JPS61923A - 磁気記録媒体の製法 - Google Patents
磁気記録媒体の製法Info
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- JPS61923A JPS61923A JP12054184A JP12054184A JPS61923A JP S61923 A JPS61923 A JP S61923A JP 12054184 A JP12054184 A JP 12054184A JP 12054184 A JP12054184 A JP 12054184A JP S61923 A JPS61923 A JP S61923A
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- Japan
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- film
- recording medium
- magnetic recording
- ferromagnetic metal
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、所謂蒸着テープの如き強磁性金属薄膜型の磁
気記録媒体の製法に関するものであり、さらに詳細には
耐久性や走行性を改善するために設けられる保護膜の形
成方法の改良に関するものである。
気記録媒体の製法に関するものであり、さらに詳細には
耐久性や走行性を改善するために設けられる保護膜の形
成方法の改良に関するものである。
磁気記録の分野においては、記録信号の高密度記録化や
短波長化が進められているが、これに対応して抗磁力H
cや残留磁束密度Brの大きな磁気記録媒体が要望され
ている。
短波長化が進められているが、これに対応して抗磁力H
cや残留磁束密度Brの大きな磁気記録媒体が要望され
ている。
そこで従来、ポリエステルフィルム等の非磁性支持体上
にCo−Ni 合金等の強磁性金属材料を真空蒸着法や
スパッタ法等の手段を用いて強磁性金属薄膜を直接被着
形成し、これを磁性層となした強磁性金属薄膜型の磁気
記録媒体が提案され注目を集めている。この強磁性金属
薄膜型の磁気記録媒体は、抗磁力Hcや残留磁束密度B
rが大きいばかりでなく、磁性層の厚みを極めて薄くで
きるため記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さいこ
と、磁性層に塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体やポリウ
レタン樹脂等の樹脂結合剤を混入する必要がないため強
磁性金属材料の充填密度を高めることができること等、
磁気特性の点で数々の利点を有している。
にCo−Ni 合金等の強磁性金属材料を真空蒸着法や
スパッタ法等の手段を用いて強磁性金属薄膜を直接被着
形成し、これを磁性層となした強磁性金属薄膜型の磁気
記録媒体が提案され注目を集めている。この強磁性金属
薄膜型の磁気記録媒体は、抗磁力Hcや残留磁束密度B
rが大きいばかりでなく、磁性層の厚みを極めて薄くで
きるため記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さいこ
と、磁性層に塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体やポリウ
レタン樹脂等の樹脂結合剤を混入する必要がないため強
磁性金属材料の充填密度を高めることができること等、
磁気特性の点で数々の利点を有している。
しかしながら、上述の強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体
は、耐久性や走行性等に欠点が多く、その改善が大きな
課題となっている。
は、耐久性や走行性等に欠点が多く、その改善が大きな
課題となっている。
そこで、例えば、上記磁気記録媒体の磁性層、すなわち
強磁性金属薄膜表面に潤滑剤等を塗布して保護膜を形成
することによって」=記劇久性や走行性等を改善するこ
とが試みられているが、この場合には、最初のうちは摩
擦係数が低減して走行性が良くなるが、上記潤滑剤の強
磁性金属薄膜に対する付着力が弱いので、次第にこの潤
滑剤が磁気ヘッド等で削り取られてしまい急激に効果が
減じてしまうというように、師1久性の点や均一性、膜
厚等の点で問題が多い。
強磁性金属薄膜表面に潤滑剤等を塗布して保護膜を形成
することによって」=記劇久性や走行性等を改善するこ
