領域内への洗浄残液の拡散によるパ
ーティクルの拡散を防止可能とするウェハを提供するに
ある。
端部からチップ形成領域内への洗浄残液の拡散によるパ
ーティクルの拡散を防止可能とするウェハを提供するに
ある。
［課題を解決するための手段］ 第１図は本発明の原理説明図である。すなわち、ウェ
ハ１表面の最外周にSi3を環状に露出させ、その内側に
環状のSiO2膜７を形成し、さらにその内側にチップ形成
領域５を形成している。
ハ１表面の最外周にSi3を環状に露出させ、その内側に
環状のSiO2膜７を形成し、さらにその内側にチップ形成
領域５を形成している。
［作用］ ウェハ１の乾燥工程時に同ウェハ１を収容するバスケ
ットと同ウェハ１周縁との間に残留する洗浄残液はSiO2
膜７に阻止されてチップ形成領域５内への拡散が防止さ
れる。
ットと同ウェハ１周縁との間に残留する洗浄残液はSiO2
膜７に阻止されてチップ形成領域５内への拡散が防止さ
れる。
［実施例］ 以下、この発明を具体化した一実施例を第２図に従っ
て説明する。なお、前記従来例と同一構成部分は同一番
号を付して説明する。
て説明する。なお、前記従来例と同一構成部分は同一番
号を付して説明する。
ウェハ１のチップ形成領域５の周囲にはSiO2膜７が環
状に形成されている。このSiO2膜７はLOCOS工程でチッ
プ形成領域５にSiO2膜２を形成する工程においてチップ
形成領域５内で所定のパターンでSi3N4膜を除去すると
同時に、チップ形成領域５周囲のSi3N4膜を環状に除去
した状態でウェハ１表面を酸化すると、チップ形成領域
５中に第３図に示すSiO2膜２が形成されると同時にチッ
プ形成領域５周囲にSiO2膜７が形成される。
状に形成されている。このSiO2膜７はLOCOS工程でチッ
プ形成領域５にSiO2膜２を形成する工程においてチップ
形成領域５内で所定のパターンでSi3N4膜を除去すると
同時に、チップ形成領域５周囲のSi3N4膜を環状に除去
した状態でウェハ１表面を酸化すると、チップ形成領域
５中に第３図に示すSiO2膜２が形成されると同時にチッ
プ形成領域５周囲にSiO2膜７が形成される。
そして、Si3N4膜等を除去して所定のパターンでバル
クSi3を露出させたものであり、第３図に示すSiO2膜２
と同様にSiO2膜７もバルクSi3表面より盛上がった状態
で形成されている。また、このSiO2膜７はウェハ１をバ
スケット４に収容した状態でウェハ保持片６より内側を
通過する位置に形成されている。
クSi3を露出させたものであり、第３図に示すSiO2膜２
と同様にSiO2膜７もバルクSi3表面より盛上がった状態
で形成されている。また、このSiO2膜７はウェハ１をバ
スケット４に収容した状態でウェハ保持片６より内側を
通過する位置に形成されている。
さて、このように構成されたウェハ１ではバスケット
４に収容して洗浄した後の乾燥工程では、ウェハ保持片
６に洗浄液が残留してもその洗浄液のウェハ１中央部へ
の移動は親水性を有するSiO2膜７により阻止され、毛管
現象による洗浄液のスクライブラインに沿った拡散が阻
止される。従って、洗浄液中に含まれるパーティクルあ
るいはバスケット４に付着しているパーティクルのチッ
プ形成領域５内への拡散が防止されるので、このウェハ
１から形成される多数のチップの歩留り及び信頼性を向
上させることができる。
４に収容して洗浄した後の乾燥工程では、ウェハ保持片
６に洗浄液が残留してもその洗浄液のウェハ１中央部へ
の移動は親水性を有するSiO2膜７により阻止され、毛管
現象による洗浄液のスクライブラインに沿った拡散が阻
止される。従って、洗浄液中に含まれるパーティクルあ
るいはバスケット４に付着しているパーティクルのチッ
プ形成領域５内への拡散が防止されるので、このウェハ
１から形成される多数のチップの歩留り及び信頼性を向
上させることができる。
なお、前記実施例では環状のSiO2膜７をチップ形成領
域５周囲に一周だけ形成したが、これを複数周形成すれ
ばパーティクルの拡散をさらに確実に阻止することがで
きる、また、SiO2膜７はウェハ１周囲に塗布されたフォ
トレジストを環状に露光して除去した後、露出されたバ
ルクSiを酸化することにより形成することもできる。
域５周囲に一周だけ形成したが、これを複数周形成すれ
ばパーティクルの拡散をさらに確実に阻止することがで
きる、また、SiO2膜７はウェハ１周囲に塗布されたフォ
トレジストを環状に露光して除去した後、露出されたバ
ルクSiを酸化することにより形成することもできる。
［発明の効果］ 以上詳述したように、この発明はウェハの乾燥工程に
おいてウェハ端部から中央部への洗浄残液の拡散による
パーティクルの拡散を防止することができる優れた効果
を発揮する。
おいてウェハ端部から中央部への洗浄残液の拡散による
パーティクルの拡散を防止することができる優れた効果
を発揮する。
第１図は本発明の原理説明図、 第２図は本発明を具体化した一実施例のウェハをバスケ
ットに収容した状態を示す正面図、 第３図はチップ形成領域に酸化膜を形成した状態のウェ
ハを示す断面図 第４図は従来のウェハ乾燥工程時を示す正面図である。 図中、 １はウェハ、３はバルクSi、５はチップ形成領域、７は
SiO2膜である。
ットに収容した状態を示す正面図、 第３図はチップ形成領域に酸化膜を形成した状態のウェ
ハを示す断面図 第４図は従来のウェハ乾燥工程時を示す正面図である。 図中、 １はウェハ、３はバルクSi、５はチップ形成領域、７は
SiO2膜である。
Claims (1)
- 【請求項１】ウェハ（１）表面の最外周にSi（３）を環
状に露出させ、その内側に環状のSiO2膜（７）を形成
し、さらにその内側にチップ形成領域（５）を形成した
ことを特徴とするウェハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1127412A JP2612935B2 (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | ウェハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1127412A JP2612935B2 (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | ウェハ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02305441A JPH02305441A (ja) | 1990-12-19 |
| JP2612935B2 true JP2612935B2 (ja) | 1997-05-21 |
Family
ID=14959330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1127412A Expired - Fee Related JP2612935B2 (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | ウェハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2612935B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5947456B2 (ja) * | 1981-12-16 | 1984-11-19 | 富士通株式会社 | 半導体ウエハ−の熱処理方法 |
-
1989
- 1989-05-19 JP JP1127412A patent/JP2612935B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02305441A (ja) | 1990-12-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |