JPS58132920A - アモルフアスシリコン系半導体の製造方法 - Google Patents
アモルフアスシリコン系半導体の製造方法Info
- Publication number
- JPS58132920A JPS58132920A JP57015061A JP1506182A JPS58132920A JP S58132920 A JPS58132920 A JP S58132920A JP 57015061 A JP57015061 A JP 57015061A JP 1506182 A JP1506182 A JP 1506182A JP S58132920 A JPS58132920 A JP S58132920A
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- Japan
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- semiconductor
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- manufacturing
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明ｈ１アモルファスシリコン系半導体の製造方法に
関する。
関する。
シラン（ＳｉＨ，）のプラズマ分解法で得られるアモル
ファスシリコンは、Ｗ、Ｆｉ、Ｂｐｇ＆ｒ等によって、
陀。
ファスシリコンは、Ｗ、Ｆｉ、Ｂｐｇ＆ｒ等によって、
陀。
やＢ、Ｈ，でドープする事により、その伝導度を大きく
誓える事ができることが発見され（１９７６年）、Ｄ、
Ｆｉ、 ０ａｒｌｉｉｏｎ 等１／Ｃよってアモルフ
ァスシリコンを用いた太陽電池が試作（１９７６年）さ
れて以来注目を集め、アモルファスシリコン薄膜太陽電
池の効率を改嵜する研究が活発に行なわれている。
誓える事ができることが発見され（１９７６年）、Ｄ、
Ｆｉ、 ０ａｒｌｉｉｏｎ 等１／Ｃよってアモルフ
ァスシリコンを用いた太陽電池が試作（１９７６年）さ
れて以来注目を集め、アモルファスシリコン薄膜太陽電
池の効率を改嵜する研究が活発に行なわれている。
これまでの研究によシ、アモルファスシリコン薄膜光電
素子の構造としてはショットキーバリヤー型、ｐｉｎ型
、ＭＩＳ型、ヘテｐ接合型かあ）、そのうち前三者が高
効率太陽電池として有望視されている。すなわちショッ
トキーバリヤー型で５．５−（Ｄ、ｘ、カールソン他、
１９７７年）、ＭＩａ型で４．８％ （ｙ、 １． Ｂ
、ウィルソン他、１９７ｇ）、ｐｉｎ型で４．５−（浜
用圭弘１９７８ ） の変換効率が達成されている。
素子の構造としてはショットキーバリヤー型、ｐｉｎ型
、ＭＩＳ型、ヘテｐ接合型かあ）、そのうち前三者が高
効率太陽電池として有望視されている。すなわちショッ
トキーバリヤー型で５．５−（Ｄ、ｘ、カールソン他、
１９７７年）、ＭＩａ型で４．８％ （ｙ、 １． Ｂ
、ウィルソン他、１９７ｇ）、ｐｉｎ型で４．５−（浜
用圭弘１９７８ ） の変換効率が達成されている。
ｐｉｎ接合光起電力素子の場合、製法によってその物性
が大きく影響される。アモルファスシリコンの特性線光
伝導度（ｐｍｔｏａｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ ）で多く
の場合評価されその値が大きい方が良い膜とされる。ア
モルファスシリコンの光伝導度とアモルファスシリコン
中の水素やフッ素と唸密接な関係があシ、水素やフッ素
を全く含まないアモルファスシリコンに比べて、これら
を含むアモルファスシリコンの方がその光伝導度が小さ
くなる。これは水素やフッ素がダングリングボンドのタ
ーミネータ−として働いているからとされている。
が大きく影響される。アモルファスシリコンの特性線光
伝導度（ｐｍｔｏａｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ ）で多く
の場合評価されその値が大きい方が良い膜とされる。ア
モルファスシリコンの光伝導度とアモルファスシリコン
中の水素やフッ素と唸密接な関係があシ、水素やフッ素
を全く含まないアモルファスシリコンに比べて、これら
を含むアモルファスシリコンの方がその光伝導度が小さ
くなる。これは水素やフッ素がダングリングボンドのタ
ーミネータ−として働いているからとされている。
水素やフッ素を同じように含みｕｎｄｏｐｅ膜の光伝導
度が同じであるにもかかわらず、例えばｐ−１−ｎ型接
合の光起電力素子にした場合その光起電力特性が大きく
異なるのが実情である。又光伝導率、光起電力特性の良
好な条件はいずれの方法においても＆膜速度が１〜２ム
／８・Ｃと小さく、生産性が低いという問題があった。
度が同じであるにもかかわらず、例えばｐ−１−ｎ型接
合の光起電力素子にした場合その光起電力特性が大きく
異なるのが実情である。又光伝導率、光起電力特性の良
好な条件はいずれの方法においても＆膜速度が１〜２ム
／８・Ｃと小さく、生産性が低いという問題があった。
こうした亭ｒ１．ｐｐｃ用の感光ドラムやＣＯＤ、ＴＩ
ＦＴ等についてもいえ、高速度の堆積でかつ接合特性の
浚れた製法の開発が必要であった。
ＦＴ等についてもいえ、高速度の堆積でかつ接合特性の
浚れた製法の開発が必要であった。
本発明者らに成膜速度が大きく、接合する場合において
も接合特性への影響の少ない製造方法について鋭意研究
した結果ｒｆ電界と直交した磁界部分ｔｉするグロー放
電分解炉で、シリコンの水素又は７ツ紮化物を含む化合
物をグロー放電分解して侍られるアモルファスシリコン
系半導体は成膜速度が大きく、かつ接合しても良好な接
合特性を示す事を見い出した本ので、以下にその詳細を
説明する。
も接合特性への影響の少ない製造方法について鋭意研究
した結果ｒｆ電界と直交した磁界部分ｔｉするグロー放
電分解炉で、シリコンの水素又は７ツ紮化物を含む化合
物をグロー放電分解して侍られるアモルファスシリコン
系半導体は成膜速度が大きく、かつ接合しても良好な接
合特性を示す事を見い出した本ので、以下にその詳細を
説明する。
アモルファスシリコン系半導体は直流グロー放′＃Ｌ法
、誘導結合型ｒｆグロー放電分解法、容量結合型ｒｆグ
ロー放電分解法によって作られている。大量生産性とい
う点からは、図−１に示す平行平板ｒｆグロー放電分解
法が有利であるが、この方法は成長速度が小さく、接合
した場合その特性が悪いという欠点があった。またプラ
ズマによって基板表面がボンバードされる惧れがあるの
で、入射電力を小さくする必要があるという欠点もあっ
た。
、誘導結合型ｒｆグロー放電分解法、容量結合型ｒｆグ
ロー放電分解法によって作られている。大量生産性とい
う点からは、図−１に示す平行平板ｒｆグロー放電分解
法が有利であるが、この方法は成長速度が小さく、接合
した場合その特性が悪いという欠点があった。またプラ
ズマによって基板表面がボンバードされる惧れがあるの
で、入射電力を小さくする必要があるという欠点もあっ
た。
図−２に本発明の平板マグネトロン型ｒｆグロー放寛法
を示す。平面状陰極の裏面に近接して中心の円柱ｍ！と
その外周の円環状磁極が一対になって設けられている。
を示す。平面状陰極の裏面に近接して中心の円柱ｍ！と
その外周の円環状磁極が一対になって設けられている。
図−３は本発明の同軸！グネトロン型ｒｆグロー放翫法
を示す。Ｎ５ＳＮの繰返し磁石を内蔵した筒状又は円柱
状の陰極の外側に同心円のグランド電徐が設けられてい
る。逆に外側電極側に帯状の磁石をＮ８ＳＮＮＳ・・・
となるように巻き付けて中心の鄭−極をグランドにした
場合であってもよいことは勿論である。これらは、いず
れもｒｆｔ界とはげ垂面に磁界が印加されかつ基板はｒ
ｆ市界と垂面に配置される事が特徴である。磁石を配し
