JPS6190448A - 多層セラミツク基板の製造方法 - Google Patents
多層セラミツク基板の製造方法Info
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- JPS6190448A JPS6190448A JP21287784A JP21287784A JPS6190448A JP S6190448 A JPS6190448 A JP S6190448A JP 21287784 A JP21287784 A JP 21287784A JP 21287784 A JP21287784 A JP 21287784A JP S6190448 A JPS6190448 A JP S6190448A
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Classifications
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は多層セラミック基板の製造方法に関し特に基板
収縮率の不均一を解決する製造方法に関する。
収縮率の不均一を解決する製造方法に関する。
（従来技術）
多層セラミック基板の一般的な製造方法は、まずセラミ
ック材料粉末に有機高分子バインダー、可塑剤、有機名
媒等を加えてボールｒル、ホモ宅キサー等により泥漿を
製造し、との泥漿をドクターブレード法、四−ル法等の
キャスティング成膜でグリーンシートと称するセラミッ
ク生テープを製造している。このグリーンシートを例え
ば１２０絽×１２０謔角あるいは１４０ ｍ Ｘ １４
０ ｍ角等の適当な大きさに切断しスルホール形成金形
により所望の個所にガイドホール、スルホールを形成ス
る。
ック材料粉末に有機高分子バインダー、可塑剤、有機名
媒等を加えてボールｒル、ホモ宅キサー等により泥漿を
製造し、との泥漿をドクターブレード法、四−ル法等の
キャスティング成膜でグリーンシートと称するセラミッ
ク生テープを製造している。このグリーンシートを例え
ば１２０絽×１２０謔角あるいは１４０ ｍ Ｘ １４
０ ｍ角等の適当な大きさに切断しスルホール形成金形
により所望の個所にガイドホール、スルホールを形成ス
る。
さらに第３図に示すスクリーン印刷法により、グリーン
シート４に九ペースト、々ペースト、々−ｍペースト、
■ペースト等の各種導体ペースト５をスクリーン６上の
スキージ７で移動させ回路パターンを印刷する。この時
孔開けしたスルホールにも導体ペーストが充填される。
シート４に九ペースト、々ペースト、々−ｍペースト、
■ペースト等の各種導体ペースト５をスクリーン６上の
スキージ７で移動させ回路パターンを印刷する。この時
孔開けしたスルホールにも導体ペーストが充填される。
印刷されたグリーンシートの模式的断面図を第４図Ｃ，
Ｄ、Ｅに示す。印刷されたグリーンシート８に回路パタ
ーン９が印刷されスルホール１ｏに導体を充填される（
第４図Ｃ）。スルホール１ｏは下層のクリーンシート（
第４図Ｄ）上のパターン１１とスルホール午し、さらに
七の下のグリーンシート（第４図Ｅ）上の導体パターン
と接続する。この様に印刷された信号層、電源Ｍ等の複
数のグリーンシート１４を第５図に示すようにガイドホ
ール１３で位置合わせなして積み重ね、適当な圧力およ
び温度のもとで熱プレスする。この積層工程において、
従来は印刷されたグリーンシートの印刷方向およびグリ
ーンシートの成膜方向は全て一方向であった。
Ｄ、Ｅに示す。印刷されたグリーンシート８に回路パタ
ーン９が印刷されスルホール１ｏに導体を充填される（
第４図Ｃ）。スルホール１ｏは下層のクリーンシート（
第４図Ｄ）上のパターン１１とスルホール午し、さらに
七の下のグリーンシート（第４図Ｅ）上の導体パターン
と接続する。この様に印刷された信号層、電源Ｍ等の複
数のグリーンシート１４を第５図に示すようにガイドホ
ール１３で位置合わせなして積み重ね、適当な圧力およ
び温度のもとで熱プレスする。この積層工程において、
従来は印刷されたグリーンシートの印刷方向およびグリ
ーンシートの成膜方向は全て一方向であった。
次に、積層したグリーンシートは多層セラミック基板の
最終形状に切断され、焼成工程に移る。
最終形状に切断され、焼成工程に移る。
焼成工程は２段階からなり、第１段階は一般に脱バイン
ダ一工程と呼ばれる３００℃〜７００′ｃｙ）空気雰囲
気中でグリーンシートに含まれる有機高分子バインダー
を熱分解し飛散させる。第２段階で８００℃〜９５０℃
でセラミック材料の焼結を行う。この焼結時のセラミッ
クの緻密化により基板が収縮する。一方、原料としてア
ルミナを用いたアルミナグリーンシート法の多層セラミ
ック基板も開発されているが、この基板においても同様
な工程を経て最終焼成は１５００’Ｃ以上で還元雰囲気
中で行われていた。
ダ一工程と呼ばれる３００℃〜７００′ｃｙ）空気雰囲
気中でグリーンシートに含まれる有機高分子バインダー
を熱分解し飛散させる。第２段階で８００℃〜９５０℃
でセラミック材料の焼結を行う。この焼結時のセラミッ
クの緻密化により基板が収縮する。一方、原料としてア
ルミナを用いたアルミナグリーンシート法の多層セラミ
ック基板も開発されているが、この基板においても同様
な工程を経て最終焼成は１５００’Ｃ以上で還元雰囲気
中で行われていた。
（従来技術の問題点）
多層セラミック基板の製造上の問題のひとつとして収縮
率を均一に制御することがＩＣ，ＬＳＩチップを搭載す
る上で重要である。この理由として、多層セラミック基
板が大聖化、高密度化され、微細化が進んだ結果、従来
大きな問題とされなかった収縮率偏差が無視し得なくな
ったからである。
率を均一に制御することがＩＣ，ＬＳＩチップを搭載す
る上で重要である。この理由として、多層セラミック基
板が大聖化、高密度化され、微細化が進んだ結果、従来
大きな問題とされなかった収縮率偏差が無視し得なくな
ったからである。
そこで、従来方法により作成した多層セラミック基板に
おいては、収縮率を厳密に抑えることが非常に困難であ
った。なぜならば、収縮率偏差の発生する要因としてグ
リーンシート厚さの不均一印刷の方向性による導体印刷
厚みの不均一、グリーンシートの方向性等を挙げる゛こ
とができる。
おいては、収縮率を厳密に抑えることが非常に困難であ
った。なぜならば、収縮率偏差の発生する要因としてグ
リーンシート厚さの不均一印刷の方向性による導体印刷
厚みの不均一、グリーンシートの方向性等を挙げる゛こ
とができる。
これら一枚毎のグリーンシート不均一が数十層の多層化
をした際に積層体密度の不均一が発生する。この積層体
密度分布で高密度の部分は収縮率が小さく低密度の部分
は収縮率が大きくなる。したがって、高密度なＩＣ−Ｌ
ＳＩチップを搭載するための基板の製造は従来において
極めて困難であった。
をした際に積層体密度の不均一が発生する。この積層体
密度分布で高密度の部分は収縮率が小さく低密度の部分
は収縮率が大きくなる。したがって、高密度なＩＣ−Ｌ
ＳＩチップを搭載するための基板の製造は従来において
極めて困難であった。
グリーンシートの厚さの不均一を抑える事も重要である
が印刷時の導体ペーストの厚さ不均一を抑える必要があ
る。しかし印刷されたグリーンシートの塗布初めと終９
の印刷厚さに２〜３μ／關の塗布むらが発生し多層化し
た際に積層体密度が（発明の目的） 本発明の目的は収縮率偏差を極めて小さく抑え高い寸法
精度の多層セラミック基板を製造する方法を提供するこ
とにある。
が印刷時の導体ペーストの厚さ不均一を抑える必要があ
る。しかし印刷されたグリーンシートの塗布初めと終９
の印刷厚さに２〜３μ／關の塗布むらが発生し多層化し
た際に積層体密度が（発明の目的） 本発明の目的は収縮率偏差を極めて小さく抑え高い寸法
精度の多層セラミック基板を製造する方法を提供するこ
とにある。
（発明の構成）
本発明はグリーンシートに導体を印刷し、このグリーン
シートを積層し、焼成する工程を備えた多層セラミック
基板の製造方法において、隣接するグリーンシートに印
刷される導体の印刷の向きが互いに逆向きであるように
積層することを特徴とする多層セラミック基板の製造方
法である。
シートを積層し、焼成する工程を備えた多層セラミック
基板の製造方法において、隣接するグリーンシートに印
刷される導体の印刷の向きが互いに逆向きであるように
積層することを特徴とする多層セラミック基板の製造方
法である。
（構成の詳細な説明）
以下本発明の実施例を図面を参照して説明すも第１図は
本発明におけるグリーンシートの積層状態を示す模式図
である。積層するグリーンシート２上のパターンを交互
に逆向きに印刷する。グリーンシート２上に記載した矢
印は印刷する向きを示す。こうして印刷した信号層や電
源層、またパッド層等の回路パターンはガイドホール３
で層間の位置合わせを行い、隣接するグリーンシ一トの
印刷の向きが交互に逆転して積層される様積層金型に配
置する。グリーンシートが配置された金型を熱プレス機
に入れ７０℃〜１５０℃に加熱し、１５０５し〜３０
ｏ５＊で熱圧着を行い、回路パターンを内蔵したグリー
ンシート積層体を形成する。この積層体を基板の最終形
状となる様焼結時の収縮分だけ拡大して切断する。切断
した積層体を空気雰囲気で３５０℃〜５００１／）温度
に昇温し５時間から１０時間程度保持し有機高分子バイ
ンダーや各種有機溶媒を飛散させる。その後再び昇温し
８００℃〜９５０℃の温度で１時間〜５時間保持し室温
まで降下させる。
本発明におけるグリーンシートの積層状態を示す模式図
である。積層するグリーンシート２上のパターンを交互
に逆向きに印刷する。グリーンシート２上に記載した矢
印は印刷する向きを示す。こうして印刷した信号層や電
源層、またパッド層等の回路パターンはガイドホール３
で層間の位置合わせを行い、隣接するグリーンシ一トの
印刷の向きが交互に逆転して積層される様積層金型に配
置する。グリーンシートが配置された金型を熱プレス機
に入れ７０℃〜１５０℃に加熱し、１５０５し〜３０
ｏ５＊で熱圧着を行い、回路パターンを内蔵したグリー
ンシート積層体を形成する。この積層体を基板の最終形
状となる様焼結時の収縮分だけ拡大して切断する。切断
した積層体を空気雰囲気で３５０℃〜５００１／）温度
に昇温し５時間から１０時間程度保持し有機高分子バイ
ンダーや各種有機溶媒を飛散させる。その後再び昇温し
８００℃〜９５０℃の温度で１時間〜５時間保持し室温
まで降下させる。
前記の製造方法により作製した基板の収縮率及び収縮率
偏差を第２図に示す。Ａは従来方法によりパターンを印
刷したグリーンシートを印刷の向きを同じ向きに揃えて
ａ層し焼結した基板の収縮率であり、矢印の長さが収縮
率偏差を表わす。Ｂは前記の本発明の方法により製作し
た基板の収縮率であり矢印の長さが収縮率偏差を表わし
た図である。第２図のＡとＢの収縮率偏差は明らかに本
発明の収縮率偏差が小さい。
偏差を第２図に示す。Ａは従来方法によりパターンを印
刷したグリーンシートを印刷の向きを同じ向きに揃えて
ａ層し焼結した基板の収縮率であり、矢印の長さが収縮
率偏差を表わす。Ｂは前記の本発明の方法により製作し
た基板の収縮率であり矢印の長さが収縮率偏差を表わし
た図である。第２図のＡとＢの収縮率偏差は明らかに本
発明の収縮率偏差が小さい。
（発明の効果）
以上のように、本発明により高精度で高密度な多層セラ
ミック基板を製造することが出来る。 ′
ミック基板を製造することが出来る。 ′
第１図は本発明の実施例を示す概略図、第２図は従来方
法と本発明方法との基板の収縮率及びその偏差を比較し
たグラフ、第３図は従来の印刷方法を示す断面図、第４
図は積層するグリーンシートの例を示す断面図、第５図
は従来の積層方法を示す概略図。 図において、２，８．１４は導体ペーストを印刷したグ
リーンシート、３．１３はガイドホール、４はグリーン
シート、５は導体ペースト、６はスクリーン７はスキー
ジ、９ 、１０ 、１１ 、１２は印刷した導体ぺ％
舅２図 Ａ Ｂ鳴３図 第４図
法と本発明方法との基板の収縮率及びその偏差を比較し
たグラフ、第３図は従来の印刷方法を示す断面図、第４
図は積層するグリーンシートの例を示す断面図、第５図
は従来の積層方法を示す概略図。 図において、２，８．１４は導体ペーストを印刷したグ
リーンシート、３．１３はガイドホール、４はグリーン
シート、５は導体ペースト、６はスクリーン７はスキー
ジ、９ 、１０ 、１１ 、１２は印刷した導体ぺ％
舅２図 Ａ Ｂ鳴３図 第４図
Claims (1)
- グリーンシートに導体を印刷し、このグリーンシート
を積層し、焼成する工程を備えた多層セラミック基板の
製造方法において、隣接するグリーンシートに印刷され
る導体の印刷の向きが互いに逆向きであるように積層す
ることを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21287784A JPS6190448A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 多層セラミツク基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21287784A JPS6190448A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 多層セラミツク基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6190448A true JPS6190448A (ja) | 1986-05-08 |
Family
ID=16629739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21287784A Pending JPS6190448A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 多層セラミツク基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6190448A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04104156U (ja) * | 1991-02-15 | 1992-09-08 | 三菱重工業株式会社 | 二流体噴射装置 |
-
1984
- 1984-10-11 JP JP21287784A patent/JPS6190448A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04104156U (ja) * | 1991-02-15 | 1992-09-08 | 三菱重工業株式会社 | 二流体噴射装置 |
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