JPS6191226A - ポリケトンの製造方法 - Google Patents

ポリケトンの製造方法

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JPS6191226A
JPS6191226A JP60219320A JP21932085A JPS6191226A JP S6191226 A JPS6191226 A JP S6191226A JP 60219320 A JP60219320 A JP 60219320A JP 21932085 A JP21932085 A JP 21932085A JP S6191226 A JPS6191226 A JP S6191226A
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G67/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing oxygen or oxygen and carbon, not provided for in groups C08G2/00 - C08G65/00
    • C08G67/02Copolymers of carbon monoxide and aliphatic unsaturated compounds

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  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Polymerization Catalysts (AREA)
  • Catalysts (AREA)
  • Compounds Of Unknown Constitution (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明はポリケトンの製造方法に関するものである。一
層詳細に述べれば、本発明は第Va族の元素に結合した
炭化水素基を有するリカンドを含有する第■族金属触媒
の存在下に、COとアルケン系不飽和炭化水素との混合
物の重合によってポリケトンを製造する方法の改良に関
する。
従来の技術 ポリケトンの製造方法は米国特許第3.694.212
号明細書に記載されていて既に公知である。この文献に
記載されている触媒は、塩化パラジウムまたはπ−アリ
ルパラジウムクロライドと2つのトリヒドロカルビルホ
スフィン系単座配位リガンド(例えばトリフェニルホス
フィン)とからなる錯体である。しかしながらこの公知
方法では重合体の収量が比較的低(、すなわち70バー
ルの圧力下での収量が35g/g (Pd)/時より低
い値であった。これに対し、本発明方法に使用される触
媒系はかなり高活性のものである。
発明の構成 本発明は、第Va族の元素に結合した炭化水素基を有す
るリガンドを含む第■族金属触媒の存在下に、COとア
ルケン系不飽和炭化水素との混合物を重合させることに
よってポリケトンを製造する方法において、使用される
触媒が、パラジウム、コバルトまたはニッケルの化合物
と、2より低いpKa値を有するカルボン酸のアニオン
と、−a式%式% (ここにMは燐、ヒ素またはアンチモンを表わし、Rは
架橋部に2個以上の炭素原子を有する2価の有機架橋基
を表わし、これらの炭素原子は立体障害の原因となり得
る置換基を有さず、R+、Rg、R1およびR4は互い
に同一または相異なる炭化水素基である)の二座配位リ
ガンドとを反応させることによって得られた錯体化合物
であることを特徴とするポリケトンの製造方法に関する
ものである。
適当なカルボン酸はトリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸
、ジクロロ酢酸およびジフルオロ酢酸である。最初に例
示された2種の酸が特に好ましい。
pKa<2の酸のアニオンは、反応生成物中に0.01
−150当量(第■族金属1グラム原子当り)存在させ
るのが好ましい、一層好ましい量は0、1−100当量
、最も好ましい量は1−50当量である。前記のpKa