た％Ｌ極と基板との距離は好ましくは０６５国から約５
ｍである。本装置はシラン、フッ化シラン等のグロー放
電分解で得られるａ−８１： Ｈ＋ａ−８１１Ｆ ：Ｈ
や、これらのガスに炭化水素を混合して得られるａ−８
１０：Ｈ、アンモニアを混合して得られるａ−８１Ｎ：
ＩＩＩ ％のアモルファス半導体を得るためのグロー放
電分解に有効で、特に成膜速度を３ム／ｓｅｃ以上にす
る揚台に特に有効である。シランガスの場合は３ム／ｓ
ｅｅ〜約５０Ａ／ｓθＣで良好な物性を示し、ジシラン
を用いる場合には、さらに高速度の成膜、すなわち数百
ム／ｓｅｃも可能である。シリコン化合物と炭化水素。
を示す。Ｎ５ＳＮの繰返し磁石を内蔵した筒状又は円柱
状の陰極の外側に同心円のグランド電徐が設けられてい
る。逆に外側電極側に帯状の磁石をＮ８ＳＮＮＳ・・・
となるように巻き付けて中心の鄭−極をグランドにした
場合であってもよいことは勿論である。これらは、いず
れもｒｆｔ界とはげ垂面に磁界が印加されかつ基板はｒ
ｆ市界と垂面に配置される事が特徴である。磁石を配し
た％Ｌ極と基板との距離は好ましくは０６５国から約５
ｍである。本装置はシラン、フッ化シラン等のグロー放
電分解で得られるａ−８１： Ｈ＋ａ−８１１Ｆ ：Ｈ
や、これらのガスに炭化水素を混合して得られるａ−８
１０：Ｈ、アンモニアを混合して得られるａ−８１Ｎ：
ＩＩＩ ％のアモルファス半導体を得るためのグロー放
電分解に有効で、特に成膜速度を３ム／ｓｅｃ以上にす
る揚台に特に有効である。シランガスの場合は３ム／ｓ
ｅｅ〜約５０Ａ／ｓθＣで良好な物性を示し、ジシラン
を用いる場合には、さらに高速度の成膜、すなわち数百
ム／ｓｅｃも可能である。シリコン化合物と炭化水素。
又ａそしてアンモニア等をグロー放電分解して得られる
一般式＆ −”（ｔ−ｘ）Ｃ（ｘ） 、 ａ−８ｉ（１
−ｙ）Ｎｙ 、 ａ−８１（１−１−ｙ）ＯＸＮｙ等で
例示されるアモルファスシリコンカーバイト、アモルフ
ァスシリコンナイトライド、アモルファスシリコンカー
ボンナイトライド等についても同様である。さらにこれ
らのアモルファスシリコン系半導体よりなるｐ−１−ｎ
ホモ又はヘテｐ接合、アンドープ半導体のへテロ接合１
−ｎ、ｐ−１各接合でのホモ接合あるいはへテロ接合に
おいて本発明の効果が著しい。１０−７秒以上のキャリ
ヤ寿命、ｉ ｏ”’／ｃＷＬ”以下の局在準位密度、お
よび１０−”ｃｖｌ／’ｉ・ｓｅｅ以上のキャリア易動
度を持つ真性アモルファスシリコン薄膜を含むアモルフ
ァスシリコン系光起電力素子を作る際に、少なくとも真
性アモルファスシリコン層の製膜に本発明の方法を用い
る事により、高速成膜が実現でき、又真性アモルファス
シリコン層のＥｇ・（ｏｐｔ）が１．７ｅＶと小さくな
るので効率も大巾に教養される。特に光起電力素子の場
合ｐ又［ｎ型アモルファス半導体のうち、少くとも光°
照射する側のアモルファス半導体は、光学的バンドギャ
ップＫｇ＠ｏｐｔが約１．８５ｅＶ以上であシ、かつ２
０℃における電気伝導度が約１０＝（Ω・ａｍ）−”以
上であシ、かつｐ−１−ｎ接合から成る光起電力素子層
の拡散電位Ｖａが約１．１ｖ以上であるヘテロ接合光起
電力素子にすると効率の改ｌＩ＃′ｉ、著しくなる。
一般式＆ −”（ｔ−ｘ）Ｃ（ｘ） 、 ａ−８ｉ（１
−ｙ）Ｎｙ 、 ａ−８１（１−１−ｙ）ＯＸＮｙ等で
例示されるアモルファスシリコンカーバイト、アモルフ
ァスシリコンナイトライド、アモルファスシリコンカー
ボンナイトライド等についても同様である。さらにこれ
らのアモルファスシリコン系半導体よりなるｐ−１−ｎ
ホモ又はヘテｐ接合、アンドープ半導体のへテロ接合１
−ｎ、ｐ−１各接合でのホモ接合あるいはへテロ接合に
おいて本発明の効果が著しい。１０−７秒以上のキャリ
ヤ寿命、ｉ ｏ”’／ｃＷＬ”以下の局在準位密度、お
よび１０−”ｃｖｌ／’ｉ・ｓｅｅ以上のキャリア易動
度を持つ真性アモルファスシリコン薄膜を含むアモルフ
