JPS6193644A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6193644A JPS6193644A JP21440184A JP21440184A JPS6193644A JP S6193644 A JPS6193644 A JP S6193644A JP 21440184 A JP21440184 A JP 21440184A JP 21440184 A JP21440184 A JP 21440184A JP S6193644 A JPS6193644 A JP S6193644A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- polycrystalline silicon
- silicon film
- electrode
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、シ１１コン配線が含まれる多層配線を存する
半導体装置の表面を平坦化して形成するのに有効な半導
体装置の製造方法に関する。
半導体装置の表面を平坦化して形成するのに有効な半導
体装置の製造方法に関する。
第５図乃至第８図は従来技術を解説する為の工程要所に
於ける半導体装置の要部切断正面図を表し、以下、これ
等の図を参照しつつ説明する。
於ける半導体装置の要部切断正面図を表し、以下、これ
等の図を参照しつつ説明する。
第５図参照
（ａ） 諸素子を形成する為の所定の加工が完了した
シリコン半導体基板１を酸化性雰囲気中で熱処理するこ
とに依り二酸化シリコン（ＳｉＯｚ）膜２を形成する。
シリコン半導体基板１を酸化性雰囲気中で熱処理するこ
とに依り二酸化シリコン（ＳｉＯｚ）膜２を形成する。
（ｂ） 化学気相堆積（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐ
。
。
ｕｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）法を適用する
ことに依り多結晶シリコン膜３を形成する。
ことに依り多結晶シリコン膜３を形成する。
（Ｃ） 多結晶シリコン膜３をパターニングする際の
マスクとして使用する為のフォト・レジスト膜４を形成
する。
マスクとして使用する為のフォト・レジスト膜４を形成
する。
第６図参照
（ｄ） フォト・レジスト膜４をマスクとして多結晶
シリコン膜３のパターニングを行い多結晶シリコン電極
３′とする。
シリコン膜３のパターニングを行い多結晶シリコン電極
３′とする。
第７図参照
（８１酸化性雰囲気中で熱処理することに依り多結晶シ
リコン電極３′を覆うＳ ｉ Ｏ２膜を形成する。向、
ここで形成した５ｉｏ２膜も簡明にする為、記号２で指
示しである。
リコン電極３′を覆うＳ ｉ Ｏ２膜を形成する。向、
ここで形成した５ｉｏ２膜も簡明にする為、記号２で指
示しである。
第８図参照
（ｒｌ 例えば蒸着法を適用することに依りアルミニ
ウム（ＡＡ）膜を形成し、それを通常のフォト・リソグ
ラフィ技術にてバターニングして電極５を形成する。
ウム（ＡＡ）膜を形成し、それを通常のフォト・リソグ
ラフィ技術にてバターニングして電極５を形成する。
前記した工程を経てＡＡ電極５を形成した場合、矢印で
指示しであるように、／ｌ電極５に段差切れを発生する
率が多い。
指示しであるように、／ｌ電極５に段差切れを発生する
率が多い。
このようなことは問題視されはじめてから久しいが、依
然として半導体装置を製造する場合の技術的課題とされ
ている。
然として半導体装置を製造する場合の技術的課題とされ
ている。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明の半導体装置の製造方法に於いては、半導体基板
上に絶縁膜と第１のシリコン膜と熱酸化遮断膜と第２の
シリコン膜とを順に形成し、次いで、前記第２のシリコ
ン膜と前記熱酸化遮断膜とを電極形状にバターニングし
、次いで、酸化性雰囲気中で熱処理を行って前記第１の
シリコン膜の前記熱酸化遮断膜で覆われた部分以外を熱
酸化膜に変換するようにしている。
上に絶縁膜と第１のシリコン膜と熱酸化遮断膜と第２の
シリコン膜とを順に形成し、次いで、前記第２のシリコ
ン膜と前記熱酸化遮断膜とを電極形状にバターニングし
、次いで、酸化性雰囲気中で熱処理を行って前記第１の
シリコン膜の前記熱酸化遮断膜で覆われた部分以外を熱
酸化膜に変換するようにしている。
前記手段を採ると、第１のシリコン膜は電極となる部分
を残して他の部分が熱酸化膜に変換され、且つ、該第１
のシリコン膜の電極となる部分上に在る電極形状の第２
のシリコン膜が熱酸化膜に変換され、半導体装置の表面
は略平坦な熱酸化膜で覆われることになる。
を残して他の部分が熱酸化膜に変換され、且つ、該第１
のシリコン膜の電極となる部分上に在る電極形状の第２
のシリコン膜が熱酸化膜に変換され、半導体装置の表面
は略平坦な熱酸化膜で覆われることになる。
第１図乃至第４図は本発明一実施例を解説する為の工程
要所に於ける半導体装置の要部切断側面図であり、以下
、これ等の図を参照しつつ説明する。
要所に於ける半導体装置の要部切断側面図であり、以下
、これ等の図を参照しつつ説明する。
第１図参照
（ａｌ 諸素子を形成する為の所定の加工が完了した
シリコン半導体基板１１に対して熱酸化法を適用するこ
とに依り５ｉｏ２膜１２を厚さ約１０００〔人〕程度に
成長させる。
シリコン半導体基板１１に対して熱酸化法を適用するこ
とに依り５ｉｏ２膜１２を厚さ約１０００〔人〕程度に
成長させる。
＋ｂｌＣＶＤ法を適用することに依り第１の多結晶シリ
コン膜１３を厚さ約２０００ （人〕程度に成長させ
る。
コン膜１３を厚さ約２０００ （人〕程度に成長させ
る。
ｔｃ＞ 熱酸化法を適用することに依り第１の多結晶
シリコン膜１３の表面を保護する為のＳ ｉ Ｏ２膜１
４を厚さ約１００Ｃ人〕程度に成長させる。
シリコン膜１３の表面を保護する為のＳ ｉ Ｏ２膜１
４を厚さ約１００Ｃ人〕程度に成長させる。
（ｄ）ＣＶＤ法を適用すること北依り熱酸化遮断作用を
させる為の窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）膜１５を厚さ約
５００〔人〕程度に成長させる。
させる為の窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）膜１５を厚さ約
５００〔人〕程度に成長させる。
（８）ＣＶＤ法を適用することに依り第２の多結晶シリ
コン膜１６を厚さ約７００〔人〕程度に成長させる。
コン膜１６を厚さ約７００〔人〕程度に成長させる。
尚、これまでに形成した各膜の膜厚の関係は次のように
なっている。
なっている。
第１の多結晶シリコン膜１３の膜厚＝ｔ、、。
Ｓｉ３Ｎ４膜１５＝ｔｓア
第２の多結晶シリコン膜１６の膜厚＝ｊ２ｓｉとして、
ｊ Ｉ Ｓｉ ＝ｊ ＳＲ＋２ ｔＺｓｉ（ｆｌ
通常のフォト・レジスト工程を適用することに依り電極
形状のフォト・レジスト膜１７を形成する。
通常のフォト・レジスト工程を適用することに依り電極
形状のフォト・レジスト膜１７を形成する。
第２図参照
（ｇ） フォト・レジスト膜１７をマスクとして第２
の多結晶シリコン膜１６及びＳｉ３Ｎ４膜１５を電極形
状にバターニングする。
の多結晶シリコン膜１６及びＳｉ３Ｎ４膜１５を電極形
状にバターニングする。
第３図参照
＋ｈＪ 熱酸化法を適用することに依り第２の多結晶
シリコン膜１６が全てＳｉＯ□に変換されるようにする
。
シリコン膜１６が全てＳｉＯ□に変換されるようにする
。
このようにすると、Ｓｉ３Ｎ、膜１５で覆われた部分の
第１の多結晶シリコン膜１３はそのまま酸化されずに多
結晶シリコン電極１３′として残るが他の部分はｓｉ＋
）２に変換される。
第１の多結晶シリコン膜１３はそのまま酸化されずに多
結晶シリコン電極１３′として残るが他の部分はｓｉ＋
）２に変換される。
尚、該変換に依り形成されたＳ ｉ ０２膜も記号１２
で指示しである。
で指示しである。
一般に多結晶シリコン膜は酸化されると膜厚は約２倍に
なる。従って、前記したように、Ｌ Ｉｓｉ ＝ ｔ
ｓｎ＋２ ｊ ｔｓｉであれば、表面は平坦になる。
なる。従って、前記したように、Ｌ Ｉｓｉ ＝ ｔ
ｓｎ＋２ ｊ ｔｓｉであれば、表面は平坦になる。
第４図参照
（１）蒸着法及びフォト・リソグラフィ技術を適用する
ことに依り例えば／ｌからなる電極・配線１８を形成す
る。
ことに依り例えば／ｌからなる電極・配線１８を形成す
る。
本発明に依る半導体装置の製造方法では、半導体基板上
に絶縁膜と第１のシリコン膜と熱酸化遮断膜と第２のシ
リコン膜とを順に形成し、次いで、前記第２のシリコン
膜と前記熱酸化遮断膜とを電極形状にパターニングし、
次いで、酸化性雰囲気中で熱処理を行って前記第１のシ
リコン膜の前記熱酸化遮断膜で覆われた部分以外を熱酸
化膜に変換するようにしている。
に絶縁膜と第１のシリコン膜と熱酸化遮断膜と第２のシ
リコン膜とを順に形成し、次いで、前記第２のシリコン
膜と前記熱酸化遮断膜とを電極形状にパターニングし、
次いで、酸化性雰囲気中で熱処理を行って前記第１のシ
リコン膜の前記熱酸化遮断膜で覆われた部分以外を熱酸
化膜に変換するようにしている。
このようにすると、前記第１のシリコン膜からなる電極
を形成した後も半導体装置表面には凹凸が形成されるこ
とはなく、従って、その表面に例えばＡｌからなる電極
・配線を形成しても段差切れが発生することは皆無であ
り、また、同時に前記第１のシリコン膜からなる電極と
前記Ａｌからなる電極・配線との間には眉間絶縁膜が形
成されるものである。
を形成した後も半導体装置表面には凹凸が形成されるこ
とはなく、従って、その表面に例えばＡｌからなる電極
・配線を形成しても段差切れが発生することは皆無であ
り、また、同時に前記第１のシリコン膜からなる電極と
前記Ａｌからなる電極・配線との間には眉間絶縁膜が形
成されるものである。
また、本発明を実施するに際して適用される技術は、従
来、半導体装置を製造する際に多用されている安定な技
術の組み合わせであり、何等特殊なものは必要としない
ので、その実施は容易である。
来、半導体装置を製造する際に多用されている安定な技
術の組み合わせであり、何等特殊なものは必要としない
ので、その実施は容易である。
第１図乃至第４図は本発明一実施例を説明する為の工程
要所に於ける半導体装置の要部切断側面図、第５図乃至
第８図は従来例を説明する為の工程要所に於ける半導体
装置の要部切断側面図をそれぞれ表している。 図に於いて、１１はシリコン半導体基板、１２はＳ ｉ
Ｏ２膜、１３は第１の多結晶シリコン膜、１３′は第
１の多結晶シリコン膜１３から形成された多結晶シリコ
ン電極、１４は５ｉ０２膜、１５はＳｉ３Ｎ４膜、１６
は第２の多結晶シリコン膜、１７はフォト・レジスト膜
、１８はＡＩ！電極・配線をそれぞれ示している。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第７図 第８図
要所に於ける半導体装置の要部切断側面図、第５図乃至
第８図は従来例を説明する為の工程要所に於ける半導体
装置の要部切断側面図をそれぞれ表している。 図に於いて、１１はシリコン半導体基板、１２はＳ ｉ
Ｏ２膜、１３は第１の多結晶シリコン膜、１３′は第
１の多結晶シリコン膜１３から形成された多結晶シリコ
ン電極、１４は５ｉ０２膜、１５はＳｉ３Ｎ４膜、１６
は第２の多結晶シリコン膜、１７はフォト・レジスト膜
、１８はＡＩ！電極・配線をそれぞれ示している。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第７図 第８図
Claims (1)
- 半導体基板上に絶縁膜と第１のシリコン膜と熱酸化遮