値は、水溶液中で18℃において測定された値である。
前記のアルケン系不飽和炭化水素は、一般に炭素原子を
2−30個(好ましくは2−12個)有するアルケンま
たはシクロアルケンである。適当なアルケンの例にプロ
ペン、l−ブテン、2−ブテン、イソブチン、ペンテン
、ヘキセン、オクテン、ドデセン(各異性体を包含する
)があげられるが、エチレンが最も好ましい、アルケン
系不飽和炭化水素の別の例にはスチレン、α−メチルス
チレン、アクリル酸、メタクリル酸、これらの酸のアル
キルエステル、および非共役ジアルケン(すなわち、2
つの不飽和基が非共役関係で存在するジアルケン)があ
げられる。
パラジウム、ニッケルおよびコバルトの化合物のうちで
、最初に述べたパラジウム化合物が最も好ましい、従っ
て以下の文節では、パラジウム化合物を例として本発明
方法について詳細に説明する。しかしながら本発明の範
囲は決してパラジウム化合物の使用のみに限られるもの
ではなく、コバルトまたはニッケルの化合物の使用も本
発明の範囲に入ることが理解されるべきである。
均質なパラジウム化合物や組成物、および不均質なパラ
ジウム組成物の両者が使用できる。均質なパラジウム化
合物が好ましい、適当なパラジウム化合物の例には、パ
ラジウムの硝酸塩、硫酸塩、炭素原子12個以下のアル
カン酸塩の如き種々のパラジウム塩があげられる。バイ
トロバロイド酸塩(ハロゲン化水素酸塩)もまた原則と
して使用できるが、当該ハロゲンイオンが腐蝕性を有す
るという欠点がある。好ましい触媒用原料化合物はカル
ボン酸パラジウム、特に酢酸パラジウムである。また、
パラジウムアセチルアセトネートも使用できる。適当な
不均質パラジウム組成物の例には、炭素上にパラジウム
を担持してなる組成物、およびイオン交換体にパラジウ
ムを結合してなる組成物があげられる。
パラジウム化合物の使用量は臨界条件ではない。
しかしながら、パラジウム化合物の使用量は101ない
し10−1モル(重合すべき炭化水素1モル当り)であ
ることが好ましい、アルケン系不飽和炭化水素対COの
モル比は一般に5:95ないし95:5、好ましくはl
:5ないし5:lである。
前記の如く、立体障害の原因となる置換基は二座配位リ
ガンド中に存在させるべきでないが、このことは、一般
式 %式% を有する錯体化合物の生成を妨害するおそれのある置換
基は存在させるべきでないことを意味する。
上記の一般式(1)において、Yは非配位性のアニオン
を表わす、 Pd”はまた、次式%式% 弱配位性のソルベントリガンドであって、その例にはア
セトニトリル、メタノール、アセトン、アセチルアセト
ンがあげられる。あるいは、L+およびL8は既述のパ
ラジウム化合物中に存在するリガンドと同じものであっ
てもよい。
前記の二座配位リガンド中のMは燐であることが好まし
い、炭化水素基であるR1 、R1、R3およびR4は
、一般に2−18個の炭素原子を有し、好ましくはは6
−14個の炭素原子を有するものである。アリール基が
最も好まし゛(、フェニル基が特に好ましい。
好ましい架橋基−R−は、次式 %式% の基である。ここに、R1およびR&は水素原子、また
は立体障害の原因とならない炭化水素基である。nは2
以上の数であり、好ましくは、2.3または4であるa
R”およびR&は水素原子であることが好ましい。
架橋基Rはまた、環式構造の基(例えば芳香族または環
式脂肪族の基)の一部を構成するものであってもよい、
この架橋基の中の炭素−炭素結合は飽和または不飽和結
合であってもよい、この架橋基の中、(もしくはこの架
橋基に結合した環式基または非環式基の中)の炭素原子
は、硫黄、酸素、鉄または窒素原子の如きヘテロ原子1
個またはそれ以上で置換されていてもよい(ただし、2
個の原子Mの両方に対して架橋結合する2個の炭素原子
はへテロ原子で置換できない)。
適当な二座配位リガンドの例には次のものがあげられる
1.3−ジ(ジフェニルホスフィン)プロパン、1.4
−ジ(ジフェニルホスフィン)ブタン、2.3−ジメチ
ル−1,4−ジ(ジフェニルホスフィン)ブタン、 1.5−ジ(メチル−フェニル−ホスフィン)ペンタン
、 1.4−ジ(ジシクロへキシルホスフィン)ブタン、 1.5−ジ(ジナフチルホスフィン)ペンタン、1.3
−ジ(ジー9−トリルホスフィン)プロパン、 1.4−ジ(ジ−p−メトキシフェニルホスフィン)ブ
タン、 1.2−ジ(ジフェニルホスフィン)エテノ、2.3−
ジ(ジフェニルホスフィン)ブテン−2、1.3−ジ(
ジフェニルホスフィン)−2−オキシプロパン、 2−メチル−1,2(メチルジフェニルホスフィン)−
1,3−ジ(フェニルホスフィン)プロパン、o、o’
−ジ(ジフェニルホスフィン)ビフェニル、 1.2−ジ(ジフェニルホスフィン)ベンゼン、2.3
−ジ(ジフェニルホスフィン)ナフタリン、1.2〜ジ
(ジフェニルホスフィン)シクロヘキサン、 2.2〜ジメチル−4,5−ジ(ジフェニルホスフィン
)ジオキソラン、および 次式の化合物。
2−メチル−1,2−(メチルジフェニルホスフィン)
−1,3−ジ(ジフェニルホスフィン)−プロパ7 (
CHx−C−(CHt−P(CJs)*)i ) ニ似
た構造を有する三官能性化合物もまた、本発明において
二座配位リガンドとして使用できる。なぜならば、その
中の3個の燐原子のうちの2個だけが、措体(1)中の
パラジウムに配位できるものであるからである。
前記の二座配位リガンドの使用量(パラジウム化合物1
モル当り)の量で示す)は広い範囲の中で種々変えるこ
とができ、例えば0.1−10モル(パラジウム化合物
1モル当り)使用できる。好ましい使用量は0.33−
3モル(パラジウム化合。
物1モル当り)である、コバルトまたはニッケルの化合
物を使用する場合には、二座配位リガンドの使用量は、
一般に上記の量より少し多(なるように選ばれるであろ
う、この場合の使用量は、好ましくは5−20モル(第
■族金属化合物1モル当り)である。
製造すべき重合体の分子量に影響を与えるために、前記
の二座配位リガンドの他に1またはそれ以上の単座配位
リガンドをも、前記触媒の製造のときに使用してもよい
、適当な単座配位リガンドの例には、トリフェニルホス
フィンやトリナフチルホスフィンの如きトリアリールホ
スフィンがあげられる。単座配位リガンドは過剰量使用
するのが好ましく (第曹族金属化合物基準)、一層好
ましい使用量は1O=1ないし60:1である(第■族
金属化合物基準)。
本発明方法では、−酸化炭素は純粋なものが使用でき、
あるいは、窒素、希ガスまたは二酸化炭素の如き不活性
ガスで希釈したものが使用できろ。
一般に水素を60容量%より多く存在させることは好ま
しくない、なぜならば、多量の水素の存在の結果として
所望重合体の分子量が非常に低くなることがあるからで
ある。
本発明に従った重合反応は、20−200℃、特に50
−150℃の温度において実施するのが好ましい、全圧
値は、以上の値、大気圧すなわち1−100バール、特
に20−75バールであることが好ましい。
本発明においては、重合反応は容液重合または、懸濁重
合に関する重合技術に従って回分的、連続的または半連
続的に実施できる。一般に液状希釈剤を使用するのが好
ましい、低級アルコール、エーテル、クリコールおよび
グリコールエーテルが適当であることが見出された。得
られる重合体は、一般に次式で特徴づけられる真の共重
合体である。
一→−C−tA、−→−,(1)) 上式において、mは比較的小さい数、たとえば1−6で
あり、Aは、飽和炭化水素基に変換された“単量体ユニ
ット”であり、換言すれば、Aは原料単量体から変換さ
れた飽和炭化水素基である。
nは2または3もしくはそれ以上の数、例えばIOより
大なる数(例えば3000または6000)である。
単純な単量体A1種の代りに、互いに相異なる2種の単
量体を使用してもよく、たとえばエチレンとスチレン、
エチレンとアクリル酸、エチレンと酢酸ビニル、スチレ
ンと1−ブテン、プロペンとメタクリル酸メチル、1−
ブテンとアクリル酸が使用できる。この重合体の末端基
として、例えば下記の基が生ずるであろう。
使用した場合) 、−C−0−CJa−OH(エチレン
使用した場合)。
前記の触媒の活性は非常に高いので、得られた共重合体
から触媒残留物を除去することは不必要である。従って
、共重合体生成物の精製および/またはパラジウムの回
収は一般に不必要であるが、これは本発明のかなり大き
い経済的効果であると考えられる。
実施例 250m7容量の磁力駆動式オートクレーブにメタノー
ル5 Qmj、酢酸パラジウム0.1ミリモル、1.3
−ジ(ジフェニルホスフィン)プロパン0.15ミリモ
ルおよびトリフルオロ酢fa2ミリモルを入れた。この
オートクレーブに、COを用いてフラッシングを行い、
エチレンを20バールの圧力で充填し、COを20バー
ルの圧力で充填し、オートクレーブを密封し、90℃に
加熱した。
この加熱は所定時間(1時間)行った。1時間後に冷却
を行って反応を停止させ、重合体の生成量を測り、収量
[g(重合体)/g (Pd)/時〕を算出した。この
ときの収量は4000 g/g(Pd)/時であった。
山)前記の(alの場合と同様な方法に従って種々の実
験を行ったが、今回は操作条件を種々変えた。
これらの実験の条件および結果を第1表に示す。
0比鮫実験−重合体は生成しなかった。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)第Va族の元素に結合した炭化水素基を有するリ
    ガンドを含む第VIII族金属触媒の存在下に、COとアル
    ケン系不飽和炭化水素との混合物を重合させることによ
    ってポリケトンを製造する方法において、使用される触
    媒が、パラジウム、コバルトまたはニッケルの化合物と
    、2より低いpKa値を有するカルボン酸のアニオンと
    、一般式R^1R^2−M−R−M−R^3R^4 (ここにMは燐、ヒ素またはアンチモンを表わし、Rは
    架橋部に2個以上の炭素原子を有する2価の有機架橋基
    を表わし、これらの炭素原子は立体障害の原因となり得
    る置換基を有さず、R^1、R^2、R^3およびR^
    4は互いに同一または相異なる炭化水素基である)の二
    座配位リガンドとを反応させることによって得られた錯
    体化合物であることを特徴とするポリケトンの製造方法
  2. (2)カルボン酸がトリフルオロ酢酸であることを特徴
    とする特許請求の範囲第1項に記載のポリケトンの製造
    方法。
  3. (3)炭化水素基R^1、R^2、R^3およびR^4
    が、炭素原子を6−14個含むアリール基であることを
    特徴とする特許請求の範囲第1項または第2項に記載の
    ポリケトンの製造方法。
  4. (4)アリール基がフェニル基であることを特徴とする
    特許請求の範囲第3項に記載のポリケトンの製造方法。
  5. (5)二座配位リガンドの使用量が0.1−10モル(
    第VIII族金属化合物1モル当り)であることを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項−第4項のいずれか一項に記載
    のポリケトンの製造方法。
  6. (6)パラジウム化合物を使用することを特徴とする特
    許請求の範囲第1項−第5項のいずれか一項に記載のポ
    リケトンの製造方法。
  7. (7)ホスフィンを二座配位リガンドとして使用するこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項−第6項のいずれ
    か一項に記載のポリケトンの製造方法。
  8. (8)R^5およびR^4が水素原子であることを特徴
    とする特許請求の範囲第1項−第7項のいずれか一項に
    記載のポリケトンの製造方法。
  9. (9)アルケン系不飽和炭化水素としてエチレンを使用
    することを特徴とする特許請求の範囲第1項−第8項の
    いずれか一項に記載のポリケトンの製造方法。
JP60219320A 1984-10-05 1985-10-03 ポリケトンの製造方法 Expired - Lifetime JPH0613608B2 (ja)

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NL8403035 1984-10-05

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