とが試みられているが、この場合には、最初のうちは摩
擦係数が低減して走行性が良くなるが、上記潤滑剤の強
磁性金属薄膜に対する付着力が弱いので、次第にこの潤
滑剤が磁気ヘッド等で削り取られてしまい急激に効果が
減じてしまうというように、師1久性の点や均一性、膜
厚等の点で問題が多い。
一方、上記保護膜をプラズマ重合により形成することが
試みられており、例えば特開昭58−88828号明細
書に記載されるように、フッ化カーボン系のモノマー蒸
気をプラズマ重合さぜることにより、極めて薄い重合膜
が得られ、上述の磁気記録媒体の走行性の改善に有効で
あることが報告されている。
試みられており、例えば特開昭58−88828号明細
書に記載されるように、フッ化カーボン系のモノマー蒸
気をプラズマ重合さぜることにより、極めて薄い重合膜
が得られ、上述の磁気記録媒体の走行性の改善に有効で
あることが報告されている。
しかしながら、上記プラズマ重合によって得られる重合
膜にあっては、架橋度の不足や強磁性金属薄膜に対する
密着性の不足等に起因して耐久性が充分なものとは言い
難く、実用化を図るためにはこの耐久性をより一層向上
することが要望されている。
膜にあっては、架橋度の不足や強磁性金属薄膜に対する
密着性の不足等に起因して耐久性が充分なものとは言い
難く、実用化を図るためにはこの耐久性をより一層向上
することが要望されている。
し発明の目的〕
そこで本発明は、前述したような当該技術分野の要望に
こたえて提案されたものであって、耐久性に優れた重合
膜を作製することが可能なプラズマ重合法を提供し、こ
れにより実用レベルの耐久性を有する強磁性金属薄膜型
の磁気記録媒体を製造することが可能な磁気記録媒体の
製法を提供することを目的とするものである。
こたえて提案されたものであって、耐久性に優れた重合
膜を作製することが可能なプラズマ重合法を提供し、こ
れにより実用レベルの耐久性を有する強磁性金属薄膜型
の磁気記録媒体を製造することが可能な磁気記録媒体の
製法を提供することを目的とするものである。
すなイっち、本発明に係る磁気記録媒体の製法は、非磁
性支持体上に強磁性金属薄膜を設けてなる磁気記録媒体
の前記強磁性金属薄膜表面にプラズマ重合により保護膜
を形成するにあたり、モノマーカスとしてシラザン系化
合物を用いてプラズマ重合を行なうことを特徴とするも
のであって、プラズマ重合を行なう際に使用されるモノ
マーガスを選定することにより得られる重合膜の架橋度
や密着性を増し、これを保護膜とすることによって強磁
性金属薄膜型の磁気記録媒体の耐久性の向上を図ろうと
するものである。
性支持体上に強磁性金属薄膜を設けてなる磁気記録媒体
の前記強磁性金属薄膜表面にプラズマ重合により保護膜
を形成するにあたり、モノマーカスとしてシラザン系化
合物を用いてプラズマ重合を行なうことを特徴とするも
のであって、プラズマ重合を行なう際に使用されるモノ
マーガスを選定することにより得られる重合膜の架橋度
や密着性を増し、これを保護膜とすることによって強磁
性金属薄膜型の磁気記録媒体の耐久性の向上を図ろうと
するものである。
本発明が適用される磁気記録媒体は、非磁性支持体上に
強磁性金属材料を直接被着し、強磁性金属薄膜を磁性層
として形成してなる所謂強磁性金属薄膜型磁気記録媒体
である。
強磁性金属材料を直接被着し、強磁性金属薄膜を磁性層
として形成してなる所謂強磁性金属薄膜型磁気記録媒体
である。
上記非磁性支持体の素材としては、ポリエチレンテレフ
タレート等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテー
ト、セルロースグイアセテート、セルロースアセテート
ブチレート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリカーホネ−1
−、ポリイミド、ポリアミドイミド等のプラスチック等
が挙げられる。また、上記非磁性支持体の形態としては
、フィルム、テープ、シート、ディスク、カード、ドラ
ム等のいずれでも良い。
タレート等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテー
ト、セルロースグイアセテート、セルロースアセテート
ブチレート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリカーホネ−1
−、ポリイミド、ポリアミドイミド等のプラスチック等
が挙げられる。また、上記非磁性支持体の形態としては
、フィルム、テープ、シート、ディスク、カード、ドラ
ム等のいずれでも良い。
上記強磁性金属材iとしては、鉄Fe、コバルトCO、
ニッケルNi等の金属あるいはCo−Ni合金、Fe−
〇〇 合金、Fe−Ni 合金、Co−N1−Fe−
B合金等が挙げられる。
ニッケルNi等の金属あるいはCo−Ni合金、Fe−
〇〇 合金、Fe−Ni 合金、Co−N1−Fe−
B合金等が挙げられる。
上記強磁性金属材料の被着手段としては、真空蒸着法、
イオンブレーティング法、スパッタ法等が挙げられる。
イオンブレーティング法、スパッタ法等が挙げられる。
上記真空蒸着法は、10〜1OTorr の真空下で
上記強磁性金属材料を抵抗加熱、高周波加熱、電子ビー
ム加熱等により蒸発させ上記非磁性支持体上に蒸発金属
(強磁性金属材料)を沈着するというものであり、斜方
蒸着法及び垂直蒸着法に大別される。上記斜方蒸着法は
、高い抗磁力を得るため非磁性支持体に対して上記強磁
性金属材料を斜めに蒸着するものであって、より高い抗
磁力を得るために酸素雰囲気中で上記蒸着を行なうもの
も含まれる。上記垂直蒸着法は、蒸着効率や生産性を向
上し、かつ高い抗磁力を得るために非磁性支持体上にあ
らかじめBi、TA、Sb。
上記強磁性金属材料を抵抗加熱、高周波加熱、電子ビー
ム加熱等により蒸発させ上記非磁性支持体上に蒸発金属
(強磁性金属材料)を沈着するというものであり、斜方
蒸着法及び垂直蒸着法に大別される。上記斜方蒸着法は
、高い抗磁力を得るため非磁性支持体に対して上記強磁
性金属材料を斜めに蒸着するものであって、より高い抗
磁力を得るために酸素雰囲気中で上記蒸着を行なうもの
も含まれる。上記垂直蒸着法は、蒸着効率や生産性を向
上し、かつ高い抗磁力を得るために非磁性支持体上にあ
らかじめBi、TA、Sb。
Ga、Ge等の下地金属層を形成しておき、この下地金
属層上に上記強磁性金属材料を垂直に蒸着するというも
のである。上記イオンブレーティング法も真空蒸着法の
一種であり、10−〜1QTorrの不活性ガス雰囲気
中でDCり狛−放電、几Fグロー放電を起こし、放電中
で上記強磁性金属を蒸発させるというものである。上記
スパック法は、10〜1QTorrのアルゴンガスを主
成分とする雰囲気中でグロー放電を起こし、生じたアル
ゴンイオンでターゲット表面の原子をたたき出すという
もので、グロー放電の方法により直流2極、3極スパツ
タ法や、高周波スパック法、またマクネトロン放電を利
用したマグネトロンスパック法等がある。
属層上に上記強磁性金属材料を垂直に蒸着するというも
のである。上記イオンブレーティング法も真空蒸着法の
一種であり、10−〜1QTorrの不活性ガス雰囲気
中でDCり狛−放電、几Fグロー放電を起こし、放電中
で上記強磁性金属を蒸発させるというものである。上記
スパック法は、10〜1QTorrのアルゴンガスを主
成分とする雰囲気中でグロー放電を起こし、生じたアル
ゴンイオンでターゲット表面の原子をたたき出すという
もので、グロー放電の方法により直流2極、3極スパツ
タ法や、高周波スパック法、またマクネトロン放電を利
用したマグネトロンスパック法等がある。
そして、本発明においては、上述の磁気記録媒体の強磁
性金属薄膜表面に、モノマーガスとしてシラザン系化合
物を用いてプラズマ重合反応を行ない、保護膜を形成す
るのである。
性金属薄膜表面に、モノマーガスとしてシラザン系化合
物を用いてプラズマ重合反応を行ない、保護膜を形成す
るのである。
上記プラズマ重合は、有機モノマーガス単独、またはそ
のモノマーガスと他のガス(キャリヤーガス)の混合ガ
ス中でグロー放電を行ない、その励起モノマーから誘導
される重合膜を放電域に接した基体上に生成させるとい
うものであって、これにより均一性、接着性、耐熱性等
に優れ極めて薄い重合膜を形成することができる。
のモノマーガスと他のガス(キャリヤーガス)の混合ガ
ス中でグロー放電を行ない、その励起モノマーから誘導
される重合膜を放電域に接した基体上に生成させるとい
うものであって、これにより均一性、接着性、耐熱性等
に優れ極めて薄い重合膜を形成することができる。
本発明において特徴的なことは、上記プラズマ重合を行
なう際のモノマーガスとしてシラザン系化合物を使用す
ることである。
なう際のモノマーガスとしてシラザン系化合物を使用す
ることである。
このシラザン系化合物は、Si’−N結合を有する有機
ケイ素化合物であって、例えば一般式(RaSi )2
NHあるいは(RzSiNH)n(ただし、式中Rはア
ルキル基またはアルコキシ基を表わし、nは整数を表わ
す。)で示される化合物が使用可能である。こ゛こで、
使用されるシラザン系化合物としては、 ■ テトラメチルシクロジシラザン ■ 1,1.3.3−エトラメチルジシラザン(C1−
h ) 2−8i−N−8i−(CH++ ) 2■
へキサメチルシクロトリシラザン i ■ へキサフェニルシクロトリシラザン■ オクタメチ
ルシクロテトラシラザン■ 1,3−ビス(クロロメチ
ル)テトラメチルジシラザン (リ ヘキサメトキシジシラザン (CHzO) a−8i−N−8i−(OCHz )a
■ へキサメチルジシラザン (CH8)gSiNH8i (CHa)a等が例示され
る。
ケイ素化合物であって、例えば一般式(RaSi )2
NHあるいは(RzSiNH)n(ただし、式中Rはア
ルキル基またはアルコキシ基を表わし、nは整数を表わ
す。)で示される化合物が使用可能である。こ゛こで、
使用されるシラザン系化合物としては、 ■ テトラメチルシクロジシラザン ■ 1,1.3.3−エトラメチルジシラザン(C1−
h ) 2−8i−N−8i−(CH++ ) 2■
へキサメチルシクロトリシラザン i ■ へキサフェニルシクロトリシラザン■ オクタメチ
ルシクロテトラシラザン■ 1,3−ビス(クロロメチ
ル)テトラメチルジシラザン (リ ヘキサメトキシジシラザン (CHzO) a−8i−N−8i−(OCHz )a
■ へキサメチルジシラザン (CH8)gSiNH8i (CHa)a等が例示され
る。
上述のようなシラザン系化合物をモノマーガスとして用
いプラズマ重合反応を行なうことにより、高度に架橋し
強磁性金属薄膜との密着性が一層優れた重合膜が形成さ
れる。また、上述のようにシラザン系化合物をプラズマ
重合して得られる重合膜は、その分子内に−NH−なる
親水基を有するので、例えば上記強磁性金属薄膜上に上
記プラズマ重合膜を設け、さらに走行性をより一層良好
なものとするために表面に潤滑剤を塗布しようとする場
合には、この潤滑剤が塗り易くなり、またなじみも良い
ため耐久性が増す。
いプラズマ重合反応を行なうことにより、高度に架橋し
強磁性金属薄膜との密着性が一層優れた重合膜が形成さ
れる。また、上述のようにシラザン系化合物をプラズマ
重合して得られる重合膜は、その分子内に−NH−なる
親水基を有するので、例えば上記強磁性金属薄膜上に上
記プラズマ重合膜を設け、さらに走行性をより一層良好
なものとするために表面に潤滑剤を塗布しようとする場
合には、この潤滑剤が塗り易くなり、またなじみも良い
ため耐久性が増す。
ところで、上述のシラザン系化合物をモノマーガスとし
て用いてプラズマ重合を行なう際には、キャリヤーガス
としてアルゴン(Ar)等の不活性ガスあるいは酸素(
02)を用いることが好すしい。
て用いてプラズマ重合を行なう際には、キャリヤーガス
としてアルゴン(Ar)等の不活性ガスあるいは酸素(
02)を用いることが好すしい。
本発明者の実験によれば、キャリヤーガスとしてアルゴ
ン(Ar)を用いれば得られる重合膜の架橋度がさらに
向上し、才たキャリヤーガスとして酸とキャリヤーガス
の比率が重要で、モノマーガス:キャリヤーガスを体積
比で60:40〜85:15に設定するこんが好ましい
。上記キャリヤーガスの割合が15体積チ未満、あるい
は40体積チを越えると、充分な耐久性を有する重合膜
は得られない。
ン(Ar)を用いれば得られる重合膜の架橋度がさらに
向上し、才たキャリヤーガスとして酸とキャリヤーガス
の比率が重要で、モノマーガス:キャリヤーガスを体積
比で60:40〜85:15に設定するこんが好ましい
。上記キャリヤーガスの割合が15体積チ未満、あるい
は40体積チを越えると、充分な耐久性を有する重合膜
は得られない。
一方、本発明においてプラズマ重合反応を行なうために
使用される反応装置としては、通常使用されるものであ
れば如何なるものであってもよく、例えばベルジャ内に
2枚の電極を対向配置しこれら電極間に高周波出力を印
加する内部電極方式の反応装置や、反応器の外部から誘
導結合式あるいは容量結合式に放電を起こさせる無電極
方式の反応装置等が使用可能である。
使用される反応装置としては、通常使用されるものであ
れば如何なるものであってもよく、例えばベルジャ内に
2枚の電極を対向配置しこれら電極間に高周波出力を印
加する内部電極方式の反応装置や、反応器の外部から誘
導結合式あるいは容量結合式に放電を起こさせる無電極
方式の反応装置等が使用可能である。
第1図に、本発明において実際に使用される反応装置の
一例を示す。
一例を示す。
この反応装置においては、電極の汚染が無いこと及び放
電の安定性が良いことから、誘導結合式の無電極方式が
採用され、印加される高周波電力の発振細波数は13.
56MHzである。そして、上記反応装置は、プラズマ
重合反応のための反応室1を具備してなり、この反応室
1の周囲には整合回路網2を介して周波数発振器3に接
続される高周波コイル4が巻回されている。また、上記
反応室1には、モノマーガス及びキャリヤーガスを導入
するための導入管5が接続され、あらかじめ例えばマス
フローコントローラにより流量を調整したモノマーガス
あるいはモノマーガスとキャリヤーガスの混合ガスを上
記反応室1内に導入するようになっている。さらに上記
反応室1の両側には、表面に強磁性金属薄膜を被着形成
した非磁性支持体6をロール1から繰出すための供給室
8と、上記非磁性支持体6を反応室1内に通じた後にロ
ール9に巻取るための巻取り室10とがそれぞれ連結さ
れており、非磁性支持体6をガイドローラ11を介して
連続駆動しながらプラズマ重合反応による重合膜を付着
させるように構成されている。
電の安定性が良いことから、誘導結合式の無電極方式が
採用され、印加される高周波電力の発振細波数は13.
56MHzである。そして、上記反応装置は、プラズマ
重合反応のための反応室1を具備してなり、この反応室
1の周囲には整合回路網2を介して周波数発振器3に接
続される高周波コイル4が巻回されている。また、上記
反応室1には、モノマーガス及びキャリヤーガスを導入
するための導入管5が接続され、あらかじめ例えばマス
フローコントローラにより流量を調整したモノマーガス
あるいはモノマーガスとキャリヤーガスの混合ガスを上
記反応室1内に導入するようになっている。さらに上記
反応室1の両側には、表面に強磁性金属薄膜を被着形成
した非磁性支持体6をロール1から繰出すための供給室
8と、上記非磁性支持体6を反応室1内に通じた後にロ
ール9に巻取るための巻取り室10とがそれぞれ連結さ
れており、非磁性支持体6をガイドローラ11を介して
連続駆動しながらプラズマ重合反応による重合膜を付着
させるように構成されている。
なお、上記供給室8及び巻取り室10は、それぞれ真空
ポンプに接続され、反応室1を含めて全体が高真空に保
持されるようになされている。
ポンプに接続され、反応室1を含めて全体が高真空に保
持されるようになされている。
このように構成される反応装置を用い、まず反応室1内
の残存空気を十分に除去してI Q ”Torr程度に
まで減圧し、しかる後に上述のモノマーガスあるいはモ
ノマーガスとキャリヤーガスの混合ガスを所定の流量で
上記反応室1内に導入しながら発振器3を作動させ、R
Fパワーをコイル4にかけて放電させる。なお、上記プ
ラズマ重合反応は放電を良好に起こさせるために、一般
に10−8〜3Torrの真空状態で行なわれるのが望
ましく、通常1QTorr程度が採用される。
の残存空気を十分に除去してI Q ”Torr程度に
まで減圧し、しかる後に上述のモノマーガスあるいはモ
ノマーガスとキャリヤーガスの混合ガスを所定の流量で
上記反応室1内に導入しながら発振器3を作動させ、R
Fパワーをコイル4にかけて放電させる。なお、上記プ
ラズマ重合反応は放電を良好に起こさせるために、一般
に10−8〜3Torrの真空状態で行なわれるのが望
ましく、通常1QTorr程度が採用される。
この結果、第2図に示すように、上記非磁性支持体6上
に被着形成される強磁性金属薄膜12表面に、プラズマ
重合膜が保護膜13として形成されるのである。
に被着形成される強磁性金属薄膜12表面に、プラズマ
重合膜が保護膜13として形成されるのである。
以上述べたように、プラズマ重合の際のモノマーガスと
してシラザン系化合物を使用することにより、高度に架
橋し密着性に優れた重合膜を作製することができ、この
重合膜を保護膜13として強磁性金属薄膜12上に被着
形成することにより耐久性に優れた磁気記録媒体を製造
することが可能となる。特に、キャリヤーガスとしてア
ルゴンガスまたは酸素を用いることにより、上記効果は
一層増す。
してシラザン系化合物を使用することにより、高度に架
橋し密着性に優れた重合膜を作製することができ、この
重合膜を保護膜13として強磁性金属薄膜12上に被着
形成することにより耐久性に優れた磁気記録媒体を製造
することが可能となる。特に、キャリヤーガスとしてア
ルゴンガスまたは酸素を用いることにより、上記効果は
一層増す。
次に、本発明の具体的な実施例について説明するが、本
発明がこれら実施例に限定されるものでないことは言う
までもない。
発明がこれら実施例に限定されるものでないことは言う
までもない。
実施例1
