JP3473255B2 - 薄膜太陽電池の製造方法 - Google Patents
薄膜太陽電池の製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高効率な薄膜太陽
電池を製造する技術に関する。
電池を製造する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】近い将来、エネルギー供給が次第に困難
になることが予想され、太陽電池の高効率化、低コスト
化が大きな課題となっている。なかでも、大面積化が容
易な薄膜系太陽電池は大幅な低コスト化が可能なので、
そのエネルギー変換効率の向上が強く望まれている。こ
の薄膜系太陽電池の中で、ＣｕＩｎＳｅ2系薄膜を用い
た太陽電池が最も高い変換効率（１７％以上）を示す可
能性が示されている。これらの技術については、たとえ
ば、Blossらによる解説（progress in photovoltaic, 3
(1995) p3）に詳しく述べられている。このＣｕＩｎＳ
ｅ2系薄膜を用いた太陽電池の構成は、Ｍｏ薄膜を設け
たガラス基板上にｐ型ＣｕＩｎＳｅ2系薄膜層を形成
し、次いで、化学析出法によってｎ型ＣｄＳ層を、その
上にＺｎＯ層を、最後にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等
の透明電極層を設けて太陽電池とする。この構成では太
陽光はガラス基板と反対側の透明電極層側から入射させ
る。
になることが予想され、太陽電池の高効率化、低コスト
化が大きな課題となっている。なかでも、大面積化が容
易な薄膜系太陽電池は大幅な低コスト化が可能なので、
そのエネルギー変換効率の向上が強く望まれている。こ
の薄膜系太陽電池の中で、ＣｕＩｎＳｅ2系薄膜を用い
た太陽電池が最も高い変換効率（１７％以上）を示す可
能性が示されている。これらの技術については、たとえ
ば、Blossらによる解説（progress in photovoltaic, 3
(1995) p3）に詳しく述べられている。このＣｕＩｎＳ
ｅ2系薄膜を用いた太陽電池の構成は、Ｍｏ薄膜を設け
たガラス基板上にｐ型ＣｕＩｎＳｅ2系薄膜層を形成
し、次いで、化学析出法によってｎ型ＣｄＳ層を、その
上にＺｎＯ層を、最後にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等
の透明電極層を設けて太陽電池とする。この構成では太
陽光はガラス基板と反対側の透明電極層側から入射させ
る。
【０００３】別の構成としては、ガラス基板上にＩＴＯ
（Indium Tin Oxide）等の透明電極層、次いでＺｎＯ
層、その上にｎ型ＣｄＳ層、ｐ型ＣｕＩｎＳｅ2系薄膜
層を形成し、最後に、電極としてＡｕ膜等を形成して太
陽電池とする。この構成では太陽光はガラス基板側から
入射させる。
（Indium Tin Oxide）等の透明電極層、次いでＺｎＯ
層、その上にｎ型ＣｄＳ層、ｐ型ＣｕＩｎＳｅ2系薄膜
層を形成し、最後に、電極としてＡｕ膜等を形成して太
陽電池とする。この構成では太陽光はガラス基板側から
入射させる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】太陽電池の光電変換
は、ｐｎ接合により生じた内部電界で、太陽光の吸収に
より発生したキャリア（電子と正孔）が分離されること
により生ずる。太陽光の吸収により発生したキャリア
が、有効に分離されることなく、再結合すると損失にな
り、太陽電池の効率は低下する。この再結合は主とし
て、半導体中の欠陥を介して生ずる。太陽電池の特性を