ァスシリコン系光起電力素子を作る際に、少なくとも真
性アモルファスシリコン層の製膜に本発明の方法を用い
る事により、高速成膜が実現でき、又真性アモルファス
シリコン層のＥｇ・（ｏｐｔ）が１．７ｅＶと小さくな
るので効率も大巾に教養される。特に光起電力素子の場
合ｐ又［ｎ型アモルファス半導体のうち、少くとも光°
照射する側のアモルファス半導体は、光学的バンドギャ
ップＫｇ＠ｏｐｔが約１．８５ｅＶ以上であシ、かつ２
０℃における電気伝導度が約１０＝（Ω・ａｍ）−”以
上であシ、かつｐ−１−ｎ接合から成る光起電力素子層
の拡散電位Ｖａが約１．１ｖ以上であるヘテロ接合光起
電力素子にすると効率の改ｌＩ＃′ｉ、著しくなる。
次に実施例を示しながら本発明の詳細な説明する。
本発明を実施する装ｆＬ！：しては、図−２に示す平板
マグネトロンを用い、対胛例として図−１に示す平行平
板型のプラズマ分解装置を用いた。電極間隔は０．５〜
６閏の範囲内で可変とし、電極面積ｔよ３１４ｃｖＩ″
であるｏ １００ Ｔｏ Ｂ１Ｈ４を用いて基板温度２
５０”ＣでＣｏｒｎｉｎｇ”７０５９上に約５０００ム
堆積し、その暗伝纏度σｄ１活性化エネルギーΔＸを測
定すると共に、ＡＭ−１１００ｃ＋Ｗ／ｉのソーラシュ
ミレータ−で光体導度−ｐｈを測定した。その結果を表
ＩＫ示す。
マグネトロンを用い、対胛例として図−１に示す平行平
板型のプラズマ分解装置を用いた。電極間隔は０．５〜
６閏の範囲内で可変とし、電極面積ｔよ３１４ｃｖＩ″
であるｏ １００ Ｔｏ Ｂ１Ｈ４を用いて基板温度２
５０”ＣでＣｏｒｎｉｎｇ”７０５９上に約５０００ム
堆積し、その暗伝纏度σｄ１活性化エネルギーΔＸを測
定すると共に、ＡＭ−１１００ｃ＋Ｗ／ｉのソーラシュ
ミレータ−で光体導度−ｐｈを測定した。その結果を表
ＩＫ示す。
（１０皇に続く）・
本実施例で１よｔ極間隔を小さくすると堆積速度が大き
くなりＣｐｈの比較的大きな膜が得られる。対照例にお
いて本、堆積速贋は増すが＃ｐｈ及びΔ１が小さくなり
、強いｎ型になってしまう。ｒｆパワーを変えた場合に
おいても、本実施例では広範囲の堆積速度で良好な物性
を示すが対照例でｔｉ２ム／８ｅＣ以上の堆検速ｊｉＫ
すると、Ｃｐｈが低下し、Δ１屯小さく暗電導度＃ｄが
増加しｎ型になっている事が判る。次にｐ−１−ｎ４ｉ
！合素子を形成し、接合特性を太陽電池特性で調べた。
くなりＣｐｈの比較的大きな膜が得られる。対照例にお
いて本、堆積速贋は増すが＃ｐｈ及びΔ１が小さくなり
、強いｎ型になってしまう。ｒｆパワーを変えた場合に
おいても、本実施例では広範囲の堆積速度で良好な物性
を示すが対照例でｔｉ２ム／８ｅＣ以上の堆検速ｊｉＫ
すると、Ｃｐｈが低下し、Δ１屯小さく暗電導度＃ｄが
増加しｎ型になっている事が判る。次にｐ−１−ｎ４ｉ
！合素子を形成し、接合特性を太陽電池特性で調べた。
ガラス／工Ｔｏ基板上Ｋｐｉｕのａ−８ｉＯ：Ｈ（１０
０ム）、真性ａ−８ｉ：Ｈ（５０００Ａ） 、 ｎ型ａ
−８１：Ｈ（５００Ａ）を上記実施例の方法と上記対照
例の方法で形成し、１ｃｍ角のＡ／ｉｉｌ極をつけてＡ
Ｍｌ 、１００ ｍＷ／（２”のソーラーシュミレータ
−でＪ −Ｖ特性を−ベたｏ Ｐ Ｉ！ ａ−８１０：
Ｈ灯、Ｂ、Ｈ６／ （０，５Ｓｉ）Ｉ、 ＋ ０．５
ＧＥｔ、 ） ＝ ０．１１で電極間隔２．０備、ｒｆ
パワー５ ｗａｔｔｓによシ、真性並びにｎｍ （ｐＨ
ｖ／５ｉＨ４＝ １ ％） ａ−ａｔ ：ｍｎ 、電極
間隔２ｔｓ、ｒｆパワーＩＱｖａｔｔｓ により製膜し
た。、Ｔ−Ｖ特性の釧定結果灯衣−２に示すとおシであ
る。
０ム）、真性ａ−８ｉ：Ｈ（５０００Ａ） 、 ｎ型ａ
−８１：Ｈ（５００Ａ）を上記実施例の方法と上記対照
例の方法で形成し、１ｃｍ角のＡ／ｉｉｌ極をつけてＡ
Ｍｌ 、１００ ｍＷ／（２”のソーラーシュミレータ
−でＪ −Ｖ特性を−ベたｏ Ｐ Ｉ！ ａ−８１０：
Ｈ灯、Ｂ、Ｈ６／ （０，５Ｓｉ）Ｉ、 ＋ ０．５