ポリエチレンテレフタレートフィルム上に斜方蒸着法に
より膜厚1000AのCo−Ni合金薄膜(Co含有量
80重量%、Ni含含有量2軍蒸着形成した。
より膜厚1000AのCo−Ni合金薄膜(Co含有量
80重量%、Ni含含有量2軍蒸着形成した。
次いで、モノマーガスとしてヘキサメチルジシラザン[
(CHa)asiNH8i (CH3)8]を用い、キ
ャリヤーガスとしてアルゴン(Ar )を用い、モノマ
ーガス:キャリヤーガスを第1表に示すように設定し、
全流量IQQm//mm、圧力5−O X 1 0−2
Torr、高周波出力(周波数1 3.5 6 MHz
) 5 0 0 WO:)条件でプラズマ重合反応を行
なって、上記Co−Ni合金膜上にプラズマ重合膜を形
成しサンプル1ないしサンプル4を作製した。
(CHa)asiNH8i (CH3)8]を用い、キ
ャリヤーガスとしてアルゴン(Ar )を用い、モノマ
ーガス:キャリヤーガスを第1表に示すように設定し、
全流量IQQm//mm、圧力5−O X 1 0−2
Torr、高周波出力(周波数1 3.5 6 MHz
) 5 0 0 WO:)条件でプラズマ重合反応を行
なって、上記Co−Ni合金膜上にプラズマ重合膜を形
成しサンプル1ないしサンプル4を作製した。
得られた各サンプルについて、スチル特性を測定した結
果を第1表に示す。
果を第1表に示す。
なお、上記スチル特性は、サンプルテープに4。
2MHzの映像信号を記録し、この再生出力が50チに
減衰するまでのスチル時間を示すものであって、磁気テ
ープの耐久性の目安すとなるものである。
減衰するまでのスチル時間を示すものであって、磁気テ
ープの耐久性の目安すとなるものである。
第1表
この第1表より、モノマーガスとしてシラザン系化合物
(ヘキサメチルジシラザン)を用い、キャリヤーガスの
割合を所定範囲内に設定することにより、後述の比較例
と比べて耐久性の高い磁気記録媒体が得られることが分
かる。
(ヘキサメチルジシラザン)を用い、キャリヤーガスの
割合を所定範囲内に設定することにより、後述の比較例
と比べて耐久性の高い磁気記録媒体が得られることが分
かる。
実施例2
ポリエチレンテレフタレートフィルム上に斜方蒸着法に
より膜厚1000AのCo−Ni合金薄膜(Co含有量
80重量%、Ni含有量20重量%)を蒸着形成した。
より膜厚1000AのCo−Ni合金薄膜(Co含有量
80重量%、Ni含有量20重量%)を蒸着形成した。
次いで、七ツマーガスとしてヘキサメチルジシラザ7
[(CHa)asiNH8i(CHs)a’)ヲ用イ、
キャリヤーガスとして酸素(02)を用い、モノマーガ
ス:キャリヤーガスを第2表に示すように設定し、全流
量1 0 0rrt//mix、圧力5.、O X I
Q−2Torr、高周波出力(周波数1 3.5 6
MHz) 5 0 0 Wノ条件でプラズマ重合反応
を行なって、上記Co−Ni合金膜上にプラズマ重合膜
を形成しサンプル5ないしサンプル8を作製した。
[(CHa)asiNH8i(CHs)a’)ヲ用イ、
キャリヤーガスとして酸素(02)を用い、モノマーガ
ス:キャリヤーガスを第2表に示すように設定し、全流
量1 0 0rrt//mix、圧力5.、O X I
Q−2Torr、高周波出力(周波数1 3.5 6
MHz) 5 0 0 Wノ条件でプラズマ重合反応
を行なって、上記Co−Ni合金膜上にプラズマ重合膜
を形成しサンプル5ないしサンプル8を作製した。
得られた各サンプルについて、スチル特性を測定した結
果を第2表に示す。
果を第2表に示す。
第2表
この第2表より、モノマーガスとしてシラザン系化合物
(ヘキサメチルジシラザン)を用い、キャリヤーガスの
割合を所定範囲内に設定することにより、後述の比較例
と比べて耐久性の高い磁気記録媒体が得られることが分
かる。
(ヘキサメチルジシラザン)を用い、キャリヤーガスの
割合を所定範囲内に設定することにより、後述の比較例
と比べて耐久性の高い磁気記録媒体が得られることが分
かる。
実施例3
ポリエチレンテレフタレートフィルム上に斜方蒸着法に
より膜厚1000AのCo−Ni合金薄膜( Co含有
量80重量%、Ni含有量20重量%)を蒸着形成した
。
より膜厚1000AのCo−Ni合金薄膜( Co含有
量80重量%、Ni含有量20重量%)を蒸着形成した
。
次いで、モノマーガスとしてヘキサメトキシジシラ+7
’ン[CHsO)asiNH8i (QCHa ) s
] ヲ用い、キャリヤーガスとしてアルゴン(Ar)ヲ
用い、モノマーガス:キャリヤーガスを第3表に示すよ