示す指標には、太陽光エネルギーから電気エネルギーへ
の変換効率η、ｐｎ接合の端子を開放した時に生ずる開
放端電圧Ｖｏｃ、ｐｎ接合の端子を短絡した時に流れる
短絡電流Ｊｓｃ等がある。この指標のうちＶｏｃは、太
陽光を吸収して、発生したキャリア（電子と正孔）がｐ
ｎ接合の内部電界により分離されて、空乏層内に蓄積さ
れることにより生ずる。この蓄積量が多いほどＶｏｃは
大きくなる。端子を開放した状態では、前記のように内
部電界で分離されたキャリアの蓄積が生じているため
に、キャリアの蓄積が生じない短絡した状態に比べて再
結合の確率は大きくなる。このために、半導体中の、再
結合の中心となる、欠陥の密度が同じでも、ＶｏｃはＪ
ｓｃに比べて、再結合の影響を受けやすい。ＣｕＩｎＳ
ｅ2系薄膜太陽電池では、欠陥を介した再結合が大き
く、例えば単結晶を用いた太陽電池に比べて、前記Ｖｏ
ｃが小さく、結果として太陽電池の効率が低下する。
は、ｐｎ接合により生じた内部電界で、太陽光の吸収に
より発生したキャリア（電子と正孔）が分離されること
により生ずる。太陽光の吸収により発生したキャリア
が、有効に分離されることなく、再結合すると損失にな
り、太陽電池の効率は低下する。この再結合は主とし
て、半導体中の欠陥を介して生ずる。太陽電池の特性を
示す指標には、太陽光エネルギーから電気エネルギーへ
の変換効率η、ｐｎ接合の端子を開放した時に生ずる開
放端電圧Ｖｏｃ、ｐｎ接合の端子を短絡した時に流れる
短絡電流Ｊｓｃ等がある。この指標のうちＶｏｃは、太
陽光を吸収して、発生したキャリア（電子と正孔）がｐ
ｎ接合の内部電界により分離されて、空乏層内に蓄積さ
れることにより生ずる。この蓄積量が多いほどＶｏｃは
大きくなる。端子を開放した状態では、前記のように内
部電界で分離されたキャリアの蓄積が生じているため
に、キャリアの蓄積が生じない短絡した状態に比べて再
結合の確率は大きくなる。このために、半導体中の、再
結合の中心となる、欠陥の密度が同じでも、ＶｏｃはＪ
ｓｃに比べて、再結合の影響を受けやすい。ＣｕＩｎＳ
ｅ2系薄膜太陽電池では、欠陥を介した再結合が大き
く、例えば単結晶を用いた太陽電池に比べて、前記Ｖｏ
ｃが小さく、結果として太陽電池の効率が低下する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】以上に述べた課題は、基
板上に導電性薄膜を設ける工程とＡＢＣ2（Ａ＝Ｃｕ，
Ａｇのうちの少なくとも１元素、Ｂ＝Ｉｎ，Ｇａ，Ａｌ
のうちの少なくとも１元素、Ｃ＝Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅのうち
の少なくとも１元素）薄膜を設ける工程と前記ＡＢＣ2
薄膜を、前記導電性薄膜の反対側から深さ方向に部分的
に高抵抗層とする工程と電気的接合を形成できる窓層を
設ける工程と透明導電膜を設ける工程とからなることを
特徴とする太陽電池の製造方法、あるいは、基板上に透
明導電膜を設ける工程と窓層を形成する工程とＡＢＣ2
（Ａ＝Ｃｕ，Ａｇのうちの少なくとも１元素、Ｂ＝Ｉ
ｎ，Ｇａ，Ａｌのうちの少なくとも１元素、Ｃ＝Ｓ，Ｓ
ｅ，Ｔｅのうちの少なくとも１元素）薄膜を設ける工程
と前記ＡＢＣ2薄膜を形成する初期に、ＡＢＣ2薄膜を前
記窓層側から深さ方向に部分的に高抵抗化する工程と前
記ＡＢＣ2薄膜の上に導電性薄膜を形成する工程とから
なることを特徴とする太陽電池の製造方法により解決す
ることができる。この時のエネルギーバンド図を従来例
とともに図１に示す。図１（ａ）が、従来例のエネルギ
ーバンド図で、ＡＢＣ2薄膜１と窓層２で形成されるｐ
ｎ接合により、太陽光の吸収により発生した電子４と正
