JPS6192414A - 磁気抵抗装置 - Google Patents
磁気抵抗装置Info
- Publication number
- JPS6192414A JPS6192414A JP21308984A JP21308984A JPS6192414A JP S6192414 A JPS6192414 A JP S6192414A JP 21308984 A JP21308984 A JP 21308984A JP 21308984 A JP21308984 A JP 21308984A JP S6192414 A JPS6192414 A JP S6192414A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- magneto
- magnetoresistive
- resistance elements
- magnetoresistive elements
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3945—Heads comprising more than one sensitive element
- G11B5/3948—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements
- G11B5/3958—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged in a single plane, e.g. "matrix" disposition
- G11B5/3961—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged in a single plane, e.g. "matrix" disposition disposed at an angle to the direction of the track or relative movement
- G11B5/3964—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged in a single plane, e.g. "matrix" disposition disposed at an angle to the direction of the track or relative movement for transducing on a single track
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、例えば磁気記録媒体に対して記録された信
号を読み取り検出するようにして使用される磁気抵抗装
置に関する。
号を読み取り検出するようにして使用される磁気抵抗装
置に関する。
［背景技術］
磁気抵抗装置は、例えば磁気テープ等の記録媒体に対し
て記録設定された信号を読み取るため、ざらには磁気的
な信号を発生する物体の近接状態を検出する等のために
広く利用されるもので、例えば特開昭５９−１９２２１
号公報に示されるようなものが知られている。このよう
な磁気抵抗装置にあっては、強磁性材料による磁気抵抗
素子が設定されているもので、例えばこの磁気抵抗素子
に対して一定のバイアス磁界を設定しておき、このよう
にバイアス設定された磁気抵抗素子に対して信号磁界が
作用させられるようにしている。そして、上記磁気抵抗
素子に発生する抵抗値の変化を例えばブリッジ回路によ
って検出し、磁界の変化による信号を電気的な信号に変
換するものである。
て記録設定された信号を読み取るため、ざらには磁気的
な信号を発生する物体の近接状態を検出する等のために
広く利用されるもので、例えば特開昭５９−１９２２１
号公報に示されるようなものが知られている。このよう
な磁気抵抗装置にあっては、強磁性材料による磁気抵抗
素子が設定されているもので、例えばこの磁気抵抗素子
に対して一定のバイアス磁界を設定しておき、このよう
にバイアス設定された磁気抵抗素子に対して信号磁界が
作用させられるようにしている。そして、上記磁気抵抗
素子に発生する抵抗値の変化を例えばブリッジ回路によ
って検出し、磁界の変化による信号を電気的な信号に変
換するものである。
このような磁気抵抗素子は、磁界の変化に対して例えば
第４図で示すような抵抗値の変化を示す。
第４図で示すような抵抗値の変化を示す。
すなわち、この抵抗素子に対しては通常状態でＡに示す
Ｈｏのバイアス磁界が印加設定されているもので、この
ような状態で例えば磁気テープの走行に対応して信号磁
界Ｂが発生されたとすると、この磁気抵抗素子の抵抗値
はＣに示すように変化する。この抵抗値の変化状態は、
上記磁気抵抗素子と他の抵抗素子とを組合わせ接続して
構成されるブリッジ回路で電圧変化として読取るように
する。しかし、このように構成される磁気抵抗装置にあ
っては、上記磁気抵抗素子とこの抵抗素子に組合わせ設
定される他の抵抗素子との温度係数等が異なるものであ
るため、温度変化によって中点電位、出力状態が変動す
るようになり、また出力信号レベルを充分に取ることが
困難である。
Ｈｏのバイアス磁界が印加設定されているもので、この
ような状態で例えば磁気テープの走行に対応して信号磁
界Ｂが発生されたとすると、この磁気抵抗素子の抵抗値
はＣに示すように変化する。この抵抗値の変化状態は、
上記磁気抵抗素子と他の抵抗素子とを組合わせ接続して
構成されるブリッジ回路で電圧変化として読取るように
する。しかし、このように構成される磁気抵抗装置にあ
っては、上記磁気抵抗素子とこの抵抗素子に組合わせ設
定される他の抵抗素子との温度係数等が異なるものであ
るため、温度変化によって中点電位、出力状態が変動す
るようになり、また出力信号レベルを充分に取ることが
困難である。
［発明が解決しようとする問題点］
この発明は上記のような点に鑑みなされたもので、例え
ば温度変化状態が発生するような場合であっても、磁界
変化による信号を安定した状態で発生されるようにする
ものであり、特にブリッジ回路を構成した場合に、その
中点電位が温度変化に対して安定した状態に設定され、
良好な信号検出動作が実行されるようにするものであり
、さらにその出力電圧も充分な値にすることができるよ
うなにする磁気抵抗装置を提供しようとするものである
。
ば温度変化状態が発生するような場合であっても、磁界
変化による信号を安定した状態で発生されるようにする
ものであり、特にブリッジ回路を構成した場合に、その
中点電位が温度変化に対して安定した状態に設定され、
良好な信号検出動作が実行されるようにするものであり
、さらにその出力電圧も充分な値にすることができるよ
うなにする磁気抵抗装置を提供しようとするものである
。
［問題点を解決するための手段〕
すなわち、この発明に係る磁気抵抗装置にあっては、絶
縁基板上に強磁性材料による薄膜によって構成した第１
および第２の磁気抵抗素子をブリッジ回路が形成される
ように形成すると共に、上記第１および第２の磁気抵抗
素子それぞれに対して、順および逆方向のバイアス磁界
が印加設定されるようにし、上記第１および第２の磁気
抵抗素子の接続点部分から出力信号を取り出すようにし
たものである。
縁基板上に強磁性材料による薄膜によって構成した第１
および第２の磁気抵抗素子をブリッジ回路が形成される
ように形成すると共に、上記第１および第２の磁気抵抗
素子それぞれに対して、順および逆方向のバイアス磁界
が印加設定されるようにし、上記第１および第２の磁気
抵抗素子の接続点部分から出力信号を取り出すようにし
たものである。
［作用］
上記のように構成される磁気抵抗装置にあっては、第１
および第２の磁気抵抗素子に対して、それぞれ逆の状態
の磁界が印加設定されるものであり、このような状態の
第１および第２の磁気抵抗素子に対して、共通の信号磁
界が作用するようになると、その各磁気抵抗素子におい
て、逆の位相状態で抵抗値が変化するようになる。した
がって、上記第１および第２の磁気抵抗素子の接続点に
あっては、上記磁気抵抗素子それぞれの抵抗変化が加算
された状態で検出されるようになり、充分に大きな出力
信号が検出されるようになる。同時に、温度変化が存在
するような場合であっても、この温度変化に伴う出力変
動は相殺される状態となり、温度変化に対して安定した
信号検出特性が設定されるようになるものである。
および第２の磁気抵抗素子に対して、それぞれ逆の状態
の磁界が印加設定されるものであり、このような状態の
第１および第２の磁気抵抗素子に対して、共通の信号磁
界が作用するようになると、その各磁気抵抗素子におい
て、逆の位相状態で抵抗値が変化するようになる。した
がって、上記第１および第２の磁気抵抗素子の接続点に
あっては、上記磁気抵抗素子それぞれの抵抗変化が加算
された状態で検出されるようになり、充分に大きな出力
信号が検出されるようになる。同時に、温度変化が存在
するような場合であっても、この温度変化に伴う出力変
動は相殺される状態となり、温度変化に対して安定した
信号検出特性が設定されるようになるものである。
［実施例］
以下、゛図面を参照してこの発明の一実施例を説明する
。第１図はその構成を示すもので、例えばシリコン酸化
膜等で構成される絶縁基板１１の上に、例えばＮｉ−Ｆ
ｅ合金薄膜でなる強磁性材料による薄膜を蒸着形成し、
この蒸着薄膜をエツチングすることによって細線状の第
１および第２の磁気抵抗素子１２および１３を形成する
。この場合、この第１および第２の磁気抵抗素子１２お
よび１３は、１つの直線上に配列設定されるようになっ
ている。
。第１図はその構成を示すもので、例えばシリコン酸化
膜等で構成される絶縁基板１１の上に、例えばＮｉ−Ｆ
ｅ合金薄膜でなる強磁性材料による薄膜を蒸着形成し、
この蒸着薄膜をエツチングすることによって細線状の第
１および第２の磁気抵抗素子１２および１３を形成する
。この場合、この第１および第２の磁気抵抗素子１２お
よび１３は、１つの直線上に配列設定されるようになっ
ている。
そして、上記だおよび第２の磁気抵抗素子１２および１
３は電極１４部分で相互に接続設定し、またそのそれぞ
れの両端部分に対して電極１５および１６を設定して、
図では示されていない他の固定の抵抗素子を組合わせ接
続することによってブリッジ回路が形成されるようにす
る。この場合、第１および第２の磁気抵抗素子１２およ
び１３の接続点に対応する電極１４が、出力端子部とし
て使用されるようにする。
３は電極１４部分で相互に接続設定し、またそのそれぞ
れの両端部分に対して電極１５および１６を設定して、
図では示されていない他の固定の抵抗素子を組合わせ接
続することによってブリッジ回路が形成されるようにす
る。この場合、第１および第２の磁気抵抗素子１２およ
び１３の接続点に対応する電極１４が、出力端子部とし
て使用されるようにする。
また、上記絶縁基板１１に対しては、上記第１および第
２の磁気抵抗素子１２および１３に対してそれぞれ交差
する方向に磁界が印加設定されるように、第１および第
２の磁石１７および１８を設定する。この場合、上記第
１および第２の磁石１７および１８は、図からも明らか
なように、第１および第２の磁気抵抗素子１２および１
３に対して、順および逆方向の磁界が作用するように設
定されている。すなわち、第１および第２の磁気抵抗素
子１２および１３に対しては、互いに逆方向のバイアス
磁界が印加されるようになっている。
２の磁気抵抗素子１２および１３に対してそれぞれ交差
する方向に磁界が印加設定されるように、第１および第
２の磁石１７および１８を設定する。この場合、上記第
１および第２の磁石１７および１８は、図からも明らか
なように、第１および第２の磁気抵抗素子１２および１
３に対して、順および逆方向の磁界が作用するように設
定されている。すなわち、第１および第２の磁気抵抗素
子１２および１３に対しては、互いに逆方向のバイアス
磁界が印加されるようになっている。
すなわち、上記のように構成される磁気抵抗装置にあっ
ては、第１の磁気抵抗素子１２に対しては、第２図で示
す磁界ＨＤが印加設定され、また第２の磁気抵抗素子１
３に対しては磁界−ＨＯが印加設定されるようになって
いる。このような状態で、例えば磁気テープ等の記録媒
体からの外部磁界が、この図で■に示すように変化した
とすると、この磁界変化に伴って第１の抵抗素子１２の
抵抗値は同図に■に示すように変化し、また第２の磁気
抵抗素子１３の抵抗値は■に示すように変化する。
ては、第１の磁気抵抗素子１２に対しては、第２図で示
す磁界ＨＤが印加設定され、また第２の磁気抵抗素子１
３に対しては磁界−ＨＯが印加設定されるようになって
いる。このような状態で、例えば磁気テープ等の記録媒
体からの外部磁界が、この図で■に示すように変化した
とすると、この磁界変化に伴って第１の抵抗素子１２の
抵抗値は同図に■に示すように変化し、また第２の磁気
抵抗素子１３の抵抗値は■に示すように変化する。
したがって、第１および第２の磁気抵抗素子１２および
１３の接続点である電極１４を出力端子とし、他の電極
１５および１６を入力端子とすれば、第１および第２の
磁気抵抗素子に対して同一バイアス磁界を印加した場合
の４倍の出力が得られるようになる。
１３の接続点である電極１４を出力端子とし、他の電極
１５および１６を入力端子とすれば、第１および第２の
磁気抵抗素子に対して同一バイアス磁界を印加した場合
の４倍の出力が得られるようになる。
また、上記第１および第２の磁気抵抗素子１２および１
３は、同じ材料によって構成される状態のものであるた
め、互いに温度補償がされるようになり、したがって中
点電位も安定した状態となり、磁気的な信号の変換特性
が安定したものとなる。
３は、同じ材料によって構成される状態のものであるた
め、互いに温度補償がされるようになり、したがって中
点電位も安定した状態となり、磁気的な信号の変換特性
が安定したものとなる。
上記実施例では、ブリッジ回路を構成する抵抗素子の中
の２つの抵抗素子を磁気抵抗素子によって構成するよう
な状態で示した。しかし、ブリッジ回路を構成する４個
の抵抗素子を全て磁気抵抗素子によって構成するように
し、でもよい。
の２つの抵抗素子を磁気抵抗素子によって構成するよう
な状態で示した。しかし、ブリッジ回路を構成する４個
の抵抗素子を全て磁気抵抗素子によって構成するように
し、でもよい。
第３図はこのような場合の実施例を示しているもので、
絶縁基板１１に対して強磁性材料のａ膜でなる第１およ
び第２の磁気抵抗素子１２および１３を前記実施例と同
様の状態で形成すると共に、この磁気抵抗素子１２．１
３に平行となる状態で第３および第４の磁気抵抗素子２
０および２１を形成する。そして、この第３および第４
の磁気抵抗素子２０および２１の接続点に対して、前記
電極１４に対応する電極２２を設定するものであり、第
２の磁気抵抗素子１３と第３の磁気抵抗素子２０が電極
２３によって接続され、第１の磁気抵抗素子１２と第４
の磁気抵抗素子２１とが電極２４によって接続設定され
るようにする。そして、電極１４および２２を出力端子
とするフルブリッジ回路が形成されるようにしているも
のである。
絶縁基板１１に対して強磁性材料のａ膜でなる第１およ
び第２の磁気抵抗素子１２および１３を前記実施例と同
様の状態で形成すると共に、この磁気抵抗素子１２．１
３に平行となる状態で第３および第４の磁気抵抗素子２
０および２１を形成する。そして、この第３および第４
の磁気抵抗素子２０および２１の接続点に対して、前記
電極１４に対応する電極２２を設定するものであり、第
２の磁気抵抗素子１３と第３の磁気抵抗素子２０が電極
２３によって接続され、第１の磁気抵抗素子１２と第４
の磁気抵抗素子２１とが電極２４によって接続設定され
るようにする。そして、電極１４および２２を出力端子
とするフルブリッジ回路が形成されるようにしているも
のである。
このように第１乃至第４の磁気抵抗素子が設定される状
態で、第１および第３の磁気抵抗素子１２および２０に
共通となるように磁石１７を設定し、また第２および第
４の磁気抵抗素子１３および２１に共通となるように磁
石１８を設定するものである。
態で、第１および第３の磁気抵抗素子１２および２０に
共通となるように磁石１７を設定し、また第２および第
４の磁気抵抗素子１３および２１に共通となるように磁
石１８を設定するものである。
すなわち、電極２２の両側に設定される第３および第４
の磁気抵抗素子２０および２１は、前記第１および第２
の磁気抵抗素子１２および１３と同様に作用する状態と
なるものであり、この場合の出力は従来の場合の８倍の
状態となる。
の磁気抵抗素子２０および２１は、前記第１および第２
の磁気抵抗素子１２および１３と同様に作用する状態と
なるものであり、この場合の出力は従来の場合の８倍の
状態となる。
尚、上記磁気抵抗素子を構成する材料は、強磁性材料が
適宜使用されるものであり、例えばＮｉ−Ｃｏ合金等も
使用される。また絶縁基板もガラス等によって構成する
ようにしてもよい。
適宜使用されるものであり、例えばＮｉ−Ｃｏ合金等も
使用される。また絶縁基板もガラス等によって構成する
ようにしてもよい。
［発明の効果］
以上のようにこの発明に係る磁気抵抗装置によれば、温
度変化状態が発生しても、その温度変化に伴う特性変化
が相殺されるような状態となり、中点電位状態が安定設
定されるようになる。同時に信号磁界の検出特性も著し
く向上されるものであり、その適用範囲が効果的に拡大
され、るもので２ある。
度変化状態が発生しても、その温度変化に伴う特性変化
が相殺されるような状態となり、中点電位状態が安定設
定されるようになる。同時に信号磁界の検出特性も著し
く向上されるものであり、その適用範囲が効果的に拡大
され、るもので２ある。
第１図はこの発明の一実施例に係る磁気抵抗装置を説明
する構成図、第２図上記実施例の信号検出特性を説明す
る図、第３図はこの発明の他の実施例を°説明する構成
図、第４図は従来の磁気抵抗装置の動作特性を説明する
図である。 １１・・・絶縁基板、１２・・・第１の磁気抵抗素子、
１３・・・第２の磁気抵抗素子、１４〜１５・・・電極
、１７・・・第２の磁石、１８・・・第２の磁石。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 １ 図 第２図 第３図 第４図
する構成図、第２図上記実施例の信号検出特性を説明す
る図、第３図はこの発明の他の実施例を°説明する構成
図、第４図は従来の磁気抵抗装置の動作特性を説明する
図である。 １１・・・絶縁基板、１２・・・第１の磁気抵抗素子、
１３・・・第２の磁気抵抗素子、１４〜１５・・・電極
、１７・・・第２の磁石、１８・・・第２の磁石。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 １ 図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 絶縁基板上にブリッジ回路を構成するように設定され
強磁性薄膜によって構成される第１および第２の磁気抵
抗素子と、この第１および第２の磁気抵抗素子それぞれ
に対して順および逆方向のバイアス磁界を印加設定する
磁気発生素子とを具備し、上記第１および第２の磁気抵
抗素子の接続点を出力端子に対して接続設定し、この相
互接続された第１および第２の磁気抵抗素子のそれぞれ
両端部分に入力端子が設定されるようにしたことを特徴
とする磁気抵抗装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21308984A JPS6192414A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 磁気抵抗装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21308984A JPS6192414A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 磁気抵抗装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6192414A true JPS6192414A (ja) | 1986-05-10 |
Family
ID=16633373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21308984A Pending JPS6192414A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 磁気抵抗装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6192414A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62252643A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-11-04 | Nippon Yakin Kogyo Co Ltd | 金属薄板帯の直接製造方法および製造装置 |
| US5637995A (en) * | 1992-12-09 | 1997-06-10 | Nippondenso Co., Ltd. | Magnetic detection device having a magnet including a stepped portion for eliminating turbulence at the MR sensor |
-
1984
- 1984-10-11 JP JP21308984A patent/JPS6192414A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62252643A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-11-04 | Nippon Yakin Kogyo Co Ltd | 金属薄板帯の直接製造方法および製造装置 |
| JPH0338940B2 (ja) * | 1986-04-23 | 1991-06-12 | Nippon Yakin Kogyo Co Ltd | |
| US5637995A (en) * | 1992-12-09 | 1997-06-10 | Nippondenso Co., Ltd. | Magnetic detection device having a magnet including a stepped portion for eliminating turbulence at the MR sensor |
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