うに設定し、全流量100rnl/m、圧力s,ox1
o2Torr 、高周波出力(周波数1 3.5 6M
Hz) 5 00Wの条件でプラズマ重合反応を行なっ
て、上記Co−Ni合金膜上にプラズマ重合膜を形成し
サンプル9及びサンプル10を作製した。
’ン[CHsO)asiNH8i (QCHa ) s
] ヲ用い、キャリヤーガスとしてアルゴン(Ar)ヲ
用い、モノマーガス:キャリヤーガスを第3表に示すよ
うに設定し、全流量100rnl/m、圧力s,ox1
o2Torr 、高周波出力(周波数1 3.5 6M
Hz) 5 00Wの条件でプラズマ重合反応を行なっ
て、上記Co−Ni合金膜上にプラズマ重合膜を形成し
サンプル9及びサンプル10を作製した。
得られた各サンプルについて、メチル特性を測定した結
果を第3表に示す。
果を第3表に示す。
第3表
この第3表より、モノマーガスとしてシラザン系化合物
(ヘキサメトキシジシラザン)を用い、キャリ、ヤーガ
スとしてアルゴン(Ar)を用いることにより、耐久性
の高い磁気記録媒体が得られることが分かる。
(ヘキサメトキシジシラザン)を用い、キャリ、ヤーガ
スとしてアルゴン(Ar)を用いることにより、耐久性
の高い磁気記録媒体が得られることが分かる。
実施例4
ポリエチレンテレフタレートフィルム上に斜方蒸着法に
より膜厚1000AのCo−Ni合金薄膜(Co含有量
80重量%、N1含翁量20重量係)を蒸着形成した。
より膜厚1000AのCo−Ni合金薄膜(Co含有量
80重量%、N1含翁量20重量係)を蒸着形成した。
次いで、モノマーガスとしてヘキサメトキシジ’、y
ラf:/ [(CHaO) as 1NH8i (OC
Ha ) a ]ヲ用イ、キャリヤーガスとして酸素(
02)を用い、モノマーガス:キャリヤーガスを第4表
に示すように設定し、全流量10 omymm、圧力5
−OX 10−2Torr高周波出力(周波数13.j
6 MHz) 500 W(7)条件でプラズマ重合反
応を行なって、上記Co−Ni合金膜上にプラズマ重合
膜を形成しサンプル11及びサンプル12を作製した。
ラf:/ [(CHaO) as 1NH8i (OC
Ha ) a ]ヲ用イ、キャリヤーガスとして酸素(
02)を用い、モノマーガス:キャリヤーガスを第4表
に示すように設定し、全流量10 omymm、圧力5
−OX 10−2Torr高周波出力(周波数13.j
6 MHz) 500 W(7)条件でプラズマ重合反
応を行なって、上記Co−Ni合金膜上にプラズマ重合
膜を形成しサンプル11及びサンプル12を作製した。
得うれた各サンプルについて、スチル特性を測定した結
果を第4表に示す。
果を第4表に示す。
第4表
この第4表より、モノマーガスとしてシラザン系化合物
(ヘキサメトキシジシラザン)を用い、キャリヤーガス
として酸素(02)を用いることにより、耐久性の高い
磁気記録媒体が得られることが分かる。
(ヘキサメトキシジシラザン)を用い、キャリヤーガス
として酸素(02)を用いることにより、耐久性の高い
磁気記録媒体が得られることが分かる。
比較例1
ポリエチレンテレフタレートフィルム上に斜方蒸着法に
より膜厚100QAのGo−Ni合金薄膜(Co含有量
80重量%、N1含有量20重量係)を蒸着形成し、比
較サンプル1を作製した。
より膜厚100QAのGo−Ni合金薄膜(Co含有量
80重量%、N1含有量20重量係)を蒸着形成し、比
較サンプル1を作製した。
得られたサンプルテープのスチル特性を測定したところ
、スチル時間は30分であった。
、スチル時間は30分であった。
比較例2
ホIJエチレンテレフクレートフィルム上に斜方蒸着法
により膜厚1000AのCo−Ni合金薄膜(Co含有
量80重量%、[’Ji含翁量20重量係〕を蒸着形成
した。
により膜厚1000AのCo−Ni合金薄膜(Co含有
量80重量%、[’Ji含翁量20重量係〕を蒸着形成
した。
次いで、モノマーガスとしてヘキサメトキシジシラザン
[(CH,+0) a S i NH8i (OCRす
3〕を用い、キャリヤーガスとして窒素(N2)を用い
、モノマーガス:キャリヤーガスを体積比で80:20
あるいは60:40に設定し、全流量100m//rn
iy+、圧力5.Q X I Q Torr 、高周
波出力(周波数13゜56MHz) 500Wの条件で
プラズマ重合反応を行なって、上記Co−Ni合金膜上
にプラズマ重合膜を形成し比較サンプル2及び比較サン
プル3を作製した。
[(CH,+0) a S i NH8i (OCRす