断膜と第２のシリコン膜とを順に形成し、次いで、前記
第２のシリコン膜と前記熱酸化遮断膜とを電極形状にパ
ターニングし、次いで、酸化性雰囲気中で熱処理を行っ
て前記第１のシリコン膜の前記熱酸化遮断膜で覆われた
部分以外を熱酸化膜に変換する工程が含まれてなること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21440184A JPS6193644A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21440184A JPS6193644A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6193644A true JPS6193644A (ja) | 1986-05-12 |
Family
ID=16655177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21440184A Pending JPS6193644A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6193644A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5130264A (en) * | 1990-04-11 | 1992-07-14 | General Motors Corporation | Method of making a thin film transistor |
| CN112951708A (zh) * | 2021-01-26 | 2021-06-11 | 济南晶正电子科技有限公司 | 一种复合衬底及其制备方法、复合薄膜 |
-
1984
- 1984-10-15 JP JP21440184A patent/JPS6193644A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5130264A (en) * | 1990-04-11 | 1992-07-14 | General Motors Corporation | Method of making a thin film transistor |
| CN112951708A (zh) * | 2021-01-26 | 2021-06-11 | 济南晶正电子科技有限公司 | 一种复合衬底及其制备方法、复合薄膜 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6193644A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| GB2302758A (en) | Semiconductor device and method of manufacture | |
| JPS62216343A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2817209B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0528501B2 (ja) | ||
| JPH02132830A (ja) | 選択酸化方法 | |
| JP2705139B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6387742A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2707538B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6387750A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6222452A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6340341A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03262133A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01202860A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01243447A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0613605A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0438876A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60254751A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6088470A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04278532A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH022634A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6033306B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02197129A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03132073A (ja) | Ｍｉｓ型集積回路装置の製造方法 | |
| JPS58200575A (ja) | 半導体装置の製造方法 |