孔５の分離、空乏層３への蓄積を示した図である。同じ
く図１（ｂ）は本発明の太陽電池で、のエネルギーバン
ド図及び太陽光の吸収により発生したキャリアの分離、
空乏層への蓄積を示した図である。導入した高抵抗層４
のために内部電界が発生している領域が広くなり、図１
（ａ）に比べて、電子４及び正孔５が空間的により離れ
て蓄積されるために、再結合が小さくなり、蓄積量が増
え、Ｖｏｃが大きくなる。また、内部電界が発生してい
る領域で、太陽光の吸収によるキャリアの発生が生ずる
ことが望ましいので、導入する高抵抗層６の幅は、少な
くともＡＢＣ2薄膜１の光吸収係数の逆数程度以上であ
ることが望ましい。前記ＡＢＣ2薄膜の１部分を高抵抗
化するのは、以下のプロセスである。ＡＢＣ2薄膜１は
Ｂ族元素を導入することで高抵抗化することが知られて
いる。微量のＢ族元素を、ＡＢＣ2系薄膜太陽電池のｐ
型ＡＢＣ2薄膜の窓層２側から深さ方向に部分的に導入
することで、その部分を高品質な高抵抗層６とする。こ
の時、Ｂ族元素を過剰に導入すると高抵抗にはなるもの
の、組成ずれによる欠陥が発生し、再結合が大きくなる
ため望ましくない。また、Ｂ族元素の導入量が微量であ
っても、膜への高エネルギー粒子の飛び込み等、導入プ
ロセスにより、欠陥が発生することは望ましくないの
で、導入プロセスはできるだけソフトなプロセス、例え
ば、真空蒸着法等が望ましい。このようにＡＢＣ2薄膜
に微量のＢ族元素を導入する場合には専用のＢ元素源を
備えた装置を使用することが望ましい。さらにＢ元素を
導入する場合には、ＡＢＣ2薄膜１のへＢ元素の拡散が
生じ、且つＡＢＣ2薄膜２の結晶性を変えない温度まで
基板を加熱することが望ましい。
板上に導電性薄膜を設ける工程とＡＢＣ2（Ａ＝Ｃｕ，
Ａｇのうちの少なくとも１元素、Ｂ＝Ｉｎ，Ｇａ，Ａｌ
のうちの少なくとも１元素、Ｃ＝Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅのうち
の少なくとも１元素）薄膜を設ける工程と前記ＡＢＣ2
薄膜を、前記導電性薄膜の反対側から深さ方向に部分的
に高抵抗層とする工程と電気的接合を形成できる窓層を
設ける工程と透明導電膜を設ける工程とからなることを
特徴とする太陽電池の製造方法、あるいは、基板上に透
明導電膜を設ける工程と窓層を形成する工程とＡＢＣ2
（Ａ＝Ｃｕ，Ａｇのうちの少なくとも１元素、Ｂ＝Ｉ
ｎ，Ｇａ，Ａｌのうちの少なくとも１元素、Ｃ＝Ｓ，Ｓ
ｅ，Ｔｅのうちの少なくとも１元素）薄膜を設ける工程
と前記ＡＢＣ2薄膜を形成する初期に、ＡＢＣ2薄膜を前
記窓層側から深さ方向に部分的に高抵抗化する工程と前
記ＡＢＣ2薄膜の上に導電性薄膜を形成する工程とから
なることを特徴とする太陽電池の製造方法により解決す
ることができる。この時のエネルギーバンド図を従来例
とともに図１に示す。図１（ａ）が、従来例のエネルギ
ーバンド図で、ＡＢＣ2薄膜１と窓層２で形成されるｐ
ｎ接合により、太陽光の吸収により発生した電子４と正
孔５の分離、空乏層３への蓄積を示した図である。同じ
く図１（ｂ）は本発明の太陽電池で、のエネルギーバン
ド図及び太陽光の吸収により発生したキャリアの分離、
空乏層への蓄積を示した図である。導入した高抵抗層４
のために内部電界が発生している領域が広くなり、図１
（ａ）に比べて、電子４及び正孔５が空間的により離れ
て蓄積されるために、再結合が小さくなり、蓄積量が増
え、Ｖｏｃが大きくなる。また、内部電界が発生してい
る領域で、太陽光の吸収によるキャリアの発生が生ずる
ことが望ましいので、導入する高抵抗層６の幅は、少な
くともＡＢＣ2薄膜１の光吸収係数の逆数程度以上であ
ることが望ましい。前記ＡＢＣ2薄膜の１部分を高抵抗
化するのは、以下のプロセスである。ＡＢＣ2薄膜１は
Ｂ族元素を導入することで高抵抗化することが知られて
いる。微量のＢ族元素を、ＡＢＣ2系薄膜太陽電池のｐ
型ＡＢＣ2薄膜の窓層２側から深さ方向に部分的に導入
することで、その部分を高品質な高抵抗層６とする。こ
の時、Ｂ族元素を過剰に導入すると高抵抗にはなるもの
の、組成ずれによる欠陥が発生し、再結合が大きくなる
ため望ましくない。また、Ｂ族元素の導入量が微量であ
っても、膜への高エネルギー粒子の飛び込み等、導入プ
ロセスにより、欠陥が発生することは望ましくないの
で、導入プロセスはできるだけソフトなプロセス、例え
ば、真空蒸着法等が望ましい。このようにＡＢＣ2薄膜
に微量のＢ族元素を導入する場合には専用のＢ元素源を
備えた装置を使用することが望ましい。さらにＢ元素を
導入する場合には、ＡＢＣ2薄膜１のへＢ元素の拡散が
生じ、且つＡＢＣ2薄膜２の結晶性を変えない温度まで
基板を加熱することが望ましい。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態を図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【０００７】（実施の形態１）図３に示すようにガラス
基板７上に下部電極であるＭｏ電極８を約１ミクロンの
厚さで蒸着する。光吸収層であるたとえば、Ｃｕ（Ｉ
ｎ，Ｇａ）Ｓｅ2薄膜９は、基板温度５５０℃程度で蒸
着によって約２ミクロン程度の厚さで形成する。もちろ
ん プロセスは、蒸着に限ることはない。Ｃｕ（Ｉｎ，
Ｇａ）Ｓｅ2薄膜形成後、基板温度を３００℃程度に下
げ、同一装置内で、専用の抵抗加熱Ｉｎ源を用いて、Ｃ
ｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2薄膜にＩｎを導入し、深さ方向
に数百ｎｍ程度高抵抗層１０とする。さらに、光吸収層
との電気的接合を形成するために窓層を蒸着や化学的析
出法によって形成する。最も適した構成は、ＣｄＳ膜１
１を化学析出法で形成（約0.05ミクロン厚）した後、蒸
着などのＰＶＤ法によってＺｎＯ薄膜１２を形成（約0.
1-0.3ミクロン）することである。透明導電膜１３は、
ＩＴＯあるいは、III族元素（たとえば、Ｂ，Ａｌ，Ｇ
ａなど）をドープしたＺｎＯ薄膜をスパッター蒸着など
のＰＶＤ法によって形成する。シート抵抗として１０オ
ーム程度になるようにぞれぞれの膜厚を調整する。比較
のために、前記Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2薄膜を、深さ
方向に数百ｎｍ程度高抵抗化する工程を省いた太陽電池
も作製した。
基板７上に下部電極であるＭｏ電極８を約１ミクロンの
厚さで蒸着する。光吸収層であるたとえば、Ｃｕ（Ｉ
ｎ，Ｇａ）Ｓｅ2薄膜９は、基板温度５５０℃程度で蒸
着によって約２ミクロン程度の厚さで形成する。もちろ
ん プロセスは、蒸着に限ることはない。Ｃｕ（Ｉｎ，
Ｇａ）Ｓｅ2薄膜形成後、基板温度を３００℃程度に下
げ、同一装置内で、専用の抵抗加熱Ｉｎ源を用いて、Ｃ
ｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2薄膜にＩｎを導入し、深さ方向
に数百ｎｍ程度高抵抗層１０とする。さらに、光吸収層
との電気的接合を形成するために窓層を蒸着や化学的析
出法によって形成する。最も適した構成は、ＣｄＳ膜１
１を化学析出法で形成（約0.05ミクロン厚）した後、蒸
着などのＰＶＤ法によってＺｎＯ薄膜１２を形成（約0.
