JPS6195577A - 非晶質光起電力素子 - Google Patents
非晶質光起電力素子Info
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- JPS6195577A JPS6195577A JP59217822A JP21782284A JPS6195577A JP S6195577 A JPS6195577 A JP S6195577A JP 59217822 A JP59217822 A JP 59217822A JP 21782284 A JP21782284 A JP 21782284A JP S6195577 A JPS6195577 A JP S6195577A
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- 241001669573 Galeorhinus galeus Species 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は太陽電池等として用いられる非晶質光起電力素
子に関するものである。
子に関するものである。
（従来技術〕
従来の非５ＩＩ′Ｒ光起電力素子は第５図に示す如くガ
ラス等の透光接絶縁基板１１上に５ｎ０２ 、 ＩＴＯ
等を素材とする透明導電膜１２、非晶質半導体層である
ｐ型層Ｉ３．１型層１４、ｎ型層１５、及びＡ１等を素
材とする裏面電極ＩＱｔｓ等をこの順序で積層形成して
構成され、透光性絶縁基板１１込明導亀膜１２を通して
非晶質半導体日中に光を入射ざセ、ここで生起された電
子、正孔対を夫々、裏面電極１９１５、透明導電膜１２
に集電し、例えばここに接続したリード線を通じて外部
に取り出すようになっている。
ラス等の透光接絶縁基板１１上に５ｎ０２ 、 ＩＴＯ
等を素材とする透明導電膜１２、非晶質半導体層である
ｐ型層Ｉ３．１型層１４、ｎ型層１５、及びＡ１等を素
材とする裏面電極ＩＱｔｓ等をこの順序で積層形成して
構成され、透光性絶縁基板１１込明導亀膜１２を通して
非晶質半導体日中に光を入射ざセ、ここで生起された電
子、正孔対を夫々、裏面電極１９１５、透明導電膜１２
に集電し、例えばここに接続したリード線を通じて外部
に取り出すようになっている。
ところで従来の非晶質半導体層、特にｐ型層、ｎ型層等
のドープ層におけるドーピング濃度はその面方向及び厚
さ方向とも一様となっているが、このような構造ではｐ
型層と１型屓との界面、ｎ型層とｎ型層との界面に形成
される界面準位のため、光の入射て生成された電子、正
孔がこれらの界面で出合って再結合することが多く、光
起電力特性の低下の一因となっていた。
のドープ層におけるドーピング濃度はその面方向及び厚
さ方向とも一様となっているが、このような構造ではｐ
型層と１型屓との界面、ｎ型層とｎ型層との界面に形成
される界面準位のため、光の入射て生成された電子、正
孔がこれらの界面で出合って再結合することが多く、光
起電力特性の低下の一因となっていた。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明はかかる事情に元みなされたものであって、その
目的とするところはドープＨにおける光の入射方向と直
交する平面上において、高ドープ部分と低トープ部分と
を混在させることによってこの画部分に生しるポテンシ
ャルエネルギ差を利用して生成したぬ子、正孔を分離維
持し、その再結合を抑制し、光起電力特性の向上を図り
得るようにした非晶質光起電力素子を提供するにある。
目的とするところはドープＨにおける光の入射方向と直
交する平面上において、高ドープ部分と低トープ部分と
を混在させることによってこの画部分に生しるポテンシ
ャルエネルギ差を利用して生成したぬ子、正孔を分離維
持し、その再結合を抑制し、光起電力特性の向上を図り
