JPS6191058A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
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- JPS6191058A JPS6191058A JP59213594A JP21359484A JPS6191058A JP S6191058 A JPS6191058 A JP S6191058A JP 59213594 A JP59213594 A JP 59213594A JP 21359484 A JP21359484 A JP 21359484A JP S6191058 A JPS6191058 A JP S6191058A
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- metal
- film
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- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B5/147—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with cores being composed of metal sheets, i.e. laminated cores with cores composed of isolated magnetic layers, e.g. sheets
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は金ｒｊ１．薄膜の基体として使用される磁器組
成物に関するものであり、さらに詳細にはその熱膨張率
の改良に関するものである。
成物に関するものであり、さらに詳細にはその熱膨張率
の改良に関するものである。
例えば磁気記録の分野においては、記録信号の高密度化
や高周波数化等が進められており、この高密度記録化に
対応して磁気記録媒体として磁性粉にＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ
等の強磁性金属の粉末を用いたいわゆるメタルテープや
強磁性金属材料を蒸着によりベースフィルム上に被着し
たいわゆる蒸着テープ等が使用されるようになっている
。したがって、記録再生に用いられる磁気ヘッドのヘッ
ド材料には高い飽和磁束密度Ｂｓを有することが要求さ
れている。
や高周波数化等が進められており、この高密度記録化に
対応して磁気記録媒体として磁性粉にＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ
等の強磁性金属の粉末を用いたいわゆるメタルテープや
強磁性金属材料を蒸着によりベースフィルム上に被着し
たいわゆる蒸着テープ等が使用されるようになっている
。したがって、記録再生に用いられる磁気ヘッドのヘッ
ド材料には高い飽和磁束密度Ｂｓを有することが要求さ
れている。
あるいは、上述の高密度記録化に伴って、磁気記録媒体
に記録される磁気パターンのトラック幅の狭小化も進め
られており、磁気ヘッドのトラック幅も極めて狭いもの
が要求されている。
に記録される磁気パターンのトラック幅の狭小化も進め
られており、磁気ヘッドのトラック幅も極めて狭いもの
が要求されている。
そこで従来、前述の要求に応えて、例えば非磁性支持体
と磁気コアとなる金属磁性ＷＩ膜とを積層しこの磁性薄
膜部分をトランク部としたいわゆる複合型磁気ヘッドや
、非磁性基板上に全屈磁性薄膜や導体金属薄膜を絶縁薄
膜を介して多層に積層した薄膜磁気ヘッド等が提案され
ており、このように上記磁気記録の分野においては、金
ＨＮＩＱの応用が進展している。
と磁気コアとなる金属磁性ＷＩ膜とを積層しこの磁性薄
膜部分をトランク部としたいわゆる複合型磁気ヘッドや
、非磁性基板上に全屈磁性薄膜や導体金属薄膜を絶縁薄
膜を介して多層に積層した薄膜磁気ヘッド等が提案され
ており、このように上記磁気記録の分野においては、金
ＨＮＩＱの応用が進展している。
ところで、上記金属薄膜を磁気ヘッド等に使用する場合
には、その支持体として通常セラミック基板が用いられ
ているが、従来のセラミック基板では金属材料よりもか
なり熱膨張が小さいために、熱処理時に上記金属薄膜が
上記セラミック基板がら剥離し易いという欠点を有して
いる。例えば薄膜磁気ヘッドに用いられるパーマロイ、
センダスト等の線膨張係数αは１３０〜１６０Ｘ１０／
”ｃであるのに対し、従来用いられているセラミック基
板はＢａＴｉ０１系セラミツクで９０〜１００ｘｌＯ−
’／ ’Ｃ、ＣａＴｉ０１系セラミ−／ ’） Ｔ：
１００〜１２０ Ｘ １０／”Ｃ程度とかなり小さい。
には、その支持体として通常セラミック基板が用いられ
ているが、従来のセラミック基板では金属材料よりもか
なり熱膨張が小さいために、熱処理時に上記金属薄膜が
上記セラミック基板がら剥離し易いという欠点を有して
いる。例えば薄膜磁気ヘッドに用いられるパーマロイ、
センダスト等の線膨張係数αは１３０〜１６０Ｘ１０／
”ｃであるのに対し、従来用いられているセラミック基
板はＢａＴｉ０１系セラミツクで９０〜１００ｘｌＯ−
’／ ’Ｃ、ＣａＴｉ０１系セラミ−／ ’） Ｔ：
１００〜１２０ Ｘ １０／”Ｃ程度とかなり小さい。
したがって、上記金属薄膜と同程度の線膨張係数を有す
るセラミック基板が要望されている。
るセラミック基板が要望されている。
そこで本発明は、当該技術分野の前記要望に応えて提案
されたものであって、金属薄膜と同等の熱膨張を示す新
規な組成の磁器組成物を提供することを目的とする。
されたものであって、金属薄膜と同等の熱膨張を示す新
規な組成の磁器組成物を提供することを目的とする。
本発明者等は上述の目的を達成せんものと長期に亘り鋭
意研究の結果、Ｎ ａ、ＯＮ ｂ、Ｏｓ系磁器組成物に
おいてその組成範囲を特定することにより線膨張率を制
御できる事を見出し本発明を完成するに至ったものであ
って、 一般式ｘＮａ工０・ｙＮｂ、ＯＣＴ：表される
組成を有し、その組成範囲が０、７４≦ｘ／ｙ＜１．
００ であることを特徴とするものである。
意研究の結果、Ｎ ａ、ＯＮ ｂ、Ｏｓ系磁器組成物に
おいてその組成範囲を特定することにより線膨張率を制
御できる事を見出し本発明を完成するに至ったものであ
って、 一般式ｘＮａ工０・ｙＮｂ、ＯＣＴ：表される
組成を有し、その組成範囲が０、７４≦ｘ／ｙ＜１．
００ であることを特徴とするものである。
本発明の磁器組成物においてはその組成範囲が重要であ
って、上記ｘ／ｙ＜０．７４では線膨張係数α＜１３０
ｘｌＯ／”ｃと金属薄膜に比べて小さくなりすぎ、また
ｘ／ｙ≧１．００では焼結不良を起こし良質な磁器組成
物が得られない。
って、上記ｘ／ｙ＜０．７４では線膨張係数α＜１３０
ｘｌＯ／”ｃと金属薄膜に比べて小さくなりすぎ、また
ｘ／ｙ≧１．００では焼結不良を起こし良質な磁器組成
物が得られない。
このように、一般式ｘＮａよ０・ｙＮｂρ９で表される
磁器組成物の組成範囲を０．７４≦ｘ ／ ｙ ＜１゜
ＯＯに設定することにより、線膨張係数αが１３０〜１
６０ｘｌｏ／℃程度に制御される。
磁器組成物の組成範囲を０．７４≦ｘ ／ ｙ ＜１゜
ＯＯに設定することにより、線膨張係数αが１３０〜１
６０ｘｌｏ／℃程度に制御される。
以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本
発明がこの実施例に限定されるものでないことは言うま
でもない。
発明がこの実施例に限定されるものでないことは言うま
でもない。
実施例。
純度９９．９％以上のＮ ａ 、ＬＣＯ，及びＮｂ、Ｃ
１，ｐ）各原料粉末を用意した。
１，ｐ）各原料粉末を用意した。
次にこれら各原料粉末をそれぞれ所定の組成となるよう
に秤量し、エタノールを混合溶媒としてボールミで混合
処理した後、加熱しエタノールを除去した。
に秤量し、エタノールを混合溶媒としてボールミで混合
処理した後、加熱しエタノールを除去した。
続いて、５００ｋｇ／ａｄの圧力で加圧成形し、この成
形したものを９００℃で３時間、空気中で仮焼した。
形したものを９００℃で３時間、空気中で仮焼した。
さらにこの仮焼物を乳鉢で粉砕し、再びエタノールを混
合媒体としてボールミルで混合処理した後、エタノール
を加熱除去した。その後１５００ｋｇ ／ ｃｊの圧力
で加圧成形し、１２００℃で３時間。
合媒体としてボールミルで混合処理した後、エタノール
を加熱除去した。その後１５００ｋｇ ／ ｃｊの圧力
で加圧成形し、１２００℃で３時間。
空気中で焼成し、磁器組成物を得た。
上記Ｎ ａ、Ｃｏ３及びＮｂ、Ｏｆ？割合を変え、得ら
れた各磁器組成物を角柱状に加工し、それぞれ線膨張針
で４０〜６００℃の温度範囲における線膨張係数αを測
定した。
れた各磁器組成物を角柱状に加工し、それぞれ線膨張針
で４０〜６００℃の温度範囲における線膨張係数αを測
定した。
結果を第１図に示す、なお、この第１図は、上記ＶＩＩ
Ｌ器組成糊組成物Ｎ ａ、Ｏ−ｙ Ｎ ｂ、０；で表し
た時のｘ／ｙに対する線膨張係数αをプロットしたちの
である。さらに、第１図において、ｘ／ｙ≧１゜００の
領域では良質な磁器組成物が得られなかったため除外し
た。
Ｌ器組成糊組成物Ｎ ａ、Ｏ−ｙ Ｎ ｂ、０；で表し
た時のｘ／ｙに対する線膨張係数αをプロットしたちの
である。さらに、第１図において、ｘ／ｙ≧１゜００の
領域では良質な磁器組成物が得られなかったため除外し
た。
この第１図より、Ｎａ、Ｏの割合の増加とともに得られ
る磁器組成物の線膨張係数αが増加し、特にｘ／ｙの値
が０．７４を越えると、上記線膨張係数αが金属の線膨
張係数と同程度の１３０〜１５９Ｘ１０／’Ｃとなるこ
とが分かる。
る磁器組成物の線膨張係数αが増加し、特にｘ／ｙの値
が０．７４を越えると、上記線膨張係数αが金属の線膨
張係数と同程度の１３０〜１５９Ｘ１０／’Ｃとなるこ
とが分かる。
次に本発明に係る磁器組成物を磁気ヘッドに通用した応
用例について説明する。
用例について説明する。
応用例１゜
第１図に本発明の磁器組成物を非磁性基板として用いた
薄膜磁気ヘッドの一例を示す。
薄膜磁気ヘッドの一例を示す。
この例においては、先の実施例で作成された磁器組成物
を非磁性基板ｌとし、この非磁性基板ｌ上に磁路を構成
する一方の磁性膜である下部磁性膜２が例えばセンダス
ト薄膜等で形成されている。
を非磁性基板ｌとし、この非磁性基板ｌ上に磁路を構成
する一方の磁性膜である下部磁性膜２が例えばセンダス
ト薄膜等で形成されている。
また、上記下部磁性膜２上には、Ｓｉｎ、等により形成
される絶縁Ｊｉｉ３を介して信号導体４が形成されてい
る。この信号導体４は、例えばスバッタリング等の手法
により被着形成される銅薄膜等をエツチングすることに
より形成され、上記下部磁性膜２や後述の上部磁性膜に
より構成される閉磁路中に記録再生信号を供給するよう
に配設されている。
される絶縁Ｊｉｉ３を介して信号導体４が形成されてい
る。この信号導体４は、例えばスバッタリング等の手法
により被着形成される銅薄膜等をエツチングすることに
より形成され、上記下部磁性膜２や後述の上部磁性膜に
より構成される閉磁路中に記録再生信号を供給するよう
に配設されている。
さらに上記信号導体４上には、第２の絶縁Ｎ５を介して
センダスト等よりなる上部磁性膜６が形成されており、
この上部磁性膜６の後端部６ａが上記下部磁性膜２と接
続されバックギャップを構成するとともに、前端部にお
いて先の絶縁層３を介して下部磁性膜２と対向し作動ギ
ヤツブを構成するようになっている。 このように構成
される薄膜磁気ヘッドには、さらに５ｉＯ１等の保護膜
７が設けられ、融着ガラス８によって非磁性保護板９が
貼り付けられている。なお、この非磁性保護板９は、上
記非磁性基板１と同様に先の実施例で作成された磁器組
成物が使用される。
センダスト等よりなる上部磁性膜６が形成されており、
この上部磁性膜６の後端部６ａが上記下部磁性膜２と接
続されバックギャップを構成するとともに、前端部にお
いて先の絶縁層３を介して下部磁性膜２と対向し作動ギ
ヤツブを構成するようになっている。 このように構成
される薄膜磁気ヘッドには、さらに５ｉＯ１等の保護膜
７が設けられ、融着ガラス８によって非磁性保護板９が
貼り付けられている。なお、この非磁性保護板９は、上
記非磁性基板１と同様に先の実施例で作成された磁器組
成物が使用される。
このように構成される薄膜磁気ヘッドにおいては、非磁
性基板１の熱膨張率と下部磁性膜２の熱膨張率がほぼ等
しいために、例えば金属磁性薄膜の磁気特性を向上する
ための熱処理や、ガラス融着、ガラスポンディング等の
製造工程上の熱処理等を加えても上記下部磁性膜２の剥
離はみられなかった。
性基板１の熱膨張率と下部磁性膜２の熱膨張率がほぼ等
しいために、例えば金属磁性薄膜の磁気特性を向上する
ための熱処理や、ガラス融着、ガラスポンディング等の
製造工程上の熱処理等を加えても上記下部磁性膜２の剥
離はみられなかった。
応用例２゜
次に、第３図に本発明の磁器組成物を複合型の磁気ヘッ
ドに適用した一例を示す。
ドに適用した一例を示す。
この磁気ヘッドは、金属磁性１１１．１２がそれぞれ非
磁性ガード材１３．１４あるいは１５゜１６によって挟
み付けられ、これら金属磁性１ｉ１１、Ｉ２の突き合わ
せ面がこれら金属磁性層１１．’１２の厚さをトラック
幅とする作動ギャップ１７となるように構成されている
。
磁性ガード材１３．１４あるいは１５゜１６によって挟
み付けられ、これら金属磁性１ｉ１１、Ｉ２の突き合わ
せ面がこれら金属磁性層１１．’１２の厚さをトラック
幅とする作動ギャップ１７となるように構成されている
。
また、上記磁気ヘッドには巻線溝１８が設けられ、この
巻線溝１８内に導体コイルを巻回することによって上記
金属磁性層１１．１２に記録再生信号を供給するように
なっている。
巻線溝１８内に導体コイルを巻回することによって上記
金属磁性層１１．１２に記録再生信号を供給するように
なっている。
ここで上記金属磁性Ｊｉｌｌ、１２は、薄帯状のセンダ
スト系合金あるいは非晶質合金等、通常この種の磁気ヘ
ッドに用いられる金属磁性層をラミネートする手法や、
強磁性金属材料をスバフタや蒸着する等の真空薄膜形成
手段等により形成される。
スト系合金あるいは非晶質合金等、通常この種の磁気ヘ
ッドに用いられる金属磁性層をラミネートする手法や、
強磁性金属材料をスバフタや蒸着する等の真空薄膜形成
手段等により形成される。
一方、上記非磁性ガード材１３．１４及び非磁性ガード
材１５．１６は、先の実施例で作成されるように、上記
金泥磁性Ｆｉ１１．１２と同程度の線膨張係数αを有す
る磁器組成物により形成されており、したがって先の応
用例１と同様に熱膨張率の違いに起因する金属薄膜の剥
離が生ずることはない。
材１５．１６は、先の実施例で作成されるように、上記
金泥磁性Ｆｉ１１．１２と同程度の線膨張係数αを有す
る磁器組成物により形成されており、したがって先の応
用例１と同様に熱膨張率の違いに起因する金属薄膜の剥
離が生ずることはない。
上述の説明からも明らかなように、本発明においてはＮ
ａ、ＯＮ ｂ、Ｏ謹磁器組成物の組成範囲を一般式ｘ
Ｎａθ・ｙＮｂ工Ｏ♂表した時のｘ／ｙの値が０．７４
≦ｘ／ｙ＜１．００となるように設定しているので、線
膨張係数αが１３０〜１６０ｘｌＯ／’ｃと金属薄膜と
ほぼ同等の熱膨張を示す磁器組成物が得られる。
ａ、ＯＮ ｂ、Ｏ謹磁器組成物の組成範囲を一般式ｘ
Ｎａθ・ｙＮｂ工Ｏ♂表した時のｘ／ｙの値が０．７４
≦ｘ／ｙ＜１．００となるように設定しているので、線
膨張係数αが１３０〜１６０ｘｌＯ／’ｃと金属薄膜と
ほぼ同等の熱膨張を示す磁器組成物が得られる。
したがって、例えば磁気ヘッドに適用した場合に、金属
薄膜と非磁性支持体との剥離の生ずることのない信頼性
の高い磁気ヘッドを提供することが可能となる。
薄膜と非磁性支持体との剥離の生ずることのない信頼性
の高い磁気ヘッドを提供することが可能となる。
第１図はｘ Ｎ ａ、Ｏ−ｙ Ｎ ｂ、０４−？’表さ
れる磁器組成物のｘ／ｙの値と線膨張係数αの関係を示
す特性図である。 第２１！Ｉは本発明の磁器組成物を非磁性基板として使
用した薄膜磁気ヘッドの一例を示す断面図であり、第３
図は本発明の磁器組成物を非磁性支持体として使用した
複合型の磁気ヘッドの一例を示す外観斜視図である。 ｌ・・・非磁性基板 ２・・・下部磁性膜 ６・・・上部磁性膜 １１．１２・・・金属磁性薄
れる磁器組成物のｘ／ｙの値と線膨張係数αの関係を示
す特性図である。 第２１！Ｉは本発明の磁器組成物を非磁性基板として使
用した薄膜磁気ヘッドの一例を示す断面図であり、第３
図は本発明の磁器組成物を非磁性支持体として使用した
複合型の磁気ヘッドの一例を示す外観斜視図である。 ｌ・・・非磁性基板 ２・・・下部磁性膜 ６・・・上部磁性膜 １１．１２・・・金属磁性薄
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式ｘＮａＯ＿２、・ｙＮｂ＿２Ｏ＿５で表される組
成を有し、その組成範囲が ０．７４≦ｘ／ｙ＜１．００ であることを特徴とする磁器組成物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59213594A JPS6191058A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 磁器組成物 |
| DE8585112869T DE3575711D1 (de) | 1984-10-12 | 1985-10-10 | Keramikzusammensetzung. |
| US06/786,464 US4639400A (en) | 1984-10-12 | 1985-10-10 | Ceramic substrate of Na2 O and Nb2 O5 for magnetic metal thin film |
| EP85112869A EP0177964B1 (en) | 1984-10-12 | 1985-10-10 | Ceramic composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59213594A JPS6191058A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6191058A true JPS6191058A (ja) | 1986-05-09 |
Family
ID=16641775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59213594A Pending JPS6191058A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 磁器組成物 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4639400A (ja) |
| EP (1) | EP0177964B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6191058A (ja) |
| DE (1) | DE3575711D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107055613A (zh) * | 2017-02-27 | 2017-08-18 | 湖南工业大学 | 一种无基底五氧化二铌纳米片阵列负极材料及其制备方法和应用 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE68915569T2 (de) * | 1988-02-25 | 1994-09-29 | Nippon Mining Co | Unmagnetisches Substrat eines Magnetkopfs, Magnetkopf und Substratherstellungsverfahren. |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3391542A (en) * | 1965-05-17 | 1968-07-09 | Rayonier Inc | Process for grouting with a tricomponent chemical grouting composition |
| US3502598A (en) * | 1966-08-11 | 1970-03-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Piezoelectric ceramics |
| US3495412A (en) * | 1967-07-31 | 1970-02-17 | Sekisui Chemical Co Ltd | Process for stabilizing soil |
| US3611733A (en) * | 1969-10-06 | 1971-10-12 | Dow Chemical Co | Method of sealing openings |
| JPS5031725A (ja) * | 1973-07-20 | 1975-03-28 |
-
1984
- 1984-10-12 JP JP59213594A patent/JPS6191058A/ja active Pending
-
1985
- 1985-10-10 US US06/786,464 patent/US4639400A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-10-10 EP EP85112869A patent/EP0177964B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-10-10 DE DE8585112869T patent/DE3575711D1/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107055613A (zh) * | 2017-02-27 | 2017-08-18 | 湖南工业大学 | 一种无基底五氧化二铌纳米片阵列负极材料及其制备方法和应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0177964A3 (en) | 1987-08-12 |
| DE3575711D1 (de) | 1990-03-08 |
| EP0177964A2 (en) | 1986-04-16 |
| US4639400A (en) | 1987-01-27 |
| EP0177964B1 (en) | 1990-01-31 |
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