1-0.3ミクロン）することである。透明導電膜１３は、
ＩＴＯあるいは、III族元素（たとえば、Ｂ，Ａｌ，Ｇ
ａなど）をドープしたＺｎＯ薄膜をスパッター蒸着など
のＰＶＤ法によって形成する。シート抵抗として１０オ
ーム程度になるようにぞれぞれの膜厚を調整する。比較
のために、前記Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2薄膜を、深さ
方向に数百ｎｍ程度高抵抗化する工程を省いた太陽電池
も作製した。
【０００８】表１にこれらの太陽電池のＡＭ１．５（１
００ｍＷ／ｃｍ2）の照射光に対する特性を示す。
００ｍＷ／ｃｍ2）の照射光に対する特性を示す。
【０００９】
【表１】
【００１０】表１に見られるように本発明で得られた太
陽電池の特性は従来の構成で得られる太陽電池の特性よ
りはるかに優れている。
陽電池の特性は従来の構成で得られる太陽電池の特性よ
りはるかに優れている。
【００１１】（実施の形態２）図４に示すようにガラス
基板７上に透明導電膜１３を形成する。この導電膜はＩ
ＴＯあるいは、III族元素（たとえば、Ｂ，Ａｌ，Ｇａ
など）をドープしたＺｎＯ薄膜をスパッター蒸着などの
ＰＶＤ法によって形成する。シート抵抗として１０オー
ム程度になるようにぞれぞれの膜厚を調整する。その上
に蒸着などのＰＶＤ法によってＺｎＯ薄膜１２を形成
（約0.1-0.3ミクロン）する。次いでＣｄＳ膜１１を化
学析出法で形成（約0.05ミクロン厚）した後、光吸収層
であるたとえば、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2薄膜９は、
基板温度４００℃程度で蒸着によって約２ミクロン程度
の厚さで形成する。。この形成時に、専用の抵抗加熱Ｉ
ｎ源を光吸収層の形成初期に用いて、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇ
ａ）Ｓｅ2薄膜９の、ＣｄＳ側から数百ｎｍ程度を高抵
抗層１０とする。その上に電極としてＡｕ膜１４を形成
する。
基板７上に透明導電膜１３を形成する。この導電膜はＩ
ＴＯあるいは、III族元素（たとえば、Ｂ，Ａｌ，Ｇａ
など）をドープしたＺｎＯ薄膜をスパッター蒸着などの
ＰＶＤ法によって形成する。シート抵抗として１０オー
ム程度になるようにぞれぞれの膜厚を調整する。その上
に蒸着などのＰＶＤ法によってＺｎＯ薄膜１２を形成
（約0.1-0.3ミクロン）する。次いでＣｄＳ膜１１を化
学析出法で形成（約0.05ミクロン厚）した後、光吸収層
であるたとえば、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2薄膜９は、
基板温度４００℃程度で蒸着によって約２ミクロン程度
の厚さで形成する。。この形成時に、専用の抵抗加熱Ｉ
ｎ源を光吸収層の形成初期に用いて、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇ
ａ）Ｓｅ2薄膜９の、ＣｄＳ側から数百ｎｍ程度を高抵
抗層１０とする。その上に電極としてＡｕ膜１４を形成
する。
【００１２】表２にこれらの太陽電池のＡＭ１．５（１
００ｍＷ／ｃｍ2）の照射光に対する特性を示す。
００ｍＷ／ｃｍ2）の照射光に対する特性を示す。
【００１３】
【表２】
【００１４】表２に見られるように本発明で得られた太
陽電池の特性は従来の構成で得られる太陽電池の特性よ
りはるかに優れている。
陽電池の特性は従来の構成で得られる太陽電池の特性よ
りはるかに優れている。
【００１５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、高性能な
薄膜太陽電池を実現することができる。
薄膜太陽電池を実現することができる。
【図１】従来の製造方法による太陽電池のキャリアの分
離、蓄積を示すエネルギーバンド図
離、蓄積を示すエネルギーバンド図
【図２】本発明の製造方法による太陽電池のキャリアの
分離、蓄積を示すエネルギーバンド図
分離、蓄積を示すエネルギーバンド図
【図３】本発明の製造方法による太陽電池の製造工程の
説明図
説明図
【図４】本発明の製造方法による太陽電池の製造工程の
説明図
説明図
１ ＡＢＣ２膜ガラス基板
２ 窓層
３ 空乏層
４ 電子
５ 正孔
６ 高抵抗層
７ ガラス基板
８ Ｍｏ電極
９ Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2薄膜
１０ 高抵抗層
１１ ＣｄＳ膜
１２ ＺｎＯ薄膜
１３ 透明導電膜
１４ Ａｕ電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 31/04 - 31/078
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に導電性薄膜を設ける工程と、Ａ
ＢＣ２（Ａ＝Ｃｕ，Ａｇのうちの少なくとも１元素、Ｂ
＝Ｉｎ，Ｇａ，Ａｌのうちの少なくとも１元素、Ｃ＝
Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅのうちの少なくとも１元素）薄膜を設け
る工程と、前記ＡＢＣ２薄膜を、前記導電性薄膜の反対
側から深さ方向に部分的に高抵抗化する工程と、電気的
接合を形成できる窓層を設ける工程と、透明導電膜を設
ける工程とを設けたことを特徴とする太陽電池の製造方
法。 - 【請求項２】 ＡＢＣ２薄膜の高抵抗部分の厚みが、Ａ
ＢＣ２薄膜の光吸収係数の逆数より大きいことを特徴と
する請求項１に記載の太陽電池の製造方法。 - 【請求項３】 ＡＢＣ２薄膜を深さ方向に部分的に高抵
抗化する工程が、Ｂ元素をＡＢＣ２薄膜へ導入すること
であることを特徴とする請求項１又は２に記載の太陽電
池の製造方法。 - 【請求項４】 Ｂ元素をＡＢＣ２薄膜へ導入する工程に
おいて、ＡＢＣ２薄膜のへＢ元素の拡散が生じ、且つＡ
ＢＣ２薄膜の結晶性を変えない温度まで基板を加熱する
ことを特徴とする請求項３に記載の太陽電池の製造方
法。 - 【請求項５】 ＡＢＣ２薄膜へのＢ元素の導入の量がＡ
ＢＣ２薄膜の結晶性を損なわない量であることを特徴と
する請求項３に記載の太陽電池の製造方法。 - 【請求項６】 Ｂ元素の導入方法が抵抗加熱蒸着である
ことを特徴とする請求項３に記載の太陽電池の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05745096A JP3473255B2 (ja) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05745096A JP3473255B2 (ja) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09246579A JPH09246579A (ja) | 1997-09-19 |
| JP3473255B2 true JP3473255B2 (ja) | 2003-12-02 |
Family
ID=13056012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05745096A Expired - Lifetime JP3473255B2 (ja) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3473255B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113754310B (zh) * | 2021-08-31 | 2022-06-10 | 河南大学 | 一种新型银铅硅硫硒薄膜光伏吸收层材料及其制备方法 |
-
1996
- 1996-03-14 JP JP05745096A patent/JP3473255B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09246579A (ja) | 1997-09-19 |
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