ＧＥｔ、 ） ＝ ０．１１で電極間隔２．０備、ｒｆ
パワー５ ｗａｔｔｓによシ、真性並びにｎｍ （ｐＨ
ｖ／５ｉＨ４＝ １ ％） ａ−ａｔ ：ｍｎ 、電極
間隔２ｔｓ、ｒｆパワーＩＱｖａｔｔｓ により製膜し
た。、Ｔ−Ｖ特性の釧定結果灯衣−２に示すとおシであ
る。
表−２
実施例と対照例とで短絡電流Ｊａｃ Ｋ大きな差がある
のに本発明実施例の場合、１層の光学的バンドギャップ
■・Ｏｐｔが１．７ｅＶであるのに対し、対照例のそれ
ｔ’ｊ１．８ｅＶと大きいこと、並びに対照例ではプラ
ズマによるボンバードメントによシ、接合面、特にｐ−
１界面が悪くなるととＫよるものである。
のに本発明実施例の場合、１層の光学的バンドギャップ
■・Ｏｐｔが１．７ｅＶであるのに対し、対照例のそれ
ｔ’ｊ１．８ｅＶと大きいこと、並びに対照例ではプラ
ズマによるボンバードメントによシ、接合面、特にｐ−
１界面が悪くなるととＫよるものである。
図−１は、平行平板型プラズマ分解炉の説明図、図−２
汀、平板マグネトロン型プラズマ分解炉の説明図、図−
３汀、同軸マグネトロン型プラズマ分解炉を示す説明図
である。 １・・・陰＆ ２・・・グランド ３・・・基板 ４・
・・磁界５・・・電界 ６・・・磁石 特許出願人 鐘淵化学工業株式会社 代理人弁理士内田敏彦
汀、平板マグネトロン型プラズマ分解炉の説明図、図−
３汀、同軸マグネトロン型プラズマ分解炉を示す説明図
である。 １・・・陰＆ ２・・・グランド ３・・・基板 ４・
・・磁界５・・・電界 ６・・・磁石 特許出願人 鐘淵化学工業株式会社 代理人弁理士内田敏彦
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ｒｆ電昇と直交した磁界部分を有し、かつ基板が
ｒｆ電界にｔｔ ｔｒ垂直に配置されるグロー放電分解
炉で、シリコンの水素化物又扛７ツ化物を含む化合物を
グロー放電分解することを％黴とするアモルファスシリ
コン系半導体の製造方法０ ２ ｒｆ［極と基板との距離を０．５ｍから５１の範
囲内にすることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のアモルファスシリコン系半導体の製造方法。 ３ 前記アモルファスシリコン系半導体の堆積速度は、
約３ム／θｅｃから５０ム／ｓｅｃ、 好ましく扛２０
ムｈθＣ以下であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項又扛第２項に記載のアモルファスシリコン系半導体
の製造方法。 ４ 前記グロー放電分解炉が平板マグネ）ａン型又は同
軸マグネトロン型のグロー放電１分解炉であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項、第２項又は第３項に記
載のアモルファスシリコン系半導体の製造方法。゛ ５ 前記アモルファスシリコン系半導体が、ａ−８ｉ
： Ｈ。 ａ−８ｉ ：Ｆ 、 ４るいｔ’ｊ ’−”（ｌ−Ｘ）
Ｃ（Ｘ） ｅ ａ−８’（１７）Ｎ（７） ｅａ＝’（
ｓ−Ｘ７）０（Ｘ）Ｎ（７）の水素化又鉱フッ素化物、
又はｐ若＜Ｕｎ型にドープした半導体であることを％徴
とする％Ｆｆｆ請求の１＃！、囲第１乃至第４項に記載
のアモルファスシリコン系半導体の製造方法０ ６ 前記アモルファスシリコン系半導体が、１０−’ｓ
ｅｅ以上のキャリヤー寿命、１ｄ’／ａｎ”以下の局在
準位密度および１０−１♂／Ｖ・Ｂｅａ以上のキャリヤ
ー易動度を持つ真性アモルファスシリコンの水素又はフ
ッ素化物を含んでいることを特徴とする特ｉｆ＋−レ求
の岬、囲第５項に記載のアモルファスシリコン系半導体
の製造方法。 ７ 第６項の光電素子がｐ又はｎ型の少くとも光照射す
る側のアモルファス半導体の光学的バンドギャップへ、
。ｐｔが約１．８５０Ｖ以上であシ、かつ２０℃におけ
る電気伝導度が約１０＝（Ω・ｃｍ）−”以上であシか
つｐ−１−ｎ接合の拡散電位Ｖａが約１、１ ｖｏｌｔ