3〕を用い、キャリヤーガスとして窒素(N2)を用い
、モノマーガス:キャリヤーガスを体積比で80:20
あるいは60:40に設定し、全流量100m//rn
iy+、圧力5.Q X I Q Torr 、高周
波出力(周波数13゜56MHz) 500Wの条件で
プラズマ重合反応を行なって、上記Co−Ni合金膜上
にプラズマ重合膜を形成し比較サンプル2及び比較サン
プル3を作製した。
得られた各比較サンプルについて、スチル特性を測定し
たところ、スチル時間はそれぞれ5分及び10分であっ
た。
たところ、スチル時間はそれぞれ5分及び10分であっ
た。
以上述べたように、本発明によれば、高度に架橋し密着
性に優れたプラズマ重合膜を作製することが可能となり
、したがって耐久性に優れた磁気記録媒体を製造するこ
とが可能である。
性に優れたプラズマ重合膜を作製することが可能となり
、したがって耐久性に優れた磁気記録媒体を製造するこ
とが可能である。
第1図は本発明において使用されるプラズマ反応装置の
一例を示す概略図であり、第2図は本発明により得られ
る磁気記録媒体の構成を示す要部拡大断面図である。
一例を示す概略図であり、第2図は本発明により得られ
る磁気記録媒体の構成を示す要部拡大断面図である。
Claims (1)
- 非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を設けてなる磁気記録
媒体の前記強磁性金属薄膜表面にプラズマ重合により保
護膜を形成するにあたり、モノマーガスとしてシラザン
系化合物を用いてプラズマ重合を行なうことを特徴とす
る磁気記録媒体の製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12054184A JPS61923A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 磁気記録媒体の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12054184A JPS61923A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 磁気記録媒体の製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61923A true JPS61923A (ja) | 1986-01-06 |
JPH0550049B2 JPH0550049B2 (ja) | 1993-07-28 |
Family
ID=14788842
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12054184A Granted JPS61923A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 磁気記録媒体の製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61923A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5746330A (en) * | 1980-09-05 | 1982-03-16 | Nec Corp | Magnetic storage medium and its production |
JPS58222438A (ja) * | 1982-06-18 | 1983-12-24 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
-
1984
- 1984-06-12 JP JP12054184A patent/JPS61923A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5746330A (en) * | 1980-09-05 | 1982-03-16 | Nec Corp | Magnetic storage medium and its production |
JPS58222438A (ja) * | 1982-06-18 | 1983-12-24 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0550049B2 (ja) | 1993-07-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |