JPS6191226A - ポリケトンの製造方法 - Google Patents
ポリケトンの製造方法Info
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- JPS6191226A JPS6191226A JP60219320A JP21932085A JPS6191226A JP S6191226 A JPS6191226 A JP S6191226A JP 60219320 A JP60219320 A JP 60219320A JP 21932085 A JP21932085 A JP 21932085A JP S6191226 A JPS6191226 A JP S6191226A
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- palladium
- polyketone according
- polyketone
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G67/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing oxygen or oxygen and carbon, not provided for in groups C08G2/00 - C08G65/00
- C08G67/02—Copolymers of carbon monoxide and aliphatic unsaturated compounds
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- Catalysts (AREA)
- Compounds Of Unknown Constitution (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明はポリケトンの製造方法に関するものである。一
層詳細に述べれば、本発明は第Va族の元素に結合した
炭化水素基を有するリカンドを含有する第■族金属触媒
の存在下に、COとアルケン系不飽和炭化水素との混合
物の重合によってポリケトンを製造する方法の改良に関
する。
層詳細に述べれば、本発明は第Va族の元素に結合した
炭化水素基を有するリカンドを含有する第■族金属触媒
の存在下に、COとアルケン系不飽和炭化水素との混合
物の重合によってポリケトンを製造する方法の改良に関
する。
従来の技術
ポリケトンの製造方法は米国特許第3.694.212
号明細書に記載されていて既に公知である。この文献に
記載されている触媒は、塩化パラジウムまたはπ−アリ
ルパラジウムクロライドと2つのトリヒドロカルビルホ
スフィン系単座配位リガンド(例えばトリフェニルホス
フィン)とからなる錯体である。しかしながらこの公知
方法では重合体の収量が比較的低(、すなわち70バー
ルの圧力下での収量が35g/g (Pd)/時より低
い値であった。これに対し、本発明方法に使用される触
媒系はかなり高活性のものである。
号明細書に記載されていて既に公知である。この文献に
記載されている触媒は、塩化パラジウムまたはπ−アリ
ルパラジウムクロライドと2つのトリヒドロカルビルホ
スフィン系単座配位リガンド(例えばトリフェニルホス
フィン)とからなる錯体である。しかしながらこの公知
方法では重合体の収量が比較的低(、すなわち70バー
ルの圧力下での収量が35g/g (Pd)/時より低
い値であった。これに対し、本発明方法に使用される触
媒系はかなり高活性のものである。
発明の構成
本発明は、第Va族の元素に結合した炭化水素基を有す
るリガンドを含む第■族金属触媒の存在下に、COとア
ルケン系不飽和炭化水素との混合物を重合させることに
よってポリケトンを製造する方法において、使用される
触媒が、パラジウム、コバルトまたはニッケルの化合物
と、2より低いpKa値を有するカルボン酸のアニオン
と、−a式%式% (ここにMは燐、ヒ素またはアンチモンを表わし、Rは
架橋部に2個以上の炭素原子を有する2価の有機架橋基
を表わし、これらの炭素原子は立体障害の原因となり得
る置換基を有さず、R+、Rg、R1およびR4は互い
に同一または相異なる炭化水素基である)の二座配位リ
ガンドとを反応させることによって得られた錯体化合物
であることを特徴とするポリケトンの製造方法に関する
ものである。
るリガンドを含む第■族金属触媒の存在下に、COとア
ルケン系不飽和炭化水素との混合物を重合させることに
よってポリケトンを製造する方法において、使用される
触媒が、パラジウム、コバルトまたはニッケルの化合物
と、2より低いpKa値を有するカルボン酸のアニオン
と、−a式%式% (ここにMは燐、ヒ素またはアンチモンを表わし、Rは
架橋部に2個以上の炭素原子を有する2価の有機架橋基
を表わし、これらの炭素原子は立体障害の原因となり得
る置換基を有さず、R+、Rg、R1およびR4は互い
に同一または相異なる炭化水素基である)の二座配位リ
ガンドとを反応させることによって得られた錯体化合物
であることを特徴とするポリケトンの製造方法に関する
ものである。
適当なカルボン酸はトリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸
、ジクロロ酢酸およびジフルオロ酢酸である。最初に例
示された2種の酸が特に好ましい。
、ジクロロ酢酸およびジフルオロ酢酸である。最初に例
示された2種の酸が特に好ましい。
pKa<2の酸のアニオンは、反応生成物中に0.01
−150当量(第■族金属1グラム原子当り)存在させ
るのが好ましい、一層好ましい量は0、1−100当量
、最も好ましい量は1−50当量である。前記のpKa
値は、水溶液中で18℃において測定された値である。
−150当量(第■族金属1グラム原子当り)存在させ
るのが好ましい、一層好ましい量は0、1−100当量
、最も好ましい量は1−50当量である。前記のpKa
値は、水溶液中で18℃において測定された値である。
前記のアルケン系不飽和炭化水素は、一般に炭素原子を
2−30個(好ましくは2−12個)有するアルケンま
たはシクロアルケンである。適当なアルケンの例にプロ
ペン、l−ブテン、2−ブテン、イソブチン、ペンテン
、ヘキセン、オクテン、ドデセン(各異性体を包含する
)があげられるが、エチレンが最も好ましい、アルケン
系不飽和炭化水素の別の例にはスチレン、α−メチルス
チレン、アクリル酸、メタクリル酸、これらの酸のアル
キルエステル、および非共役ジアルケン(すなわち、2
つの不飽和基が非共役関係で存在するジアルケン)があ
げられる。
2−30個(好ましくは2−12個)有するアルケンま
たはシクロアルケンである。適当なアルケンの例にプロ
ペン、l−ブテン、2−ブテン、イソブチン、ペンテン
、ヘキセン、オクテン、ドデセン(各異性体を包含する
)があげられるが、エチレンが最も好ましい、アルケン
系不飽和炭化水素の別の例にはスチレン、α−メチルス
チレン、アクリル酸、メタクリル酸、これらの酸のアル
キルエステル、および非共役ジアルケン(すなわち、2
つの不飽和基が非共役関係で存在するジアルケン)があ
げられる。
パラジウム、ニッケルおよびコバルトの化合物のうちで
、最初に述べたパラジウム化合物が最も好ましい、従っ
て以下の文節では、パラジウム化合物を例として本発明
方法について詳細に説明する。しかしながら本発明の範
囲は決してパラジウム化合物の使用のみに限られるもの
ではなく、コバルトまたはニッケルの化合物の使用も本
発明の範囲に入ることが理解されるべきである。
、最初に述べたパラジウム化合物が最も好ましい、従っ
て以下の文節では、パラジウム化合物を例として本発明
方法について詳細に説明する。しかしながら本発明の範
囲は決してパラジウム化合物の使用のみに限られるもの
ではなく、コバルトまたはニッケルの化合物の使用も本
発明の範囲に入ることが理解されるべきである。
均質なパラジウム化合物や組成物、および不均質なパラ
ジウム組成物の両者が使用できる。均質なパラジウム化
合物が好ましい、適当なパラジウム化合物の例には、パ
ラジウムの硝酸塩、硫酸塩、炭素原子12個以下のアル
カン酸塩の如き種々のパラジウム塩があげられる。バイ
トロバロイド酸塩(ハロゲン化水素酸塩)もまた原則と
して使用できるが、当該ハロゲンイオンが腐蝕性を有す
るという欠点がある。好ましい触媒用原料化合物はカル
ボン酸パラジウム、特に酢酸パラジウムである。また、
パラジウムアセチルアセトネートも使用できる。適当な
不均質パラジウム組成物の例には、炭素上にパラジウム
を担持してなる組成物、およびイオン交換体にパラジウ
ムを結合してなる組成物があげられる。
ジウム組成物の両者が使用できる。均質なパラジウム化
合物が好ましい、適当なパラジウム化合物の例には、パ
ラジウムの硝酸塩、硫酸塩、炭素原子12個以下のアル
カン酸塩の如き種々のパラジウム塩があげられる。バイ
トロバロイド酸塩(ハロゲン化水素酸塩)もまた原則と
して使用できるが、当該ハロゲンイオンが腐蝕性を有す
るという欠点がある。好ましい触媒用原料化合物はカル
ボン酸パラジウム、特に酢酸パラジウムである。また、
パラジウムアセチルアセトネートも使用できる。適当な
不均質パラジウム組成物の例には、炭素上にパラジウム
を担持してなる組成物、およびイオン交換体にパラジウ
ムを結合してなる組成物があげられる。
パラジウム化合物の使用量は臨界条件ではない。
しかしながら、パラジウム化合物の使用量は101ない
し10−1モル(重合すべき炭化水素1モル当り)であ
ることが好ましい、アルケン系不飽和炭化水素対COの
モル比は一般に5:95ないし95:5、好ましくはl
:5ないし5:lである。
し10−1モル(重合すべき炭化水素1モル当り)であ
ることが好ましい、アルケン系不飽和炭化水素対COの
モル比は一般に5:95ないし95:5、好ましくはl
:5ないし5:lである。
前記の如く、立体障害の原因となる置換基は二座配位リ
ガンド中に存在させるべきでないが、このことは、一般
式 %式% を有する錯体化合物の生成を妨害するおそれのある置換
基は存在させるべきでないことを意味する。
ガンド中に存在させるべきでないが、このことは、一般
式 %式% を有する錯体化合物の生成を妨害するおそれのある置換
基は存在させるべきでないことを意味する。
上記の一般式(1)において、Yは非配位性のアニオン
を表わす、 Pd”はまた、次式%式% 弱配位性のソルベントリガンドであって、その例にはア
セトニトリル、メタノール、アセトン、アセチルアセト
ンがあげられる。あるいは、L+およびL8は既述のパ
ラジウム化合物中に存在するリガンドと同じものであっ
てもよい。
を表わす、 Pd”はまた、次式%式% 弱配位性のソルベントリガンドであって、その例にはア
セトニトリル、メタノール、アセトン、アセチルアセト
ンがあげられる。あるいは、L+およびL8は既述のパ
ラジウム化合物中に存在するリガンドと同じものであっ
てもよい。
前記の二座配位リガンド中のMは燐であることが好まし
い、炭化水素基であるR1 、R1、R3およびR4は
、一般に2−18個の炭素原子を有し、好ましくはは6
−14個の炭素原子を有するものである。アリール基が
最も好まし゛(、フェニル基が特に好ましい。
い、炭化水素基であるR1 、R1、R3およびR4は
、一般に2−18個の炭素原子を有し、好ましくはは6
−14個の炭素原子を有するものである。アリール基が
最も好まし゛(、フェニル基が特に好ましい。
好ましい架橋基−R−は、次式
%式%
の基である。ここに、R1およびR&は水素原子、また
は立体障害の原因とならない炭化水素基である。nは2
以上の数であり、好ましくは、2.3または4であるa
R”およびR&は水素原子であることが好ましい。
は立体障害の原因とならない炭化水素基である。nは2
以上の数であり、好ましくは、2.3または4であるa
R”およびR&は水素原子であることが好ましい。
架橋基Rはまた、環式構造の基(例えば芳香族または環
式脂肪族の基)の一部を構成するものであってもよい、
この架橋基の中の炭素−炭素結合は飽和または不飽和結
合であってもよい、この架橋基の中、(もしくはこの架
橋基に結合した環式基または非環式基の中)の炭素原子
は、硫黄、酸素、鉄または窒素原子の如きヘテロ原子1
個またはそれ以上で置換されていてもよい(ただし、2
個の原子Mの両方に対して架橋結合する2個の炭素原子
はへテロ原子で置換できない)。
式脂肪族の基)の一部を構成するものであってもよい、
この架橋基の中の炭素−炭素結合は飽和または不飽和結
合であってもよい、この架橋基の中、(もしくはこの架
橋基に結合した環式基または非環式基の中)の炭素原子
は、硫黄、酸素、鉄または窒素原子の如きヘテロ原子1
個またはそれ以上で置換されていてもよい(ただし、2
個の原子Mの両方に対して架橋結合する2個の炭素原子
はへテロ原子で置換できない)。
適当な二座配位リガンドの例には次のものがあげられる
。
。
1.3−ジ(ジフェニルホスフィン)プロパン、1.4
−ジ(ジフェニルホスフィン)ブタン、2.3−ジメチ
ル−1,4−ジ(ジフェニルホスフィン)ブタン、 1.5−ジ(メチル−フェニル−ホスフィン)ペンタン
、 1.4−ジ(ジシクロへキシルホスフィン)ブタン、 1.5−ジ(ジナフチルホスフィン)ペンタン、1.3
−ジ(ジー9−トリルホスフィン)プロパン、 1.4−ジ(ジ−p−メトキシフェニルホスフィン)ブ
タン、 1.2−ジ(ジフェニルホスフィン)エテノ、2.3−
ジ(ジフェニルホスフィン)ブテン−2、1.3−ジ(
ジフェニルホスフィン)−2−オキシプロパン、 2−メチル−1,2(メチルジフェニルホスフィン)−
1,3−ジ(フェニルホスフィン)プロパン、o、o’
−ジ(ジフェニルホスフィン)ビフェニル、 1.2−ジ(ジフェニルホスフィン)ベンゼン、2.3
−ジ(ジフェニルホスフィン)ナフタリン、1.2〜ジ
(ジフェニルホスフィン)シクロヘキサン、 2.2〜ジメチル−4,5−ジ(ジフェニルホスフィン
)ジオキソラン、および 次式の化合物。
−ジ(ジフェニルホスフィン)ブタン、2.3−ジメチ
ル−1,4−ジ(ジフェニルホスフィン)ブタン、 1.5−ジ(メチル−フェニル−ホスフィン)ペンタン
、 1.4−ジ(ジシクロへキシルホスフィン)ブタン、 1.5−ジ(ジナフチルホスフィン)ペンタン、1.3
−ジ(ジー9−トリルホスフィン)プロパン、 1.4−ジ(ジ−p−メトキシフェニルホスフィン)ブ
タン、 1.2−ジ(ジフェニルホスフィン)エテノ、2.3−
ジ(ジフェニルホスフィン)ブテン−2、1.3−ジ(
ジフェニルホスフィン)−2−オキシプロパン、 2−メチル−1,2(メチルジフェニルホスフィン)−
1,3−ジ(フェニルホスフィン)プロパン、o、o’
−ジ(ジフェニルホスフィン)ビフェニル、 1.2−ジ(ジフェニルホスフィン)ベンゼン、2.3
−ジ(ジフェニルホスフィン)ナフタリン、1.2〜ジ
(ジフェニルホスフィン)シクロヘキサン、 2.2〜ジメチル−4,5−ジ(ジフェニルホスフィン
)ジオキソラン、および 次式の化合物。
2−メチル−1,2−(メチルジフェニルホスフィン)
−1,3−ジ(ジフェニルホスフィン)−プロパ7 (
CHx−C−(CHt−P(CJs)*)i ) ニ似
た構造を有する三官能性化合物もまた、本発明において
二座配位リガンドとして使用できる。なぜならば、その
中の3個の燐原子のうちの2個だけが、措体(1)中の
パラジウムに配位できるものであるからである。
−1,3−ジ(ジフェニルホスフィン)−プロパ7 (
CHx−C−(CHt−P(CJs)*)i ) ニ似
た構造を有する三官能性化合物もまた、本発明において
二座配位リガンドとして使用できる。なぜならば、その
中の3個の燐原子のうちの2個だけが、措体(1)中の
パラジウムに配位できるものであるからである。
前記の二座配位リガンドの使用量(パラジウム化合物1
モル当り)の量で示す)は広い範囲の中で種々変えるこ
とができ、例えば0.1−10モル(パラジウム化合物
1モル当り)使用できる。好ましい使用量は0.33−
3モル(パラジウム化合。
モル当り)の量で示す)は広い範囲の中で種々変えるこ
とができ、例えば0.1−10モル(パラジウム化合物
1モル当り)使用できる。好ましい使用量は0.33−
3モル(パラジウム化合。
物1モル当り)である、コバルトまたはニッケルの化合
物を使用する場合には、二座配位リガンドの使用量は、
一般に上記の量より少し多(なるように選ばれるであろ
う、この場合の使用量は、好ましくは5−20モル(第
■族金属化合物1モル当り)である。
物を使用する場合には、二座配位リガンドの使用量は、
一般に上記の量より少し多(なるように選ばれるであろ
う、この場合の使用量は、好ましくは5−20モル(第
■族金属化合物1モル当り)である。
製造すべき重合体の分子量に影響を与えるために、前記
の二座配位リガンドの他に1またはそれ以上の単座配位
リガンドをも、前記触媒の製造のときに使用してもよい
、適当な単座配位リガンドの例には、トリフェニルホス
フィンやトリナフチルホスフィンの如きトリアリールホ
スフィンがあげられる。単座配位リガンドは過剰量使用
するのが好ましく (第曹族金属化合物基準)、一層好
ましい使用量は1O=1ないし60:1である(第■族
金属化合物基準)。
の二座配位リガンドの他に1またはそれ以上の単座配位
リガンドをも、前記触媒の製造のときに使用してもよい
、適当な単座配位リガンドの例には、トリフェニルホス
フィンやトリナフチルホスフィンの如きトリアリールホ
スフィンがあげられる。単座配位リガンドは過剰量使用
するのが好ましく (第曹族金属化合物基準)、一層好
ましい使用量は1O=1ないし60:1である(第■族
金属化合物基準)。
本発明方法では、−酸化炭素は純粋なものが使用でき、
あるいは、窒素、希ガスまたは二酸化炭素の如き不活性
ガスで希釈したものが使用できろ。
あるいは、窒素、希ガスまたは二酸化炭素の如き不活性
ガスで希釈したものが使用できろ。
一般に水素を60容量%より多く存在させることは好ま
しくない、なぜならば、多量の水素の存在の結果として
所望重合体の分子量が非常に低くなることがあるからで
ある。
しくない、なぜならば、多量の水素の存在の結果として
所望重合体の分子量が非常に低くなることがあるからで
ある。
本発明に従った重合反応は、20−200℃、特に50
−150℃の温度において実施するのが好ましい、全圧
値は、以上の値、大気圧すなわち1−100バール、特
に20−75バールであることが好ましい。
−150℃の温度において実施するのが好ましい、全圧
値は、以上の値、大気圧すなわち1−100バール、特
に20−75バールであることが好ましい。
本発明においては、重合反応は容液重合または、懸濁重
合に関する重合技術に従って回分的、連続的または半連
続的に実施できる。一般に液状希釈剤を使用するのが好
ましい、低級アルコール、エーテル、クリコールおよび
グリコールエーテルが適当であることが見出された。得
られる重合体は、一般に次式で特徴づけられる真の共重
合体である。
合に関する重合技術に従って回分的、連続的または半連
続的に実施できる。一般に液状希釈剤を使用するのが好
ましい、低級アルコール、エーテル、クリコールおよび
グリコールエーテルが適当であることが見出された。得
られる重合体は、一般に次式で特徴づけられる真の共重
合体である。
一→−C−tA、−→−,(1))
上式において、mは比較的小さい数、たとえば1−6で
あり、Aは、飽和炭化水素基に変換された“単量体ユニ
ット”であり、換言すれば、Aは原料単量体から変換さ
れた飽和炭化水素基である。
あり、Aは、飽和炭化水素基に変換された“単量体ユニ
ット”であり、換言すれば、Aは原料単量体から変換さ
れた飽和炭化水素基である。
nは2または3もしくはそれ以上の数、例えばIOより
大なる数(例えば3000または6000)である。
大なる数(例えば3000または6000)である。
単純な単量体A1種の代りに、互いに相異なる2種の単
量体を使用してもよく、たとえばエチレンとスチレン、
エチレンとアクリル酸、エチレンと酢酸ビニル、スチレ
ンと1−ブテン、プロペンとメタクリル酸メチル、1−
ブテンとアクリル酸が使用できる。この重合体の末端基
として、例えば下記の基が生ずるであろう。
量体を使用してもよく、たとえばエチレンとスチレン、
エチレンとアクリル酸、エチレンと酢酸ビニル、スチレ
ンと1−ブテン、プロペンとメタクリル酸メチル、1−
ブテンとアクリル酸が使用できる。この重合体の末端基
として、例えば下記の基が生ずるであろう。
使用した場合) 、−C−0−CJa−OH(エチレン
使用した場合)。
使用した場合)。
前記の触媒の活性は非常に高いので、得られた共重合体
から触媒残留物を除去することは不必要である。従って
、共重合体生成物の精製および/またはパラジウムの回
収は一般に不必要であるが、これは本発明のかなり大き
い経済的効果であると考えられる。
から触媒残留物を除去することは不必要である。従って
、共重合体生成物の精製および/またはパラジウムの回
収は一般に不必要であるが、これは本発明のかなり大き
い経済的効果であると考えられる。
実施例
250m7容量の磁力駆動式オートクレーブにメタノー
ル5 Qmj、酢酸パラジウム0.1ミリモル、1.3
−ジ(ジフェニルホスフィン)プロパン0.15ミリモ
ルおよびトリフルオロ酢fa2ミリモルを入れた。この
オートクレーブに、COを用いてフラッシングを行い、
エチレンを20バールの圧力で充填し、COを20バー
ルの圧力で充填し、オートクレーブを密封し、90℃に
加熱した。
ル5 Qmj、酢酸パラジウム0.1ミリモル、1.3
−ジ(ジフェニルホスフィン)プロパン0.15ミリモ
ルおよびトリフルオロ酢fa2ミリモルを入れた。この
オートクレーブに、COを用いてフラッシングを行い、
エチレンを20バールの圧力で充填し、COを20バー
ルの圧力で充填し、オートクレーブを密封し、90℃に
加熱した。
この加熱は所定時間(1時間)行った。1時間後に冷却
を行って反応を停止させ、重合体の生成量を測り、収量
[g(重合体)/g (Pd)/時〕を算出した。この
ときの収量は4000 g/g(Pd)/時であった。
を行って反応を停止させ、重合体の生成量を測り、収量
[g(重合体)/g (Pd)/時〕を算出した。この
ときの収量は4000 g/g(Pd)/時であった。
山)前記の(alの場合と同様な方法に従って種々の実
験を行ったが、今回は操作条件を種々変えた。
験を行ったが、今回は操作条件を種々変えた。
これらの実験の条件および結果を第1表に示す。
0比鮫実験−重合体は生成しなかった。
Claims (9)
- (1)第Va族の元素に結合した炭化水素基を有するリ
ガンドを含む第VIII族金属触媒の存在下に、COとアル
ケン系不飽和炭化水素との混合物を重合させることによ
ってポリケトンを製造する方法において、使用される触
媒が、パラジウム、コバルトまたはニッケルの化合物と
、2より低いpKa値を有するカルボン酸のアニオンと
、一般式R^1R^2−M−R−M−R^3R^4 (ここにMは燐、ヒ素またはアンチモンを表わし、Rは
架橋部に2個以上の炭素原子を有する2価の有機架橋基
を表わし、これらの炭素原子は立体障害の原因となり得
る置換基を有さず、R^1、R^2、R^3およびR^
4は互いに同一または相異なる炭化水素基である)の二
座配位リガンドとを反応させることによって得られた錯
体化合物であることを特徴とするポリケトンの製造方法
。 - (2)カルボン酸がトリフルオロ酢酸であることを特徴
とする特許請求の範囲第1項に記載のポリケトンの製造
方法。 - (3)炭化水素基R^1、R^2、R^3およびR^4
が、炭素原子を6−14個含むアリール基であることを
特徴とする特許請求の範囲第1項または第2項に記載の
ポリケトンの製造方法。 - (4)アリール基がフェニル基であることを特徴とする
特許請求の範囲第3項に記載のポリケトンの製造方法。 - (5)二座配位リガンドの使用量が0.1−10モル(
第VIII族金属化合物1モル当り)であることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項−第4項のいずれか一項に記載
のポリケトンの製造方法。 - (6)パラジウム化合物を使用することを特徴とする特
許請求の範囲第1項−第5項のいずれか一項に記載のポ
リケトンの製造方法。 - (7)ホスフィンを二座配位リガンドとして使用するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項−第6項のいずれ
か一項に記載のポリケトンの製造方法。 - (8)R^5およびR^4が水素原子であることを特徴
とする特許請求の範囲第1項−第7項のいずれか一項に
記載のポリケトンの製造方法。 - (9)アルケン系不飽和炭化水素としてエチレンを使用
することを特徴とする特許請求の範囲第1項−第8項の
いずれか一項に記載のポリケトンの製造方法。
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