θ以上であって、１層が真性アモルファスシリコンであ
る光起電力素子であって少くとも真性アモルファスシリ
コン層が第１〜４項の方法で作られる事を特徴とするア
モルファスシリコン系太陽電池の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57015061A JPS58132920A (ja) | 1982-02-01 | 1982-02-01 | アモルフアスシリコン系半導体の製造方法 |
| EP82104609A EP0066787B1 (en) | 1981-05-29 | 1982-05-27 | Process for preparing amorphous silicon semiconductor |
| DE8282104609T DE3280026D1 (en) | 1981-05-29 | 1982-05-27 | Process for preparing amorphous silicon semiconductor |
| US06/701,645 US4582721A (en) | 1981-05-29 | 1985-02-14 | Process for preparing amorphous silicon semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57015061A JPS58132920A (ja) | 1982-02-01 | 1982-02-01 | アモルフアスシリコン系半導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58132920A true JPS58132920A (ja) | 1983-08-08 |
Family
ID=11878318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57015061A Pending JPS58132920A (ja) | 1981-05-29 | 1982-02-01 | アモルフアスシリコン系半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58132920A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60208823A (ja) * | 1984-04-02 | 1985-10-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜の製造方法 |
| JPS6322729U (ja) * | 1986-07-30 | 1988-02-15 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5681925A (en) * | 1979-10-13 | 1981-07-04 | Messerschmitt Boelkow Blohm | Method of manufacturing semiconductor forming element made of amorphous silicon for converting light into electric energy and device for executing same |
| JPS56121629A (en) * | 1980-02-29 | 1981-09-24 | Canon Inc | Film forming method |
-
1982
- 1982-02-01 JP JP57015061A patent/JPS58132920A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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