得るようにした非晶質光起電力素子を提供するにある。
本発明に係る光起電力素子はドープ層における光の入射
方向と直交する平面内に、高ドープ部分と低ドープ部分
とを混在せしめたことを特徴とする。
方向と直交する平面内に、高ドープ部分と低ドープ部分
とを混在せしめたことを特徴とする。
（実施例〕
以下本発明をその実施例を示す図面に基づき具体的に説
明する。第１図は本発明に係る非晶質光起電力素子（以
下本発明素子という）の断面構造図であり、図中１はガ
ラス等を素材とする透光性絶縁基板、２は５ｎ０２ 、
ＩＴＯ等を素材とする透明４電膜、３はｐ型の非晶質
半導体層（以下ｆｒ！にｐ型層という）、４はｉ型非晶
質半導体ｒＪ（以下単にｌ型層という）、５はｎ型非晶
質半導体ＦＩ（以下単にｎ型層という）、６はＡ１等を
素材とする裏面電極模を示している。光は透光性絶縁基
板、透明導電膜２を透過してｎ型層３、ｌ型層４、ｎ型
Ｆｉ５等の非晶質半導体層中に入射され、これによって
生成された重子、正孔は夫々裏面市極模ら、透明導゛市
膜２に集電され、ここに接続したリード線等を通して外
部に取り出されることとなる。
明する。第１図は本発明に係る非晶質光起電力素子（以
下本発明素子という）の断面構造図であり、図中１はガ
ラス等を素材とする透光性絶縁基板、２は５ｎ０２ 、
ＩＴＯ等を素材とする透明４電膜、３はｐ型の非晶質
半導体層（以下ｆｒ！にｐ型層という）、４はｉ型非晶
質半導体ｒＪ（以下単にｌ型層という）、５はｎ型非晶
質半導体ＦＩ（以下単にｎ型層という）、６はＡ１等を
素材とする裏面電極模を示している。光は透光性絶縁基
板、透明導電膜２を透過してｎ型層３、ｌ型層４、ｎ型
Ｆｉ５等の非晶質半導体層中に入射され、これによって
生成された重子、正孔は夫々裏面市極模ら、透明導゛市
膜２に集電され、ここに接続したリード線等を通して外
部に取り出されることとなる。
そして本発明素子にあっては前記した非晶質半導体層の
うちの特にドープ層であるｎ型層３． ｎ型層５は光
の入射方向と直交する平面内においてそのドーピング量
が低い部分３ａ、５ａ （これを“ｐ−”、“ｎ−”
で示す）と、ドーピング量の高い部分３ｂ、５ｂ （
これを”Ｐ＋″″”、“ｎ−”で示す）とが夫々直径が
略数百Å以下の小さい領域で相互に密接状態で混在せし
めである。
うちの特にドープ層であるｎ型層３． ｎ型層５は光
の入射方向と直交する平面内においてそのドーピング量
が低い部分３ａ、５ａ （これを“ｐ−”、“ｎ−”
で示す）と、ドーピング量の高い部分３ｂ、５ｂ （
これを”Ｐ＋″″”、“ｎ−”で示す）とが夫々直径が
略数百Å以下の小さい領域で相互に密接状態で混在せし
めである。
このようなｎ型層３、ｎ型層５における各低ドープ部分
３ａ、５ａ 、高ドープ部分３ｂ、５ｂの形成は例えば
次のようにして行う。通常ガラス等の通光性絶縁基板１
にはその表面に′Ｉ１１．細な凹凸が略数百人程度の間
隔で存在しているため、これを利用して、先ず透光性絶
縁基板１上に透明導市模２を積層形成した後、次にｎ型
層３を形成する際、最初に通光性絶縁基板１を負バイア
ス状態、例えば−１００■に設定し、シラン。メタンガ
スにドープ剤としてのＢ２ Ｈ，をガス比で０．７％程
度加えて通流させ、高周波グロー放電法によりｎ型層３
の形成を行うと、通光性絶縁基板ｌの凸部に放電が集中
して生ずる結果、この凸部での膜成長速度が大きく凸部
に高ドープ部３ｂが所要厚さに形成される。膜圧が所定
値に達すると次に透光性絶縁基板ｌを無バイアス又は正
バイアス、例えば＋５０Ｖ程度に設定し、シラン、メタ
ンガスにドープ剤としてのＢ２Ｈ，を０２％程度加えて
通流させ、高周波グロー放電法により、ｎ型層３の形成
を行うとｒｉｉｔ記高ドープ部３ｂの周りを埋める態様
で低ドープｇＩｓ ３ ａが形成される。
３ａ、５ａ 、高ドープ部分３ｂ、５ｂの形成は例えば
次のようにして行う。通常ガラス等の通光性絶縁基板１
にはその表面に′Ｉ１１．細な凹凸が略数百人程度の間
隔で存在しているため、これを利用して、先ず透光性絶
縁基板１上に透明導市模２を積層形成した後、次にｎ型
層３を形成する際、最初に通光性絶縁基板１を負バイア
ス状態、例えば−１００■に設定し、シラン。メタンガ
スにドープ剤としてのＢ２ Ｈ，をガス比で０．７％程
度加えて通流させ、高周波グロー放電法によりｎ型層３
の形成を行うと、通光性絶縁基板ｌの凸部に放電が集中
して生ずる結果、この凸部での膜成長速度が大きく凸部
に高ドープ部３ｂが所要厚さに形成される。膜圧が所定
値に達すると次に透光性絶縁基板ｌを無バイアス又は正
バイアス、例えば＋５０Ｖ程度に設定し、シラン、メタ
ンガスにドープ剤としてのＢ２Ｈ，を０２％程度加えて
通流させ、高周波グロー放電法により、ｎ型層３の形成
を行うとｒｉｉｔ記高ドープ部３ｂの周りを埋める態様
で低ドープｇＩｓ ３ ａが形成される。
ｎ型層５についても同様であり、前記した如く形成した
ｎ型層３上に１型層を１ｉｌｌ常の方法で形成した後、
先ず透光性絶縁基板ｌを負バイアス、例えば−１００Ｖ
程度に設定し、透光性絶縁基板１による凸部上に低ドー
プ部５ａを形成し、次いで透光性絶縁基板ｌを無バイア
ス又は正バイアスに設定して凸部周囲に高ドープ部５ｂ
を形成する。
ｎ型層３上に１型層を１ｉｌｌ常の方法で形成した後、
先ず透光性絶縁基板ｌを負バイアス、例えば−１００Ｖ
程度に設定し、透光性絶縁基板１による凸部上に低ドー
プ部５ａを形成し、次いで透光性絶縁基板ｌを無バイア
ス又は正バイアスに設定して凸部周囲に高ドープ部５ｂ
を形成する。
これによって第１図に示す如く、ｎ型層３、ｎ型層５に
は光の入射方向と直交する平面内に低ドープ部３ａ、５
ａ 、高ドープ部３ｂ、５ｂが形成され、しかもｎ型層
３における低ドープ部３ａに対応し°（ｎ型層５におい
ては高ドープ部５ｂが、またｎ型層３における高ドープ
部３ｂに対応してｎ型層５においては低ドープ部５ａが
ＭＦｉ形成されることとなる。
は光の入射方向と直交する平面内に低ドープ部３ａ、５
ａ 、高ドープ部３ｂ、５ｂが形成され、しかもｎ型層
３における低ドープ部３ａに対応し°（ｎ型層５におい
ては高ドープ部５ｂが、またｎ型層３における高ドープ
部３ｂに対応してｎ型層５においては低ドープ部５ａが
ＭＦｉ形成されることとなる。
このようにして形成された本発明素子の光入射側と直交
する平面内におけるハンドモデルはｎ型ドープ層付近に
あっては第２図に示す如くに、またｎ型ドープ層付近に
あっては第３図に示す如くになる。即ち、プ）２図につ
いてみるとｎ型ドープ層付近では低ドープ部３ａと対応
する部分では価電子帯においてはポテンシャルエぶルギ
は高く、伝導帯においてはポテンシャルエぶルギは低く
なり、逆に高トープ部３ｂと対応する部分では価電子帯
においてはポテンシャルエネルギは低く、伝導帯におい
てはボテンンヤルエ不ルギは高くなる。
する平面内におけるハンドモデルはｎ型ドープ層付近に
あっては第２図に示す如くに、またｎ型ドープ層付近に
あっては第３図に示す如くになる。即ち、プ）２図につ
いてみるとｎ型ドープ層付近では低ドープ部３ａと対応
する部分では価電子帯においてはポテンシャルエぶルギ
は高く、伝導帯においてはポテンシャルエぶルギは低く
なり、逆に高トープ部３ｂと対応する部分では価電子帯
においてはポテンシャルエネルギは低く、伝導帯におい
てはボテンンヤルエ不ルギは高くなる。
一方、第３図についてみると、ｎ型ドープ層付近では低
ドープ部分５ａと対応する部分では価電子；：【に、Ｆ
；心ノる一１ミアンノヤルｊ−不ルギは低く、伝導帯Ｑ
こＰ、；＋Ｊるボテンシャル−工不ルギは高（なり、逆
ニ、ｒＩｉ ｌ−プ部５ｂと対応する部分では（１１ｉ
市子帯におＨＪるボテンンヤルエ不ルギは高く、伝導帯
におけるポテンシャルエネルギは低（なる。第２．３図
中ＥＦはいずれもフェルミレヘルを示している。従って
第２図において、例えば低ドープ部３ａと対応する位置
で生成せしめられた正孔、電子対のうち、電子は低ポテ
ンシヤル部分にあって、周りのボテンノヤルＨｇのため
に移動を抑制されるが、正孔は高ポテンノヤル部分に位
置するためその両側に位置する高ドープ部３ｂと対応す
る低ポテンシヤル部分に向けて矢符で示す如くに移動し
、その位置で同様に周りのポテンシャル障壁のため移動
を抑；ら１１されることとなる。
ドープ部分５ａと対応する部分では価電子；：【に、Ｆ
；心ノる一１ミアンノヤルｊ−不ルギは低く、伝導帯Ｑ
こＰ、；＋Ｊるボテンシャル−工不ルギは高（なり、逆
ニ、ｒＩｉ ｌ−プ部５ｂと対応する部分では（１１ｉ
市子帯におＨＪるボテンンヤルエ不ルギは高く、伝導帯
におけるポテンシャルエネルギは低（なる。第２．３図
中ＥＦはいずれもフェルミレヘルを示している。従って
第２図において、例えば低ドープ部３ａと対応する位置
で生成せしめられた正孔、電子対のうち、電子は低ポテ
ンシヤル部分にあって、周りのボテンノヤルＨｇのため
に移動を抑制されるが、正孔は高ポテンノヤル部分に位
置するためその両側に位置する高ドープ部３ｂと対応す
る低ポテンシヤル部分に向けて矢符で示す如くに移動し
、その位置で同様に周りのポテンシャル障壁のため移動
を抑；ら１１されることとなる。
また第２図において例えば高ドープ部３ｂと対応する位
置で生成せしめられた正孔、電子対のうち、正孔は低ポ
テンシヤル部分にあって周囲のポテンシャル障壁のため
移動を抑匍１されるが、電子は高ボテンンヤル部分に位
置するため、その両側に位置する低ドープ３ａと対応す
る低ポテンシヤル部分に向けて矢符で示す如くに移り」
し、その位ＩＳで同様に周囲のポテンシャル障壁のため
移動を！■制されることとなる。
置で生成せしめられた正孔、電子対のうち、正孔は低ポ
テンシヤル部分にあって周囲のポテンシャル障壁のため
移動を抑匍１されるが、電子は高ボテンンヤル部分に位
置するため、その両側に位置する低ドープ３ａと対応す
る低ポテンシヤル部分に向けて矢符で示す如くに移り」
し、その位ＩＳで同様に周囲のポテンシャル障壁のため
移動を！■制されることとなる。
而して、電子、正孔は夫々生成された位置から光の入射
方向と直交する平面内でその相対的位置がずれた状態で
分離維持されることとなり、相互の再結合の確率が低下
し、充電変換特性が改善されることとなる。
方向と直交する平面内でその相対的位置がずれた状態で
分離維持されることとなり、相互の再結合の確率が低下
し、充電変換特性が改善されることとなる。
なお、上記現象は第３図に示すｎ型ドープ層付近におい
ても略同様であり、生成された電子、正孔対の相対位置
が光の入射方向と直交する平面内でずれた状態で分離維
持されることとなり、相互の再結合の確率が同様に低下
され、光電変換特性の改善に寄与することとなる。
ても略同様であり、生成された電子、正孔対の相対位置
が光の入射方向と直交する平面内でずれた状態で分離維
持されることとなり、相互の再結合の確率が同様に低下
され、光電変換特性の改善に寄与することとなる。
第４図はＡＭ−１（太陽が子午線上にきたときの光）。
１ＯＯＩＩＩＷ／ｃＩ１１２のソーランスミレータ光照
射下での本発明素子と従来素子との電流−電圧特性を比
較して示すグラフであり、横軸に電圧（Ｖ）を、また縦
軸に電流（ｍＡ ）をとって示してあり、グラフ中実線
は本発明素子の、また破線は従来素子の結果を示してい
る。このグラフから明らかなように本発明素子は従来素
子に比較して著しく電流−電圧特性が向上しているのが
解る。なお本発明素子の短絡電流重度は１７．２ｍＡ／
ｃ＋ａ ２であり、従来素子の密度が１５．７ｍＡ／
Ｃｌ１１２であるのに比較して大幅に向上していること
、また光電変化効率は従来素子では８．３１％であった
が本発明素子では８．７８％に向トしたことが確認され
た。
射下での本発明素子と従来素子との電流−電圧特性を比
較して示すグラフであり、横軸に電圧（Ｖ）を、また縦
軸に電流（ｍＡ ）をとって示してあり、グラフ中実線
は本発明素子の、また破線は従来素子の結果を示してい
る。このグラフから明らかなように本発明素子は従来素
子に比較して著しく電流−電圧特性が向上しているのが
解る。なお本発明素子の短絡電流重度は１７．２ｍＡ／
ｃ＋ａ ２であり、従来素子の密度が１５．７ｍＡ／
Ｃｌ１１２であるのに比較して大幅に向上していること
、また光電変化効率は従来素子では８．３１％であった
が本発明素子では８．７８％に向トしたことが確認され
た。
なお上述の実施例はｐ：ｎｊＲ造の非晶質光起電力素子
に通用した構成を示したが、ｎｉｐ構造にも適用しｉ尋
ることは勿論である。また上記実施例はｐ型ドープＨ，
ｎ型ドープ層の双方に低ドープ部と高トープ部とを混在
させた構成につき説明したが、これに限らず、例えばｎ
型ドープ層又はｎ型ドープ層のいずれか一方のみを上記
構成としてもよい。
に通用した構成を示したが、ｎｉｐ構造にも適用しｉ尋
ることは勿論である。また上記実施例はｐ型ドープＨ，
ｎ型ドープ層の双方に低ドープ部と高トープ部とを混在
させた構成につき説明したが、これに限らず、例えばｎ
型ドープ層又はｎ型ドープ層のいずれか一方のみを上記
構成としてもよい。
更に低ドープ部３ａ、５ａ と高ドープ部３ｂ、５ｂと
の相互の間隔については特に限定するものではなく、例
えば数百Å以下であればよい。
の相互の間隔については特に限定するものではなく、例
えば数百Å以下であればよい。
以上の如く本発明素子にあっては、ドープ層における光
入射方向と直交する方向の平面内に低ドープ部と高ドー
プ部とを混在せしめたから、光の入射によって生成され
た電子、正孔はポテンシャルエネルギの差によって電子
は高ドープ部から低ドープ部と対応する側に、また正孔
は逆に低ドープ部から高ドープ部と対応する側に夫々よ
り低ポテンシヤル側に移動する結果、電子、正孔は相互
に分離され、ドープ層部分での相互の再結合を大幅に抑
制し得ることとなる。
入射方向と直交する方向の平面内に低ドープ部と高ドー
プ部とを混在せしめたから、光の入射によって生成され
た電子、正孔はポテンシャルエネルギの差によって電子
は高ドープ部から低ドープ部と対応する側に、また正孔
は逆に低ドープ部から高ドープ部と対応する側に夫々よ
り低ポテンシヤル側に移動する結果、電子、正孔は相互
に分離され、ドープ層部分での相互の再結合を大幅に抑
制し得ることとなる。
第１図は本発明素子の断面構造図、第２図は本発明素子
におけるｎ型ドープ層付近のノ＼ンドモデル図、第３図
は同しくｎ型ドープ層付近の／Ｘランドデル図、第４図
は本発明素子と従来素子との電流−電圧特性を示すグラ
フ、第５図は従来素子の１Ｄｉｉｌｌｉ７構造図である
。 １・・・透光性絶縁基板 ２・・・透明導電１！ｉ！
３・・ｐ型層 ３ａ・・・低ドープ部 ３ｂ・・高ド
ープ部 ４・・・１型層 ５・・・ｎ型層 ５ａ・・・
低ドープ部 ５ｂ・・・高ド−プ部 ６ ・τ面市極股 特 許 出願人 三洋゛市機株式会社代理人 弁理士
河 野 登 夫 弔 １ 回 ： 学制号 □ ３ｂ 知 ３ｂ５２３ｂ 第 ？ Σ ゛粘１１千 □ ハタｂｎ ５ｂ ５ａ 禍 ７） 刀 ￥ ４−２
におけるｎ型ドープ層付近のノ＼ンドモデル図、第３図
は同しくｎ型ドープ層付近の／Ｘランドデル図、第４図
は本発明素子と従来素子との電流−電圧特性を示すグラ
フ、第５図は従来素子の１Ｄｉｉｌｌｉ７構造図である
。 １・・・透光性絶縁基板 ２・・・透明導電１！ｉ！
３・・ｐ型層 ３ａ・・・低ドープ部 ３ｂ・・高ド
ープ部 ４・・・１型層 ５・・・ｎ型層 ５ａ・・・
低ドープ部 ５ｂ・・・高ド−プ部 ６ ・τ面市極股 特 許 出願人 三洋゛市機株式会社代理人 弁理士
河 野 登 夫 弔 １ 回 ： 学制号 □ ３ｂ 知 ３ｂ５２３ｂ 第 ？ Σ ゛粘１１千 □ ハタｂｎ ５ｂ ５ａ 禍 ７） 刀 ￥ ４−２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ドープ層における光の入射方向と直交する平面内に
、高ドープ部分と低ドープ部分とを混在せしめたことを
特徴とする非晶質光起電力素子。 ２、前記ドープ層はｐ型及び／又はｎ型非晶質半導体層
である特許請求の範囲第１項記載の非晶質光起電力素子
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59217822A JPS6195577A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | 非晶質光起電力素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59217822A JPS6195577A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | 非晶質光起電力素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6195577A true JPS6195577A (ja) | 1986-05-14 |
| JPH0574950B2 JPH0574950B2 (ja) | 1993-10-19 |
Family
ID=16710286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59217822A Granted JPS6195577A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | 非晶質光起電力素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6195577A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52124888A (en) * | 1976-04-13 | 1977-10-20 | Sony Corp | Production of solar battery |
| JPS56162883A (en) * | 1980-05-19 | 1981-12-15 | Shunpei Yamazaki | Semiconductor device |
| JPS57160174A (en) * | 1981-03-30 | 1982-10-02 | Hitachi Ltd | Thin film solar battery |
-
1984
- 1984-10-16 JP JP59217822A patent/JPS6195577A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52124888A (en) * | 1976-04-13 | 1977-10-20 | Sony Corp | Production of solar battery |
| JPS56162883A (en) * | 1980-05-19 | 1981-12-15 | Shunpei Yamazaki | Semiconductor device |
| JPS57160174A (en) * | 1981-03-30 | 1982-10-02 | Hitachi Ltd | Thin film solar battery |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0574950B2 (ja) | 1993-10-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |